存储器装置及其操作方法与流程

本公开涉及电子装置，并且更具体地，涉及存储器装置及其操作方法。

背景技术：

1、储存装置是在诸如计算机或智能电话之类的主机装置的控制下存储数据的装置。储存装置可以包括存储数据的存储器装置和控制存储器装置的存储器控制器。存储器装置可以是易失性存储器装置或非易失性存储器装置。

2、易失性存储器装置是仅在供电时存储数据并且在供电中断时存储的数据丢失的装置。易失性存储器装置包括诸如静态随机存取存储器(sram)、动态随机存取存储器(dram)等的易失性存储器。

3、非易失性存储器装置是即使切断电源也不会丢失数据的装置。非易失性存储器装置包括诸如只读存储器(rom)、可编程rom(prom)、电可编程rom(eprom)、电可擦除可编程rom(eeprom)、闪存等的非易失性存储器。

技术实现思路

1、本公开的实施方式可以提供在编程操作之后具有改进的阈值电压分布的存储器装置。

2、根据本公开的实施方式，一种存储器装置可以包括：存储器单元，其连接到多条字线当中的被选字线；外围电路，其被配置为执行将存储器单元当中的要被编程的存储器单元中的每一个的阈值电压编程到小于目标阈值电压的预阈值电压的第一编程操作，并且在执行第一编程操作之后执行将要被编程的存储器单元中的每一个的阈值电压编程到目标阈值电压的第二编程操作；以及控制逻辑，其被配置为控制外围电路，使得在第一编程操作和第二编程操作中，当向被选字线施加编程电压时，向与被选字线相邻的相邻字线依次施加第一通过电压和第二通过电压。在第一编程操作中向相邻字线施加的第二通过电压的幅度可以大于在第二编程操作中向相邻字线施加的第二通过电压的幅度。

3、根据本公开的是一种操作存储器装置的方法，该存储器装置对连接到多条字线当中的被选字线的存储器单元执行编程操作。该方法可以包括：执行将连接到被选字线的存储器单元当中的要被编程的存储器单元中的每一个的阈值电压编程到小于目标阈值电压的预阈值电压的第一编程操作；以及在执行第一编程操作之后，执行将要被编程的存储器单元中的每一个的阈值电压编程到目标阈值电压的第二编程操作。第一编程操作和第二编程操作中的每一个可以包括向被选字线施加编程电压以及向与被选字线相邻的相邻字线依次施加第一通过电压和第二通过电压。在第一编程操作中向相邻字线施加的第二通过电压的幅度可以大于在第二编程操作中向相邻字线施加的第二通过电压的幅度。

4、根据本公开的实施方式，一种存储器装置可以包括：存储器单元，其连接到多条字线当中的被选字线；外围电路，其被配置执行为将存储器单元当中的要被编程的存储器单元中的每一个的阈值电压编程到小于目标阈值电压的预阈值电压的第一编程操作，并且在执行第一编程操作之后执行将要被编程的存储器单元中的每一个的阈值电压编程到目标阈值电压的第二编程操作；以及控制逻辑，其被配置为控制外围电路，以在第一编程操作中向被选字线施加编程电压并且向与被选字线相邻的相邻字线施加通过电压，并且在第二编程操作中向被选字线施加编程电压并且向相邻字线依次施加第一通过电压和第二通过电压。在第一编程操作中向相邻字线施加的第二通过电压的幅度可以大于或等于在第二编程操作中向相邻字线施加的第二通过电压的幅度。

技术特征：

1.一种存储器装置，该存储器装置包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑控制所述外围电路，以对连接到第一被选字线的存储器单元执行所述第一编程操作，然后在对连接到所述第一被选字线的存储器单元执行所述第二编程操作之前，对连接到第二被选字线的存储器单元执行所述第一编程操作。

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑还控制所述外围电路，以在对连接到所述第一被选字线的存储器单元执行所述第二编程操作之后且在对连接到所述第二被选字线的存储器单元执行所述第二编程操作之前，对连接到第三被选字线的存储器单元执行所述第一编程操作。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，在所述第一编程操作中向所述相邻字线施加所述第二通过电压的时间段长于在所述第二编程操作中向所述相邻字线施加所述第二通过电压的时间段。

5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，在所述第一编程操作中，向所述相邻字线施加所述第二通过电压的时间段长于向所述相邻字线施加所述第一通过电压的时间段，并且

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，在所述第一编程操作中向所述相邻字线施加的所述第二通过电压的幅度和在所述第二编程操作中向所述相邻字线施加的所述第二通过电压的幅度大于所述第一通过电压的幅度。

7.一种操作存储器装置的方法，该存储器装置对连接到多条字线当中的被选字线的存储器单元执行编程操作，该方法包括以下步骤：

8.根据权利要求7所述的方法，该方法还包括以下步骤：

9.根据权利要求8所述的方法，该方法还包括以下步骤：

10.根据权利要求7所述的方法，其中，在所述第一编程操作中向所述相邻字线施加的所述第二通过电压的幅度和在所述第二编程操作中向所述相邻字线施加的所述第二通过电压的幅度大于所述第一通过电压的幅度。

11.根据权利要求7所述的方法，其中，在所述第一编程操作中向所述相邻字线施加所述第二通过电压的时间段长于在所述第二编程操作中向所述相邻字线施加所述第二通过电压的时间段。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，在所述第一编程操作中，向所述相邻字线施加所述第二通过电压的时间段长于向所述相邻字线施加所述第一通过电压的时间段，并且

13.一种存储器装置，该存储器装置包括：

14.根据权利要求13所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑控制所述外围电路，以对连接到第一被选字线的存储器单元执行所述第一编程操作，此后在对连接到所述第一被选字线的存储器单元执行所述第二编程操作之前，对连接到第二被选字线的存储器单元执行所述第一编程操作。

15.根据权利要求14所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑还控制所述外围电路，以在对连接到所述第一被选字线的存储器单元执行所述第二编程操作之后且在对连接到所述第二被选字线的存储器单元执行所述第二编程操作之前，对连接到第三被选字线的存储器单元执行所述第一编程操作。

16.根据权利要求13所述的存储器装置，其中，在所述第一编程操作中向所述相邻字线施加的所述第二通过电压的幅度和在所述第二编程操作中向所述相邻字线施加的所述第二通过电压的幅度大于所述第一通过电压的幅度。

技术总结
本申请涉及存储器装置及其操作方法。一种存储器装置包括：存储器单元，其连接到被选字线；外围电路，其被配置为执行将每个存储器单元的阈值电压编程到小于目标阈值电压的预阈值电压的第一编程操作，并且在执行第一编程操作之后执行将每个存储器单元的阈值电压编程到目标阈值电压的第二编程操作；以及控制逻辑，其被配置为控制外围电路，使得在第一编程操作和第二编程操作中，当向被选字线施加编程电压时，向相邻字线依次施加第一通过电压和第二通过电压。在第一编程操作中第二通过电压的幅度可以大于在第二编程操作中第二通过电压的幅度。

技术研发人员：卢仁涉,朴钟庆
受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/5/6