半导体存储装置的制作方法

实施方式涉及一种半导体存储装置。

背景技术：

1、已知有三维地排列着存储单元的半导体存储器。

技术实现思路

1、实施方式提供一种能够提高写入动作的可靠性的半导体存储装置。

2、实施方式的半导体存储装置具备：第1字线，设置在衬底的上方；第2字线，设置在所述第1字线的上方；第3字线，设置在所述第2字线的上方；第1半导体层，具有贯通所述第1字线且设置在所述衬底的上方的第1部分、贯通所述第2及第3字线且设置在所述第1部分的上方的第2部分、及设置在所述第1部分与所述第2部分之间的接合部；第1位线，电连接于所述第1半导体层；解码器，对所述第1、第2、及第3字线施加电压；感测放大器，对所述第1位线施加电压；及控制电路，控制所述解码器及感测放大器；且所述控制电路在对连接于所述第3字线的存储单元晶体管的写入动作中，以如下方式控制所述解码器：在对所述第3字线施加编程电压之前，对所述第1位线施加第1电压，对所述第3字线施加第2电压，对所述第2字线施加高于所述第2电压的第3电压。

技术特征：

1.一种半导体存储装置，其特征在于包含：

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于还包含：

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其特征在于：

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

8.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

9.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其特征在于：

10.一种半导体存储装置，其特征在于包含：

11.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其特征在于还包含：

12.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其特征在于还包含：

13.根据权利要求12所述的半导体存储装置，其特征在于：

14.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其特征在于：

15.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其特征在于：

16.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其特征在于：

17.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其特征在于：

18.根据权利要求11所述的半导体存储装置，其特征在于：

19.根据权利要求11所述的半导体存储装置，其特征在于：

20.一种半导体存储装置，其特征在于包含：

21.根据权利要求20所述的半导体存储装置，其特征在于：

22.根据权利要求21所述的半导体存储装置，其特征在于还包含：

23.根据权利要求22所述的半导体存储装置，其特征在于：

24.根据权利要求21所述的半导体存储装置，其特征在于：

25.根据权利要求21所述的半导体存储装置，其特征在于：

26.根据权利要求20所述的半导体存储装置，其特征在于：

27.根据权利要求20所述的半导体存储装置，其特征在于：

28.根据权利要求20所述的半导体存储装置，其特征在于：

29.根据权利要求21所述的半导体存储装置，其特征在于：

技术总结
实施方式提供一种能够提高写入动作的可靠性的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：第1字线，配置在半导体衬底(30)的上方；第2字线，介隔绝缘层积层在第1字线上；存储柱(MH)，通过第1及第2字线，且具有半导体衬底(30)上的下部柱(LMH)、下部柱(LMH)上的上部柱(UMH)、及下部柱(LMH)与上部柱(UMH)间的接合部(JT)；位线(BL)，电连接于存储柱(MH)；及驱动器(13)，对第1及第2字线施加电压。第1字线比第2字线更靠近接合部，于在选择第2字线的写入动作时使位线(BL)升压的预充电动作中，驱动器(13)对第2字线施加电压(VCP1)，对第1字线施加高于电压(VCP1)的电压(VCP2)。

技术研发人员：西川浩太,坪内洋,仲井健理
受保护的技术使用者：铠侠股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15