一种存储器的操作方法、存储器、存储系统及电子设备与流程

本公开实施例涉及存储领域，尤其涉及一种存储器的操作方法、存储器、存储系统及电子设备。

背景技术：

1、随着信息技术的不断发展和大数据时代的到来，与非闪存(nand flash)存储器以大容量和低成本的优势，逐渐成为非易失性存储器的主流产品。通过对nand flash存储器中的各存储单元进行编程，改变各存储单元的阈值电压(vth)，从而可以实现信息的存储。

2、但是，随着对nand flash存储器存储容量的需求不断增加，nand flash存储器不断朝着器件尺寸缩小和多值存储技术方向发展，导致nand flash存储器中各存储单元的初始阈值电压飘移(initial threshold voltage shift，ivs)更严重，也可以称为快速电荷损失更严重，将导致nand flash存储器的可靠性较低。

技术实现思路

1、本公开的实施例提供一种存储器的操作方法、存储器、存储系统及电子设备，解决了由于存储单元存在初始阈值电压飘移，nand flash存储器的可靠性较低的问题。

2、为达到上述目的，本公开实施例采用如下技术方案：

3、一方面，提供一种存储器的操作方法，存储器包括多个字线，每个字线包括多个存储单元，该方法包括：对多个字线中的选中字线进行第一编程操作，第一编程操作包括对选中字线施加单脉冲one-pulse，将选中字线中的多个存储单元编程为n个编程态。对选中字线进行第二编程操作，将选中字线中的多个存储单元编程到n个目标编程态，n为正整数。

4、本公开实施例提供的存储器的操作方法，首先对多个字线中的选中字线进行第一编程操作，该第一编程操作包括对选中字线施加单脉冲，将选中字线中的多个存储单元编程为n个编程态。然后，对选中字线进行第二编程操作，将选中字线中的多个存储单元编程为n个目标编程态，从而可以解决由于快速电荷损失，选中字线中的多个存储单元阈值电压整体往低飘移的问题，以及该多个存储单元的阈值电压分布曲线展宽的问题，从而可以提高存储器的可靠性。

5、在一些实施例中，第一编程操作不包括验证操作。

6、本公开实施例提供的存储器的操作方法，第一编程操作不包括验证操作，在对选中字线中的多个存储单元进行编程时，与递增步进脉冲编程方式相比，可以节省时间，提高编程效率。

7、在一些实施例中，对选中字线施加单脉冲，包括：对选中字线施加多个连续的编程电压。

8、在一些实施例中，多个连续的编程电压依次增大，或者，依次减小。

9、在一些实施例中，多个连续的编程电压的数量为n个。

10、在一些实施例中，存储器还包括多个位线，选中字线中的多个存储单元与多个位线耦合，第一编程操作包括：对选中字线施加编程电压，对多个位线中的选中位线施加第一位线电压，对多个位线中的未选中位线施加第二位线电压，从而将多个存储单元中与选中位线耦合的存储单元编程为同一编程态，第一位线电压小于第二位线电压。

11、本公开实施例提供的存储器的操作方法，第一编程操作不包括验证操作，在对选中字线中的多个存储单元进行编程时，与递增步进脉冲编程方式相比，可以节省时间，提高编程效率。

12、在一些实施例中，对选中字线进行第二编程操作，包括：采用递增步进脉冲编程ispp方式，对选中字线中的多个存储单元进行第二编程操作。

13、本公开实施例提供的存储器的操作方法，在第一编程操作之后，对选中字线进行第二编程操作，将选中字线中的多个存储单元编程为n个目标编程态，从而可以解决由于快速电荷损失，选中字线中的多个存储单元阈值电压整体往低飘移的问题，以及该多个存储单元的阈值电压分布曲线展宽的问题，从而可以提高nand flash存储器的可靠性。

14、在一些实施例中，第二编程操作包括验证操作。

15、本公开实施例提供的存储器的操作方法，第二编程操作包括验证操作，通过对选中字线进行第二编程操作，对选中字线中的多个存储单元再次进行编程，并进行验证，可以更准确的将选中字线中的存储单元编程至目标编程态，可以解决由于快速电荷损失，选中字线中的多个存储单元阈值电压整体往低飘移的问题，以及该多个存储单元的阈值电压分布曲线展宽的问题，从而可以提高nand flash存储器的可靠性。

16、在一些实施例中，第一编程操作后第n编程态的存储单元的阈值电压分布范围，大于第二编程操作后第n编程态的存储单元的阈值电压分布范围。

17、另一方面，提供一种存储器，该存储器包括外围电路，以及与外围电路耦合的存储阵列，存储阵列包括多个字线，每个字线包括多个存储单元。外围电路被配置为对多个字线中的选中字线进行第一编程操作，第一编程操作包括对选中字线施加单脉冲one-pulse，将选中字线中的多个存储单元编程为n个编程态。对选中字线进行第二编程操作，将选中字线中的多个存储单元编程到n个目标编程态，n为正整数。

18、在一些实施例中，第一编程操作不包括验证操作。

19、在一些实施例中，外围电路具体被配置为对选中字线施加多个连续的编程电压。

20、在一些实施例中，多个连续的编程电压依次增大，或者，依次减小。

21、在一些实施例中，多个连续的编程电压的数量为n个。

22、在一些实施例中，存储阵列还包括多个位线，选中字线中的多个存储单元与多个位线耦合。外围电路具体被配置为对选中字线施加编程电压，对多个位线中的选中位线施加第一位线电压，对多个位线中的未选中位线施加第二位线电压，从而将多个存储单元中与选中位线耦合的存储单元编程为同一编程态，第一位线电压小于第二位线电压。

23、在一些实施例中，外围电路具体被配置为采用递增步进脉冲编程ispp方式，对选中字线中的多个存储单元进行第二编程操作。

24、在一些实施例中，第二编程操作包括验证操作。

25、在一些实施例中，第一编程操作后第n编程态的存储单元的阈值电压分布范围，大于第二编程操作后第n编程态的存储单元的阈值电压分布范围。

26、又一方面，提供一种存储系统，该存储系统包括控制器、以及与控制器耦合的至少一个存储器，控制器用于控制存储器的读写，该存储器包括前述提供的存储器。

27、再一方面，提供一种电子设备，该电子设备包括处理器，以及与处理器耦合的存储系统，存储系统包括前述提供的存储系统。

28、可以理解地，本公开的上述实施例提供的存储器、存储系统及电子设备，其所能达到的有益效果可参考上文中存储器的操作方法的有益效果，此处不再赘述。

技术特征：

1.一种存储器的操作方法，其特征在于，所述存储器包括多个字线，每个字线包括多个存储单元，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一编程操作不包括验证操作。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述选中字线施加单脉冲，包括：对所述选中字线施加多个连续的编程电压。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述多个连续的编程电压依次增大，或者，依次减小。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述多个连续的编程电压的数量为n个。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述存储器还包括多个位线，所述选中字线中的多个存储单元与所述多个位线耦合，所述第一编程操作包括：

7.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其特征在于，所述对所述选中字线进行第二编程操作，包括：

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二编程操作包括验证操作。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一编程操作后第n编程态的存储单元的阈值电压分布范围，大于所述第二编程操作后第n编程态的存储单元的阈值电压分布范围。

10.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括外围电路，以及与所述外围电路耦合的存储阵列，所述存储阵列包括多个字线，每个字线包括多个存储单元；

11.根据权利要求10所述的存储器，其特征在于，所述第一编程操作不包括验证操作。

12.根据权利要求11所述的存储器，其特征在于，

13.根据权利要求12所述的存储器，其特征在于，所述多个连续的编程电压依次增大，或者，依次减小。

14.根据权利要求13所述的存储器，其特征在于，所述多个连续的编程电压的数量为n个。

15.根据权利要求14所述的存储器，其特征在于，所述存储阵列还包括多个位线，所述选中字线中的多个存储单元与所述多个位线耦合；

16.根据权利要求10-15中任一项所述的存储器，其特征在于，

17.根据权利要求16所述的存储器，其特征在于，所述第二编程操作包括验证操作。

18.根据权利要求17所述的存储器，其特征在于，所述第一编程操作后第n编程态的存储单元的阈值电压分布范围，大于所述第二编程操作后第n编程态的存储单元的阈值电压分布范围。

19.一种存储系统，其特征在于，所述存储系统包括控制器、以及与所述控制器耦合的至少一个存储器，所述控制器用于控制所述存储器的读写，所述存储器为如权利要求10-18中任一项所述的存储器。

20.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括处理器，以及与所述处理器耦合的存储系统，所述存储系统为如权利要求19所述的存储系统。

技术总结
本公开提供一种存储器的操作方法、存储器、存储系统及电子设备，涉及存储领域，解决了由于存储单元存在初始阈值电压飘移，NAND flash存储器的可靠性较低的问题。具体方案为：提供一种存储器的操作方法，该存储器包括多个字线，每个字线包括多个存储单元，该方法包括：对多个字线中的选中字线进行第一编程操作，第一编程操作包括对选中字线施加单脉冲one‑pulse，将选中字线中的多个存储单元编程为N个编程态。对选中字线进行第二编程操作，将选中字线中的多个存储单元编程到N个目标编程态，N为正整数。

技术研发人员：李晨辉,赵向南,刘红涛
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：
技术公布日：2025/1/2