包括具有不同尺寸的存储器单元的存储器的制作方法

本公开的实施方式涉及集成电路技术，更具体地，涉及一种存储器。

背景技术：

1、存储器的集成度主要根据单位存储器单元所占据的面积确定。最近，随着在基板上以单层形成存储器单元的存储器的集成度的改进达到极限，已提出了在基板上层叠存储器单元的三维存储器。此外，为了改进这种存储器的操作可靠性，已开发了各种结构和制造方法。

技术实现思路

1、在本公开的实施方式中，一种存储器可包括：第一存储块，其包括多个第一存储器单元；以及第二存储块，其包括多个第二存储器单元，各个第二存储器单元的尺寸大于多个第一存储器单元中的每一个的尺寸，其中，正常数据可被存储在第一存储块中，并且需要可靠性的关键数据可被存储在第二存储块中。

2、在本公开的实施方式中，一种存储器可包括：第一存储器串，各个第一存储器串包括多个第一存储器单元；第二存储器串，其包括多个第二存储器单元，各个第二存储器单元的尺寸大于多个第一存储器单元中的每一个的尺寸；第一位线，其连接到第一存储器串；以及第二位线，其连接到第二存储器串，其中，在读操作期间，第一位线的电压电平和第二位线的电压电平可不同地被控制。

技术特征：

1.一种存储器，该存储器包括：

2.根据权利要求1所述的存储器，其中，所述多个第一存储器单元中的每一个中的每单元存储的数据的比特数不同于所述多个第二存储器单元中的每一个中的每单元存储的数据的比特数。

3.根据权利要求1所述的存储器，其中，所述关键数据包括缓冲数据、元数据、引导数据和设置数据中的一个或更多个。

4.根据权利要求1所述的存储器，其中，所述第一存储块包括第一存储器串，所述第一存储器串包括所述第一存储器单元，所述第一存储器串各自具有第一面积，并且

5.根据权利要求4所述的存储器，其中，所述第一存储器串的形状不同于所述第二存储器串的形状。

6.根据权利要求4所述的存储器，其中，所述第一存储块还包括第一栅极结构，各个所述第一栅极结构包括一条或更多条第一选择线和多条第一字线，并且

7.根据权利要求6所述的存储器，其中，所述第二存储块还包括第二栅极结构，各个所述第二栅极结构包括一条或更多条第二选择线和多条第二字线，并且

8.根据权利要求7所述的存储器，其中，所述第一选择线中的至少一条的启用电压电平不同于所述第二选择线中的至少一条的启用电压电平。

9.根据权利要求7所述的存储器，其中，所述第一选择线中的至少一条在被启用时被过驱动，

10.根据权利要求7所述的存储器，其中，所述第一选择线中的至少一条在被启用时被过驱动，

11.根据权利要求7所述的存储器，其中，用于驱动所述第一选择线中的至少一条的第一通过晶体管的尺寸不同于用于驱动所述第二选择线中的至少一条的第二通过晶体管的尺寸。

12.根据权利要求9所述的存储器，其中，所述第一选择线中的至少一条是漏极选择线，并且所述第二选择线中的至少一条是漏极选择线。

13.一种存储器，该存储器包括：

14.根据权利要求13所述的存储器，其中，一对所述第一存储器串和一个所述第二存储器串被布置为在一个存储块内以锯齿形方式彼此交叉。

15.根据权利要求13所述的存储器，其中，在所述读操作期间，所述第一位线的预充电电压电平不同于所述第二位线的预充电电压电平。

16.根据权利要求13所述的存储器，其中，在所述读操作期间，所述第一位线连接到第一感测节点的评估时段的长度不同于所述第二位线连接到第二感测节点的评估时段的长度。

17.一种存储器，该存储器包括：

18.根据权利要求17所述的存储器，其中，所述第一存储器单元和所述第二存储器单元按锯齿形图案布置。

19.根据权利要求17所述的存储器，其中，所述关键数据包括元数据、引导数据、设置数据和缓冲数据中的至少一个。

技术总结
本申请涉及包括具有不同尺寸的存储器单元的存储器。一种存储器可包括：第一存储块，其包括多个第一存储器单元；以及第二存储块，其包括多个第二存储器单元，各个第二存储器单元的尺寸大于多个第一存储器单元中的每一个的尺寸。正常数据可存储在第一存储块中，需要可靠性的关键数据可存储在第二存储块中。

技术研发人员：郭东勋,成纹守,郑羽杓
受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/8/21