存储装置的制作方法

公开涉及存储装置及其操作方法。

背景技术：

1、正在不断开发具有更大容量的存储装置。例如，一种方法是在nand闪存中使用堆叠结构，而另一种方法是增加单元位密度。两种方法旨在增加装置的整体容量。当增加存储装置的容量时，由于制造工艺的变化，性能可能在存储器的所有区域上不一致。这可能导致依赖存储器的区域的程序执行时间的差异。

技术实现思路

1、一些实施例可提供可改善和/或维持性能一致性的存储装置及其操作方法。

2、根据一些实施例，存储装置可包括存储器装置和装置控制器。存储器装置可包括：存储器单元阵列，被划分为包括第一区域和第二区域的多个区域。装置控制器可控制存储装置，使得存储器装置使用第一初始编程电压将第一数据编程到第一区域中，并且使用具有与第一初始编程电压不同的幅度的第二初始编程电压将第二数据编程到第二区域中。

3、根据一些实施例，存储装置可包括电源管理装置、装置控制器、分压器、开关电路和存储器单元阵列。电源管理装置可被配置为供应第一初始编程电压，并且装置控制器可被配置为输出控制信号。分压器可对第一初始编程电压进行分压以生成一个或多个第二初始编程电压。开关电路可被配置为响应于控制信号而从包括第一初始编程电压和所述一个或多个第二初始编程电压的多个初始编程电压之中选择选择的初始编程电压。存储器单元阵列可使用由开关电路选择的选择的初始编程电压来对数据进行编程。

4、根据一些实施例，存储装置可包括多条电压供应线、装置控制器、开关电路和存储器单元阵列。所述多条电压供应线可被配置为分别传送包括具有不同幅度的第一初始编程电压和第二初始编程电压的多个初始编程电压，并且装置控制器可输出控制信号。开关电路可响应于控制信号而从通过所述多条电压供应线传送的所述多个初始编程电压之中选择选择的初始编程电压。存储器单元阵列可使用由开关电路选择的初始编程电压来对数据进行编程。

技术特征：

1.一种存储装置，包括：

2.根据权利要求1所述的存储装置，其中，第一区域具有比第二区域长的编程时间，并且

3.根据权利要求1所述的存储装置，其中，存储器单元阵列具有包括基底的垂直结构，并且

4.根据权利要求3所述的存储装置，其中，第一初始编程电压在幅度上高于第二初始编程电压。

5.根据权利要求1所述的存储装置，还包括：电源管理装置，被配置为通过电压供应线供应第一初始编程电压，并且

6.根据权利要求5所述的存储装置，其中，装置控制器还被配置为在第一数据将被编程到第一区域中时输出第一控制信号，并且在第二数据将被编程到第二区域中时输出第二控制信号，并且

7.根据权利要求1所述的存储装置，还包括：

8.根据权利要求1所述的存储装置，还包括：

9.根据权利要求8所述的存储装置，其中，装置控制器还被配置为在第一数据将被编程到第一区域中时输出第一控制信号，并且在第二数据将被编程到第二区域中时输出第二控制信号，并且

10.根据权利要求1所述的存储装置，还包括：电容器，被配置为存储电荷；

11.一种存储装置，包括：

12.根据权利要求11所述的存储装置，其中，存储器单元阵列被划分为多个区域，并且

13.根据权利要求12所述的存储装置，其中，存储器单元阵列具有包括基底的垂直结构，并且

14.根据权利要求12所述的存储装置，其中，所述多个区域包括第一区域和具有比第一区域短的编程时间的第二区域，并且

15.一种存储装置，包括：

16.根据权利要求15所述的存储装置，还包括：电源管理装置，被配置为通过所述多条电压供应线供应所述多个初始编程电压。

17.根据权利要求15所述的存储装置，还包括：

18.根据权利要求15所述的存储装置，其中，存储器单元阵列被划分为分别对应于所述多个初始编程电压的多个区域，并且

19.根据权利要求18所述的存储装置，其中，存储器单元阵列具有垂直结构，并且

20.根据权利要求18所述的存储装置，其中，所述多个区域包括第一区域和具有比第一区域短的编程时间的第二区域，并且

技术总结
提供一种存储装置。所述存储装置包括存储器装置和装置控制器，存储器装置包括：存储器单元阵列，被划分为包括第一区域和第二区域的多个区域。装置控制器被配置为控制所述存储装置，以便允许存储器装置使用第一初始编程电压将第一数据编程到第一区域中，并且使用具有与第一初始编程电压不同的幅度的第二初始编程电压将第二数据编程到第二区域中。

技术研发人员：李承翰,金范俊,郑宝敦
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/5/6