flash的冗余替换方法、装置、寄存器和存储芯片与流程

本申请涉及存储芯片，具体而言，涉及一种flash的冗余替换方法、装置、寄存器和存储芯片。

背景技术：

1、flash作为一种非易失性存储器，其生产后需要经过多道测试程序，如以未减划硅片为对象的测试, 以封装片为对象的测试等，以筛选出性能合格的芯片。

2、flash制造工艺存在缺陷，导致flash中的存储主区中的存储单元可能有部分无法擦写的区域，即这些区域地址无法正常使用，为了挽救这些存储区存在缺陷的flash芯片，一般会利用设计于芯片内的redundancy存储区（简称冗余区）中的冗余单元去替换存储区中无法擦写的存储单元，使得芯片中可擦写区域满足使用设计需求。

3、现有的应用于flash（如nor flash）中的冗余替换手段一般为检测存储单元是否为坏存储单元，若是则直接利用未检测的冗余单元进行替换以作为新的存储单元使用，在整个flash完成检测和替换处理后，再对flash进行二次检测，若仍存在坏存储单元，则报废该flash，该冗余替换方式未能充分利用冗余区的冗余单元，导致flash产品良品率难以提高。

4、针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。

技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种flash的冗余替换方法、装置、寄存器和存储芯片，以更充分利用冗余区的冗余单元来进行替换处理来提高产品良品率。

2、第一方面，本申请提供了一种flash的冗余替换方法，用于替换坏存储单元，所述方法包括以下步骤：

3、依地址顺序同时选中存储区的存储单元和冗余区的冗余单元进行检测，并分别生成存储单元检测结果和冗余单元检测结果；

4、在所述存储单元检测结果为坏，以及所述冗余单元检测结果为坏或所述冗余单元检测结果对应的冗余单元已用于替换时，获取冗余单元检测结果为好且未用于替换的冗余单元来替换该存储单元检测结果为坏的存储单元。

5、本申请的flash的冗余替换方法利用冗余单元检测结果为好且未用于替换的冗余单元来进行替换处理，使得替换后的存储单元必然为好存储单元，省去了flash 的冗余替换处理中的二次检测过程，并提高了产品良品率，且能充分利用冗余区的冗余单元。

6、所述的flash的冗余替换方法，其中，每个所述冗余单元仅基于第一次检测生成冗余单元检测结果。

7、该示例能调用在前检测生成的冗余单元检测结果作为该轮次的冗余单元检测结果，以节省设备资源消耗，并提高检测效率。

8、所述的flash的冗余替换方法，其中，所述方法还包括执行于所述依地址顺序同时选中存储区的存储单元和冗余区的冗余单元进行检测，并分别生成存储单元检测结果和冗余单元检测结果的步骤之后的步骤：

9、在所述存储单元检测结果为坏，以及所述冗余单元检测结果为好且所述冗余单元检测结果对应的冗余单元未用于替换时，利用该冗余单元检测结果为好的冗余单元来替换该存储单元检测结果为坏的存储单元。

10、所述的flash的冗余替换方法，其中，所述获取冗余单元检测结果为好且未用于替换的冗余单元来替换该存储单元检测结果为坏的存储单元的步骤为重新依地址顺序搜索获取冗余单元。

11、所述的flash的冗余替换方法，其中，在同一字线中，在所述依地址顺序同时选中存储区的存储单元和冗余区的冗余单元进行检测的步骤中，在依地址顺序选中存储区的存储单元的过程中，冗余区的冗余单元为重复性依照所述地址顺序被选中。

12、所述的flash的冗余替换方法，其中，所述存储单元和所述冗余单元均基于多级多路选择器选中。

13、所述的flash的冗余替换方法，其中，所述存储单元数量和冗余单元数量比为128:1。

14、第二方面，本申请还提供了一种flash的冗余替换装置，用于替换坏存储单元，所述装置包括：

15、检测模块，用于依地址顺序同时选中存储区的存储单元和冗余区的冗余单元进行检测，并分别生成存储单元检测结果和冗余单元检测结果；

16、替换模块，用于在所述存储单元检测结果为坏，以及所述冗余单元检测结果为坏或所述冗余单元检测结果对应的冗余单元已用于替换时，获取冗余单元检测结果为好且未用于替换的冗余单元来替换该存储单元检测结果为坏的存储单元。

17、本申请的flash的冗余替换装置利用冗余单元检测结果为好且未用于替换的冗余单元来进行替换处理，使得替换后的存储单元必然为好存储单元，省去了flash 的冗余替换处理中的二次检测过程，并提高了产品良品率，且能充分利用冗余区的冗余单元。

18、第三方面，本申请还提供了一种配置寄存器，用于非易失性地存储基于如第一方面提供的flash的冗余替换方法替换存储区的存储单元所产生的冗余替换配置信息。

19、第四方面，本申请还提供了一种存储芯片，所述存储芯片基于如第一方面提供的flash的冗余替换方法替换存储区的存储单元。

20、由上可知，本申请提供了一种flash的冗余替换方法、装置、寄存器和存储芯片，其中，方法通过同时选中存储单元和冗余单元进行检测的方式，来生成分别表征存储单元好坏的存储单元检测结果和表征冗余单元好坏的冗余单元检测结果，利用冗余单元检测结果为好且未用于替换的冗余单元来进行替换处理，使得替换后的存储单元必然为好存储单元，省去了flash 的冗余替换处理中的二次检测过程，并提高了产品良品率，且能充分利用冗余区的冗余单元。

技术特征：

1.一种flash的冗余替换方法，用于替换坏存储单元，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的flash的冗余替换方法，其特征在于，每个所述冗余单元仅基于第一次检测生成冗余单元检测结果。

3.根据权利要求1所述的flash的冗余替换方法，其特征在于，所述方法还包括执行于所述依地址顺序同时选中存储区的存储单元和冗余区的冗余单元进行检测，并分别生成存储单元检测结果和冗余单元检测结果的步骤之后的步骤：

4.根据权利要求1所述的flash的冗余替换方法，其特征在于，所述获取冗余单元检测结果为好且未用于替换的冗余单元来替换该存储单元检测结果为坏的存储单元的步骤为重新依地址顺序搜索获取冗余单元。

5.根据权利要求1所述的flash的冗余替换方法，其特征在于，在同一字线中，在所述依地址顺序同时选中存储区的存储单元和冗余区的冗余单元进行检测的步骤中，在依地址顺序选中存储区的存储单元的过程中，冗余区的冗余单元为重复性依照所述地址顺序被选中。

6.根据权利要求1所述的flash的冗余替换方法，其特征在于，所述存储单元和所述冗余单元均基于多级多路选择器选中。

7.根据权利要求1所述的flash的冗余替换方法，其特征在于，所述存储单元数量和冗余单元数量比为128:1。

8.一种flash的冗余替换装置，用于替换坏存储单元，其特征在于，所述装置包括：

9.一种配置寄存器，其特征在于，用于非易失性地存储基于如权利要求1-7任一项所述的flash的冗余替换方法替换存储区的存储单元所产生的冗余替换配置信息。

10.一种存储芯片，其特征在于，所述存储芯片基于如权利要求1-7任一项所述的flash的冗余替换方法替换存储区的存储单元。

技术总结
本发明涉及存储芯片技术领域，具体公开了一种flash的冗余替换方法、装置、寄存器和存储芯片，其中，方法包括步骤：依地址顺序同时选中存储区的存储单元和冗余区的冗余单元进行检测，并分别生成存储单元检测结果和冗余单元检测结果；在存储单元检测结果为坏，以及冗余单元检测结果为坏或冗余单元检测结果对应的冗余单元已用于替换时，获取冗余单元检测结果为好且未用于替换的冗余单元来替换该存储单元检测结果为坏的存储单元；该方法利用冗余单元检测结果为好且未用于替换的冗余单元来进行替换处理，使得替换后的存储单元为好存储单元，省去了flash的冗余替换处理中的二次检测过程，并提高了良品率，且能充分利用冗余区的冗余单元。

技术研发人员：林朝明,朱雨萌,冯嘉,黄凯怡,康治伟
受保护的技术使用者：芯天下技术股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14