半导体装置、电子装置、设定电子装置的特性的方法与流程

本发明涉及一种半导体装置、电子装置以及设定电子装置的特性的方法。

背景技术：

1、专利文献1中公开一种包含激光熔丝(laser fuse)电路、电熔丝电路及调整电路的半导体集成电路。所述半导体集成电路中，激光熔丝电路通过激光照射来存储第一修整代码(trimming code)。电熔丝电路通过电压施加来存储第二修整代码。调整电路对应于第一修整代码或第二修整代码来调整电位电平或定时。根据所述半导体集成电路，能够缩短测试时间并且提高可靠性。

2、[现有技术文献]

3、[专利文献]

4、专利文献1：日本专利特开2008-53259号公报

技术实现思路

1、[发明所要解决的问题]

2、在半导体装置中的电路中，有的可通过修整来使特性高精度化，而且有时要求此种高精度化。用于修整的特性数据对应于半导体装置的每个个体而不同。为了将每个个体的数据记录至半导体装置，可利用金属熔丝(激光熔断熔丝)。但是，伴随工艺的微细化，金属熔丝的使用将妨碍半导体装置的芯片面积的缩小。

3、与使用金属熔丝的电路特性的变更相关的例示如下。半导体装置集成有例如振荡器及电压调节器等、具有应通过一个或多个值来确定的特性的电路。在对半导体装置接通电源后，为了从控制器芯片读出修整数据而施加电源电压。来自金属熔丝的修整数据被读出，修整数据例如是为了确定振荡器及电压调节器的电路特性而设定。金属熔丝的编程是不使呈现未设定的特性的电压调节器运行而进行，将呈现未设定的特性的电压调节器变为呈现已设定的特性的电压调节器。金属熔丝的利用可避免被未设定的电压调节器的未知特性困扰。但是，期望不利用金属熔丝的方式。

4、本发明的目的在于提供一种半导体装置、电子装置以及设定电子装置的特性的方法，能够在包含具有应通过一个或多个值来确定的特性的电路的半导体装置的制造工艺后变更所述电路的特性。

5、[解决问题的技术手段]

6、本发明的第一方面的半导体装置包括：保存电路，构成为，连接于具有应通过一个或多个值来确定的特性的调节器电路，且保存确定所述调节器电路的所述特性的值；以及电子熔丝控制器，包括构成为连接于包含一个或多个电子熔丝的电子熔丝电路的输入、构成为连接于所述保存电路的输出、读出控制电路以及特性控制电路，所述读出控制电路包含读电路，所述读电路构成为，在读出期间经由所述输入而从所述电子熔丝的至少一部分读出值，所述特性控制电路构成为，根据来自所述读电路的信号而生成构成为确定所述特性的确定数据，并且，在与所述读出期间不同的确定期间经由所述输出而将所述确定数据提供给所述保存电路。

7、本发明的第二方面的电子装置包括第一方面的半导体装置以及包含所述电子熔丝电路的电子熔丝装置。

8、本发明的第三方面的设定电子装置的特性的方法包括：准备第二方面的电子装置；进行从电源对所述电子装置的第一供电；响应所述第一供电而从所述调节器电路对所述电子熔丝控制器以及所述保存电路进行第二供电；在所述第二供电之后，从所述电子熔丝读出所述值而生成所述确定数据；以及将所述确定数据提供给所述保存电路。

9、[发明的效果]

10、根据所述方面，可提供一种半导体装置、电子装置以及设定电子装置的特性的方法，能够在包含具有应通过一个或多个值来确定的特性的电路的半导体装置的制造工艺后变更所述电路的特性。

技术特征：

1.一种半导体装置，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

4.根据权利要求3所述的半导体装置，还包括：

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

6.根据权利要求2所述的半导体装置，其中

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

11.一种电子装置，包括：

12.根据权利要求11所述的电子装置，其中

13.一种设定电子装置的特性的方法，包括：

14.根据权利要求13所述的设定电子装置的特性的方法，还包括：

技术总结
本发明提供一种半导体装置、电子装置、设定电子装置的特性的方法，能够在包含具有应通过值来确定的特性的电路的半导体装置的制造工艺之后变更所述电路的特性。半导体装置包括：保存电路，连接于具有应通过一个或多个值来确定的特性的调节器电路，且保存确定调节器电路的特性的值；以及电子熔丝控制器，包括连接于包含一个或多个电子熔丝的电子熔丝电路的输入、连接于保存电路的输出、读出控制电路以及特性控制电路，读出控制电路包含读电路，读电路构成为，在读出期间经由输入而从电子熔丝的至少一部分读出值，特性控制电路根据来自读电路的信号而生成确定特性的确定数据，并且在与读出期间不同的确定期间经由输出而将确定数据提供给保存电路。

技术研发人员：曽我龙,前田智行
受保护的技术使用者：蓝碧石科技株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/3/31