与行锤刷新相关的半导体装置和半导体系统的制作方法

本公开涉及与行锤刷新相关的半导体装置和半导体系统。

背景技术：

1、在半导体装置中，与静态随机存取存储器(sram)或闪存不同，dram具有存储单元中存储的信息随着时间而丢失的现象。为了防止这种现象，执行在外部以特定周期再次写入存储单元中存储的信息的操作。一系列这样的操作被称为刷新。刷新是以通过在存储体内的每个存储单元的保持时间内将字线激活至少一次来感测和放大数据的方式来被执行的。在这种情况下，保持时间是指在将数据写入存储单元之后在不进行刷新的情况下数据能够保持在存储单元中的时间。

2、随着半导体装置中包括的存储单元的集成度增大，存储单元之间的干扰的影响逐渐增大。随着重复对一个存储单元的存取操作，会导致其中存储在相邻存储单元中的信息丢失的行锤。因此，通过当执行刷新时除了对目标地址之外还对相邻存储单元执行的行锤刷新，因行锤引起的信息丢失被防止。

技术实现思路

1、在实施方式中，一种半导体装置可以包括：区间控制电路，被配置成通过检测到恰好在行锤命令信号的脉冲被生成之前输入的内部地址被采样为目标地址来生成检测区间信号；信号校正电路，被配置成生成校正随机信号以调整内部地址，使得在指定区间和其中检测区间信号被激活的检测区间期间，在行锤命令信号的连续脉冲之间，内部地址被采样为目标地址小于或等于预设次数；以及行锤刷新电路，被配置成基于响应于校正随机信号生成的目标地址来执行行锤刷新。

2、在实施方式中，一种半导体装置可以包括：命令随机信号生成电路，被配置成当随机信号处于其中随机信号被激活用于采样操作的状态时，同步于行锤命令信号的脉冲被生成的定时而生成命令随机信号的脉冲；校正随机信号生成电路，被配置成响应于在从命令随机信号的脉冲被生成的定时开始的检测区间期间被激活的检测区间信号以及针对每个指定区间而被激活的指定区间信号，在指定区间和检测区间期间通过调整在行锤命令信号的连续脉冲之间随机信号被激活的区间来生成校正随机信号；以及行锤刷新电路，被配置成基于响应于校正随机信号生成的目标地址来执行行锤刷新。

3、在实施方式中，一种半导体系统可以包括：控制器，被配置成施加命令和地址；以及半导体装置，被配置成：基于命令，通过检测到从恰好在用于行锤刷新的行锤命令信号的脉冲被生成之前输入的地址生成的内部地址被采样为目标地址来设置检测区间；被配置成在检测区间期间调整在行锤命令信号的连续脉冲之间内部地址被采样为目标地址的次数；以及被配置成基于目标地址执行行锤刷新。

技术特征：

1.一种半导体装置，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述区间控制电路包括命令信号生成电路，所述命令信号生成电路响应于针对刷新而生成的刷新信号来生成正常命令信号和所述行锤命令信号。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述命令信号生成电路：当所述刷新信号的脉冲被生成n次时，在生成(n-1)次所述正常命令信号的脉冲之后，生成一次所述行锤命令信号的脉冲。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述区间控制电路还包括命令随机信号生成电路，所述命令随机信号生成电路：当随机信号已经被激活用于采样操作时，同步于所述行锤命令信号的脉冲被生成的定时而生成命令随机信号的脉冲。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述区间控制电路还包括检测区间信号生成电路，所述检测区间信号生成电路：生成在从所述命令随机信号的脉冲被生成的定时到区间重置信号的脉冲被生成的定时的区间期间被激活的所述检测区间信号。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述区间控制电路还包括检测区间重置信号生成电路，所述检测区间重置信号生成电路：通过在所述检测区间信号被激活的区间期间对所述行锤命令信号的脉冲的数量进行计数来生成区间重置信号的脉冲。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述检测区间重置信号生成电路包括：

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述信号校正电路包括合成区间信号生成电路，所述合成区间信号生成电路：响应于针对每个指定区间而被激活的指定区间信号和所述检测区间信号而生成在所述指定区间和所述检测区间中被激活的合成区间信号。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述信号校正电路还包括校正随机信号生成电路，所述校正随机信号生成电路：在所述合成区间信号被激活的区间期间，通过调整在所述行锤命令信号的连续脉冲之间随机信号被激活的区间来生成所述校正随机信号。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述校正随机信号生成电路：

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述行锤刷新电路包括目标地址生成电路，所述目标地址生成电路：当所述校正随机信号被激活时通过对所述内部地址进行采样来输出所述内部地址作为所述目标地址。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述行锤刷新电路还包括行锤控制电路，所述行锤控制电路：当通过对所述内部地址进行采样而所述目标地址被生成时，控制对与通过所述目标地址访问的存储单元相邻的存储单元的所述行锤刷新的执行。

13.一种半导体装置，包括：

14.根据权利要求13所述的半导体装置，还包括命令信号生成电路，所述命令信号生成电路：响应于针对刷新而生成的刷新信号来生成正常命令信号和所述行锤命令信号。

15.根据权利要求13所述的半导体装置，还包括检测区间信号生成电路，所述检测区间信号生成电路：生成在从所述命令随机信号的脉冲被生成的定时到区间重置信号的脉冲被生成的定时的区间期间被激活的所述检测区间信号。

16.根据权利要求13所述的半导体装置，还包括检测区间重置信号生成电路，所述检测区间重置信号生成电路：通过在所述检测区间信号被激活的区间期间对所述行锤命令信号的脉冲的数量进行计数来生成区间重置信号的脉冲。

17.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，所述检测区间重置信号生成电路包括：

18.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，所述校正随机信号生成电路：

19.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，所述行锤刷新电路包括：

20.一种半导体系统，包括：

技术总结
本公开涉及与行锤刷新相关的半导体装置和半导体系统。一种半导体装置包括：区间控制电路，被配置成通过检测到恰好在行锤命令信号的脉冲被生成之前输入的内部地址被采样为目标地址来生成检测区间信号；信号校正电路，被配置成生成校正随机信号以调整内部地址，使得在指定区间和其中检测区间信号被激活的检测区间期间，在行锤命令信号的连续脉冲之间，内部地址被采样为目标地址小于或等于预设次数；以及行锤刷新电路，被配置成基于响应于校正随机信号生成的目标地址来执行行锤刷新。

技术研发人员：林重昊
受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/11/14