针对泄漏字线的快速搜索的制作方法

背景技术：

1、本公开涉及非易失性存储器。

2、半导体存储器广泛用于各种电子设备，诸如蜂窝电话、数码相机、个人数字助理、医疗电子器件、移动计算设备、服务器、固态驱动器、非移动计算设备和其他设备。半导体存储器可包括非易失性存储器或易失性存储器。非易失性存储器允许存储信息，且即使当非易失性存储器未连接到电源(例如，电池)时，也允许保留信息。

3、存储器系统中的存储器结构通常含有许多存储器单元和各种控制线。存储器结构可以是三维的。一种类型的三维结构具有被布置为垂直nand串的非易失性存储器单元。存储器结构可被布置成通常被称为块的单元。例如，nand存储器系统中的块含有许多nand串。nand串包含串联连接的存储器单元晶体管、在一端的漏极侧选择栅极和在另一端的源极侧选择栅极。每个nand串与位线相关联。块通常具有许多字线，该字线向存储器单元晶体管的控制栅极提供电压。在一些架构中，每个字线连接到块中的每个相应nand串上的一个存储器单元的控制栅极。

4、非易失性存储器单元可被编程为存储数据。通常，存储器单元被编程为多个数据状态。使用两个数据状态来每单元存储单个位在本文中被称为slc编程。使用更多数量的数据状态允许每存储器单元存储更多个位。使用附加数据状态来每单元存储两个或更多个位在本文中被称为mlc编程。例如，四个数据状态可用于每存储器单元存储两个位，八个数据状态可用于每存储器单元存储三个位，16个数据状态可用于每存储器单元存储四个位等。可通过在存储器单元内存储电荷来将一些存储器单元编程为数据状态。例如，可通过将电荷编程到电荷存储区域诸如电荷俘获层中来将nand存储器单元的阈值电压(vt)设置为目标vt。存储在电荷俘获层中的电荷的量决定了存储器单元的vt。

5、在编程操作期间，将一系列编程电压脉冲施加到存储器单元的控制栅极。每个电压脉冲在幅值上可在处理中从先前编程脉冲步进一个步长大小，该处理被称为增量步进脉冲编程。每个编程电压之后可以是用以确定相应存储器单元是否已经被编程为期望存储器状态的验证操作。因此，编程操作可包括多个编程/验证循环。连接到正被验证的存储器单元的字线在本文中被称为“所选择字线”。连接到nand串上的其他存储器单元的其余字线在本文中被称为“未选择字线”。

6、存储器结构中可能存在以下制造缺陷。例如，字线和nand串之间可能存在短路。字线和导电线诸如源极线之间可能存在短路。此类缺陷可导致存储器操作诸如擦除、编程和/或读取的功能障碍。此类缺陷可潜在地导致数据丢失。因此，通常在制造之后测试存储器结构以检测此类缺陷。存储器结构的具有缺陷的区域可被止用(retire)。例如，可将含有缺陷的存储器单元的块标记为坏块，使得在现场不使用该块。

7、现场的正常存储器操作在存储器结构上产生少量应力。随时间推移，来自许多存储器操作的累积应力可能会产生缺陷。在本文中，术语“增长坏块”是指在现场发展出缺陷的存储器单元的块。一些存储器系统将针对增长坏块进行测试并止用增长坏块。例如，一些系统可在编程操作期间针对缺陷进行测试。然而，在编程操作期间针对缺陷进行测试可能会影响性能。

技术实现思路

技术特征：

1.一种装置，所述装置包括：

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述一个或多个控制电路被进一步配置为：

3.根据权利要求2所述的装置，其中：

4.根据权利要求3所述的装置，其中：

5.根据权利要求4所述的装置，其中：

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述一个或多个控制电路被进一步配置为：

7.根据权利要求6所述的装置，其中：

8.根据权利要求1所述的装置，其中所述一个或多个控制电路被进一步配置为：

9.根据权利要求8所述的装置，其中每个字线的所述通过/失败状况是单个位。

10.根据权利要求1所述的装置，其中所述一个或多个控制电路被进一步配置为：

11.根据权利要求1所述的装置，其中所述短路包括字线到存储器孔短路。

12.根据权利要求1所述的装置，其中所述短路包括字线到源极线短路。

13.一种用于定位包括具有nand串的块的存储器结构中的泄漏字线的方法，所述方法包括：

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述存储器结构的所述另一区域包括连接到所选择块中的所述nand串的源极端的源极线和连接到所选择块中的所述nand串的相应漏极端的位线。

15.一种非易失性存储系统，所述系统包括：

16.根据权利要求15所述的非易失性存储系统，其中：

17.根据权利要求16所述的非易失性存储系统，其中用于在一系列步骤中针对所述泄漏字线进行搜索的所述构件进一步用于：

18.根据权利要求15所述的非易失性存储系统，其中用于确定所选择块是否具有泄漏字线的所述构件进一步用于：

19.根据权利要求18所述的非易失性存储系统，其中用于在一系列步骤中针对所述泄漏字线进行搜索的所述构件进一步用于：

20.根据权利要求15所述的非易失性存储系统，所述非易失性存储系统还包括：用于输出所述泄漏字线的地址的构件。

技术总结
本文公开了用于检测非易失性存储系统中的泄露字线的技术。可使用分治法非常快速地定位确切的泄露字线。首先可确定群组中的至少一个字线诸如块中的字线中的任何字线是否泄露。该初始确定可非常快速地进行。如果该群组中无字线泄露，则搜索可结束。然而，响应于该群组中的至少一个字线泄露的确定，可执行分治搜索，其中将这些字线的该群组重复地划分成更小子群组，其中针对短路测试所选择更小子群组，直到定位到该泄露字线。

技术研发人员：周星炎,李靓,秦真,W·马克,李岩
受保护的技术使用者：桑迪士克科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2025/3/10