动态擦除电压阶跃的制作方法

本发明大体上涉及存储器装置，且更特定来说，涉及用于确定及施加动态擦除电压阶跃的设备、方法及系统。

背景技术：

1、存储器装置通常提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，其包含易失性及非易失性存储器。易失性存储器可能需要电力来维持其数据，并且包含随机存取存储器(ram)、动态随机存取存储器(dram)及同步动态随机存取存储器(sdram)等。非易失性存储器可通过在未被供电时留存所存储数据来提供持久数据，且可包含nand快闪存储器、nor快闪存储器、相变随机存取存储器(pcram)、电阻式随机存取存储器(rram)及磁随机存取存储器(mram)等。

2、存储器装置可组合在一起形成固态驱动器(ssd)。ssd可包含非易失性存储器，例如，nand快闪存储器及/或nor快闪存储器，及/或可包含易失性存储器，例如，dram及/或sram，以及各种其它类型的非易失性及易失性存储器。例如，快闪存储器装置可包含将数据存储在例如浮动栅极的电荷存储结构中的存储器单元，且可用作用于广泛范围的电子应用的非易失性存储器。快闪存储器装置通常使用允许高存储器密度、高可靠性及低功耗的单晶体管存储器单元。

3、ssd可用于取代硬盘驱动器作为计算机的主存储卷，这是因为固态驱动器在性能、大小、重量、坚固性、操作温度范围及功耗方面相较于硬盘驱动器具有优势。例如，与磁盘驱动器相比，ssd可具有更好的性能，这是因为其缺少移动部件，这可避免与磁盘驱动器相关联的寻道时间、延时及其它机电延迟。

4、存储器被用作用于广泛的电子应用的易失性及非易失性数据存储装置。非易失性存储器可用在例如个人计算机、便携式记忆棒、数码相机、蜂窝电话、例如mp3播放器的便携式音乐播放器、电影播放器以及其它电子装置中。可将存储器单元布置成阵列，其中所述阵列用在存储器装置中。

5、阵列架构中的存储器单元可被编程为所需状态。例如，可将电荷放置在存储器单元的电荷存储结构(例如，浮动栅极)上或从其移除电荷以将所述单元编程到特定状态。例如，单电平(存储器)单元(slc)可被编程为两个不同状态中的一者，每一状态表示数据值的不同数字，例如，1或0。一些快闪存储器单元可被编程为对应于不同特定数据值的多于两个状态中的一者，所述数据值例如，1111、0111、0011、1011、1001、0001、0101、1100、0100、0000、1000、1010、0010、0110或1110。此类单元可被称为多状态存储器单元、多单位单元或多电平(存储器)单元(mlc)。mlc可在不增加存储器单元的数目的情况下提供更高密度存储器，因为每一单元可被编程为对应于多于一个数字的状态，例如，多于一个数据位。

技术实现思路

1、一方面，本公开提供一种用于动态擦除电压阶跃的设备，其包括：存储器单元阵列(200)；及控制器(108)，其耦合到所述存储器单元阵列，其中所述控制器经配置以：将第一擦除电压施加到所述存储器单元阵列中的第一字线及第二字线以执行擦除操作；将第一验证电压(332、532、632)施加到所述第一字线以验证所述擦除操作；响应于未能通过将所述第一验证电压施加到所述第一字线来验证所述擦除操作而将大于所述第一验证电压的第二验证电压(334-1、534、634-1)施加到所述第二字线；以及响应于通过将所述第二验证电压施加到所述第二字线来验证所述擦除操作而将第二擦除电压施加到所述第一字线及所述第二字线。

2、另一方面，本公开提供一种用于动态擦除电压阶跃的设备，其包括：存储器单元阵列(200)；及控制器(108)，其耦合到所述存储器单元阵列，其中所述控制器经配置以：将第一验证电压(332、532、632)施加到第一字线以验证擦除操作；响应于未能通过将所述第一验证电压施加到所述第一字线来验证所述擦除操作而将大于所述第一验证电压的第二验证电压(334-1、534、634-1)施加到所述第二字线；基于来自施加所述第一验证电压的失效位计数(562)及来自施加所述第二验证电压的失效位计数(568)来确定位计数斜率(566、666)；基于所述位计数斜率来确定擦除电压；以及将所述擦除电压施加到所述第一字线及所述第二字线。

3、另一方面，本公开提供一种动态擦除电压阶跃的方法，其包括：将第一擦除电压施加到存储器单元阵列(200)中的偶数字线及奇数字线以执行擦除操作；将第一验证电压(332、532、632)施加到所述偶数字线以验证所述擦除操作；响应于未能通过将所述第一验证电压施加到所述偶数字线来验证所述擦除操作而将大于所述第一验证电压的第二验证电压(334-1、534、634-1)施加到所述奇数字线；以及响应于通过将所述第二验证电压施加到所述奇数字线来验证所述擦除操作而将第二擦除电压施加到所述偶数字线及所述奇数字线。

技术特征：

1.一种用于动态擦除电压阶跃的设备，其包括：

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一字线是偶数字线，且所述第二字线是奇数字线。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一字线是奇数字线，且所述第二字线是偶数字线。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述第二擦除电压等于所述第一擦除电压与验证电压增量值(333)的总和。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器经配置以响应于通过将所述第一验证电压施加到所述第一字线来验证所述擦除操作而将所述第一验证电压施加到所述第二字线。

6.根据权利要求5所述的设备，其中所述控制器经配置以响应于通过将所述第一验证电压施加到所述第二字线来验证所述擦除操作而完成所述擦除操作。

7.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器经配置以响应于来自施加所述第二验证电压的失效位计数为零而验证所述擦除操作。

8.一种用于动态擦除电压阶跃的设备，其包括：

9.根据权利要求8所述的设备，其中所述存储器单元阵列存储查找表。

10.根据权利要求9所述的设备，其中所述查找表包括数个位计数斜率，其中每一位计数斜率对应于擦除电压。

11.根据权利要求8所述的设备，其中所述控制器经配置以响应于将所述擦除电压施加到所述第一字线及所述第二字线而将所述第一验证电压重新施加到所述第一字线。

12.一种动态擦除电压阶跃的方法，其包括：

13.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括响应于来自施加所述第一验证电压的失效位计数大于总位数的一半而将第三验证电压(334-2、634-2)施加到所述第二字线。

14.根据权利要求13所述的方法，其进一步包括响应于来自将所述第三验证电压施加到所述第二字线的失效位计数大于所述总位数的一半而将第四验证电压(334-p、634-p)施加到所述第二字线。

15.根据权利要求13所述的方法，其进一步包括响应于来自施加所述第三验证电压的所述失效位计数小于所述总位数的一半而基于来自施加所述第三验证电压的失效位计数及来自施加所述第二验证电压的失效位计数来确定位计数斜率(566、666)。

16.根据权利要求15所述的方法，其进一步包括基于所述位计数斜率来确定所述第二擦除电压。

17.根据权利要求16所述的方法，其进一步包括响应于基于所述位计数斜率来确定所述第二擦除电压而将所述第二擦除电压施加到所述偶数字线及所述奇数字线。

18.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括在施加所述第二擦除电压之后将所述第一验证电压重新施加到所述偶数字线。

19.根据权利要求18所述的方法，其进一步包括响应于通过将所述第一验证电压重新施加到所述偶数字线来验证所述擦除操作而将所述第一验证电压施加到所述奇数字线。

20.根据权利要求19所述的方法，其进一步包括响应于通过将所述第一验证电压施加到所述奇数字线来验证所述擦除操作而完成所述擦除操作。

技术总结
用于确定动态擦除电压阶跃的设备、系统及方法。一种实例设备可包含存储器单元阵列及耦合到所述存储器单元阵列的控制器，其中所述控制器经配置以将第一擦除电压施加到所述存储器单元阵列中的第一字线及第二字线以执行擦除操作，将第一验证电压施加到所述第一字线以验证所述擦除操作，响应于未能通过将所述第一验证电压施加到所述第一字线来验证所述擦除操作而将大于所述第一验证电压的第二验证电压施加到所述第二字线，以及响应于通过将所述第二验证电压施加到所述第二字线来验证所述擦除操作而将第二擦除电压施加到所述第一字线及所述第二字线。

技术研发人员：赖俊宏,P·舒克拉,卢景煌,尹诚宽,R·R·普拉卡什,福住嘉晃
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：
技术公布日：2024/8/21