非易失性存储器装置和非易失性存储器装置的操作方法与流程

本发明构思涉及一种非易失性存储器装置和非易失性存储器装置的操作方法。

背景技术：

1、存储器装置在诸如计算机、智能手机、智能平板等的主机装置的控制下存储数据。存储器装置包括诸如硬盘驱动器(hdd)的在磁盘上存储数据的装置、以及诸如固态驱动器(ssd)卡和存储器卡的在半导体存储器(尤其是非易失性存储器)中存储数据的装置。

2、非易失性存储器包括只读存储器(rom)、可编程rom(prom)、电可编程rom(eprom)、电可擦除可编程rom(eeprom)、闪速存储器、相变ram(pram)、磁ram(mram)、电阻ram(rram)、铁电ram(fram)等。

3、半导体制造技术持续发展以实现存储器装置的高集成度和高容量。存储器装置的更高集成度具有降低存储器装置的生产成本的优点。然而，由于存储器装置的高集成度，存储器装置的尺寸减小，并且存储器装置的结构改变，这导致待发现的各种问题。各种新问题可能损坏存储在存储器装置中的数据，且因此，存储器装置的可靠性可能降低。

技术实现思路

1、本发明的构思提供一种通过对多条字线的区域进行分类来顺序地恢复字线的电压的非易失性存储器装置。

2、本发明构思提供了一种非易失性存储器装置，其对多条字线的区域进行分类，并且首先恢复布置在中心区域中的字线的电压。

3、根据本发明构思的一些示例实施例，提供一种非易失性存储器装置的操作方法，非易失性存储器装置包括多个单元串，多个单元串中的每个单元串包括连接在位线和共源极线之间的多个存储器单元以及穿透在垂直于衬底的方向上堆叠的多条字线的竖直孔，操作方法包括：将字线电压施加到多条字线；将多条字线分类到多个区域，多个区域中的每个区域包括字线中的至少一条；以及通过在恢复多个区域中的其它区域中的字线的电压之前，恢复多个区域当中的中心区域中布置的字线的电压来恢复多条字线的电压。

4、根据本发明构思的一些示例实施例，提供一种非易失性存储器装置的操作方法，非易失性存储器装置包括多个单元串，多个单元串中的每个单元串包括连接在位线和共源极线之间的多个存储器单元以及穿透在垂直于衬底的方向上堆叠的多条字线的竖直孔，操作方法包括：将字线电压施加到多条字线；将多条字线当中的中心区域中的字线分类到第一区域；将第一区域上方的字线分类到第二区域；将第一区域下方的字线分类到第三区域；以及通过在恢复第二区域和第三区域中的字线的电压之前恢复第一区域中的字线的电压来恢复多条字线的电压。

5、根据本发明构思的一些示例实施例，一种非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器块，多个存储器块中的每个存储器块包括多个单元串(多个单元串中的每个单元串包括串联连接并连接至至少一条串选择线的多个存储器单元)、多条字线和至少一条地选择线，至少一条地选择线具有板形状并堆叠在衬底上；地址解码器，其被配置为选择多个存储器块中的存储器块，并向选择的存储器块的至少一条串选择线、多条字线和地选择线提供驱动电压；以及控制逻辑，其被配置为在编程操作和读取操作期间控制地址解码器，将多条字线分类到多个区域，并顺序地恢复多个区域的中心区域中的字线的电压、中心区域上方的区域中的字线的电压、以及中心区域下方的区域中的字线的电压。

技术特征：

1.一种非易失性存储器装置的操作方法，所述非易失性存储器装置包括多个单元串，所述多个单元串中的每个单元串包括连接在位线和共源极线之间的多个存储器单元以及穿透在垂直于衬底的方向上堆叠的多条字线的竖直孔，所述操作方法包括：

2.根据权利要求1所述的操作方法，其中，分类所述多条字线包括：

3.根据权利要求2所述的操作方法，其中，恢复所述多条字线的电压包括：

4.根据权利要求2所述的操作方法，其中，恢复所述多条字线的电压包括：

5.根据权利要求4所述的操作方法，其中，恢复所述多条字线的电压包括：

6.根据权利要求2所述的操作方法，其中，

7.根据权利要求1所述的操作方法，其中，

8.根据权利要求7所述的操作方法，还包括：

9.根据权利要求8所述的操作方法，其中，恢复所述串选择线的电压和所述地选择线的电压包括：

10.根据权利要求1所述的操作方法，其中，所述多个区域包括不同数量的字线。

11.根据权利要求1所述的操作方法，其中，恢复所述多条字线的电压包括：

12.一种非易失性存储器装置的操作方法，所述非易失性存储器装置包括多个单元串，所述多个单元串中的每个单元串包括连接在位线和共源极线之间的多个存储器单元以及穿透在垂直于衬底的方向上堆叠的多条字线的竖直孔，所述操作方法包括：

13.根据权利要求12所述的操作方法，其中，恢复所述多条字线的电压包括：

14.根据权利要求12所述的操作方法，其中，恢复所述多条字线的电压包括：

15.根据权利要求12所述的操作方法，其中，

16.根据权利要求12所述的操作方法，还包括：

17.根据权利要求16所述的操作方法，其中，恢复所述多条字线的电压包括：

18.一种非易失性存储器装置，包括：

19.根据权利要求18所述的非易失性存储器装置，其中，所述控制逻辑被配置为

20.根据权利要求19所述的非易失性存储器装置，还包括：

技术总结
提供了一种非易失性存储器装置和非易失性存储器装置的操作方法，非易失性存储器装置包括多个单元串，多个单元串中的每个单元串包括连接在位线和共源极线之间的多个存储器单元以及穿透在垂直于衬底的方向上堆叠的多条字线的竖直孔，操作方法包括：向多条字线施加字线电压；将多条字线分类到多个区域，多个区域中的每个区域包括字线中的至少一条；以及通过在恢复多个区域中的其它区域中的字线的电压之前恢复多个区域当中的中心区域中布置的字线的电压来恢复多条字线的电压。

技术研发人员：林采贤,张佑在,朴世准,徐有贞,李载德
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/8/21