包括埋入字元线的半导体元件的制作方法

本公开内容关于一种半导体元件，特别是关于一种包括埋入字元线的半导体元件。

背景技术：

1、随着电子产业的快速发展，集成电路(ic)已经实现高性能及小型化。集成电路在材料及设计方面的技术进步更持续产生新一代的集成电路，而且每一代都比上一代的电路更小、更复杂。

2、动态随机存取存储器(dram)元件是一种随机存取存储器，它将每一位元数据存储在集成电路内的单独的电容器中。通常情况下，dram以每个存储胞(cell)具有一个电容器与晶体管的方形阵列排列。当前，4f2 dram存储胞的垂直晶体管已被开发，其中f代表光学微影最小特征宽度或关键尺寸(cd)。然而，随着字元线间距的不断缩小，dram制造商在缩小存储存储胞面积的方面存在巨大挑战。

3、上文的“先前技术”说明仅是提供背景技术，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。

技术实现思路

1、本公开的一个方面提供一种半导体元件。该半导体元件包括一基底、一第一字元线、一位元线以及一隔离层。该基底具有一第一表面以及与该第一表面相对的一第二表面。该第一字元线埋于该基底内，并从该基底的该第二表面曝露。该位元线邻接该基底的该第一表面。该隔离层覆盖该第一字元线。该第一字元线借由该位元线与该隔离层分开。

2、本公开的实施例提供一种半导体元件。该半导体元件包括一基底、一字元线、一位元线以及一电容器。该字元线埋于该基底的一沟槽内。该位元线与该电容器设置于该基底的两个相对的侧边。半导体元件的每个单元胞可以包括两个晶体管以及一电容器，这增强了驱动电流。此外，字元线可以作为共同的开关以打开以及/或关闭两个晶体管，这减少了半导体元件的尺寸。与习用的半导体元件相比，本公开的半导体元件具有更好的性能。

3、上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属技术领域中具有通常知识者应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或过程而实现与本公开相同的目的。本公开所属技术领域中具有通常知识者亦应了解，这类等效建构无法脱离后附的权利要求所界定的本公开的精神和范围。

技术特征：

1.一种半导体元件，包括：

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一字元线具有一宽度，其中该宽度沿着一轴的方向变细，其中该轴大致上垂直该基底的该第一表面。

3.如权利要求2所述的半导体元件，更包含：

4.如权利要求3所述的半导体元件，更包含：

5.如权利要求4所述的半导体元件，其中该第一栅极介电层接触该隔离层。

6.如权利要求4所述的半导体元件，其中该隔离层从该基底的该第一表面暴露。

7.如权利要求1所述的半导体元件，其中该基底包括具有一第一导电类型的一阱区，以及具有不同于该第一导电类型的一第二导电类型的一掺杂区，并且该掺杂区在该基底的该第一表面与该第二表面之间连续延伸。

8.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一字元线、该基底、以及该位元线共同定义一第一晶体管与一第二晶体管。

9.如权利要求8所述的半导体元件，其中该第一晶体管的该第一字元线具有一弯曲表面邻接该隔离层，以及该第二晶体管的该第一字元线具有一弯曲表面邻接该隔离层。

10.如权利要求9所述的半导体元件，其中基底定义在该第一字元线的一第一侧上的一第一通道与在该第一字元线的一第二侧上的一第二通道。

11.如权利要求1所述的半导体元件，更包括；

12.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一字元线具有邻接该基底的一倾斜表面以及邻接该隔离层的一弯曲表面。

13.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一字元线的一边缘部分具有一第一厚度，而该第一字元线的一中心部分具有不同于该第一厚度的一第二厚度。

14.如权利要求13所述的半导体元件，其中该第一厚度大于该第二厚度。

技术总结
本申请提供一种半导体元件，包括一基底、一第一字元线、一位元线以及一隔离层。该基底具有一第一表面以及与该第一表面相对的一第二表面。该第一字元线埋于该基底内，并从该基底的该第二表面曝露。该位元线邻接该基底的该第一表面。该隔离层覆盖该第一字元线。该第一字元线借由该位元线与该隔离层分开。

技术研发人员：丘世仰
受保护的技术使用者：南亚科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/11/14