存储器件和包括在该存储器件中的感测器件的驱动方法与流程

本公开涉及一种存储器件和用于驱动包括在该存储器件中的感测器件的方法。

背景技术：

1、半导体存储设备用于数据存储。随机存取存储器(ram)是一种主要用作计算机中的主存储器的易失性存储器件。动态随机存取存储器(dram)是ram的子集，也是易失性的并且由存储单元组成。为了有效地感测存储在这些单元中的数据，以预充电电压对位线和互补位线进行预充电。随后，执行电荷共享操作，使得位线和互补位线之间产生电压差。然后，该电压差(被称为dvbl)被感测放大器放大，以感测存储在存储单元中的数据。

2、另一方面，当对位线和互补位线进行预充电时，与将预充电电压的幅值设置为电源电压vdd的一半相比，将预充电电压设置为地电压vss或电源电压vdd可以增加感测裕度。然而，这种方法可能会导致由数据极性造成的不平衡。

技术实现思路

1、本公开的实施例提供了一种能够增强感测存储在存储单元中的数据的性能的存储器件。

2、本公开的实施例还提供一种用于驱动感测器件的方法，该方法能够提高感测存储在存储单元中的数据的性能。

3、根据本公开的实施例，提供了一种存储器件，包括：存储单元阵列，包括连接到位线的第一存储单元、以及连接到互补位线的第二存储单元；位线感测放大器，包括连接到位线的感测位线、以及连接到互补位线的感测互补位线，其中，位线感测放大器被配置为：将感测位线的信号输出到位线并将感测互补位线的信号输出到互补位线，以感测存储在第一存储单元和第二存储单元中的数据；第一电荷传输晶体管，连接在位线和感测位线之间，其中，第一电荷传输晶体管的栅极经由第一节点接收第一信号；第二电荷传输晶体管，连接在互补位线和感测互补位线之间，其中，第二电荷传输晶体管的栅极经由第二节点接收第二信号；第一预充电晶体管，被配置为：以第一预充电电压对位线和互补位线进行预充电；第二预充电晶体管，被配置为：以与第一预充电电压不同的第二预充电电压对感测位线和感测互补位线进行预充电；第一传输栅极晶体管，被配置为：响应于第一控制信号，向第一电荷传输晶体管的栅极提供第一传输栅极电压；以及第二传输栅极晶体管，被配置为：响应于第一控制信号，向第二电荷传输晶体管的栅极提供与第一传输栅极电压不同的第二传输栅极电压。

4、根据本公开的实施例，提供了一种存储器件，包括：存储单元阵列，包括连接到位线的第一存储单元、以及连接到互补位线的第二存储单元；位线感测放大器，包括连接到位线的感测位线、以及连接到互补位线的感测互补位线，其中，位线感测放大器被配置为：将感测位线的信号输出到位线并将感测互补位线的信号输出到互补位线，以感测存储在第一存储单元和第二存储单元中的数据；第一电荷传输晶体管，连接在位线和感测位线之间，并由提供给第一节点的第一信号选通；第二电荷传输晶体管，连接在互补位线和感测互补位线之间，并由连接到第二节点的第二信号选通；以及多个传输栅晶体管，被配置为：响应于位线感测放大器感测存储在第一存储单元中的数据，向第一电荷传输晶体管的栅极提供第一传输栅极电压，并向第二电荷传输晶体管的栅极提供比第一传输栅极电压低的第二传输栅极电压；以及被配置为：响应于位线感测放大器感测存储在第二存储单元中的数据，向第一电荷传输晶体管的栅极提供第二传输栅极电压，并向第二电荷传输晶体管的栅极提供第一传输栅极电压。

5、根据本公开的实施例，提供了一种用于驱动感测器件的方法，所述感测器件被配置为：通过使用包括感测位线和感测互补位线的位线感测放大器、连接到感测位线和位线的第一电荷传输晶体管、以及连接到感测互补位线和互补位线的第二电荷传输晶体管来感测连接到位线的第一存储单元和连接到互补位线的第二存储单元的数据，该方法包括：使用第一预充电电压对感测位线和感测互补位线进行预充电；向第一电荷传输晶体管的栅极提供第一传输栅极电压，并向第二电荷传输晶体管的栅极提供与第一传输栅极电压不同的第二传输栅极电压；以及向第一电荷传输晶体管的栅极和第二电荷传输晶体管的栅极施加比第一传输栅极电压和第二传输栅极电压中的每一个的幅值大的隔离电压，并感测存储在第一存储单元和第二存储单元中的至少一个中的数据。

技术特征：

1.一种存储器件，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器件，还包括：

3.根据权利要求2所述的存储器件，

4.根据权利要求3所述的存储器件，

5.根据权利要求1所述的存储器件，还包括：

6.根据权利要求1所述的存储器件，还包括：

7.根据权利要求1所述的存储器件，

8.根据权利要求1所述的存储器件，

9.根据权利要求1所述的存储器件，

10.一种存储器件，包括：

11.根据权利要求10所述的存储器件，还包括：

12.根据权利要求11所述的存储器件，还包括：

13.根据权利要求12所述的存储器件，

14.根据权利要求10所述的存储器件，

15.根据权利要求14所述的存储器件，

16.一种用于驱动感测器件的方法，所述感测器件被配置为：通过使用包括感测位线和感测互补位线的位线感测放大器、连接到所述感测位线和位线的第一电荷传输晶体管、以及连接到所述感测互补位线和互补位线的第二电荷传输晶体管来感测连接到所述位线的第一存储单元和连接到所述互补位线的第二存储单元的数据，所述方法包括：

17.根据权利要求16所述的用于驱动感测器件的方法，还包括：

18.根据权利要求17所述的用于驱动感测器件的方法，

19.根据权利要求17所述的用于驱动感测器件的方法，

20.根据权利要求16所述的用于驱动感测器件的方法，

技术总结
一种存储器件，包括：存储单元阵列，包括连接到位线的第一存储单元、以及连接到互补位线的第二存储单元；位线感测放大器，包括感测位线和感测互补位线；第一电荷传输晶体管，在位线和感测位线之间；第二电荷传输晶体管，在互补位线和感测互补位线之间；第一预充电晶体管，以第一预充电电压对位线和互补位线进行预充电；第二预充电晶体管，以第二预充电电压对感测位线和感测互补位线进行预充电；第一传输栅极晶体管，向第一电荷传输晶体管提供第一传输栅极电压；以及第二传输栅极晶体管，向第二电荷传输晶体管提供第二传输栅极电压。

技术研发人员：尹炫喆,蔡瑛澈
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/12/23