本发明涉及信息处理装置以及控制方法。
背景技术:
1、在个人计算机等信息处理装置中,近年来,在存储装置中具备ssd(solid statedrive:固态驱动器)来代替hdd(hard disk drive:硬盘驱动器)正在普及(例如,参照专利文献1)。另外,在ssd中,为了大容量化,例如,已知有具备闪存的装置,该闪存使用mlc(multiple level cell:多层单元)、tlc(triple level cell:三层单元)以及qlc(quadlevel cell:四层单元)等能够由一个存储单元进行相当于多位的存储的存储单元(以下,称为多位单元)。
2、专利文献1:日本特开2020-154674号公报
3、然而,在现有的信息处理装置中,通过使用多位单元,能够实现ssd的大容量化,另一方面,存在数据保留(数据保持期间)变短的倾向。另外,在现有的信息处理装置中,例如,通过与新的信息处理装置的置换等,即使在成为eol(end oflife:寿命终止)的情况下,有时也要求在一定期间内保证ssd的数据的读出。然而,在现有的信息处理装置中,由于使用多位单元,例如,在成为eol后等的未被供给电源的状态下,有可能无法保证一定期间的ssd的数据的读出。
技术实现思路
1、本发明是为了解决上述问题而完成的,其目的在于提供能够在未被供给电源的状态下,减少ssd的数据变化,保证一定期间的ssd的数据的读出的信息处理装置以及控制方法。
2、为了解决上述问题,本发明的一方式是信息处理装置,具备:ssd(solid statedrive),通过由一个存储单元存储多位的数据的多位单元而构成,包含可电改写的非易失性存储部;和主控制部,执行基于上述ssd存储的数据的处理,上述ssd具备存储控制部,该存储控制部控制向上述非易失性存储部的访问,在上述多位单元中存储上述多位的数据时,执行能够变更阈值电压的偏差幅度的存储处理。
3、另外,本发明的一方式也可以构成为,在上述信息处理装置中,上述存储控制部使特定区域以与其它区域窄相比上述阈值电压的偏差幅度窄的方式存储上述多位的数据,上述特定区域是上述非易失性存储部的存储区域中的由上述主控制部设定的区域。
4、另外,本发明的一方式也可以构成为,在上述信息处理装置中,上述ssd具备位置信息存储部,该位置信息存储部存储上述非易失性存储部中的上述特定区域的逻辑位置信息,在使数据存储于由上述主控制部指定的逻辑位置亦即指定逻辑位置时,上述存储控制部基于上述位置信息存储部存储的上述逻辑位置信息,判定上述指定逻辑位置是否是上述特定区域,在上述指定逻辑位置是上述特定区域的情况下,通过高品质存储模式,使数据存储于上述指定逻辑位置,上述高品质存储模式与通常的存储模式相比,上述阈值电压的偏差幅度窄。
5、另外,本发明的一方式也可以构成为,在上述信息处理装置中,在上述指定逻辑位置不是上述特定区域的情况下,上述存储控制部在上述通常的存储模式下,执行上述阈值电压的偏差幅度比上述高品质存储模式宽且向上述多位单元的存储所需的期间亦即存储期间比上述高品质存储模式短的上述存储处理。
6、另外,本发明的一方式也可以构成为,在上述信息处理装置中,上述存储控制部在上述高品质存储模式下,执行:施加处理,在分割施加期间而得的规定期间,向上述多位单元施加存储数据的电压;确认处理,在上述施加处理后,确认上述阈值电压是否成为上述阈值电压的偏差幅度内;以及重复处理,在上述阈值电压成为上述阈值电压的偏差幅度内之前重复上述施加处理以及上述确认处理。
7、另外,本发明的一方式也可以构成为,在上述信息处理装置中,上述主控制部在本装置成为eol(end of life)时,在上述非易失性存储部中设定上述特定区域,在该特定区域中存储日后读出所需的重要数据。
8、另外,本发明的一方式是控制方法,是信息处理装置的控制方法,在上述信息处理装置中,具备:ssd(solid state drive),通过由一个存储单元存储多位的数据的多位单元而构成,包含可电改写的非易失性存储部;和主控制部,执行基于上述ssd存储的数据的处理,上述控制方法包括如下步骤:上述ssd的存储控制部控制向上述非易失性存储部的访问,在上述多位单元中存储上述多位的数据时,执行能够变更阈值电压的偏差幅度的存储处理。
9、根据本发明,能够在未被供给电源的状态下,减少ssd的数据变化,保证一定期间的ssd的数据的读出。
1.一种信息处理装置,具备:
2.根据权利要求1所述的信息处理装置,其中,
3.根据权利要求2所述的信息处理装置,其中,
4.根据权利要求3所述的信息处理装置,其中,
5.根据权利要求3所述的信息处理装置,其中,
6.根据权利要求2~5中任一项所述的信息处理装置,其中,
7.一种控制方法,是信息处理装置的控制方法,所述信息处理装置具备: