读取电压调整方法与存储装置与流程

本发明涉及一种存储，尤其涉及一种读取电压调整方法与存储装置。

背景技术：

1、随着存储技术的进步，存储器模块(例如快闪存储器模块)中的每一个存储单元可以存储的比特的数量越来越多。当欲从存储器模块读取数据时，多个预设的读取电压电平可被用来读取属于不同状态(state)的存储单元所存储的数据。但是，在存储器模块使用一段时间后，随着存储器模块的磨损增加，这些预设的读取电压电平相对于存储单元的临界电压分布可能会发生严重偏移，从而大幅降低所读取的数据的正确性，并可能缩短存储器模块的使用寿命。

2、传统上，虽然可通过扫描存储单元的临界电压分布等方式来对读取电压电平进行校正，但是，若存储单元的临界电压分布太不规律，则传统的读取电压校正机制的校正效率会大幅下降。

3、因此，亟需一种读取电压调整方法来解决上述问题。

技术实现思路

1、本发明提供一种读取电压调整方法与存储装置，可提高对读取电压电平的校正效率，进而可延长存储装置的使用寿命。

2、本发明的实施例提供一种读取电压调整方法，其用于存储装置。所述存储装置包括存储器模块。所述存储器模块包括多个实体单元。所述多个实体单元包括第一实体单元。所述第一实体单元包括多个存储单元。所述读取电压调整方法包括：步骤a：基于多个第一读取电压电平读取所述第一实体单元以取得检测信息，其中所述检测信息反映所述多个存储单元中的第一存储单元的总数，且所述第一存储单元的临界电压位于第一电压范围内；步骤b：根据所述检测信息执行曲线拟合以取得第一函数，其中所述第一函数用以在二维空间中模拟所述多个存储单元的临界电压分布；步骤c：根据所述第一函数取得第一电压调整信息；以及步骤d：根据所述第一电压调整信息调整对应于所述第一实体单元的第二读取电压电平。

3、本发明的实施例另提供一种存储装置，其包括连接接口、存储器模块及存储器控制器。所述连接接口用以连接至主机系统。所述存储器控制器连接至所述连接接口与所述存储器模块。所述存储器模块包括多个实体单元。所述多个实体单元包括第一实体单元。所述第一实体单元包括多个存储单元。所述存储器控制器用以：执行步骤a以基于多个第一读取电压电平读取所述第一实体单元以取得检测信息，其中所述检测信息反映所述多个存储单元中的第一存储单元的总数，且所述第一存储单元的临界电压位于第一电压范围内；执行步骤b以根据所述检测信息执行曲线拟合以取得第一函数，其中所述第一函数用以在二维空间中模拟所述多个存储单元的临界电压分布；执行步骤c以根据所述第一函数取得第一电压调整信息；以及执行步骤d以根据所述第一电压调整信息调整对应于所述第一实体单元的第二读取电压电平。

4、基于上述，在基于多个第一读取电压电平来读取第一实体单元后，检测信息可被取得。特别是，所述检测信息可反映所述多个存储单元中的第一存储单元的总数，且所述第一存储单元的临界电压位于第一电压范围内。在取得所述检测信息后，第一函数可基于所述检测信息执行曲线拟合而取得。特别是，第一函数可用以在二维空间中模拟所述多个存储单元的临界电压分布。根据所述第一函数，第一电压调整信息可被取得。然后，对应于第一实体单元的第二读取电压电平可根据第一电压调整信息而被调整。由此，可有效提高对读取电压电平的校正效率，进而可延长存储装置的使用寿命。

技术特征：

1.一种读取电压调整方法，其特征在于，用于存储装置，其中所述存储装置包括存储器模块，所述存储器模块包括多个实体单元，所述多个实体单元包括第一实体单元，所述第一实体单元包括多个存储单元，且所述读取电压调整方法包括：

2.根据权利要求1所述的读取电压调整方法，其中根据所述检测信息执行所述曲线拟合以取得所述第一函数的步骤包括：

3.根据权利要求2所述的读取电压调整方法，其中根据所述多个第一参考点执行所述曲线拟合以取得所述第一函数的步骤包括：

4.根据权利要求3所述的读取电压调整方法，其中所述第一函数反映所述二维空间中的模拟曲线，且所述多个第二参考点皆位于所述模拟曲线上。

5.根据权利要求2所述的读取电压调整方法，其中所述第一函数反映所述二维空间中的模拟曲线，且所述多个第一参考点的至少其中之一不位于所述模拟曲线上。

6.根据权利要求1所述的读取电压调整方法，其中所述第一函数反映所述二维空间中的模拟曲线，且根据所述第一函数取得所述第一电压调整信息的步骤包括：

7.根据权利要求1所述的读取电压调整方法，还包括：

8.根据权利要求7所述的读取电压调整方法，还包括：

9.根据权利要求8所述的读取电压调整方法，其中所述第二电压调整信息所指示的电压调整幅度介于所述第一候选电压调整信息所指示的电压调整幅度及所述第二候选电压调整信息所指示的电压调整幅度之间。

10.根据权利要求8所述的读取电压调整方法，其中判断所述第一候选电压调整信息与所述第二候选电压调整信息是否符合所述预设条件的步骤包括：

11.一种存储装置，其特征在于，包括：

12.根据权利要求11所述的存储装置，其中所述存储器控制器根据所述检测信息执行所述曲线拟合以取得所述第一函数的操作包括：

13.根据权利要求12所述的存储装置，其中所述存储器控制器根据所述多个第一参考点执行所述曲线拟合以取得所述第一函数的操作包括：

14.根据权利要求13所述的存储装置，其中所述第一函数反映所述二维空间中的模拟曲线，且所述多个第二参考点皆位于所述模拟曲线上。

15.根据权利要求12所述的存储装置，其中所述第一函数反映所述二维空间中的模拟曲线，且所述多个第一参考点的至少其中之一不位于所述模拟曲线上。

16.根据权利要求11所述的存储装置，其中所述第一函数反映所述二维空间中的模拟曲线，且所述存储器控制器根据所述第一函数取得所述第一电压调整信息的操作包括：

17.根据权利要求11所述的存储装置，其中所述存储器控制器还用以：

18.根据权利要求17所述的存储装置，其中所述存储器控制器还用以：

19.根据权利要求18所述的存储装置，其中所述第二电压调整信息所指示的电压调整幅度介于所述第一候选电压调整信息所指示的电压调整幅度及所述第二候选电压调整信息所指示的电压调整幅度之间。

20.根据权利要求18所述的存储装置，其中所述存储器控制器判断所述第一候选电压调整信息与所述第二候选电压调整信息是否符合所述预设条件的操作包括：

技术总结
本发明提供一种读取电压调整方法与存储装置。所述方法包括：基于多个第一读取电压电平读取所述第一实体单元以取得检测信息，其中所述检测信息反映所述多个存储单元中的第一存储单元的总数，且第一存储单元的临界电压位于第一电压范围内；根据所述检测信息执行曲线拟合以取得第一函数，其用以在二维空间中模拟所述多个存储单元的临界电压分布；根据第一函数取得第一电压调整信息；以及根据第一电压调整信息调整对应于第一实体单元的第二读取电压电平。由此，可有效提高对读取电压电平的校正效率，进而可延长存储装置的使用寿命。

技术研发人员：请求不公布姓名,吴宗霖,请求不公布姓名,请求不公布姓名,请求不公布姓名,请求不公布姓名,请求不公布姓名,请求不公布姓名,请求不公布姓名
受保护的技术使用者：深圳宏芯宇电子股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/8/21