一种纯银u盘及其制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及U盘领域，特指一种纯银U盘及其制作方法。
【背景技术】
[0002]随着现在生活越来越好，对U盘的材料和制作也越来越高，由于银能与许多的毒素发生化学反应，具有卓越的消毒性能，所以现在有很多公司将银作为材料制作U盘；由于银较软且与USB接口连接处的壁要制作的很薄，导致在制作时容易变形，为此，我们研发了一种纯银U盘，通过在壁的内侧设置有斜度，在制作时能防止变形，并且制作方法简单。
【发明内容】
[0003]本发明目的是为了克服现有技术的不足而提供一种纯银U盘，通过在壁的内侧设置有斜度，在制作时能防止变形，并且制作方法简单。
[0004]为达到上述目的，本发明采用的技术方案是:一种纯银U盘，包含U盘主体；所述U盘主体的下端设置有与外部相通的凹槽；所述凹槽的两侧面分别向内倾斜4-5度；所述凹槽内设置有连接USB接口的芯片。
[0005]优选的，所述U盘主体下端凹槽处的壁厚为0.5-0.8mm。
[0006]优选的，所述U盘主体的上端设置有通孔。
[0007]本发明的目的在于还提供了纯银U盘的制作方法，所述制作方法包括以下步骤: 步骤一:将固体的银块放在模具内进行冷冲压；
步骤二:冷冲压后将周围多出银切边制成U盘主体；
步骤三:在U盘主体的下端安装芯片。
[0008]优选的，所述冷冲压为油压。
[0009]由于上述技术方案的运用，本发明与现有技术相比具有下列优点:
本发明所述的纯银U盘通过在壁的内侧设置有斜度，在冲压时能承受较大的力，防止变形，而且银能与许多的毒素发生化学反应，具有卓越的消毒性能，保护使用者的健康，并且制作方法简单。
【附图说明】
[0010]下面结合附图对本发明技术方案作进一步说明:
附图1为本发明所述的纯银U盘的主视图；
附图2为本发明所述的纯银U盘的后视图；
附图3为本发明所述的纯银U盘中U盘主体的仰视图；
附图4为本发明所述的纯银U盘制作方法的流程图；
其中:1、U盘主体；11、通孔；12、凹槽；2、芯片。
【具体实施方式】
[0011]下面结合附图及具体实施例对本发明作进一步的详细说明。
[0012]附图1-3为本发明所述的纯银U盘，包含U盘主体I ;所述U盘主体I的上端设置有通孔11，便于悬挂U盘，下端设置有与外部相通的凹槽12 ;所述U盘主体I下端凹槽12处的壁厚为0.5-0.8mm，且凹槽12的左右两侧面分别向内倾斜4-5度，在冲压时能承受较大的力，防止变形；所述凹槽内设置有连接USB接口的芯片2 ;所述U盘主体的正反两面分别设置有印章和图标。
[0013]附图4为本发明所述的纯银U盘的制作方法，包含以下步骤:
步骤一:将固体的银块放在模具内进行油压；
步骤二:冷冲压后将周围多出银切边制成U盘主体；
步骤三:在U盘主体的下端安装芯片。
[0014]由于上述技术方案的运用，本发明与现有技术相比具有下列优点:
本发明所述的纯银U盘通过在壁的内侧设置有斜度，在冲压时能承受较大的力，防止变形，而且银能与许多的毒素发生化学反应，具有卓越的消毒性能，保护使用者的健康，并且制作方法简单。
[0015]以上仅是本发明的具体应用范例，对本发明的保护范围不构成任何限制。凡采用等同变换或者等效替换而形成的技术方案，均落在本发明权利保护范围之内。
【主权项】
1.一种纯银U盘，其特征在于:包含U盘主体；所述U盘主体的下端设置有与外部相通的凹槽；所述凹槽的两侧面分别向内倾斜4-5度；所述凹槽内设置有连接USB接口的芯片。2.根据权利要求1所述的纯银U盘，其特征在于:所述U盘主体下端凹槽处的壁厚为0.5-0.8mm。3.根据权利要求1或2所述的纯银U盘，其特征在于:所述U盘主体的上端设置有通孔。4.根据权利要求1或2所述纯银U盘的制作方法，其特征在于:制作方法包括以下步骤: 步骤一:将固体的银块放在模具内进行冷冲压； 步骤二:冷冲压后将周围多出银切边制成U盘主体； 步骤三:在U盘主体的下端安装芯片。5.根据权利要求4所述的纯银U盘的制作方法，其特征在于:所述冷冲压为油压。
【专利摘要】本发明涉及一种纯银U盘及其制作方法，纯银U盘包含U盘主体；所述U盘主体的下端设置有与外部相通的凹槽；所述凹槽的两侧面分别向内倾斜4-5度；所述凹槽内设置有连接USB接口的芯片；其制作方法包括以下步骤：步骤一：将固体的银块放在模具内进行冷冲压；步骤二：冷冲压后将周围多出银切边制成U盘主体；步骤三：在U盘主体的下端安装芯片；本发明通过在壁的内侧设置有斜度，在冲压时能承受较大的力，防止变形，而且银能与许多的毒素发生化学反应，具有卓越的消毒性能，保护使用者的健康，并且制作方法简单。
【IPC分类】G11C7/10
【公开号】CN104934055
【申请号】CN201510311988
【发明人】宋廷雷
【申请人】苏州银艺文化发展有限公司
【公开日】2015年9月23日
【申请日】2015年6月9日