用于延长记忆体寿命的电路系统的制作方法
【技术领域】
[0001 ] 本实用新型涉及存储器技术领域，特别涉及RAM及EEPROM存储器领域，具体涉及一种延长芯片寿命的存储模块及电路。
【背景技术】
[0002]目前，市场上常用的需带有记忆功能的电子产品均可能使用存储器EEPROM或者Flash Memory，比如具有断电记忆的电饭煲、电炖盅等。EEPROM存储器为电可擦可编程只读存储器，一种掉电后数据不丢失的存储芯片，其寿命理论上是10万次擦写。Flash Memory存储器是一种非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器，其寿命理论上也是10万次擦写。这种存储器的优点在于设备断电后不丢失数据，例如在电炖盅上的应用，用户设定好炖煲时间为4小时，炖煲模式为筋骨模式(即炖保的温度曲线)，如果工作一小时后停电或者意外碰到插头断电，当来电后或者用户把插头插上恢复电源，产品需要记住之前的工作状态，即不用重新设置即可接住之前的断点工作，恢复电源后软件即自动调出筋骨模式再煲3个小时完成。
[0003]虽然这种存储器的理论寿命是10万次擦写，但实际应用中往往使用一两年后产品有机率出现产品记忆功能失效，甚至有的是储存的用户操作数据，在失效后操作失灵，导致整个电子产品系统瘫痪。这是因为存储器需要保存实时时间，所以EEPROM的擦写非常频繁，I分钟擦写一次，是影响存储器寿命的主要原因。目前，国内和国际电子存储器理论能擦写10万次的寿命计算，I分钟擦写一次，即存储器可工作10万分钟，把分钟数换算成小时数就是100000/60 =1666 (小时)，按每天工作4小时计算，1666/4=416.5 (天)，也就是说产品如果每天使用4小时，使用一年后，存储器将面临损坏，从而导致整个电子产品报废。
[0004]RAM存储器是随机存取存储器(random access memory，RAM)又称作“随机存储器”，是与CPU直接交换数据的内部存储器，也叫主存(内存)。其工作原理是利用电容保存电荷原理工作的，掉电后数据即丢失，但其寿命相当高，一般与CPU持平，所以RAM存储器的优点是寿命长，缺点是设备断电后数据丢失。
【实用新型内容】
[0005]本实用新型所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足，提供一种用于延长记忆体寿命的电路系统，实现了既能减少EEPROM存储器擦写的次数，又能实时保存存入数据的目的，从而延长了记忆体及芯片寿命，进一步延长了产品的寿命，节省能源和资源，降低成本。
[0006]为了达到上述目的，本实用新型采用以下技术方案予以实现:
[0007]用于延长记忆体寿命的电路系统，包含EEPROM存储器，RAM存储器和电量检测器，EEPROM存储器，RAM存储器和电量检测器之间形成通路；
[0008]所述电量检测器为采用A/D转换检测方法的电量检测器；
[0009]还包含MCU ;所述MCU控制连接所述EEPROM存储器，RAM存储器和电量检测器；还包含为电路系统提供电源的电源电路；所述电量检测器用于检测所述电源电路的电压；
[0010]所述电源电路为阻容降压结构，电源电路将AC220V的电压降压整流为DC5V。
[0011]作为本实用新型的一种优选实施方式，所述MCU为MC96F8208S芯片，所述EEPROM存储器集成在所述MC96F8208S芯片中。
[0012]作为本实用新型的一种优选实施方式，所述EEPROM有独立的芯片；所述独立的芯片为AT24C08。
[0013]作为本实用新型的一种优选实施方式，所述电量检测器存储预先设定的电压阈值；所述电量检测器实时监测电压，当电压在阈值范围内，数据存入RAM存储器；当电压超出阈值范围，会将存入RAM存储器的数据存入所述EEPROM存储器。
[0014]本实用新型有益效果是:
[0015]采用本实用新型的技术方案在电压正常的情况下，用RAM存储器保存数据，当电压降低即监测到掉电(停电)时，就把RAM存储器的数据写进EEPROM存储器。在正常使用电子产品时大多数情况下不会掉电，也就没有对EPROM存储器做任何擦写操作，大大延长使用寿命。即使经常停电的地区，按I天停电、来电10次计算，以EEPROM存储器的理论寿命为10万次计，也就是100000/10=10000 (天)，换算成年就是10000/365=27 (年)，也就是产品芯片寿命达27年之久，大大提尚了广品的寿命。
【附图说明】
[0016]图1为本实用新型存储模块的方框原理图及电路图；
[0017]图2为本实用新型实际使用示意图；
[0018]图3为本实用新型的电源电路的一种【具体实施方式】的结构示意图。
【具体实施方式】
[0019]下面结合附图及实施例描述本实用新型【具体实施方式】:
[0020]如图1?3所示，其示出了本实用新型的【具体实施方式】，如图所示，本实用新型用于延长记忆体寿命的电路系统，包含EEPROM存储器，RAM存储器和电量检测器，EEPROM存储器，RAM存储器和电量检测器之间形成通路；
[0021]所述电量检测器为采用A/D转换检测方法的电量检测器；
[0022]还包含MCU ;所述MCU控制连接所述EEPROM存储器，RAM存储器和电量检测器；还包含为电路系统提供电源的电源电路；所述电量检测器用于检测所述电源电路的电压；
[0023]所述电源电路为阻容降压结构，电源电路将AC220V的电压降压整流为DC5V。
[0024]优选的，所述MCU为MC96F8208S芯片，所述EEPROM存储器集成在所述MC96F8208S芯片中。
[0025]优选的，所述EEPROM有独立的芯片；所述独立的芯片为AT24C08。
[0026]优选的，所述电量检测器存储预先设定的电压阈值；所述电量检测器实时监测电压，当电压在阈值范围内，数据存入RAM存储器；当电压超出阈值范围，会将存入RAM存储器的数据存入所述EEPROM存储器。
[0027]综上所述，本实用新型可以用于一切带有记忆功能的电子产品，包括但不限于电饭堡、电炖盅、豆牙机等家用电器。
[0028]上面结合附图对本实用新型优选实施方式作了详细说明，但是本实用新型不限于上述实施方式，在本领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本实用新型宗旨的前提下做出各种变化，这些变化涉及本领域技术人员所熟知的变化，这些都落入本实用新型专利的保护范围。
[0029]不脱离本实用新型的构思和范围可以做出许多其他改变和改型。应当理解，本实用新型不限于特定的实施方式，本实用新型的范围由所附权利要求限定。
【主权项】
1.用于延长记忆体寿命的电路系统，其特征在于:包含EEPROM存储器，RAM存储器和电量检测器，EEPROM存储器，RAM存储器和电量检测器之间形成通路； 所述电量检测器为采用A/D转换检测方法的电量检测器； 还包含MCU ;所述MCU控制连接所述EEPROM存储器，RAM存储器和电量检测器；还包含为电路系统提供电源的电源电路；所述电量检测器用于检测所述电源电路的电压； 所述电源电路为阻容降压结构，电源电路将AC220V的电压降压整流为DC5V。2.如权利要求1所述的用于延长记忆体寿命的电路系统，其特征在于:所述MCU为MC96F8208S芯片，所述EEPROM存储器集成在所述MC96F8208S芯片中。3.如权利要求1所述的用于延长记忆体寿命的电路系统，其特征在于:所述EEPROM有独立的芯片；所述独立的芯片为AT24C08。4.如权利要求1?3任一所述的用于延长记忆体寿命的电路系统，其特征在于:所述电量检测器存储预先设定的电压阈值；所述电量检测器实时监测电压，当电压在阈值范围内，数据存入RAM存储器；当电压超出阈值范围，会将存入RAM存储器的数据存入所述EEPROM存储器。
【专利摘要】本实用新型公开了一种用于延长记忆体寿命的电路系统，其包含EEPROM存储器，RAM存储器和电量检测器，EEPROM存储器，RAM存储器和电量检测器之间形成通路；所述电量检测器为采用A/D转换检测方法的电量检测器；还包含MCU；所述MCU控制连接所述EEPROM存储器，RAM存储器和电量检测器；还包含为电路系统提供电源的电源电路；所述电量检测器用于检测所述电源电路的电压；所述电源电路为阻容降压结构，电源电路将AC220V的电压降压整流为DC5V。
【IPC分类】G11C16/34, G11C16/06
【公开号】CN204946545
【申请号】CN201520577980
【发明人】李一峰
【申请人】广东小熊电器有限公司
【公开日】2016年1月6日
【申请日】2015年8月4日