专利名称：制冷晶体的封装方法
技术领域：
本发明涉及一种晶体的封装方法，尤指一种特殊锑铋IC致冷晶体的封装方法。
现知的特殊锑铋IC其有两端极性温差的特性，因此常应用于太空科技上(如太空梭的隔热晶片)，但随着其技术转移于一般工业产品上，要如何达到现今产品自动化大量生产的需求，是目前产业上面临的重要课题。
特殊锑铋IC制成致冷晶体的封装方法，以目前技术层面而言，采用人工封装方法虽可达成，但其制造成本高、浪费人力，生产品质不易控制造成合格率偏低，无法大量生产等缺弊。
本发明的主要目的在于提供一种制程时间短，可大量生产、品质合格率高的致冷晶体封装方法。
本发明的上述目的是由如下技术方案来实现的。
一种致冷晶体的封装方法，是包括下列步骤(1)由陶瓷与树脂材料合制形成上、下基板；(2)该上、下基板予以网版印刷制成多个等距分布的导电胶；(3)以金属导片排置于预设排置盘中导引贴附定位于该导电胶上，且金属导片上并施以涂布一层助焊剂；(4)分别取不同极性的锑铋晶粒排置于预设排置盘中导引排置接着定位于下基板上贴附的金属导片两端，以形成各相邻的金属导片上接着的锑铋晶粒呈现不同极性对应排置(5)下基板上排置定位的锑铋晶粒实施探针极性测试，以辨识及筛选正确锑铋晶粒排置位置；(6)取上基板对合下基板压制成共结的致冷晶体；(7)共结的致冷晶体予以烘乾处理制成成品。
藉此上述步骤程序，使上基板及下基板间以形成多个锑铋晶粒正、负极交错排置串联桥接导通的致冷晶体。
本发明的优点在于本发明所提供的晶粒组配方法，以网版印刷能一次完成导电胶多工作业，及以预设排置盘引导金属导片快速定位，能有效缩短制程时间，且锑铋晶粒预设排置盘快速引导排置上板及有效辨识及筛选正确锑铋晶粒排置位置的方式，亦可避免人工误辨视的错误，杜绝后制程无法返工的问题，大幅提升封装合格率，具有降低制造成本的功效。
兹就本发明的致冷晶体的封装方法，结合附图及实施例详加说明如下
图1所示为本发明致冷晶体的封装方法流程图。
图2所示为本发明致冷晶体的上基板及下基板展开示意图。
图3所示为本发明致冷晶体的部份组件分解示意图。
图4所示为本发明致冷晶体的部份组件剖面示意图。
图5所示为本发明致冷晶体成品状态的立体示意图。
本发明封装方法的步骤(1)由陶瓷与树脂材料合制形成上、下基板；(2)该上、下基板予以网版印刷制成多个等距分布的导电胶；(3)以金属导片排置于预设排置盘中导引贴附定位于该导电胶上，且金属导片上并施以涂布一层助焊剂；(4)分别取不同极性的锑铋晶粒排置于预设排置盘中导引排置接着定位于下基板上贴附的金属导片两端，以形成各相邻的金属导片上接着的锑铋晶粒也呈不同极性对应排置(5)下基板上排置定位的锑铋晶粒实施探针极性测试，以辨识及筛选正确锑铋晶粒极性排置位置；(6)取上基板对合下基板压制成共结的致冷晶体；(7)共结的致冷晶体予以烘乾处理制成成品。
如图1所示是本发明致冷晶体的封装方法流程图。
于步骤701中，是以由陶瓷与树脂材料合制成上基板2及下基板3。
于步骤702中，是以上基板2及下基板3内面予网版印刷形成多个等距预设位置分布的导电胶5，由图2及图3所示得知，该上基板2上导电胶5位置与下基板3上导电胶5位置是呈桥接交错对应分布。
于步骤703中，是将金属导片4利用振动自动进料装置导进暂存排置盘中，以令排置盘中金属导片4得快速排置对应安置于上基板2及下基板3的导电胶5位置上贴附定位，同时将上基板2及下基板3上粘固的每片金属导片4表面涂布一层助焊剂6。
于步骤704中，是将不同极性的正、负极锑铋晶粒1、1’分别利用振动自动进料装置导进暂存排置盘中，使该排置盘中存放不同极性的正、负极锑铋晶粒1、1’得快速分别排置接着定位于下基板3贴附金属导片4两端上，形成各相邻的金属导片4上接着的正、负极锑铋晶粒1、1’呈现不同极性对应排置(如图2所示)。
于步骤705中，是下基板3上排置定位的正、负极锑铋晶粒1、1’利用裸露的端面进行探针测试极性作业，以辨识及筛选正确锑铋晶粒极性排置位置，若测试不同于预设位置极性的正、负极锑铋晶粒1、1’，测试装置便会将其移至另外的排置盘上暂存，再吸附正确极性的正、负极锑铋晶粒1、1’予以补正，以完成正确正、负极交错排序锑铋晶粒的排置。
于步骤706中，是取上基板2对合下基板1压着，并藉金属导片4表面涂布助焊剂6介质，使正、负极锑铋晶粒1、1’得与上基板2对合下基板1相互粘着定位压制成共结的致冷晶体。
于步骤707中，是共结的致冷晶体置于烤箱予以烘乾处理，以制成上基板2及下基板3间能稳固接着形成多个正、负极锑铋晶粒1、1’等间距交错排置串联桥接导通的致冷晶体成品(如图3至图5所示)。
由上述得知，本发明在制程上能将金属导片的定位，以最快速、简单的组配接着方式，一次作业即可完成多工作业定位，有效缩短制程时间，而锑铋晶粒组配定位方式，亦采取自动化测试组配作业，可避免人工误辨视的错误，杜绝后制程无法返工的问题，不会有因单一晶粒组配错误而影响整体组成晶体功能失效，浪费其他晶粒的成本缺弊，故本发明方法不仅可大幅提升封装合格率及生产效率，且具有降低制造成本的产业利用价值。
权利要求
1.一种致冷晶体的封装方法，是包括下列步骤(1)由陶瓷与树脂材料合制形成上、下基板；(2)该上、下基板予以网版印刷制成多个等距分布的导电胶；(3)以金属导片排置于预设排置盘中导引贴附定位于该导电胶上，且金属导片上并施以涂布一层助焊剂；(4)分别取不同极性的锑铋晶粒排置于预设排置盘中导引排置接着定位于下基板上贴附的金属导片两端，以形成各相邻的金属导片上接着的锑铋晶粒呈现不同极性对应排置；(5)下基板上排置定位的锑铋晶粒实施探针极性测试，以辨识及筛选正确锑铋晶粒排置位置；(6)取上基板对合下基板压制成共结的致冷晶体；(7)共结的致冷晶体予以烘乾处理制成成品；藉此上述步骤程序，使上基板及下基板间以形成多个锑铋晶粒正、负极交错排置串联桥接导通的致冷晶体。
全文摘要
一种致冷晶体的封装方法,步骤是:由陶瓷与树脂材料合制形成上、下基板;该上、下基板予网版印刷多个导电胶;该导电胶上排置贴附定位金属导片,金属导片上涂布一层助焊剂;下基板上贴附金属导片两端取不同极性的锑铋晶粒排置接着定位,用探针极性测试;上基板对合下基板压制成致冷晶体;烘干处理制成成品;在晶粒组装上能一次完成多工作业,有效缩短制程时间,避免人工排置晶粒的误辨组配,大幅提升封装合格率,达快速大量生产。
文档编号H01L35/12GK1337748SQ0012152
公开日2002年2月27日 申请日期2000年8月9日 优先权日2000年8月9日
发明者陈聪智 申请人:陈聪智