晶片封装装置的制作方法

文档序号:6830108阅读:175来源:国知局
专利名称:晶片封装装置的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种积体电路用晶片的封装结构。
已有的晶片封装结构如

图1所示其基础层100仅有一镂空区域101并位于基础层100中心,镂空区域101中布满绝缘粘剂102,以固定并保护多条导线103,封装于封装体106内的晶片105上设有焊垫(PAD),藉由导线103与多个金属球104电连接。而积体电路由环氧树脂封装而成,这种封装晶片的结构电路尚不够理想,特别是尚不能满足超大型积体电路的需要。
本实用新型的目的是提供一种电性较好且可以满足超大型积体电路需要的晶片封装装置。
本实用新型的目的是这样实现的晶片封装装置,其包括封装体、焊垫区、焊垫、晶片、接点及基础层;其特征是该晶片具有一个以上的焊垫区;该基础层具有一个以上的对应晶片焊垫区的镂空区域,并使该等焊垫区的焊垫以打线至该等镂空区域的接点;封装体以封装该晶片及该基础层。
上述设计,据试验达到了电性比较好的效果,其镂空区域的设置可以满足超大型积体电路的需要。
下面通过附图、实施例再作进一步说明。
图1已有晶片封装结构示意图;图2本实用新型俯视示意图;图3本实用新型侧视示意图。
如图2、3所示本实用新型包括封装体301、焊垫区302、焊垫303、晶片304、接点305及基础层201;其特征是该晶片304具有一个以上的焊垫区302;该基础层2 01具有一个以上的对应晶片304焊垫区302的镂空区域101,并使该等焊垫区302的焊垫303以打线至该等镂空区域101的接点305;封装体301以封装该晶片304及该基础层201。其中,该等焊垫区302具有不等个数的焊垫303;其中,该等焊垫303经由金属导线103以打线技术与该等镂空区域101的接点305连接;其中,该基础层201紧贴于该晶片300表面上;其中,该基础层201表面具有一个以上的球状导体104’;其中,该一个以上的球状导体104’与该等镂空区域101的一个以上的接点305电连接;其中,该等镂空区域101的一个以上的接点305经由金属导线103以打线技术与该等焊垫区302的一个以上的焊垫303电连接;其中,该等镂空区域101分布于该基础层201表面上,其中,该等镂空区域101分布于该基础层201表面上,使一个以上的球状导体104’散布于该基础层201表面上;其中,该等镂空区域101内填满绝缘粘剂102。其中,封装体306用以封装晶片及基础层。上述球状导体104’含有铅、锡成份并由网印方式制成,基础层藉由一粘胶309紧贴于晶片304表面上;绝缘粘剂102为环氧树脂。本实用新型基础层上的镂空区域为一个以上,对应至晶片上一个以上的焊垫区。这样,基础层上的不论中间或周围,即可摆设更多的球状导体,因而可满足超大型积体电路(VLSI)为数可观的输入/出接脚的需要。并且这种镂空区域可环绕晶片四周,以不同个数、方式分布,甚至形成一个空环。
权利要求1.晶片封装装置,其包括封装体、焊垫区、焊垫、晶片、接点及基础层;其特征是该晶片具有一个以上的焊垫区;该基础层具有一个以上的对应晶片焊垫区的镂空区域,并使该等焊垫区的焊垫以打线至该等镂空区域的接点;封装体以封装该晶片及该基础层。
2.如权利要求1所述的晶片封装装置,其特征是其中,该等焊垫区具有不等个数的焊垫。
3.如权利要求2所述的晶片封装装置,其特征是其中,该等焊垫经由金属导线以打线技术与该等镂空区域的接点连接。
4.如权利要求1所述的晶片封装装置,其特征是其中,该基础层紧贴于该晶片表面上。
5.如权利要求1所述的晶片封装装置,其特征是其中,该基础层表面具有一个以上的球状导体。
6.如权利要求5所述的晶片封装装置,其特征是其中,该一个以上的球状导体与该等镂空区域的一个以上的接点电连接。
7.如权利要求6所述的晶片封装装置,其特征是其中,该等镂空区域的一个以上的接点经由金属导线以打线技术与该等焊垫区的一个以上的焊垫电连接。
8.如权利要求1所述的晶片封装装置,其特征是其中,该等镂空区域分布于该基础层表面上。
9.如权利要求8所述的晶片封装装置,其特征是其中,该等镂空区域分布于该基础层表面上,使一个以上的球状导体散布于该基础层表面上。
10.如权利要求1所述的晶片封装装置,其特征是其中,该等镂空区域内填满绝缘粘剂。
专利摘要本实用新型涉及积体电路的晶片封装,使可以满足超大型积体电路的需要。包括:封装体、焊垫区、焊垫、晶片、接点及基础层;其特征是:该晶片具有一个以上的焊垫区;该基础层具有一个以上的对应晶片焊垫区的镂空区域,并使该等焊垫区的焊垫以打线至该等镂空区域的接点;封装体以封装该晶片及该基础层。用于积体电路。
文档编号H01L21/02GK2461145SQ0025723
公开日2001年11月21日 申请日期2000年10月11日 优先权日2000年10月11日
发明者杜修文, 彭国峰, 陈文铨, 何孟国, 邱咏盛, 陈明辉, 叶乃华 申请人:胜开科技股份有限公司
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