具有受控制的小型环境的晶片大气压输送组件的制作方法

文档序号:6847365阅读:141来源:国知局
专利名称:具有受控制的小型环境的晶片大气压输送组件的制作方法
技术领域
本发明涉及在半导体处理设备的组件中传送晶片的技术,特别涉及一种具有可控制的小型环境的组件。
背景技术
在半导体器件的制造中,各处理室间以接口相连以允许(例如在连接的处理室之间)传送晶片或基板。这种传送是经由输送组件移动该晶片通过设置于连接的处理室的相邻壁上的槽或开口。例如,输送组件通常各种基板处理组件结合使用,基板处理组件可能包括半导体蚀刻系统、材料淀积系统、以及平板显示器蚀刻系统。由于对于洁净以及高处理精密度的要求的增长,所以对于在各个处理步骤中和之间减少人为影响的需求也在增长。已经通过实现一作为中间处理设备的真空输送组件(典型地维持在一降低的压力,例如真空状态)部分地满足了这个需求。举例而言,一真空输送组件实际上可以座落于一个以上的无尘室储存设备(贮存基板之处)与多个基板处理组件(实际上处理基板之处,例如蚀刻,或于其上执行淀积)之间。以此方式,当需要处理一基板时,可以使用一座落于该输送组件内部的机器人,从一真空预备室(load lockchamber)取回一选择的基板,并将其置于多个处理组件中的一个中。
如本领域技术人员所熟知,用以在多个储存设备与处理组件中“输送”基板的输送组件的配置经常被称为“群集工具结构”系统。图1A显示一典型的半导体处理群集结构200,说明与一真空输送组件106相连接的各种室。显示的真空输送组件106连接至三个处理组件108a-108c,它们可以分别地被优化以执行各种制造过程。举例而言,处理组件108a-108c可用以执行变压器耦合等离子体(TCP)基板蚀刻、层淀积、和/或溅射。
一真空预备室104连接至真空输送组件106,用以将基板导入真空输送组件106。真空预备室104可以连接至与无尘室102相连接的大气压输送组件(ATM)103。典型的ATM 103具有用以支撑晶片的晶片盒的区域,以及从该晶片盒取回该晶片与移动它们进出真空预备室104的机器人。众所周知,真空预备室104在真空输送组件106与ATM 103之间作为一压力变化接口。因此,当ATM 103与无尘室102保持在大气压下时,真空输送组件106可以保持在一个固定的压力(例如真空)。
图1B显示一局部系统图150,包括一大气压输送组件(ATM)103,其包括过滤器/鼓风机152a;一机器人156,具有手臂组158;以及一架子154。在一晶片盒环境152b中,设计架子154用以支撑装有晶片162的晶片盒160。ATM 103的晶片盒环境152b具有一门155,在处理期间门155可以被打开以插入或移除晶片盒160。在ATM 103中设计过滤器/鼓风机152a用以产生一气流170,使该气流大体上不受干扰地通过一微粒隔板171到达ATM 103的下部,接着由一排气口152c排出。此外,简单地显示ATM 103连接至真空预备室104和输送组件106。接着。如上所述,输送组件106可以在选择的处理组件108之间传送晶片。
虽然现有技术ATM 103能够相当有效地从晶片盒160传送晶片进出真空预备室104,但可以观察到在鼓风机152a操作期间,气流170绕过晶片盒环境152b。因此,晶片盒环境152大体上保持静态。亦即,操作期间晶片162间的环境大体上保持不受气流170的影响。
图1C显示晶片盒160的更详细视图,晶片盒160具有多个晶片162。一般而言,晶片在一个处理组件108内接受处理并堆叠回晶片盒160之后,处理过后的气体将会悬浮在各个晶片162之间。该气体由从新近处理过的晶片162的上表面发出的166所标示的图形表示。晶片162之间存在的气体166所带来的问题是该化学气体在某些情况下可能会继续其化学反应,并造成经处理过的晶片162的合格率下降。假如晶片质量下降较多,则与合格率减少相关的潜在财政损失可能是显著的。
不流动的晶片盒环境152b所带来的另一项问题是任何可能已经掉落在晶片162的表面上的微粒将在该晶片盒停放在晶片盒环境152b中期间继续残留于该晶片的上表面。这些微粒164在某些情况下可能会对晶片162上形成的半导体电路造成实质上的损害。众所周知在各个处理操作之间是不允许微粒164残留于晶片162表面上的。该微粒残留于晶片162表面上的时间愈久,微粒对敏感的集成电路所造成的损害可能性也愈高,且愈难以清洗。
晶片盒160停放于静态环境152b所带来的另一项问题是一旦一工艺工程师打开门155以移去晶片盒160,晶片盒160可能使该工艺工程师潜在地接触到从晶片162表面发出的不适宜程度的有毒气体166。在某些情况下,工艺工程师与该处理气体及化学副产物的接触,可能会造成该工艺工程师在操作该晶片盒时出现精神混乱,因此使充满贵重的处理过的半导体晶片162的晶片盒160掉落。
鉴于上述,需要一种可以控制晶片盒内部及其周围环境的大气压输送组件。

发明内容
概括而言,本发明通过提供一能够在处理期间在暂时存储晶片盒的区域中产生一小型环境的大气压输送组件而满足这些需要。该小型环境最好形成一通过晶片的气流,以使得能从围绕晶片的环境中实质上清除处理气体和副产物。应该理解,本发明能够以许多方式实施,例如包括一过程、一设备、一系统、一装置、或一方法。以下将叙述本发明的几个创造性实施例。
在一个实施例中,揭示一大气压输送组件。该组件具有一外壳,该外壳包括多个创造性元件。该外壳具有一顶部,其包含一鼓风机用以产生一向下并远离该外壳顶部的调节气流。该外壳还包括一负载单元区,其侧向偏移该鼓风机。该负载单元包括一架子,用以支撑一晶片盒,该架子与该负载单元的一个壁分离以形成一转向气流槽。在该鼓风机的下方限定一穿孔板片,该穿孔板片用以限制通过该穿孔板片的气流,并引导一转向气流通过座落于该侧向偏移的负载单元上的该晶片盒。该转向气流的优点是可以将停留于该晶片盒内中的晶片上的残余处理气体从该晶片盒内向下推进该转向气流增。另一个优点是,当门打开时,气体会向外流出,因而减少外部微粒进入的机会。
在另一实施例中,揭示一大气压输送组件。该组件包括一封闭式外壳,其具有一顶部区、一中央区、一底部区、以及一负载单元区。一鼓风机位于该封闭式外壳的顶部区,用以产生一向下流进该中央区的气流。负载单元区中的一架子限定该封闭式外壳的中央区与底部区之间的一分隔线。该架子至少部分地与该负载单元区的一个壁相间隔,以在架子后面形成一个槽。一穿孔板片从该架子延伸,并进一步限定在该中央区与该底部区之间的该分隔线。在本实施例中,限制该鼓风机所产生的气流不能自由地流经该穿孔板片,并且部分地使该气流转向到该负载单元的架子方向流动,经由该槽而进入该封闭式外壳的底部区。
一旦该转向气流和(流过该穿孔板片的)该非转向气流进入该底部区,该气体便经由一排气口向外导出。在一另选实施例中,可以在该底部区装设一风扇,以协助该转向气流通过位于该架子后方的槽。以此方式,当一具有一个或多个晶片的晶片盒座落于该负载单元区内的架子上时,该转向气流将使任何可能在该晶片上方出现的后处理气体和微粒流通。因此,使该后处理气体和任何微粒流入该封闭式外壳的底部区,并从该排气口排出。在本实施例中,该风扇最好与该负载单元的门连锁,使该负载单元的任何一扇门打开时关闭该风扇。以此方式,当门打开时,肮脏的空气才不会因为该风扇而被吸进ATM,以至污染晶片。
在另一实施例中,揭示一大气压输送组件的制造方法。该方法包括形成一具有一顶部区、一中央区、一底部区、以及一负载单元区的封闭式外壳。在该封闭式外壳的顶部区中设置一鼓风机,用以产生一向下进入该中央区的气流。在该负载单元区中设置一架子,该架子限定在该封闭式外壳的中央区与底部区之间的一分隔线。该架子至少部分地与该负载单元区的一个壁相间隔以在架子后面形成一个槽。从该架子以水平延伸的方式设置一穿孔板片,并进一步限定在该中央区与该底部区之间的该分隔线。限制该鼓风机所产生的气流不能自由地流经该穿孔板片,并且部分地使该气流远离该穿孔板片而朝该负载单元的架子方向流动,经由该槽进入该封闭式外壳的底部区。
一具有一个或多个晶片的晶片盒座落于该负载单元的架子上并接收该转向气流。因此,该转向气流在该晶片盒内暂时贮存的任一晶片上方维持一和缓的气流。该架子可以支撑一个以上的晶片盒,并且可以在各个晶片盒周围建立一隔离罩,当把该架子后方的门打开以取出一特定的晶片盒时,用以维持一稳定的小型环境。
该晶片上方和缓流动的转向气流有利于确保座落于该负载单元内的晶片不处于静态环境中并因此导致后处理气体的累积。该和缓流动的转向气流还协助去除置于该晶片盒内的晶片上方的微观粒子,因此,维持一受控小型环境,以促进高合格率和高品质的经处理过的晶片。本发明的其他方面及优点将通过以下结合附图以举例方式对本发明原理的详细说明而更显清楚。


图1A描绘一典型现有技术的半导体处理群集工具结构,说明与一真空输送组件连接的一大气压输送组件,其中一真空预备室接收晶片以传送至真空输送组件。
图1B及1C显示一局部系统图,包括一大气压输送组件(ATM),以及一晶片盒。
图2A显示根据本发明一实施例的一大气压输送组件(ATM),其可以座落于一无尘室地面上并与一真空预备室相连。
图2B显示本发明的另一实施例,其中该ATM包括一风扇以进一步协助该转向气流通过一转向气流槽并向外排出。
图3A显示本发明的一实施例的连接至一处理系统的ATM的俯视图。
图3B显示本发明的另一实施例,其中该负载单元和该穿孔板片已被改进。
图3C显示本发明的另一实施例,其中该穿孔板片和该负载单元具有另一种改进构造。
优选实施例的详细说明本发明说明一大气压输送组件,在处理期间在暂时贮存晶片盒的区域中可以产生一小型环境。小型环境最好是包括一通过且实质上平行于晶片的气流,以使得实质上可以从晶片盆中晶片之间清除处理气体及副产物。然而,对于本领域技术人员而言,在没有一些或所有这些特定细节的条件下也可以实行本发明。换言之,为了不混淆本发明,在此将不详细说明熟知的处理操作。
根据本发明的一实施例,图2A显示一座落于无尘室地面201上的大气压输送组件(ATM)200。ATM 200包括一顶部200a,其具有一过滤器和一可变速度鼓风机。另选地,可变速度鼓风机可以是固定速度鼓风机,并且隔板205可以包括一嵌入式风门(damper),用以调节气流。作为ATM 200的部分还包括一负载单元202,用以支撑一个或多个放置晶片214的晶片盒212。在本例子中,晶片盒212为一开放晶片盒,可以支撑任何特定尺寸的多个晶片。举例而言,晶片盒212可用以支撑200mm晶片、300mm晶片、以及小于200mm与大于300mm的晶片。一开放晶片盒212的制造公司为美国明尼苏达州的Chaska的Fluoroware公司。
ATM 200被配置以支撑一具有手臂组208的机器人206,用以在晶片盒212与一相邻的真空预备室(未显示)之间操作和传送晶片。晶片盒212最好是座落于一架子204上,并在负载单元区内架子204与ATM 200的后壁之间形成一转向气流槽203。从架子204水平延伸出去且与架子204在大约相同高度处有一穿孔板片205,穿孔板片205把机器人206与手臂组208隔离。一般而言,配置穿孔板片205以在一个暂时贮存、处理、及传送晶片的较干净区域与机器人电机所处的下部区之间限定一分隔线。
在一优选实施例中,穿孔板片205以上的ATM 200的内壁(即ATM 200的清洁中心区域)为电抛光不锈钢,不但可以防止内壁的腐蚀,而且可以防止可能会损害晶片214上的敏感微器件的电荷聚集。穿孔板片205的材质也最好是电抛光不锈钢,而穿孔板片205以下的内壁则可以为粉末涂敷钢。通常,因为晶片被维持在穿孔板片205之上的高度,所以穿孔板片及架子204以下电荷聚集的可能性不是问题。显示的ATM 200还具有一可打开的门210(或多个门),用以插入及移去ATM 200内部的晶片盒212。在穿孔板片205下方有一个排气口221,允许将排出的气体222导入无尘室,以及导出ATM 200的壳体。如果有必要,可以为排气口221装配一风门,以防止过多的气流冲出或冲进ATM 200。更进一步,也可以将排气口设置在ATM 200的底部。
顶部200a中的过滤器可以是任何能够产生良好效率的过滤器,例如可以过滤除去大于0.1微米以上的粒子的效率约为99.9995%。一过滤器的典型例子为一种具有硼硅酸盐玻璃纤维的美国空气过滤器,此可由美国肯塔基州路易维耳市的美国空气过滤器国际公司(American Air Filter International)购取。同样地,鼓风机可以是任何适合的可变速度鼓风机(或一固定速度鼓风机),并可用于无尘室环境。一可变速度鼓风机的典型例子为鼠笼式鼓风机RH31M-4/104371,可从美国康内迪克州华明顿市的EBM工业公司购取。因此,可变速度鼓风机将产生一通过过滤器的调节气流220,并于开始时将其朝穿孔板片、手臂组208、以及晶片盒212的方向向下引导。
在一优选实施例中,校准穿孔板片205的(任何希望形状的)开口,使一特定的气流量能够穿过穿孔板片,并由此产生一转向气流220a。相信转向气流220a之所以会产生是因为穿孔板片205至少部分地限制了空气(即非转向气流220b)穿过穿孔板片205并进入ATM 200下部区的流动。
如图中线条所示,转向气流220a弯向负载单元202,并于晶片盒212内部及其周围产生一小型环境。因此,转向气流220a将至少部分地平行流动并通过晶片214,接着,向下通过转向气流槽203。通过转向气流通过晶片盒212的晶片214所产生的小型环境,将有助于在晶片214停留于负载单元202时,从其表面移除滞留的气体及微粒。当然,部分的调节气流220将穿过穿孔板片205成为非转向气流220b。穿过转向气流槽203的转向气流220a,以及穿过穿孔板片205的非转向气流220b两者都将从ATM 200壳体下部区的排气口221排出,并以排出的气体222表示。
在一实施例中,如下表A所示,调节气流220穿过穿孔板片205的平均速度约为40-120ft/min,而转向气流220a将以约10-80ft/min的平均速度和缓地通过晶片214。表A中所列的平均速度是负载单元202的门210关闭情况下的典型平均速度。负载单元202的至少一个门210打开的情况下气流的典型平均速度如表B所列。
表A

表B

图2B显示本发明的另一实施例,其中ATM 200包括一风扇240以进一步协助转向气流220a穿过转向气流槽203,并从排气口221排出。如图所示,风扇240安装在一与架子204接合的壁204a上。只要能协助转向气流220a通过槽203,可以以多种方式安装风扇。这样,通过风扇204的安装而额外产生通过转向气流槽203的吸力,使得晶片214之间存在的处理气体和副产物可以经由转向气流槽203而被排出,成为风扇气流220a’。如上述,当门打开时最好将风扇关闭,以避免吸进“肮脏”的无尘室空气。
图3A显示根据本发明的一实施例的与一处理系统相连接的ATM 200的俯视图。ATM 200的架构几何和机器人相对于真空预备室104的配置,在1999年6月29日提出专利申请的美国专利申请案号第09/342,669号,专利名称为“设有晶片传输机器人的承窝的大气压晶片传送组件及其实施方法”中有更详尽说明。该申请作为参考文献并入本发明。如图所示,设计ATM 200与一对真空预备室104相通。真空预备室104经由闸门阀105连接至一输送室106。接着,输送室106能够连接至处理组件108。输送室106安装有一机器人手臂(未显示),用以从真空预备室104取回晶片,并将其插入选择的处理组件108,在其中执行处理操作。
图示的ATM 200具有一对准器250,在晶片被插入真空预备室104之前,于其中可以调整晶片使其与手臂组208对准。显示的负载单元202具有支撑晶片盒212的架子204。显示的晶片盒212具有晶片214。晶片盒212后方与架子204同高度之处为转向气流槽203(已参考上述的图2A及2B说明)。门210允许从负载单元202内部插入或移除晶片盒212。此外。可以通过一外部无尘室机器人(未显示)或人来插入和移除晶片盒。
在本实施例中,显示的ATM 200具有一栅格状的穿孔板片205。可以选择穿孔板片205,以使更多或是较少的气流通过晶片214和转向气流槽203。虽然图示的ATM 200具有用以连接与之成角度的真空预备室104的几何形状,但应该理解很多形状都能使气流适当地转向。气流方向的改变主要是由于限制其通过穿孔板片205的结果,从而改变至少部分气流的方向,使其流向架子204以及晶片盒212中的任何晶片。
圆3B显示本发明的另一实施例,其中负载单元202和穿孔板片205’已经过修改。如图所示,穿孔板片205’的栅格密度更高,以减少或限制通过穿孔板片205’的气流,并将更多量的气流转向晶片214,并向下通过转向气流槽。负载单元202也已经过修改,使其包括隔离两晶片盒212的环境隔板207。而且,每一个晶片盒212也被侧壁213所包围。
通过设置环境隔板207以及侧壁213,当想要打开一特定的门210以移除或插入一特定的晶片盒212时,能够更精确地控制各个晶片盒212的小型环境。即,当一个门210被打开以移除或插入一个晶片盒222时,打开的小型环境中的压力变化将不会对邻近单元内的小型环境(其可能含有若干经处理过的晶片)造成实质上的影响。环境隔板有助于阻隔单元之间的微粒移动和交互污染,这也是重要且须注意的。各个负载单元202最好也分别包括一第一转向气流槽203a,以及一第二转向气流槽203b。
图3C显示本发明的另一实施例,其中穿孔板片205”和负载单元202的构造已经过修改。在本实施例中,限定穿孔板片205”为一具有多个镗孔的板片,调整这些镗孔可以使期望的气流通过穿孔板片205”。在一典型的实施例中,穿孔板片205”中的镗孔可以配置为使得板片为约20%-80%打开,优选为约40%-70%打开,最优选为约63%打开。为达成约63%打开的特性,一个实施例中镗孔中心错开3/16,而孔的直径为5/32。一般而言,配置该打开百分比以达成期望的平均速度,如同表A及表B所述。如上述的实施例中,穿孔板片205”最好是由不锈钢所制成,并已经过电抛光以防腐蚀以及抑制静电电荷。
在本例子中,已经过修改的负载单元202具有晶片盒罩209,在架子204内部放置晶片盒212,但晶片盒212朝穿孔板片205”方向外倾时,晶片盒罩209可以严密地围住晶片盒212。以此方式,晶片盒罩209将使转向气流220a实质上流经晶片212并从第一及第二转向气流槽203a及203b排出。晶片盒罩209最好以围墙的形式包围晶片盒212。晶片盒罩209的外部则是架子204’的剩余部分。晶片盒罩209的整个内表面最好是由不锈钢所制成,并已经过电抛光以防腐蚀以及减少静电电荷产生的可能性。
虽然为了清楚理解的目的,前述本发明已就其细节加以描述,但应该理解在以下的权利要求范围内可进行一些变更和修改。举例而言,虽然已说明过ATM具有一特定的几何形状(关于真空预备室和一内部机器人),但是应理解穿孔板片的区域可以具有任何几何形状,例如矩形、正方形等等。此外,环绕各个晶片盒的结构可以呈现多种形状。然而,特别重要的是,向下朝穿孔板片方向流动的气流被部分地转向朝晶片盒的方向流动,因此在晶片及其周围产生一小型环境,此小型环境连续地在晶片表面的上方提供一和缓的气流。因此,这些实施例应被认为是例示性而非限定性的,本发明不受此等细节所限制,而可在以下的权利要求范围或等同物内加以修改。
权利要求
1.一种大气压输送组件,包括一外壳,该外壳具有一顶部,具有一鼓风机,用以产生一向下并远离该顶部的调节气流;一负载单元区,与该鼓风机横向偏开,该负载单元包括一架子,用以支撑一晶片盒,该架子与该负载单元的一个壁分离以形成一转向气流槽;及一穿孔板片,限定于该鼓风机的下方,该穿孔板片用以限制通过该穿孔板片的气流,并用以诱发一转向气流通过该晶片盒。
2.根据权利要求1所述的大气压输送组件,其中该大气压输送组件用以连接一个或多个真空预备室。
3.根据权利要求2所述的大气压输送组件,还包括一机器人,具有一手臂组,用以在该晶片盒与该一个或多个真空预备室之间传送晶片。
4.根据权利要求1所述的大气压输送组件,其中该穿孔板片被选择以限制一气流流量,并根据通过该穿孔板片限制的气流流量以及来自该鼓风机的调节气流的速度,调整该诱发的转向气流。
5.根据权利要求4所述的大气压输送组件,其中通过该晶片盒的转向气流至少部分地平行于该晶片盒中所包括的一个或多个晶片。
6.根据权利要求5所述的大气压输送组件,其中将流经该晶片盒的转向气流经由该转向气流槽引导至该架子和该穿孔板片下方的区域。
7.根据权利要求6所述的大气压输送组件,其中来自该鼓风机且由该穿孔板片限制的气流至少部分地作为非转向气流流过该穿孔板片,并进入该架子和该穿孔板片下方的区域。
8.根据权利要求7所述的大气压输送组件,其中引导进该架子和该穿孔板片下方区域的该转向气流和该非转向气流经由一排气口被排出至该大气压输送组件外。
9.根据权利要求1所述的大气压输送组件,其中该负载单元具有至少一个门,用以插入或移除该晶片盒。
10.根据权利要求1所述的大气压输送组件,还包括一风扇,位于该架子的下方,该风扇经由该转向气流槽将该转向气流抽入该架子和该穿孔板片下方形成的一区域;一连锁机构,将该风扇耦合到该负载单元的一个门,使得在该负载单元的该门打开时关闭该风扇。
11.根据权利要求10所述的大气压输送组件,其中在该架子和该穿孔板片下方形成有一排气口,用以从该外壳内除去气流。
12.根据权利要求1所述的大气压输送组件,其中该外壳还包括一过滤器,与该鼓风机结合在一起。
13.根据权利要求1所述的大气压输送组件,其中该晶片盒为一开放的晶片盒。
14.根据权利要求1所述的大气压输送组件,其中该穿孔板片上方所形成的外壳内部以及该穿孔板片由电抛光不锈钢所制成。
15.根据权利要求1所述的大气压输送组件,其中该负载单元的架子用以支撑一个或多个晶片盒。
16.根据权利要求15所述的大气压输送组件,其中该一个或多个晶片盒分别被分隔壁所包围。
17.根据权利要求7所述的大气压输送组件,其中该转向气流具有的平均速度范围在约10英尺/分钟到80英尺/分钟之间;而该非转向气流的平均速度范围则在约40英尺/分钟到120英尺/分钟之间。
18.一种大气压输送组件,包括一封闭式外壳,具有一顶部区、一中央区、一底部区、以及一负载单元区;一鼓风机,位于该封闭式外壳的顶部区,用以产生一气流并向下流进该中央区;一架子,在该封闭式外壳的中央区与底部区之间形成一分隔线,该架子至少部分地与该负载单元区的一个壁相间隔开,从而形成一个槽;以及一穿孔板片,从该架子延伸,并进一步在该中央区与该底部区之间形成该分隔线;限制该鼓风机所产生的气流自由地穿过该穿孔板片,并且使该气流部分地转向到朝该负载单元的架子方向流动,经由该槽而进入该封闭式外壳的底部区。
19.根据权利要求18所述的大气压输送组件,其中具有一个或多个晶片的一晶片盒置于该负载单元的架子上。
20.根据权利要求19所述的大气压输送组件,其中被部分地转向到该架子的该气流实质上平行于该晶片盒中的该一个或多个晶片而流过。
21.根据权利要求20所述的大气压输送组件,其中被转向到该架子的该气流部分地协助从该晶片盆中的该一个或多个晶片表面移除处理气体。
22.根据权利要求20所述的大气压输送组件,其中被转向到该架子的该气流部分地协助移除该晶片盒中的该一个或多个晶片表面上或飘浮于其上方的微粒。
23.根据权利要求19所述的大气压输送组件,其中在该负载单元内部并环绕该架子周围形成有围墙以单独容纳晶片盒,且在该围墙的后壁形成该槽。
24.根据权利要求18所述的大气压输送组件,其中被部分地转向到该架子的气流为一转向气流,而通过该穿孔板片的气流为非转向气流。
25.根据权利要求24所述的大气压输送组件,其中该转向气流具有的平均速度范围在约10英尺/分钟到80英尺/分钟之间;而该非转向气流的平均速度范围则在约40英尺/分钟到120英尺/分钟之间。
26.一种大气压输送组件的制造方法,包括形成具有一顶部区、一中央区、一底部区、以及一负载单元区的一封闭式外壳;在该封闭式外壳的顶部区安装一鼓风机,用以产生一向下进入该中央区的气流;安装一架子,用于在该封闭式外壳的中央区与底部区之间限定一水平分隔线,该架子至少部分地与该负载单元区的一个壁相隔开,从而形成一个槽以及从该架子水平延伸地安装一穿孔板片,该穿孔板片进一步在该中央区与该底部区之间限定该分隔线;由该鼓风机所产生的气流受到限制无法自由地流经该穿孔板片,并且部分地使该气流与该穿孔板片偏移开而朝该负载单元的架子方向流动,经由该槽进入该封闭式外壳的底部区。
27.根据权利要求26所述的大气压输送组件的制造方法,其中具有一个或多个晶片的一晶片盒置于该负载单元的架子上。
28.根据权利要求27所述的大气压输送组件的制造方法,其中被部分地转向到该架子的该气流实质上平行于该晶片盒中的该一个或多个晶片而流过。
29.根据权利要求28所述的大气压输送组件的制造方法,其中被转向到该架子的该气流部分地协助移除飘浮于该晶片盒中的该一个或多个晶片表面上方的处理气体。
30.根据权利要求28所述的大气压输送组件的制造方法,其中被转向到该架子的气流部分地协助移除该晶片盒中的该一个或多个晶片表面的微粒。
31.根据权利要求26所述的大气压输送组件的制造方法,其中该穿孔板片具有一栅格状排列,且该穿孔板片为电抛光不铸钢。
32.根据权利要求26所述的大气压输送组件的制造方法,其中该穿孔板片具有多个镗孔,且该穿孔板片为电抛光不锈钢。
全文摘要
提供一种大气压输送组件。该组件包括:一封闭式外壳,具有一顶部区、一中央区、一底部区、以及一负载单元区。一鼓风机位于该封闭式外壳的顶部区,用以产生一气流并向下流进该中央区。负载单元区中的一个架子限定该封闭式外壳的中f央区与底部区之间的一分隔线。该架子至少部分地与该负载单元区的一个壁相间隔,以在架子后面形成一个槽。一穿孔板片从该架子水平延伸,并进一步限定该中央区与该底部区之间的该分隔线。在此例中,限制该鼓风机所产生的气流不能自由地流经该穿孔板片,并且部分地使该气流转向到该负载单元的架子方向流动,经由该槽而进入该封闭式外壳的底部区。一具有一个或多个晶片的晶片盒座落于该负载单元内的架子上以接受该转向气流。因此,在晶片暂时置放于该大气压输送组件中时,转向气流将和缓地流过该晶片表面的上方,并协助除去该晶片表面上方之后处理气体及微粒。
文档编号H01L21/02GK1377510SQ00813643
公开日2002年10月30日 申请日期2000年9月28日 优先权日1999年9月30日
发明者法罗·F·凯维, 戴维·E·雅各布, 蒂恩·杰伊·拉森, 马汀·R·马拉钦 申请人:拉姆研究公司
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1