专利名称：蚀刻机台中的晶片推升装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种晶片推升装置，特别是指应用于蚀刻机台的晶片推升装置。
半导体工艺中机台设备零件的变形或损坏关系着晶片制造的产出，若是需要利用相当多时间来更换设备零件的话，则不仅浪费人力，且降低机台生产力。其中晶片推升装置即为一典型例子，晶片推升装置于蚀刻机台内扮演着将晶片推升或下降的角色，用于将晶片推升或下降至一固定高度，以进行后续的蚀刻反应。
为进一步说明晶片推升装置的作用，请参阅
图1(a)与(b)的晶片承载流程示意图。如图1(a)所示，当一晶片12借助一机械手(图中未示出)送入一蚀刻机台反应室11内时，机械手是先将所述晶片置放于一晶片推升装置13的数个推升杆(Push Pin)131上。如图1(b)所示，待机械手离开蚀刻机台反应室11后，所述晶片推升装置13则将缓缓下降至一静电夹盘(Electrostatic Chuck，ESC)14表面上，而于下降至所述静电夹盘(Electrostatic Chuck，ESC)过程中，一对准环(FocusRing)15可以确保所述晶片能准确定位于一位置。待所述晶片12已下降至所述静电夹盘(Electrostatic Chuck，ESC)14表面上并准确定位于一位置后，所述静电夹盘14则借助静电力固定住所述晶片12，且一阴极弹簧17将缓缓上升使整个晶片承载机构18上升至一固定高度，以缩短所述蚀刻反应室内的一阴极19与一阳极(未图示)间的间距以进行蚀刻反应。其中，一绝缘环(Insulator Ring)16可于进行蚀刻反应反应过程中避免等离子体10直接损害所述静电夹盘(Electrostatic Chuck，ESC)14。同时，于蚀刻反应进行时，通入抗冻液(Chiller)于一抗冻液循环管路181以冷却所述所述静电夹盘(Electrostatic Chuck，ESC)14的温度，并通入氦(Helium，He)于中心冷却孔(Center Cooling Hole)1821与边缘冷却孔(Edge Cooling Hole)1822以冷却所述晶片12的温度(如图1(b)与图2的晶片承载机构俯视图所示)。
请参阅图3(a)，它是一现有的晶片推升装置结构图。所述晶片推升装置具有数个推升杆32，它们固定焊接于一基板31上，且所述基板31具有一或数个螺丝嵌入口33，用以借助螺丝将所述基座固定于一蚀刻机台的一阴极弹簧上。当然，如图3(b)所示，基板并不限定于圆形，也可以为其它任何形状，基板35上也具有数个螺丝嵌入口34。
如同所有消耗性设备零件一样，推升杆常因为蚀刻机台的异常而造成变形或损坏而需予以更换，然而根据现有技术，推升杆是固定焊接于基板上，往往只是因为单根推升杆变形则需要整组更换而提高了维修成本。另外，欲更换现有的晶片推升装置的话，需要先将抗冻液(Chiller)完全排出抗冻液循环管路，然后再将静电夹盘(Electrostatic Chuck，ESC)14拆卸下来，最后才能进行晶片推升装置13的更换，整个过程需要耗费三至五小时，参阅图3则可知更换动作繁琐、浪费人力，且降低机台生产力。
本实用新型的目的在于提供一种用于蚀刻机台的晶片推升装置，它可降低蚀刻机台维修成本、提高蚀刻机台生产力、使更换动作简易以及可减少人力浪费。
为实现上述目的，本实用新型提供一种用于蚀刻机台的晶片推升装置，其特点是，它包括一基座，它包括有数个螺孔；数个旋入式推升杆，每一旋入式推升杆的一端含有外螺纹以将所述数个旋入式推升杆旋入所述基座的数个螺孔内而固定的；以及数个螺丝嵌入口，用于借助螺丝将所述基座固定于所述蚀刻机台的一阴极弹簧上。
依据上述构想，其中所述蚀刻机台为东京电子有限公司(Tokyo ElectronLimited)制造的蚀刻机台。
依据上述构想，其中所述蚀刻机台为应用材料有限公司(Applied MaterialsInc.)制造的蚀刻机台。
依据上述构想，其中所述基座与所述数个旋入式推升杆(Push Pin)是由不锈钢材料制成。
依据上述构想，其中所述数个螺孔是平均分布于所述基座的边缘处。
为实现上述目的，本实用新型另一方面提供一种应用于蚀刻机台的晶片承载机构，其特点是，它包括一晶片推升装置，它含有数个于一端含外螺纹的旋入式推升杆(Push Pin)，用于置放一晶片于其上而能将所述晶片推升或下降至一固定高度；一对准环(Focus Ring)，用于当所述晶片下降至所述晶片承载机构时将所述晶片准确定位于一位置；一静电夹盘(Electrostatic Chuck，ESC)，用于所述晶片下降至所述承载机构后借助所述静电夹盘固定所述晶片；以及一绝缘环(Insulator Ring)，用于当进行一蚀刻反应时避免所产生的等离子体损害所述静电夹盘。
依据上述构想，其中所述蚀刻机台为东京电子有限公司(Tokyo ElectronLimited)制造的蚀刻机台。
依据上述构想，其中所述蚀刻机台为应用材料有限公司(Applied MaterialsInc.)制造的蚀刻机台。
依据上述构想，其中所述晶片推升装置还包括有一基座，它包括有数个螺孔，用于将所述数个旋入式推升杆旋入所述基座的数个螺孔内而固定；以及数个螺丝嵌入口，用于借助螺丝将所述基座固定于所述蚀刻机台的一阴极弹簧上。
依据上述构想，其中所述基座与所述数个旋入式推升杆是由不锈钢材料制成。
依据上述构想，其中所述数个螺孔是位于所述基座的边缘处。
采用本实用新型的上述技术方案可克服现有技术中的缺点，不仅可降低蚀刻机台维修成本、可使更换动作更为简易、可提高蚀刻机台生产力，并可减少人力浪费。
为更清楚理解本实用新型的目的、特点和优点，下面将结合附图对本实用新型的较佳实施例进行详细说明。
图1(a)~(b)是晶片承载流程示意图；图2是晶片承载机构俯视图；图3(a)是现有的晶片推升装置结构图；图3(b)是另一现有的晶片推升装置结构图；以及图4是本实用新型一较佳实施例的晶片推升装置的结构图。
请参阅图4，它是为本实用新型一较佳实施例的晶片推升装置44的结构图。根据本实用新型，所述晶片推升装置44具有一基座35，它包括有数个螺孔42；数个旋入式推升杆(Push Pin)41，每一旋入式推升杆于一端是含有外螺纹43以将所述数个旋入式推升杆旋入所述基座的数个螺孔42内而固定；以及数个螺丝嵌入口34，用于借助螺丝将所述基座35固定于所述蚀刻机台的一阴极弹簧上。
其中，所述晶片推升装置44可应用于东京电子有限公司、应用材料有限公司(Tokyo Electron Limited、Applied Materials Inc.)所生产的蚀刻机台，或任何其它类似结构的蚀刻机台。较理想的是，所述基座35与所述数个旋入式推升杆41用不锈钢材料制成，且所述数个螺孔42是平均分布于所述基座的边缘处。
根据本发明，如果旋入式推升杆因为蚀刻机台的异常而造成变形或损坏而需予以更换时，如图3所示，仅需将损坏的旋入式推升杆旋入基座的数个螺孔内予以固定，而不需先将抗冻液(Chiller)完全排出抗冻液循环管路，也不需将静电夹盘(Electrostatic Chuck，ESC)14拆卸下来，因此更换甚为简易。
因此，借助本实用新型上述的应用于蚀刻机台的晶片推升装置，克服了现有技术所产生的缺点，不仅可降低蚀刻机台维修成本、可使更换动作更为简易、可提高蚀刻机台生产力，并可减少人力浪费。
权利要求1.一种应用于蚀刻机台的晶片推升装置，其特征在于，它包括一基座，它包括有数个螺孔；数个旋入式推升杆，每一旋入式推升杆的一端含有外螺纹以将所述数个旋入式推升杆旋入所述基座的数个螺孔内而固定；以及数个螺丝嵌入口，用于借助螺丝将所述基座固定于所述蚀刻机台的一阴极弹簧上。
2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述蚀刻机台为东京电子有限公司制造的蚀刻机台。
3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述蚀刻机台为应用材料有限公司制造的蚀刻机台。
4.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述基座与所述数个旋入式推升杆是由不锈钢材料制成。
5.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述数个螺孔是平均分布于所述基座的边缘处。
6.一种应用于蚀刻机台的晶片承载机构，其特征在于，它包括一晶片推升装置，它含有数个于一端含外螺纹的旋入式推升杆，用于置放一晶片于其上而能将所述晶片推升或下降至一固定高度；一对准环，用于当所述晶片下降至所述晶片承载机构时将所述晶片准确定位于一位置；一静电夹盘，用于所述晶片下降至所述承载机构后借助所述静电夹盘固定所述晶片；以及一绝缘环，用于当进行一蚀刻反应时避免所产生的等离子体损害所述静电夹盘。
7.如权利要求6所述的机构，其特征在于，所述蚀刻机台为东京电子有限公司制造的蚀刻机台。
8.如权利要求6所述的机构，其特征在于，所述蚀刻机台为应用材料有限公司制造的蚀刻机台。
9.如权利要求6所述的机构，其特征在于，所述晶片推升装置还包括有一基座，它包括有数个螺孔，用于将所述数个旋入式推升杆旋入所述基座的数个螺孔内而固定；以及数个螺丝嵌入口，用于借助螺丝将所述基座固定于所述蚀刻机台的一阴极弹簧上。
10.如权利要求9所述的机构，其特征在于，所述基座与所述数个旋入式推升杆是由不锈钢材料制成。
11.如权利要求9所述的机构，其特征在于，所述数个螺孔是位于所述基座的边缘处。
专利摘要本实用新型有关一种应用于蚀刻机台的晶片推升装置,它包括一基座,是包括有数个螺孔;数个旋入式推升杆,每一旋入式推升杆于一端是含有外螺纹以将所述数个旋入式推升杆旋入所述基座的数个螺孔内而固定的;以及数个螺丝嵌入口,是用以借助螺丝将所述基座固定于所述蚀刻机台的一阴极弹簧上。采用本实用新型不仅可降低蚀刻机台维修成本、可使更换动作更为简易、可提高蚀刻机台生产力,并可减少人力浪费。
文档编号H01L21/02GK2480984SQ0122141
公开日2002年3月6日 申请日期2001年4月16日 优先权日2001年4月16日
发明者陈复生 申请人:华邦电子股份有限公司