专利名称：第iii族氮化物半导体激光器及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种具有多个第III族氮化物半导体结晶层的氮化物半导体激光器(以下，可以简单地表示为装置)，其中第III族结晶层氮化物半导体通过公式(AlxGa1-x)1-yInyN(其中0≤x≤1，0≤y≤1)表示，载流子由电极提供。更具体地说本发明涉及一种第III族氮化物半导体激光器，它可以放射波长从紫外线到蓝色变动的激光以及用于制造它的方法。
背景技术：
用于半导体激光器的若干可允许的结构已经提出多年了。它们中有许多包括用于在与pn结平行的方向，也就是横向上限制电流入射面积的结构，以及那些用于在横向限制产生在激活层中的光的结构。那些结构一般地分解为二个类型脊-型，也就是台式-条纹型和内部条纹型，也就是内部电流节流型。
脊型半导体激光器具有据称的脊型结构，其中条纹状窄凸起形成在p-型引导层上面的区域内并且有一个p-侧电极形成在该凸起上。这种类型的装置需要脊结构的高精度的处理过程。这种处理过程由许多的步骤组成并且难于提高该装置的制造产量。这是因为脊结构的尺寸显著地影响用于振荡和光束质量的门限电流。
同时，日本专利KokaiNO.Hei.11-261160公开了一种内部条型的第III族氮化物半导体激光器，它具有一对镀层，一夹在镀层之间的激活层以及具有条纹状孔隙的电流压缩(constricting)层，该压缩层充当电流穿过该激活层的路径。电流压缩层是一个高电阻层，也就是说通过加热非晶体的或聚-晶状氮化物半导体层然后使该层结晶制成的。电流压缩层由包含至少1×1020cm-3的杂质GaN组成。通过利用与在该层中的杂质能量状态有关的光吸附效应，光线被限制在横向。
然而，电流压缩层的孔隙上的镀层在不均匀的(坑坑洼洼的)基础层上再生。结果，当包含II族Mg的p型氮化物半导体作为受主(acceptor)杂质在电流压缩层上再生时，在孔隙的半导体层中，Mg浓度的分配是不均匀的，因此它的导电的性能降低。
在氮化物半导体情况下，当Mg浓度在一个很有限范围之内时，可实现满意的p-型导通。因此如果在Mg浓度的分配中有变动，p-型导通性能降低。
特别地，当p-型镀层，通常是AlxGa1-xNMg(0.05≤x≤0.20)再生时，在孔隙的半导体层中的Mg的不均匀分布导致严重地负效果。也就是说，因为镀层的能带间隙比引导层的能带间隙大，所以除非镀层本身是均匀p-型层，否则对于载流注入的势垒(在该情况下，是空穴)增加。此外，由于在p-型AlGaN的体电阻的增长，该装置的串联电阻增加了。换句话说，如果填充孔隙的半导体层是Mg掺杂AlGaN镀层，p-型导通的降低直接影响所得到的装置的伏安性质。
工作电流和电压在内部条纹型激光器中可以降低，因为它同时在横向提供电流注入面积限制和光线限制。
在控制光的传输模式中它表现了良好的性能，并且可以以高产量制造。和脊型激光器相比，内部条纹型激光器在热耗散中显示较好的性能，并且提供长使用寿命和高可靠性。尽管这些优点，但作为上述的问题还没有解决，使用第III族氮化物半导体的内部条纹型半导体激光器还不是普及的。迄今为止只有脊型第III族氮化物半导体激光器成功地商业化。
发明概述本发明已经解决了传统的内部条纹型氮化物半导体激光器具有差的伏安性质的问题。因此，本发明的目的是提供一种可以在低强度电流和电压条件下驱动的内部条型氮化物半导体激光器，便于制造并且在光线的横模下工作稳定。
本发明提供一个第III族氮化物半导体激光器，具有一对相对的导引器和夹置在一个激活层与位于P型导引层中间的电流压缩层之间的镀层。
电流压缩层由沉积在400-600℃的低温中的AlN组成的，具有条纹-状孔隙，该孔隙限制通过其注射给该激活层的电流的面积。换句话说，按照本发明的氮化物半导体激光器是具有多个由第III族氮化物半导体构成的氮化物半导体激光器，其中的第III族氮化物半导体通过公式(AlxGa1-x)1-yInyN(其中0≤x≤1，0≤y≤1)表示，多个结晶层包括接近于在第III族氮化物半导体的结晶层的激活层的激活层侧导引层，该层由Alx’Ga1-x’-y’Iny’N(其中0≤x’≤1，0≤y’≤1)构成，沉积在所述引导层上以及具有条纹状孔隙的电流压缩AlN层，由Alx”Ga1-x”-y”Iny”N(其中0≤x”≤1，0≤y”≤1)组成的并且沉积以填充电流压缩层孔隙的电极侧导引层，以及由AluGa1-u-vInvN(其中0≤u≤1，0≤v≤1)组成的沉积在电极侧导引层上的镀层。因为在低温(400-600℃)沉积的AlN薄膜的电阻很高，所以电流压缩层有效地阻滞非孔隙区域中的电流。
在按照本发明的氮化物半导体激光器中，如果激活层-侧导引层的能带间隙，电极-侧导引层和镀层分别由Eq1，Eg2和Eg3代表，则它们的关系是Eg1≤Eg2≤Eg3。
在激活层侧的引导层和在电极侧上的引导层可以具有相同的成分AlxGa1-x-yInyN(0≤x≤1，0≤y≤1)。
为了保护激活层并且防止电子溢出，AlzGa1-zN(0.05≤z≤0.3)的半导体层可以立即形成在该装置的激活层之上。
电流压缩AlN层的薄膜厚度是100-800，在本发明中最好为200-600。因为AlN层的折射率大约是2.15并且小于另一个区域的折射率，折射率的有效步骤被提供以便在电流压缩层的孔隙附近与pn结平行的水平方向方向(横向)限制光线。
如果AlN薄膜变得比下限100还薄，有效地在横向限制光线变得困难。按照本发明在横向的光线约束不同于传统的利用电流压缩层的光线约束，在传统的光线约束中，为了给从激活层放射出的光线提供恰当的吸收系数，其中大量掺杂有杂质。本发明使用由AlN的恰当的低折射率引起的折射率的有效步骤。
在低温沉积的AlN薄膜是无定形的(非结晶体)并且该层被用作缓冲层来缓和当GaN在蓝宝石基片上增长时点阵常数的失配。因此，容易在低温沉积的AlN层上再生GaNMg层(p-型引导层)。如果AlN薄膜比上限，800厚，通过电极-侧导引层的沉积作用使其足够平就变得几乎不可能的。第II族元素例如Mg，被添加给该引导层，并且该引导层通过退火处理显现p-型导通。
在目前发明中，由AlN构成的电流压缩层位于p-型引导层内部。因此该结构可以避免传统的问题，即由于电流压缩层孔隙内部的p-型结晶层的电阻提高而使伏安特性降低。
在p-型引导层扩充期间，电流压缩层孔隙内部的p-型结晶层的Mg分配变得不均匀。然而，该装置的伏安特性是不错的。这是因为引导层的能带间隙设计成小于镀层的能带间隙并且当该装置是正向偏置时，大量的载流(在该情况下，为空穴)可以从该镀层流入到该引导层为该引导层提供高导电性。因此如果该镀层是一个良好的p-型层，从该镀层提供足够数目的载流子。该解释与事实一致，如果该引导层是无掺杂，可实现激光振荡。此外当该孔隙与由GaNMg构成的p-型引导层掩埋(bury)时，在Mg掺合中的不均一性更好地工作，并且提供一个埋置层的平整表面。结果，该p-型接触层和该将要沉积在该埋置层上方的电极也变平。然后按照本发明的内部条纹型半导体激光器提供另一个优点，当p-面向下将该装置安装在散热器上时，它容易实现一种更可取的热接触。
此外、AlN具有就热耗散而言的一个优点，因为它在室温下具有285w/mk的热传导率，超过GaN，130W/mk的热传导率的两倍。AlN的该特征的一个优点在于，该装置即可以p-面向上也可以p-面向下安装在该散热器上，因此有助于更长久的使用寿命。
按照本发明用于制造氮化物半导体激光器的方法，其中激光器具有多个由第III族氮化物半导体构成的结晶层，第III族氮化物半导体通过公式AlxGa1-x-yInyN(0≤x≤1，0≤y≤1)表示，包括形成邻近于由第III族氮化物半导体形成的激活层且由Alx’Ga1-x’-yIny’N(0≤x’≤1，0≤y’≤1)构成的激活层-侧引导层的步骤，形成沉积在所述激活层-侧引导层上且具有一条纹状孔隙和电流压缩AlN层的步骤，利用由A1x”Ga1-x”-y”Iny”N(0≤x”≤1，0≤y”≤1)构成的电极-侧引导层填充所述的电流压缩层，以及在电极-侧引导层上形成由AluGa1-u-vInvN(0≤u≤1，0≤v≤1)构成的一个镀层。由AlN构成的电流压缩层可以通过湿法加工刻蚀并且它容易形成孔隙。就该特性而论，该装置制造方法公开在日本专利kokaiNO.Hei.11-261160中，记述当形成GaxAlyIn1-x-yN(0≤x，y≤1)薄膜时，如果由于它的高腐蚀-阻力它的铝含量变高时，蚀刻变得难于执行。然而，我们发现，与该公开相反，有可能容易地利用保持在适当地80℃的碱性溶液或保持在150-200℃的基于磷酸的蚀刻溶液来湿-刻蚀沉积在温度400-600℃之间的AlN。形成在p-型GaN上的AIN的湿法蚀刻提供一个非常清洁的表面。因此当p-型引导层在孔隙形成之后再生时，由薄膜再生长引起的接触面不再是包含多种杂质的隔离物。该装置的伏安性质没有降低。结晶层的生长通过有机金属的化学气相淀积工艺实施。
图1是按照本发明的一实施例的内部条纹型氮化物半导体激光器的示意剖面图；图2是按照本发明的一实施例的由半导体激光器制造方法提供的激光晶片的示意的剖面图；图3是按照本发明的实施例由半导体激光器制造方法提供的激光晶片的示意剖面图；图4是按照本发明的实施例由半导体激光器制造方法提供的激光晶片的示意剖面图；图5是按照本发明的一实施例说明该半导体激光器的电压-电流特性的图表；图6是图1中所示的半导体激光器的p-侧导引激光器的示意放大剖面图；图7是表明本发明提供的电流压缩模拟结果的示意图；以及图8是表明由本发明提供的光线约束仿真结果的示意图；最佳实施例的详细说明按照本发明的第III族氮化物半导体激光器的实施例参考附图描述如下。
图1显现使用第III族氮化物半导体的半导体激光器的一个示例，其中第III族氮化物是一种分离约束异晶结构(SCH)的内部条纹型激光装置。标志1是一个单晶的蓝宝石基片，2是以低温沉积的GaN(或AlN)缓冲层，3是n-型GaN接触层，是n-型Al0.08Ga0.92N镀层、5是n-型GaN引导层，6是激活层，例如，具有作为主要组成成分的InGaN的多量子阱(MQW)结构，7是p-型Al0.2Ga0.8N电子阻挡层或盖板(cap)层。8a是在激活层侧的p-型GaN引导层，8c是电流压缩AlN层，8b是在电极面上的p-型GaN引导层。9是p-型Al0.08Ga0.92N镀层，10是p-型GaN接触层，其中掺杂II族杂质，例如Mg，11是由SiO2构成的介质层，13是p-侧电极，14是N侧电极。
在该装置中，当来自电极的电子和空穴再结合时，激活层6发光。N型和p型GaM引导层5，8a，8b引导在激活层6中产生的光线。通过控制引导层的能带间隙大于激活层6的能带间隙，电子和空穴有效地限制在激活层中。p-型电子阻挡层或盖板层7是阻挡层，可加强引入的载流子的约束(尤其是电子)并且可以防止当在700-800℃增长的激活层加热到1000-1100℃时，该激活层的蒸发。因为N型和p型镀层4，9的折射率低于引导层5，8的折射率，产生的光线由镀层和该引导层之间的折射系数中的步长来引导。因为蓝宝石基片根本不是导电的，所以形成N型接触层3是一个作为电流通路的基础层。缓冲层2在低温形成以便在蓝宝石基层上沉积一个平面薄膜，蓝宝石基层对GaN来说是一种掺杂物。
用于制造按照上述实施例的激光装置的步骤(1)-(19)详细地描述如下。
(1)蓝宝石衬底1放进有机金属的化学气相淀积(MOCVD)装置的反应器中。其次，该衬底在1050℃的300Torr的氢气流中保持10分钟用于热净化该蓝宝石衬底的表面。蓝宝石衬底冷却到400℃。然后作为氮源的氨(NH3)和作为铝(Al)源的三甲基铝(TMA)被引进该反应器，由AlN构成的低温沉积缓冲层2沉积厚度50nm。
(2)TMA的供应现在是暂停的并且沉积有缓冲层2的蓝宝石衬底1再次被加热到1050℃，只延续NH3的供应。
然后引进三甲基镓(TMG)以沉积N型GaN接触层3。将要成为N型混杂物的作为硅(Si)源的甲基硅烷(Me-SiH3)也被引进。
(3)当N型GaN接触层3增长到4μm厚时，引入TMA以沉积N型Al0.08Ga0.92N镀层4。
(4)当N型Al0.08Ga0.92N镀层4增厚为0.8μm时，TMA的供应中止然后N型GaN引导层5增长0.2m.。当N型GaN引导层5的增长已经完成时，TMG和Me-SiH3的供应中止并且该衬底冷却到750℃。
(5)当衬底的温度到达750℃时，运载气体从氢变化为氮。当气流已经稳定时，TMG，TMI和Me-SiH3被引入反应器来增加阻挡层。其次，三甲基硅烷的供应中止并且TMI的供应增加来增长阱层，其中In含量比阻挡层中的高。阻挡层和阱层按照多量子阱(MQW)的设计所决定的次数沉积。MQW结构的激活层6因此形成。
(6)当阻挡层沉积在激活层6的最后阱层上时，TMG，TMI和Me-SiH3的供应中止并且运载气体从氮变化到氢。当气流已经稳定时，衬底再次被加热到1050℃并且通过引进TMG，TMA和作为镁(Mg)源将成为p-型混杂物的乙基-环戊二烯基镁(Et-Cp2Mg)，p-型Al0.2Ga0.8N电子阻挡层7沉积了0.02μm。
(7)随后，TMA的供应中止并且在激活层侧的p-型GaN引导层8a增长了0.1μm。当在激活层侧的p-型GaN引导层8a的增长完成时，TMG和Et-Cp2Mg的供应中止然后衬底冷却到400℃。
(8)当衬底的温度到达400℃时，TMA再次被引进的到该反应器并且电流压缩AlN层8a在激活层面的p-型GaN引导层8a上沉积500。
(9)随后，TMA和NH3的供应中止并且该衬底被冷却。当该衬底到达室温时，薄膜层已沉积在衬底1上的晶片从该反应器中取出。
(10)然后具有大约3μm宽条纹状孔隙的SiO2掩模通过传统的影印处理被成图案在电流压缩AlN层8c上。从掩模孔径暴露出的电流压缩AIN层8c的一部分在5％的水溶液中或者更少的4甲基氢氧化铵(N(CH3)4OH)中在80℃保持两分钟被蚀刻出来。使用氟化氢(HF)，从电流压缩AlN层8c除去SiO2掩模以形成图2中所示的条状孔隙。此时，从形成在电流压缩AIN层8c上的条纹状孔隙暴露出的激活层侧的p-型GaN引导层8a几乎根本没有刻蚀。
(11)下一步，其上已形成有由AlN构成的、且具有条状孔隙的电流压缩层8c的晶片被返回到MOCVD装置的反应器中，然后在氢和NH3的气流中加热。
(12)当该晶片温度已经到达1050℃时，提供TMG和Et-Cp2Mg以沉积电极-侧p-型GaN引导层8b。
(13)当该电极-侧p-型GaN引导层8b已经增长到0.1μm时，引入TMA以沉积p型Al0.08Ga0.92N镀层9，厚度为0.4μm。
(14)随后TMA的供应中止并且如图3所示，p-型GaN接触层10增长到0.1μm。当p-型GaN接触层10的增长完成时，TMG和Et-Cp2Mg的供应中止并且冷却开始。
(15)当该晶片温度已经到达400℃时，NH3的供应中止。当晶片已经到达室温时，晶片从该反应器带出。
(16)取出的晶片在热处理炉及氮气流内、在800℃以及大气压力下热处理大约20分钟达到p-型。
(17)下一步，如图中所示，N型GaN接触层3的一部分通过传统的干刻蚀暴露以形成用于N侧电极的凸台和用于p-侧电极的凸台。
在因此形成的晶片上，SiO2电介质膜11通过例如喷涂方法沉积。随后，用于p侧和N侧电极的窗口通过传统的影印的方法形成在电介质膜11的两个凸台上。在N型GaN接触层3暴露的区域，钛(Ti)通过蒸发沉积为厚度50μm，然后金(Au)沉积200nm形成N侧电极14.。在p-型GaN接触层10暴露的区域内，镍(Ni)通过蒸发沉积为厚度50nm，然后金沉积200nm形成P侧电极13.。这样图1中所示的装置结构分别形成晶片的各区域上。
(18)稍后，在晶片后侧上的蓝宝石经过研削到100μm或者更薄然后分裂成栅条。
(19)其次，一个高反射薄膜涂敷在栅条的裂缝刻面上并且栅被切割成各个装置。该装置被P面向下地安装在散热器上。
按照本发明制造的装置的电流-电压特性被测量。图5显现测量结果(实线)。对比来说，测量的是以与上述实施例中同样的方式制造的装置的电流-电压特性，除了电极-侧导引层没有形成，只是再生了由Al0.08Ga0.92NMg构成的镀层(图5中的虚线)。比较这些特征，人们发现在按照本实施例制造的装置中的接通电压较低。此外，在装置工作电流范围为40-120ma的情况下，本发明装置中的电压比在相对的例子中的装置的电压低大约1.5-2.0伏特。因此按照本发明制造的装置就工作电压而言是有益的。
另外，当通过观察本发明装置的光发射特性和FFP(远场图形)而检测光线的横模时，对于横向FFP，激光阈值电流是46mA，电压为5v并且半值幅宽为7度。该发明的装置在30mw的光输出能量下，连续运转100小时或者更久之后，工作稳定。这些性能对于实际应用是足够的。
进行了仿真研究旨在确认本发明的装置中的电流收缩和光线约束效果。除了p型电极侧导引层的薄膜厚度是500之外，该装置结构假定为与上述实施例相同。每层的成分假定为与实施例中的相同。此外仿真是假定AlN具有2.15的折射率并且是一种绝缘材料。该仿真结果在图7和图8中表明。参照图7和图8，横轴(X轴)代表以该装置的中心为基准以μm计量的水平位置，而垂直轴(Y轴)代表在薄膜层沉积的方向上以μm计量的相对位置。
图7是表示该装置的横截面上电流密度分配的图表。每个三角形的尺寸代表电流密度。该图表指示出了在激活层内沿横向的电流分布被限制为与由AlN构成的电流压缩层孔隙相同的宽度。
图8是以等高线说明该装置横截面光线电场强度分配的图表。如果大多数向内的线条的电场强度比例为100，而那些向外的线是10。换句话说，产生在激活层中电场的90％集中在与由AlN构成的电流压缩层孔隙的宽度相同的区域内。
本发明人已经制造若干装置并且发现用于上述的激活层区域的激光器结构尺寸的一个更优越的范围。如图所示，激活层面p型GaN引导层8a，电流压缩层8c和电极侧p型GaN引导层8b按次序形成在激活层6的p型电子阻挡层或者盖板层7上，它们厚度分别是t4，t1和t2，引导层总的厚度t3由t3≤t1+t2+t4给出。电流压缩层8c的薄膜厚度t1的范围应该是100≤t1≤800，更可取地为200≤t1≤600.。电极侧p型GaN引导层8b的薄膜厚度t2应该为(1/2t1≤t2≤2t1，更可取地t1≤t2≤(3/2)t1。激活层-侧p型GaN引导层8a的薄膜厚度t4应该为0≤t4≤1000。然而，当激活层侧p型GaN层引导层8a的薄膜厚度t4是零时，p型电子阻挡层或者盖板层7形成并且电流压缩层8c直接沉积在盖板层7.上。本发明包括盖板层7不存在的结构。沉积在电极侧p型GaN引导层8b上的镀层9更可取地是Alu’Ga1-u’N(0.05≤u’≤0.3)。镀层9可以是AlGaN/GaN超点阵，其中平均AlN摩尔分数u＂符合0.05≤u＂≤0.3。
在另一个实施例中，在上述的步骤(19)中安装在散热器上的芯片可以p-面向上。即使当芯片p面向上安装时，就热耗散而言本发明是有效的。在内部条纹型装置中，有一个热传导路径，其中产生在激活层中的热向上移动(P侧)然后向下消散到散热器。然后如果电流压缩层由AlN构成，芯片的热阻可以降低并且甚至在p面向上结构中，就热耗散而论，发明是有益的。在该情况下，当金属p侧电极薄膜较厚，例如2μm，时，热耗散影响变得显著。
该衬底可以是除了蓝宝石之外的物质，例如，SiC，GaN，AlN和Si。如果使用这样的物质，用于上述步骤(1)的缓冲层制造情况可能变化。另一个变化不显著，；例如，沉积在向上结构上的薄膜厚度可能稍变化。如果例如SiC，GaN和Si的导电的衬底被使用，N型电极可以形成在该衬底后部上。在这种情况下，通过干刻蚀暴露N型接触层的步骤(17)变得不必要。
按照本发明，因为形成在激活层上的p型引导层内部的电流压缩层在低温下沉积的AlN组成，电流压缩层具有恰当的低折射率，高导热率和高电阻。就制造而论，本发明使湿法刻蚀和在电流压缩层上的再生层便于执行。此外，因为从能带间隙小于p型镀层的p型引导层执行再生长，所以电流-电压特性变得优良。
权利要求
1.一种具有多个由第III族氮化物半导体构成的结晶层的氮化物半导体激光器，其中第III族氮化物半导体由公式(AlxGa1-x)1-yInyN(其中0≤x≤1，0≤y≤1)表示，包括接近于在所述第III族氮化物半导体结晶层中的激活层并且由Alx’Ga1-x’-y’Iny’N(其中0≤x’≤1，0≤y’≤1)构成的激活层侧导引层；沉积在所述激活层侧导引层上并且具有条纹状孔隙的一个电流压缩AlN层；由Alx”Ga1-x”-y”Iny”N(其中0≤x”≤1，0≤y”≤1)构成的并且沉积以填充所述电流压缩层孔隙的电极侧导引层；以及由AluGa1-u-vInvN(其中0≤u≤1，0≤v≤1)构成并且沉积在所述电极侧导引层上的一个镀层。
2.按照权利要求1中所述的氮化物半导体激光器，其中所述电流压缩层在温度为400-600℃之间沉积。
3.按照权利要求1或者2所述的氮化物半导体激光器，其中所述电流压缩层的薄膜厚度为100-800。
4.按照权利要求3所述的氮化物半导体激光器，其中所述电流压缩层的薄膜厚度是200-600。
5按照权利要求1-4中任何一个所述的氮化物半导体激光器，其中所述引导层具有p型导电性。
6.按照权利要求1-5中任何一个所述的氮化物半导体激光器，其中所述引导层包括II族成分。
7.按照权利要求1-6中任何一个所述的氮化物半导体激光器，其中由AlzGa1-zN(其中0.05≤z≤0.3)构成的半导体层插入在所述激活层和所述激活层-侧导引层之间。
8.按照权利要求1-6中任何一个所述的氮化物半导体激光器，其中所述激活层-侧导引层能带间隙，所述电极-侧导引层和所述镀层分别是Eg1，Eg2和Eg3，它们的关系是Eg1≤Eg2≤Eg3。
9.一种用于制造具有多个由第III族氮化物半导体构成的结晶层的氮化物半导体激光器的方法，其中第III族氮化物半导体由公式(AlxGa1-x)1-yInyN(其中0≤x≤1，0≤y≤1)表示，包括步骤在激活层侧导引层上形成一个电流压缩AlN层，其中激活层侧导引层接近于在第III族氮化物半导体结晶层中的激活层并且该层由Alx’Ga1-x’-y’Iny’N(其中0≤x’≤1，0≤y’≤1)构成；在所述电流压缩层中形成条纹状孔隙；用由Alx”Ga1-x”-y”Iny”N(其中0≤x”≤1，0≤y”≤1)构成的电极侧导引层掩盖所述电流压缩层；以及在所述电极侧导引层上形成由AluGa1-u-vInvN(其中0≤u≤1，0≤v≤1)构成的镀层。
10.按照权利要求9的制造方法，其中所述结晶层的增长由有机金属的化学气相淀积执行。
11.按照权利要求9或者10的制造方法，其中由AlzGa1-zN(其中0.05≤z≤0.3)构成的半导体层在形成所述激活层侧导引层的步骤之前增长。
12.按照权利要求9-12中任何一个所述的制造方法，其中所述电流压缩层在形成所述电流压缩层的步骤中，在温度为400-600℃之间沉积。
13.按照权利要求9-12中任何一个所述的制造方法，其中形成所述电流压缩层的步骤包括湿法蚀刻所述电流压缩层以便形成条纹状孔隙的步骤。
全文摘要
一种氮化物半导体激光器,其中激励电压较低并且光线的横模稳定,它具有多个由第III族氮化物半导体构成的结晶层,第III族氮化物半导体通过公式(Al
文档编号H01S5/343GK1380727SQ0210599
公开日2002年11月20日 申请日期2002年4月12日 优先权日2001年4月12日
发明者渡边温, 木村义则, 太田启之 申请人:先锋株式会社