专利名称：半导体器件、电光装置和电子设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体器件，把该半导体器件作为晶体管阵列基板使用的电光装置，和使用该电光装置的电子设备。
背景技术：
在各种电光装置中，例如，作为象素切换用的非线性元件使用薄膜晶体管(以下，叫做TFT)的有源矩阵型的液晶装置，可以在直视式显示装置或投影式显示装置等的各种电子设备中使用。在该电光装置中，在与数据线和扫描线进行交叉的位置对应地矩阵状地形成了象素切换用的TFT和象素电极的TFT阵列基板(晶体管阵列基板/半导体器件)，与已形成了对向电极的对向基板之间，保持有作为电光物质的液晶。此外，在TFT阵列基板上，有时候也用互补型的TFT形成各种驱动电路。
此外，如参看图24、图25和图26所示，在TFT阵列基板上还构成有用来保护驱动电路免遭起因于静电等而发生的冲击电压破坏的静电保护电路。
图24示出了在现有的液晶装置中使用的TFT阵列基板中，静电保护电路及其周边的布局的等效电路图。图25的平面图示出了在现有的液晶装置中使用的TFT阵列基板中静电保护电路及其周边布局。图26是在图25的D-D’线、D1-D1’线和D2-D2’线处剖断构成静电保护电路的TFT或布线的交叉部分等时的剖面图。
如图24、图25和图26所示，在TFT阵列基板10中，从外部供给各种信号线的信号输入端子670、从外部供给高电位VDDX的端子710、和从外部供给低电位VSSX的端子720，沿着基板边111排列，信号输入线67、高电位线71和低电位线72，从这些端子670、710、720一直延伸到数据线驱动电路101。此外，静电保护电路5电连到信号输入线67的途中位置上，在该静电保护电路5中，P沟型的TFT80和N沟型的TFT90中的每一者，栅极电极65和源极区82都被固定到高电位VDDX上，栅极电极66和源极区92则被固定到低电位VSSX上，使之作为常态OFF的二极管起作用。
在这里，高电位线71，向在比已形成了信号输入端子670和静电保护电路5的区域还往基板边112侧处与信号输入线67进行交叉的方向延伸，从那里向静电保护电路5的P沟型的TFT80的源极区82延伸。相对于此，低电位线72则通过已形成了信号输入端子670的区域和已形成了静电保护电路5的区域之间向与信号输入线67进行交叉的方向延伸，从那里向静电保护电路5延伸。但是，各个布线由于被形成为具有多层布线构造，例如，即便是进行交叉，在各个布线的层间也会存在着层间绝缘膜4。就是说，高电位线71、低电位线72和信号输入线67的主体部分，用比层间绝缘膜4还往上层侧的布线构成，而这些主体部分在交叉部分672、717、729处一部分被切断，对于该被切断部分来说，要使之经由栅极电极65、66和同层的基底布线3c和接触孔718、719实现电连。
在象这样地构成的TFT阵列基板10中，即便是从信号输入端子670进来了起因于静电的冲击电压，该冲击电压按理说在进入数据线驱动电路101之前也会被静电保护电路5吸收。但是，在现有的TFT阵列基板10的情况下，在从信号输入端子670到静电保护电路5的途中部分内，存在着信号输入线67和低电位线72之间的交叉部分729。为此，存在着这样的问题在从信号输入端子670进来了冲击电压时，信号输入线67与低电位线72之间的交叉部分729因该冲击电压而发热的结果，信号输入线67或低电位线72会因该焦耳热而断线等。
发明内容
鉴于以上的问题，本发明的课题在于提供即便是冲击电压从信号输入端子进来在布线的交叉部分处也不会发生问题的半导体器件、具备作为TFT阵列基板的该半导体器件的电光装置、和电子设备。
为了解决上述课题，在本发明中，在基板上，具有多个信号输入端子、和从该多个信号输入端子中的每一个端子延伸的多条信号输入线、电连到该信号输入线中，规定的信号输入线的途中位置上的静电保护电路的半导体器件中，其特征在于用来向上述静电保护电路供给恒定电位的恒定电位线，至少被形成为避开与从上述规定的信号输入端子到上述静电保护电路的布线部分进行交叉的区域。
就是说，在本发明中，上述多个信号输入端子沿着上述基板的第1基板边排列，而且，上述多条信号输入线，从上述多个信号输入端子中的每一个端子，向在上述基板中与上述第1基板边对向的第2基板边延伸，同时，上述静电保护电路被配置在相应的信号输入线之间的情况下，此外，在要连接到上述恒定电位线上的端子也沿着上述第1基板边排列的情况下，用来向静电保护电路供给恒定电位的恒定电位线，在信号输入线中，从信号输入端子来看，虽然也可以在远离静电保护电路的部分处与信号输入线进行交叉，但是也被形成为与从信号输入端子到静电保护电路的途中部分不进行交叉。为此，即便是冲击电压已从信号输入端子进来，由于在信号输入线与恒定电位线之间的交叉部分处也不会因该冲击电压而发热，故可以避免信号输入线或恒定电位线断线这样的问题的发生。此外，即便是冲击电压从信号输入端子进来了，该冲击电压由于不会穿透层间绝缘膜后穿过恒定电位线故可以防止层间短路。为此，可以提高半导体器件的可靠性。
在本发明中，在把用来向上述静电保护电路供给恒定电位的恒定电位线，形成为至少要避开与从上述规定的信号输入端子到上述静电保护电路的布线部分进行交叉的区域时，例如，使上述恒定电位线，在比已形成了上述信号输入端子和上述静电保护电路的区域还往上述第1基板边侧，或上述第2基板边侧通过，从那里向上述静电保护电路延伸。
在这里，上述恒定电位线，有时候由向上述静电保护电路供给高电位的高电位线、和向上述静电保护电路供给低电位的低电位线构成，在这样的情况下，理想的是，对于上述低电位线和上述高电位线中的一方的恒定电位线来说，在比已形成了上述信号输入端子和上述静电保护电路的区域还往上述第2基板边侧通过，从那里向上述静电保护电路延伸，同时，对于另一方的恒定电位线来说，在比已形成了上述信号输入端子和上述静电保护电路的区域还往上述第1基板边侧通过，从那里延伸至上述静电保护电路。若象这样地构成，则没有必要扩展第1基板边的方向上的端子间距。此外，即便是说要在比已形成了上述信号输入端子和上述静电保护电路的区域还往上述第1基板边侧形成另一方的恒定电位线，与现有的构成比较起来，由于仅仅改变另一方的恒定电位线的位置，故也没有必要扩展端子形成区域周边。
此外，在本发明中，在上述恒定电位线由向上述静电保护电路供给高电位的高电位线和向上述静电保护电路供给低电位的低电位线构成的情况下，对于上述低电位线和上述高电位线中的不论哪一方来说，也都可以在比已形成了上述信号输入端子和上述静电保护电路的区域还往上述第1基板边侧，或上述第2基板边侧通过，从那里向上述静电保护电路延伸。
在本发明中，在上述静电保护电路中，可以使用例如使得变成为常态OFF那样地把栅极和源极固定到恒定电位上的TFT。
此外，在上述静电保护电路中，也可以使用在使得变成为常态OFF那样地把栅极和源极固定到恒定电位上的状态下串联连接起来的多个TFT。在该情况下，在上述静电保护电路中，也可以采用用双栅极或三栅极构造构成TFT的办法，作成为把多个TFT串联连接起来的构造。若象这样地构成，则可以提高TFT的耐压。
在本发明中，在上述静电保护电路的情况下，也可以使用在使得变成为常态OFF那样地把栅极和源极固定到恒定电位上的状态下串联连接起来的第1导电类型的TFT和第2导电类型的TFT。
此外，在本发明中，在上述静电保护电路中，也可以使用在使得变成为常态OFF那样地把栅极和源极固定到恒定电位上的状态下并联连接起来的多个TFT。若象这样地构成，由于可以加大TFT的导通(ON)电流，故可以确实地使静电保护电路动作。
在本发明中，上述TFT理想的是具备LDD构造。若象这样地构成，由于可以减小TFT的OFF时的漏泄电流，故适合于用做常态OFF。
使用本发明的半导体器件，例如，在电光装置中，可以作为保持电光物质的晶体管阵列基板构成。在该情况下，上述信号输入线将一直延伸到用来驱动在上述晶体管阵列基板上边矩阵状地形成的象素的驱动电路为止。
在本发明中，对于上述晶体管阵列基板，只要构成为在与被对向配置在该晶体管阵列基板上的对向基板之间保持作为电光物质的液晶，就可以把电光装置构成为液晶装置。
使用本发明的电光装置，例如，可以在投影式显示装置或直视式显示装置等的各种电子设备中使用。
图1是从对向基板侧看使用本发明的液晶装置和在其上边形成的各个构成要素的平面图。
图2是图1的H-H’剖面图。
图3的框图模式性地示出了在图1和图2所示的液晶装置中使用的驱动电路内置式的TFT阵列基板的构成。
图4是在图1和图2所示的液晶装置中为了构成图象显式区域矩阵状地形成的多个象素中的各种元件、布线等的等效电路图。
图5是在图1和图2所示的液晶装置中，在已形成了数据线、扫描线、象素电极等的TFT阵列基板中相邻的象素的平面图。
图6是在相当于图5的A-A’线的位置处剖开图1和图2所示的液晶装置的图象显式区域时的剖面图。
图7是在图1和图2所示的液晶装置的图象显式区域的周边区域上形成的周边电路的平面图。
图8是图7所示的驱动电路用的TFT的剖面图。
图9的等效电路图示出了在本发明的实施方案1的液晶装置中使用的TFT阵列基板中，静电保护电路及其周边的布局。
图10的平面图示出了在本发明的实施方案1的液晶装置中使用的TFT阵列基板中，静电保护电路及其周边的布局。
图11是在本发明的实施方案1的液晶装置中使用的TFT阵列基板中，在图10的C-C’线，C1-C1’线和C2-C2’线处剖开构成静电保护电路的TFT或布线的交叉部分等时的剖面图。
图12(A)到(D)的工序剖面图示出了本发明的实施方案1的TFT阵列基板的制造方法。
图13(E)到(G)的工序剖面图示出了本发明的实施方案1的TFT阵列基板的制造方法。
图14(H)到(K)的工序剖面图示出了本发明的实施方案1的TFT阵列基板的制造方法。
图15(L)到(O)的工序剖面图示出了本发明的实施方案1的TFT阵列基板的制造方法。
图16(P)到(S)的工序剖面图示出了本发明的实施方案1的TFT阵列基板的制造方法。
图17的等效电路图示出了在本发明的实施方案2的液晶装置中使用的TFT阵列基板中，静电保护电路及其周边的布局。
图18的平面图示出了在本发明的实施方案2的液晶装置中使用的TFT阵列基板中，静电保护电路及其周边的布局。
图19的等效电路图示出了在本发明的实施方案3的液晶装置中使用的TFT阵列基板中，静电保护电路及其周边的布局。
图20的平面图示出了在本发明的实施方案3的液晶装置中使用的TFT阵列基板中，静电保护电路及其周边的布局。
图21(A)、(B)分别是在使用本发明的液晶装置中使用的TFT阵列基板中，为了构成静电保护电路使用的TFT的说明图。
图22的框图示出了使用本发明的液晶装置的电子设备的电路构成。
图23(A)、(B)分别是作为使用本发明的液晶装置的电子设备的一个例子的便携式个人计算机的说明图，和移动电话机的说明图。
图24的等效电路图示出了现有的液晶装置中使用的TFT阵列基板中，静电保护电路及其周边的布局。
图25的平面图示出了在现有的液晶装置中使用的TFT阵列基板中，静电保护电路及其周边的布局。
图26是在现有的液晶装置中使用的TFT阵列基板中，在图25的D-D’线，D1-D1’线和D2-D2’线处剖开构成静电保护电路的TFT或布线的交叉部分等时的剖面图。
符号说明5静电保护电路，10TFT阵列基板(半导体器件)，10b作为TFT阵列基板的基体的基板，30象素切换用TFT，67信号输入线，71高电位线(恒定电位线)，72低电位线(恒定电位线)，80、90静电保护电路用TFT，100液晶装置，180、190驱动电路用TFT，670信号输入端子，710高电位供给端子，720低电位供给端子具体实施方式
以下，参看
本发明的实施方案。另外，在以下的说明中，作为使用本发明的半导体器件，说明有源矩阵型的液晶装置(电光装置)的TFT阵列基板(晶体管阵列基板)。
实施方案1(液晶装置的整体构成)图1是从对向基板侧看使用本发明的液晶装置和在其上边形成的各个构成要素的平面图，图2是含有对向基板地示出的图1的H-H’剖面图。
在图1中，在液晶装置100(电光装置)的TFT阵列基板10(半导体器件)的上边，把密封剂107设置为使之沿着要进行粘贴的对向基板的边沿。在密封剂107的外侧区域上，沿着TFT阵列基板10的基板边111(第1基板边)设置数据线驱动电路101和端子102，扫描线驱动电路104则沿着与该基板边111相邻的2个基板边113、114形成。
此外，在端子102和数据线驱动电路101之间，确保后边讲述的静电保护电路5的形成区域51。
另外，如果供往扫描线的扫描信号的延迟不成为问题，则扫描线驱动电路104仅仅在单侧即可，这是不言而喻的。此外，也可以沿着图象显示区域10a的边在两侧排列数据线驱动电路101。例如，也可以作成为使得奇数列的数据线从沿着图象显示区域10a的一方的边设置的数据线驱动电路供给图象信号，偶数列的数据线从沿着图象显示区域10a的相反侧的边设置的数据线驱动电路供给图象信号。如果作成为如上所述梳状地驱动数据线，由于可以扩展数据线驱动电路101的形成面积，故可以构成复杂的电路。
此外，在TFT阵列基板10中与基板边111对向的基板边112(第2基板边)上，设置有用来把设置在图象显示区域10a的两侧的扫描线驱动电路104间连接起来的多条布线105，此外，有时候还利用与框108重叠的区域等，设置预充电电路或检查电路。此外，在对向基板20的拐角部分的至少一个地方处，还形成上下导通构件106，用来使TFT阵列基板10与对向基板20之间形成电连。
然后，如图2所示，具有与图1所示的密封剂107大体上相同的轮廓的对向基板20，用该密封剂107固定到TFT阵列基板10上。另外，密封剂107是由用来把TFT阵列基板10与对向基板20在它们的周边粘接起来的光硬化树脂和热硬化树脂等构成的的粘接剂，调合有用来把两基板间的距离作成为规定值的玻璃纤维或玻璃微珠等间隙剂。
在TFT阵列基板10上，矩阵状地形成了象素电极9a，详细情况将在后边讲述。相对于此，在对向基板20上，在密封剂107的内侧区域上，形成有由遮光性材料构成的框108。此外，在对向基板20中，在与在TFT阵列基板10上形成的象素电极9a的纵横的边界区域对向的区域上，形成被称之为黑色矩阵或黑色条带等的遮光膜23，在其上层侧，形成由ITO膜构成的对向电极21。
这样地形成的液晶装置100，例如在要在投影式显示装置(液晶投影仪)中使用的情况下，结果就变成为3块液晶装置100分别被作为RGB用的光阀，在每一个液晶装置100中，把通过RGB色分解用的分色镜分解后的各色的光作为投影光分别入射。因此，在上边所说的各个形态的液晶装置100中未形成滤色片。但是，采用在对向基板20中与各个象素电极9a对向的区域内，与其保护膜一起，形成RGB的滤色片的办法，在投影式显示装置以外，也可以作为在后边讲述的便携计算机、移动电话机、液晶电视机等电子设备的彩色显示装置使用。
此外，由于可以采用对对向基板20，使得与各个象素对应那样地形成微型透镜的办法，提高入射光对象素电极9a的聚光效果，故可以进行明亮的显示。此外，也可以采用把若干层的折射率不同的干涉层叠层到对向基板20上的办法，利用光的干涉作用，形成将产生RGB色的分色滤色片。借助于带该分色滤色片的对向基板，就可以进行更为明亮的彩色显示。
(液晶装置100的构成和动作)其次，参看图3和图4对TFT阵列基板10和有源矩阵型的液晶装置100的构成和动作进行说明。
图3的框图模式性地示出了在液晶装置100中使用的驱动电路内置式的TFT阵列基板10的构成，图4是在该液晶装置中100为了构成图象显示区域10a矩阵状地形成的多个象素中的各种元件、布线等的等效电路图。图5是在已形成了数据线、扫描线、象素电极等的TFT阵列基板中相邻的象素的平面图，图6的说明图示出了在相当于图5的A-A’线的位置处的剖面，和在TFT阵列基板与对向基板之间已封入了作为电光物质的液晶后的状态的剖面。另外，在这些图和后边讲述的图中，为了把各层或各个构件作成为在图面上可以识别的那种程度的大小，使每一层或每一个构件都为不同的比例。
如图3所示，在驱动电路内置式的TFT阵列基板10中，在绝缘基板10b上边，与多条数据线6a和多条扫描线3a之间的交叉部分对应地矩阵状地构成多个象素100a。此外，在数据线驱动电路101内，构成X侧移位寄存器电路、具备根据从X侧移位寄存器电路输出的信号进行动作的作为模拟开关的TFT的采样保持电路S/H、与已被展开为6相的各个象素信号VD1到VD6对应的6条图象信号线Video等。在本例中，数据线驱动电路101用4相构成上述X侧移位寄存器电路，通过端子102，从外部向X侧移位寄存器电路供给开始信号DX、时钟信号CLX1到CLX4，及其反转时钟信号CLX1到CLX4，用这些信号驱动数据线驱动电路101。因此，采样保持电路S/H的各TFT可以根据从上述的X侧移位寄存器电路输出的信号进行动作，以规定的定时，把通过图象信号线Video供给的图象信号VD1到VD6取入到数据线6a上，并供给各个象素100a。另一方面，在扫描线驱动电路104中，通过端子102从外部供给开始信号DY、时钟信号CLY及其反转时钟信号CLY，用这些信号驱动扫描线驱动电路104。
在本方案的TFT阵列基板10中，在基板边111上，构成输入恒定电源VDDX、VSSX、VDDY、VSSY、调制图象信号(图象信号VD1到VD6)、和各种驱动信号等的由铝膜等的金属膜、金属硅化物膜或ITO膜等的导电膜构成的的多个端子102，从这些端子102分别引绕出用来驱动扫描线驱动电路101和数据线驱动电路104的由铝膜等的低电阻的金属膜或金属硅化物膜构成的多条信号布线109。
在这里，在端子102和数据线驱动电路101之间，确保有后边要讲述的静电保护电路5的形成区域51。作为要在这里形成的静电保护电路5，在本方案中，对即便是在端子102和布线109中，在要输入时钟信号CLX1到CLX4，及其反转时钟信号CLX1到CLX4的信号输入端子670和信号输入线67上出于静电的原因而进入了冲击电压，采用使该冲击电压通过端子710供给高电位VDDX的高电位线71，或通过端子720从外部供给低电位VSSX的低电位线72逃逸的办法，保护数据线驱动电路101免遭冲击电压的构成为例在后边进行讲述。
如图4所示，在液晶装置100的图象显示区域10a中，在矩阵状地形成的多个象素100a中的每一个象素内，都形成了象素电极9a和用来控制象素电极9a的象素切换用的TFT30，供给象素信号的数据线6a已被电连到相应的TFT30的源极上。要写入到数据线6a上的象素信号S1、S2、...、Sn，按照该顺序依线供给。此外，要构成为使得扫描线3a电连到TFT30的栅极上，并以规定的定时，按照扫描信号G1、G2、...、Gm的顺序，依线给扫描线3a脉冲式地加上扫描信号。象素电极9a已电连到TFT30的漏极上，采用使作为切换元件的TFT30仅仅在一定的期间内才变成为ON状态的办法，以规定的定时，把从数据线6a供给的象素信号S1、S2、...、Sn写入到各个象素内。象这样地通过象素电极9a写入到各个液晶的规定电平的象素信号S1、S2、...、Sn，在与后边要讲述的对向基板上形成的对向电极之间，可以保持一定期间。
在这里，出于防止所保持的象素信号进行漏泄的目的，有时候要与在象素电极9a和对向电极之间形成的液晶电容并联地附加上存储电容70(电容器)。借助于该存储电容70，象素电极9a的电压，例如，可以保持比加上源极电压的时间恰好3个数量级之长的时间。借助于此，就可以改善电荷的保持特性，可以实现可进行对比度高的显示的液晶装置。另外，作为形成存储电容70的方法，在与作为用来形成电容的布线的电容线3b之间形成的情况，或在与前级的扫描线3a之间形成的情况中的不论哪一种情况都行。
在图5中，在液晶装置100的TFT阵列基板10上边，在各个象素的每一个象素内都矩阵状地形成多个透明的象素电极9a(用虚线围起来的区域)，沿着象素电极9a的纵横的边界区域形成数据线6a(用点划线表示)、扫描线3a(用实线表示)和电容线3b(用实线表示)。
如图6所示，TFT阵列基板10的基体，由石英基板或耐热性玻璃板等的透明基板10b构成，对向基板20的基体，由石英基板或耐热性玻璃板等的透明基板20b构成。在TFT阵列基板10上形成有象素电极9a，在其上侧，形成由已施行过摩擦处理等的规定的取向处理的聚酰亚胺膜构成的取向膜16。象素电极9a，例如由ITO(氧化铟锡)膜等的透明的导电膜构成。此外，取向膜16可以采用对例如聚酰亚胺膜等的有机膜进行摩擦处理等的办法形成。另外，在对向基板20中，在对向电极21的上层侧也形成由聚酰亚胺膜构成的取向膜22，该取向膜22，是已对聚酰亚胺膜实行了摩擦处理的膜。
在TFT阵列基板10上，在透明基板10b的表面上，形成有基底保护膜12，同时，在其表面侧，在图象显示区域10a上，在与各个象素电极9a相邻的位置处，形成有切换控制各个象素电极9a的象素切换用的TFT30。
如图5和图6所示，象素切换用的TFT30，具有LDD(轻掺杂漏极)构造，在半导体膜1a上，借助于来自扫描线3a的电场，形成有形成沟道的沟道区1a’、低浓度源极区1b、低浓度漏极区1c、高浓度源极区1d、以及高浓度漏极区1e。此外，在半导体膜1a的上层侧，形成有使该半导体膜1a与扫描线3a绝缘的栅极绝缘膜2。
在这样地构成的TFT30的表面侧，形成由硅氧化膜构成的层间绝缘膜4、7。在层间绝缘膜4的表面上，形成数据线6a，该数据线6a通过在层间绝缘膜4上形成的接触孔5电连到高浓度源极区1d上。在层间绝缘膜7的表面上，形成有由ITO膜构成的象素电极9a。象素电极9a，通过在层间绝缘膜4、7和栅极绝缘膜2上形成的接触孔8，电连到高浓度漏极区1e上。在该象素电极9a的表面侧形成有由聚酰亚胺膜构成的取向膜16。
此外，对从高浓度漏极区1e开始的延伸部分1f(下电极)来说，采用通过与栅极绝缘膜2a同时形成的绝缘膜(电介质膜)把与扫描线3a同层的电容线3b作为上电极进行对向的办法，构成存储电容70。
另外，TFT30理想的是如上所述具有LDD构造，但是也可以具有对相当于低浓度源极区1b和低浓度漏极区1c的区域上不进行杂质离子注入的偏移(offset)构造。此外，TFT30，也可以是把栅极电极(扫描线3a的一部分)为掩模，以高浓度注入杂质离子，自我匹配地形成了高浓度的源极区和漏极区的单元自对准型的TFT。此外，在本方案中，虽然作成为在源极区-漏极区间只配置1个TFT30的栅极电极(扫描线3a)的单栅极构造，但也可以在它们之间配置2个以上的栅极电极。这时，要作成为对每一个栅极电极都加上同一信号。如果采用象这样地用双栅极(两个栅极)或三栅极以上来构成TFT30，则可以防止在沟道与源-漏区的接合部分处产生泄漏电流，因而可以降低OFF时的电流。如果把这些栅极电极中的至少一个作成为LDD构造或偏移构造，则可以进一步减小OFF电流，可以得到稳定的开关元件。
象这样地构成的TFT阵列基板10与对向基板20被配置为使得象素电极9a与对向电极21面对面，而且，在这些基板之间向被上述密封剂53(参看图1和图2)围起来的空间内，封入并挟持作为电光物质的液晶50。液晶50在未加上来自象素电极9a的电场的状态下借助于取向膜形成规定的取向状态。液晶50，例如由一种或把多种的向列液晶混合起来的液晶构成。
另外，在对向电极20和TFT阵列基板10的光入射侧的面或光出射侧，根据要使用的液晶50的种类，就是说根据TN(扭曲向列)模式、STN(超TN)模式等等的动作模式，或常态白色/常态黑色模式的分类，把偏振薄膜、相位差薄膜、偏振光板等配置在规定的方向上。
(驱动电路的构成)再次在图1中，在本方案的液晶装置100中，在TFT阵列基板10的表面侧中，利用图象显示区域10a的周边区域形成有数据线驱动电路101和扫描线驱动电路104。这样的数据线驱动电路101和扫描线驱动电路104，基本上，可以用图7和图8所示的N沟型的TFT或P沟型的TFT构成。
图7的平面图示出了构成扫描线驱动电路104和数据线驱动电路101等的周边电路的TFT的构成。图8是在图7的B-B’线处剖开该周边电路时的剖面图。
在图7和图8中，构成周边电路的TFT，作为由P沟型的TFT180和N沟型的TFT190构成的的互补型TFT构成。构成这些驱动电路用的TFT180、190的半导体膜(用虚线示出了轮廓)，通过在基板10b上边形成的基底保护膜12被形成为岛状。
在TFT180、190上，用通过接触孔163、164，分别把高电位线71和低电位线72电连到半导体膜160的源极区上。此外，输入布线166，则连接到共通的栅极电极165上，输出布线167，通过接触孔168、169，分别电连到半导体膜160的漏极区上。
这样的周边区域由于也要经过与图象显示区域10a同样的工艺形成，故在周边区域上，也形成了层间绝缘膜4、7和栅极绝缘膜2。此外，驱动电路用的TFT180、190，也与象素切换用的TFT 30同样，具有LDD构造，在沟道形成区域181、191的两侧，具备由高浓度源极区182、192和低浓度源极区183、193构成的源极区，和由高浓度漏极区184、194和低浓度漏极区185、195构成的漏极区。
(静电保护电路5的构成)再次在图1和图3中，在本方案的液晶装置100中，在TFT阵列基板10上，在端子102与数据线驱动电路101之间确保有要形成静电保护电路5的区域50。参看图9到图11说明该静电保护电路5周边的构成。
图9和图10的等效电路图和平面图，示出了在本方案的TFT阵列基板上形成的静电保护电路及其周边的布局，图11是在图10的C-C’线，C1-C1’线和C2-C2’线处剖开构成该静电保护电路的TFT或布线的交叉部分等时的剖面图。
如图9和图10所示，从外部输入信号的信号输入端子670，从外部供给高电位VDDX的端子710、和从外部供给低电位VSSX的低电位线720，不论哪一者，都沿着基板边111设置，而且从这些信号输入端子670、710、720开始，使信号输入线67、高电位线71和低电位线72，向对向的基板边112的侧延伸到达数据线驱动电路101。此外，在本方案中，利用信号输入线67的侧方位置形成静电保护电路5。
在该静电保护电路5中，如图9、图10和图11所示，使得P沟型的TFT80和N沟型的TFT90中的每一个都作为常态OFF的二极管起作用那样地，把栅极电极65和源极区82固定到高电位VDDX上，把栅极电极66和源极区92固定到低电位VSSX上。就是说，在TFT80、90上，分别通过接触孔63、64把高电位线71和低电位线72电连到源极区82、92上，同时，通过接触孔651、661，把高电位线71和低电位线72分别电连到各个栅极电极65、66上。信号输入线67，则通过接触孔68、69电连到P沟型的TFT80、以及N沟型的TFT90和各个漏极区84、94上。
这样的静电保护电路5，由于经与图象显示区域10a同样的工艺形成，构成静电保护电路用的TFT80、90的半导体膜60，在透明基板10b上的基底保护膜12的上层形成岛状。另外，在静电保护电路5的形成区域50中，也形成层间绝缘膜4、7及栅极绝缘膜2。此外，静电保护电路用的TFT80、90也与象素切换用TFT30同样，具有LDD构造，在沟形成区域两侧具备高浓度源极区82、92及低浓度源极区83、93构成的源极区、和高浓度漏极区84、94及低浓度漏极区85、95构成的漏极区。
在向这样的静电保护电路5供给高电位和低电位时，在本方案中，要把高电位线71和低电位线72形成为至少要避开与信号输入线67中，从信号输入端子670到静电保护电路5的布线部分671进行交叉的那样的区域，该布线部分671，也不与高电位线71和低电位线72中的任何一者进行交叉。
就是说，高电位线71具备在比已形成了信号输入端子671和静电保护电路5的区域更往基板边112侧(数据线驱动电路101的侧)通过的第1引线部分711，和从该第1引线部分711向基板边111延伸到达静电保护电路5的TFT80的源极区82的第2引线部分712。为此，高电位线71尽管其第1引线部分711与信号输入线67在交叉部分672处进行交叉，但是该交叉部分672，在从信号输入端子670来看时处于比静电保护电路5还远离的位置。
相对于此，低电位线72，具备从端子720一直延伸到比已形成了信号输入端子670和静电保护电路5的区域还往基板边111侧的第1引线部分721、在比已形成了信号输入端子670和静电保护电路5的区域还往基板边111的侧处，从第1引线部分721沿着基板边111延伸的第2引线部分722、和从该第2引线部分722向基板边112延伸到达静电保护电路5的TFT90的源极区92的第3引线部分723。因此，低电位线72完全不与信号输入线67交叉。
另外，由图9和图10可知，虽然高电位线71的第1引线部分711和低电位线72在交叉部分717处进行交叉，而且，高电位线71的第1引线部分711与信号输入线67在交叉部分672处进行交叉，但是，采用在这些交叉部分717、672处，如图11所示，对高电位线71、低电位线72及信号输入线的主体部分，作成为比层间绝缘膜4往上层的布线，而且，在交叉部分672、717处，使这些的主体部分一部分被切断，而且使之经由与栅极电极66、67同层的基底布线3c和接触孔718、719的办法，确保布线的电连和在交叉部分717、672处的绝缘。
如上所述，在本方案的TFT阵列基板10、和液晶装置100中，虽然信号输入端子670和端子710、720沿着TFT阵列基板10的基板边111排列，同时，从信号输入端子670开始信号输入线67向基板边112延伸，而且，把静电保护电路5配置在信号输入线67的侧方，但是，在用来向静电保护电路5供给恒定电位的恒定电位线中，对于低电位线72来说，完全不与信号输入线67进行交叉。此外，对于高电位线71来说，虽然从信号输入端子670来看在比静电保护电路5更远的交叉部分672处与信号输入线67进行交叉，但是与从信号输入端子670到静电保护电路5的布线部分671则根本未交叉。因此，即便是假定从信号输入端子670进来了起因于静电的冲击电压，由于不会发生因该冲击电压而使信号输入线67与低电位线72之间的交叉部分，或信号输入线67与高电位线71之间的交叉部分发热这样的问题，所以，不会因冲击电压的原因而使信号输入线67、高电位线71、低电位线72断线。此外，冲击电压由于不会穿透层间绝缘膜后通过低电位线72或高电位线71，故可以防止层间短路。为此，可以提高液晶装置100的可靠性。
(TFT阵列基板的制造方法)参看图12(A)到图16，说明制造TFT阵列基板10的方法。
图12到图16不论哪一个都示出了本方案的TFT阵列基板10的制造方法的工序剖面图。另外，构成驱动电路的TFT，基本上与静电保护电路用的TFT的制造方法是同样的，故省略对它们的图示和说明。
在本方案中，首先，如图12(A)所示，在准备好用超声波清洗等清洗化后的玻璃制等的透明基板10b之后，在基板温度150℃到450℃的温度条件下，用等离子体CVD法在透明基板10b的整个面上形成由用来形成基底保护膜12的由硅氧化膜构成的绝缘膜，厚度为300到500nm。作为这时的原料气体，例如，可以使用单硅烷与笑气的混合气体或TESO与氧气或乙硅烷与氨的混合气体。
其次，如图12(B)所示，在基板温度150℃到450℃的温度条件下，在透明基板10b的整个面上，用等离子体CVD法形成厚度50到100nm的由非晶质硅膜构成的半导体膜1。作为这时的原料气体，例如可以使用单硅烷或乙硅烷。其次，对半导体膜1照射激光施行激光退火。其结果是，无定形的半导体膜1，经暂时熔融、冷却固化过程使之结晶化。在这时，由于激光对各个区域的照射时间非常短，而且，照射区域对于整个基板也是局部的，故基板整体不会同时地被加热到高温。为此，即便是作为透明基板10使用玻璃基板等也不会产生由热引起的变形或裂痕。
其次，如图12(C)所示，用光刻技术在半导体膜1的表面上形成光刻胶掩模402。其次，从光刻胶掩模402的开口部分刻蚀半导体膜1，如图12(D)所示，在岛状地形成了构成象素切换用的TFT30的半导体膜1a和静电保护电路用的TFT80、90之后，除去光刻胶掩模402。
其次，如图13(E)所示，用CVD法，在半导体膜1a、60的表面上形成由硅氧化膜构成的栅极绝缘膜2。另外，图示虽然省略了，但是还要通过规定的光刻胶掩模向半导体膜1a的延伸部分1f注入杂质离子，形成用来在与电容线3b之间构成存储电容70的下电极。
其次，如图13(F)所示，在基板10b的整个表面上形成了用来形成扫描线3a、电容线3b和栅极电极65、66的钨硅化物或钼硅化物等的导电膜3之后，用光刻技术在导电膜3的表面上形成光刻胶掩模403，其次，从光刻胶掩模403的开口部分刻蚀导电膜3，如图13(G)所示，形成扫描线3a、电容线3b和栅极电极65、66。
其次，如图14(H)所示，在已用光刻胶掩模411把用来形成静电保护电路用的P沟型的TFT80的半导体膜60被覆起来的状态下，对构成象素切换用的TFT30的半导体膜1a，和构成静电保护电路用的N沟型的TFT90的半导体膜60，以扫描线3a或栅极电极66为掩模，以大约0.1×1013/cm2到大约10×1013/cm2的剂量注入低浓度N型杂质离子(磷离子)，对扫描线3a和栅极电极66，自我匹配地形成低浓度源极区1b、93，和低浓度漏极区1c、95。在这里，由于为扫描线3a或栅极电极66的正下边，故未导入杂质离子的部分，就变成为保持半导体膜1a、60的原状不变的沟道区1a’、91。
其次，如图14(I)所示，形成宽度比扫描线3a和栅极电极66还宽，而且，覆盖用来形成静电保护电路用的P沟型的TFT80的半导体膜60的光刻胶掩模412，在该状态下，以大约0.1×1015/cm2到大约10×1015/cm2的剂量注入高浓度N型杂质离子(磷离子)，形成高浓度源极区1d、92和漏极区1e、94。
其次，如图14(J)所示，以已用光刻胶掩模413把用来形成N沟型的TFT30、90的半导体膜1a、60被覆起来的状态下对构成静电保护电路用的P沟型的TFT80的半导体膜60，以栅极电极65为掩模，以大约0.1×1013/cm2到大约10×1013/cm2的剂量注入低浓度的杂质离子(硼离子)，对栅极电极65自我匹配地形成低浓度源极区83，和低浓度漏极区85。在这里，由于位于栅极电极65的正下边，故未导入杂质离子的部分，就变成为保持半导体膜60的原状不变的沟道区81。
其次，如图14(K)所示，形成宽度比栅极电极65还宽，而且，覆盖用来形成N沟型的TFT30、90的半导体膜1a、60的光刻胶掩模414，在该状态下，以大约0.1×1015/cm2到大约10×1015/cm2的剂量注入高浓度P型杂质离子(硼离子)，形成高浓度源极区82和漏极区84。
其次，如图15(L)所示，在基板10b的整个表面上，形成由硅氧化膜等构成的层间绝缘膜4之后，用光刻技术在层间绝缘膜4的表面上形成光刻胶掩模404。其次，从光刻胶掩模404的开口部分刻蚀层间绝缘膜4，如图15(M)所示，在分别形成了接触孔5、63、64、68、69之后，除去光刻胶掩模404。
其次，如图15(N)所示，在基板10b整个表面上形成了500到1000nm厚的用来构成数据线6a(源极电极)或各种布线的铝膜6之后，用光刻技术在铝膜6的表面上形成光刻胶掩模405。其次，从光刻胶掩模405的开口部分刻蚀铝膜6，如图15(O)所示，形成数据线6a、高电位线71、低电位线72、信号输入线67。其结果是，完成构成静电保护电路5的P沟型和N沟型的TFT80、90。其次，除去光刻胶掩模405。
其次，如图16(P)所示，在形成了由硅氧化膜等构成的层间绝缘膜7之后，用光刻技术在层间绝缘膜7的表面上形成光刻胶掩模406。其次，从光刻胶掩模406的开口部分刻蚀层间绝缘膜7，如图16(Q)所示，在形成了接触孔8之后，除去光刻胶掩模406。
其次，如图16(R)所示，在基板10b的整个表面上形成了ITO膜9等的透明导电膜之后，用光刻技术在ITO膜9的表面上形成光刻胶掩模407。从光刻胶掩模407的开口部分刻蚀ITO膜9，如图16(S)所示，在形成了象素电极9a之后，除去光刻胶掩模407。
然后，如图6所示，形成取向膜16。结果，完成TFT阵列基板10。
实施方案2图17和图18分别是示出了在本方案的TFT阵列基板上形成的静电保护电路及其周边的布局的等效电路图和平面图。
在实施方案1中，虽然其构成为在TFT阵列基板10的基板边111附近，把供给低电位的端子720和低电位线72配置在信号输入端子670和信号输入线67、及高电位供给端子710和高电位线71之间，但是，如图17和图18所示，即便是构成为在供给高电位的端子710和低电位线72，与供给低电位的端子720和高电位线71之间，构成信号输入端子670和信号输入线67，也可以应用本发明。
就是说，在图17和图18所示的例子中，高电位线71，也具备在比已形成了信号输入端子670和静电保护电路5的区域还往基板边112侧(数据线驱动电路101侧)通过的第1引线部分711，和从该第1引线部分711向基板边111延伸到达静电保护电路5的TFT80的源极区82的第2引线部分712。为此，高电位线71，尽管其第1引线部分711与信号输入线67在交叉部分672处进行交叉，但是该交叉部分672，在从信号输入端子670来看时处于比静电保护电路5还远离的位置。
相对于此，低电位线72，具备从端子720一直延伸到比已形成了信号输入端子670和静电保护电路5的区域还往基板边111侧的第1引线部分721、在比已形成了信号输入端子670和静电保护电路5的区域还往基板边111的侧处，从第1引线部分721沿着基板边111延伸的第2引线部分722、和从该第2引线部分722向基板边112延伸到达静电保护电路5的TFT90的源极区92的第3引线部分723。因此，低电位线72完全不与信号输入线67交叉。
其它的构成，由于与实施方案1是同样的，故采用对那些共通部分赋予同一标号进行图示的办法而省略它们的说明。
如上所述，在本方案中，高电位线71和低电位线72，对于信号输入线67来说，不与从信号输入端子670到静电保护电路5的布线部分671进行交叉。因此，即便是假定冲击电压已从信号输入端子670进来了，也不会因该冲击电压而使信号输入线67与低电位线72之间的交叉部分，或信号输入线67与高电位线71之间的交叉部分发热。即便是冲击电压从信号输入端子670进来了，该冲击电压也不会穿透层间绝缘膜4后穿过低电位线72或高电位线71。为此，可以提高液晶装置100的可靠性。
实施方案3图19和图20分别是示出了在本方案的TFT阵列基板上形成的静电保护电路及其周边的布局的等效电路图和平面图。
在实施方案1、2中，虽然对于高电位线71来说，在比已形成了信号输入端子670和静电保护电路5的区域还往基板边112侧(数据线驱动电路101侧)的区域通过，对于低电位线72来说，从端子720在比已形成了信号输入端子670和静电保护电路5的区域还往基板边111的侧的区域通过，但是在本方案中，如图19和图20所示，高电位线71和低电位线72中的不论哪一者，都在比已形成了信号输入端子670和静电保护电路5的区域还往基板边基板边112侧(数据线驱动电路101侧)的区域通过。
就是说，高电位线71，也具备在比已形成了信号输入端子670和静电保护电路5的区域还往基板边112侧(数据线驱动电路101侧)的区域通过的第1引线部分711，和从该第1引线部分721向基板边111延伸到静电保护电路5的TFT80的源极区82的第2引线部分712。为此，高电位线71，尽管其第一引线部分711与信号输入线67在交叉部分672处进行交叉，但是该交叉部分672，在从信号输入端子670来看时处于比静电保护电路5更远的位置。
此外，低电位线72，也具备在比已形成了信号输入端子670和静电保护电路5的区域还往基板边112侧(数据线驱动电路101侧)的区域通过的第1引线部分726，和从该第1引线部分726向基板边111延伸到静电保护电路5的TFT90的源极区92的第2引线部分727。为此，低电位线72，尽管第1引线部分726在交叉部分673处与信号输入线67进行交叉，但是该交叉部分673，在从信号输入线67中，从信号输入端子670来看时处于比静电保护电路5更远的位置。
其它的构成，由于与实施方案1是同样的，故采用对那些共通部分以赋予同一标号进行图示的办法而省略它们的说明。
如上所述，在本方案中，高电位线71和低电位线72，对于信号输入线67来说，也不与从信号输入端子670到静电保护电路5的布线部分671进行交叉。因此，即便是假定冲击电压已从信号输入端子670进来了，也不会因该冲击电压而使信号输入线67与低电位线72之间的交叉部分，或信号输入线67与高电位线71之间的交叉部分发热。即便是冲击电压从信号输入端子670进来了，该冲击电压也不会穿透层间绝缘膜4后穿过低电位线72或高电位线71。为此，可以提高液晶装置100的可靠性。
其它的实施方案另外，在上述实施方案1、2、3中，作为静电保护电路用的TFT80、90，虽然使用的是一个单个栅极的TFT，但是，如在图21(A)中所示的静电保护电路用的P沟型的TFT那样，例如也可以并联地使用2个TFT801、802，以谋求ON电流的增大。此外，如在图21(B)中所示的静电保护电路用的P沟型的TFT那样，也可以串联地使用2个TFT803、804，以谋求耐压的提高。在该情况下，可以采用对于一个半导体膜60设置2个栅极电极65的双栅极构造，或设置3个栅极电极65的3栅极构造，虽然未画出来。
在上述形态中，作为半导体虽然是以在有源矩阵型的液晶装置中使用的TFT阵列基板为例进行的说明，但是，也可以在构成使用液晶以外的电光物质的电光装置的半导器件，或电光装置以外的半导体器件中使用本发明。
在电子设备上的应用其次，参照图22、图23(A)、图23(B)说明具备应用本发明的液晶装置100(电光装置)的电子设备的一个例子。
图22的框图示出了具备与上边所说的各个形态的电光装置同样地构成的液晶装置100的电子设备的构成。图23(A)、 (B)分别是作为使用本发明的液晶装置的电子设备的一个例子的便携式个人计算机的说明图，和移动电话机的说明图。
在图22中，电子设备的构成是具备显示信息输出源1000、显示信息处理电路1002、驱动电路1004、液晶装置100、时钟产生电路1008、和电源电路1010。显示信息输出源1000的构成为具备ROM(唯读存储器)、RAM(读写存储器)、光盘等的存储器，同步输出视频信号的图象信号同步电路等，根据来自时钟产生电路1008的时钟对特定格式的图象信号进行处理后向显示信息处理电路1002输出。该显示信息处理电路1002，具备例如放大、极性反转电路、相展开电路、旋转电路、灰度系数修正电路或箝位电路等众所周知的各种处理电路，从根据时钟信号输入进来的显示信息，依次产生数字信号，与时钟信号CLK一起向驱动电路1004输出。驱动电路1004，驱动液晶装置100。电源电路1010，向上述各个电路供给规定的电压。另外，还可以在构成液晶装置100的TFT阵列基板的上边形成驱动电路1004，除此之外，在TFT阵列基板的上边也可以形成显示信息处理电路1002。
作为这样的构成的电子设备，可以举出投影式液晶显示装置(液晶投影仪)、应对多媒体的个人计算机(PC)、和工程工作站(EWS)、呼机或移动电话机、文字处理机、电视机、取景器型或监视器直视型的录象机、电子笔记本、电子台式计算机、导航装置、POS终端和触摸面板等。
就是说，如图23(A)所示，个人计算机80，具有具备键盘81的主机部分82和液晶显示单元83。液晶显示单元83的构成为具有上边所说的液晶装置100。
此外，如图23(B)所示，移动电话机90，具备多个操作按键91和由上边所说的液晶装置100构成的显示部分。
如上所述，在本发明中，用来向静电保护电路供给恒定电位的恒定电位线，被形成为不与从信号输入线的信号输入端子到静电保护电路的部分进行交叉。为此，即便是冲击电压从信号输入端子进来了，在信号输入线与低电位线之间的交叉部分处也不会因该冲击电压而发热。因此，即便是冲击电压进来了，也可以避免信号输入线或低电位线断线这种问题的发生。此外，即便是冲击电压从信号输入线进来了时，该冲击电压，由于不会穿过层间绝缘膜通过恒定电位线，故可以防止层间短路。为此，可以提高半导体器件的可靠性。
权利要求
1.一种半导体器件，在衬底上具有多个信号输入端子，从该多个信号输入端子的每一个延伸出来的多条信号输入线，电连接到在该信号输入线中规定的信号输入线的途中位置上的静电保护电路的半导体器件，其特征在于用来向上述静电保护电路供给恒定电位的恒定电位线，被形成为至少在上述规定的信号输入线中避开与从上述信号输入端子到上述静电保护电路的布线部分进行交叉的区域。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于上述多个信号输入端子，沿着上述衬底的第1衬底边排列，而且，上述多条信号输入线从上述多个信号输入端子中的每一个端子，在上述衬底中向着与上述第1衬底边相对的第2衬底边延伸，同时，在该信号输入线的侧方位置上配置有上述静电保护电路。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于连接到上述恒定电位线上的端子，也沿着上述第1衬底边排列。
4.根据权利要求2或3所述的半导体器件，其特征在于上述恒定电位线，通过比在已形成了上述信号输入端子和上述静电保护电路的区域更靠往上述第1衬底边侧，或上述第2衬底边侧，向上述静电保护电路延伸。
5.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于上述恒定电位线，具有向上述静电保护电路供给高电位的高电位线，和向上述静电保护电路供给低电位的低电位线，上述低电位线和上述高电位线中的一方的恒定电位线，通过比在已形成了上述信号输入端子和上述静电保护电路的区域更靠往上述第2衬底边侧，向上述静电保护电路延伸，同时，另一方的恒定电位线，通过比在已形成了上述信号输入端子和上述静电保护电路的区域更靠往上述第1衬底边侧，一直延伸到上述静电保护电路。
6.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于上述恒定电位线，具有向上述静电保护电路供给高电位的高电位线，和向上述静电保护电路供给低电位的低电位线，上述低电位线和上述高电位线中的任何一条电位线，都通过比在已形成了上述信号输入端子和上述静电保护电路的区域更靠往上述第1衬底边侧，或上述第2衬底边侧，向上述静电保护电路延伸。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于上述静电保护电路，具备把栅极和源极固定在恒定电位使之成为常断状态的薄膜晶体管。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于上述静电保护电路，具备在把栅极和源极固定在恒定电位使之成为常断状态的状态下串联连接起来的多个薄膜晶体管。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于上述多个薄膜晶体管，通过具备双栅极结构或三栅极结构，成为把多个薄膜晶体管串联连接起来的结构。
10.根据权利要求5或6所述的半导体器件，其特征在于上述静电保护电路，具备在把栅极和源极固定在恒定电位使之成为常断状态的状态下串联连接起来的第1导电类型的薄膜晶体管和第2导电类型的薄膜晶体管。
11.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于上述静电保护电路，具备在把栅极和源极固定在恒定电位使之成为常断状态的状态下并联连接起来的多个薄膜晶体管。
12.根据权利要求8或11所述的半导体器件，其特征在于上述薄膜晶体管具备LDD结构。
13.一种光电装置，是把在权利要求1中规定的半导体器件用做保持电光物质的晶体管阵列基板的电光装置，其特征在于上述信号输入线一直延伸到用来驱动在上述晶体管阵列基板上矩阵状地形成的象素的驱动电路。
14.根据权利要求13所述的电光装置，其特征在于上述晶体管阵列基板在与该晶体管阵列基板相对配置的对向基板之间，作为上述电光物质保持有液晶。
15.一种电子设备，其特征在于具备在权利要求13或14中规定的电光装置。
全文摘要
提供即便是冲击电压从信号输入线进来了在布线的交叉部分处也不会产生麻烦问题的半导体器件、作成为TFT阵列基板具备该半导体器件的电光装置、和电子设备。在液晶装置的TFT阵列基板10中，信号输入端子670和端子710、720沿着基板边111排列，同时，从信号输入端子670开始，信号输入线67向基板边112延伸。在用来向对信号输入线67的静电保护电路5供给恒定电位的恒定电位线中，对于低电位线72来说，完全不与信号输入线67进行交叉，高电位线71虽然与信号输入线67交叉，但是，与从信号输入端子670到静电保护电路5的布线部分671却不进行交叉。
文档编号H01L27/12GK1425947SQ02156409
公开日2003年6月25日 申请日期2002年12月10日 优先权日2001年12月11日
发明者村井一郎 申请人:精工爱普生株式会社