专利名称：存储卡及其制造方法
技术领域：
本发明涉及电子装置及其制造方法，例如，涉及在卡内安装组装了IC(集成电路)的半导体元件(半导体芯片)的存储卡的制造方法中所适用的有效技术。
背景技术：
作为数字照相机或者音频播放机等的存储媒体，使用称为SD(安全数字)存储卡，存储棒(商标)，多媒体卡(商标)等存储卡。在这些存储卡中，多媒体卡是厚度为1.44mm左右的薄形卡，这是该卡的特征。
另外，在申请号2000-22802号的日本申请中，记述了以往技术的多媒体卡的构造。
另外，在特开平8-156470号公报中，记述了具有覆盖IC模块主面的卡基板的IC卡。
称为SD存储卡或者存储棒的存储卡与采用具有包括搭载半导体芯片的布线基板总体的外壳的构造相比较，在多媒体卡中，为了实现非常薄的构造，采用具有覆盖搭载了半导体芯片的布线基板(COB封装)的主面的罩形状的塑料外壳的构造。
这里，简单地说明图43、图44所示的多媒体卡(存储卡)中的COB封装。如图44所示，存储卡1具有在一个面上搭载多个半导体元件5的布线基板(基板)2和覆盖上述半导体元件5等的塑料外壳60。
作为半导体元件5，在基板2上固定存储器芯片5a，或者控制该存储器芯片5a的控制器芯片5b。虽然仅示出了基板2的布线的一部分，但是半导体元件5的电极与布线由导电性的金属线6电连接。基板2的一个面上的上述半导体元件5和金属线6等由根据模塑所形成的由绝缘性树脂构成的密封部分3覆盖。
在外壳60的一个面上设置凹槽70。该凹槽70由能够收容基板2的浅凹槽70a和能够收容上述密封部分3的深凹槽70b构成。而且，成为在凹槽底与基板2之间借助粘接剂71使基板2粘接到外壳60上的构造。另外，图中4a是外部电极端子。
但是，以往的多媒体存储卡中的COB封装如图43、图44所示那样，在其主面上，由于是具有形成封装半导体芯片的封装部分的凸出部分，以及在其周围扩展的浅的基板部分的构造，因此覆盖COB封装的主面的外壳也成为具有上述封装部分进入的深凹槽和在封装部分的周围扩展的基板部分进入的浅凹槽的构造，这成为外壳与COB封装的组装工艺中的问题，或者发生所完成的存储卡中的构造上的问题等的主要原因。
发明内容
本发明的目的在于提供廉价的电子装置及其制造方法。
本发明的其它目的在于提供廉价的存储卡及其制造方法。
本发明的上述以及其它的目的和新颖特征将通过本说明书的记述以及附图明确。
如果简单地说明在本申请公开的发明中代表性部分的概要则如下。
(1)具有第1面以及成为上述第1面的背面的第2面的存储卡，特征是具备具有主面以及背面的布线基板；形成在上述布线基板的主面上的多个外部电极端子；形成在上述布线基板的主面上的多条布线；配置在上述布线基板的主面上，经过上述多条布线与上述多个外部电极端子电连接的半导体元件；形成在上述布线基板的背面上，覆盖上述半导体元件的由绝缘性树脂构成的密封部分，上述多个外部电极端子以及上述布线基板的背面在上述存储卡的第1面上露出，上述密封部分在上述存储卡的第2面上露出。
这样的存储卡通过以下的制造方法制造，该制造方法具备(a)制备在主面上具有单位布线区域，而且在背面上具有多个外部电极端子的布线基板的工艺；(b)在上述单位基板区域中配置半导体芯片，把上述半导体芯片与上述多个外部电极端子电连接的工艺；(c)在上述单位基板区域以及其周围的布线基板的主面，形成密封上述半导体芯片的密封体的工艺；(d)在上述单位基板区域与区域周围之间同时切断上述密封体以及上述布线基板，形成由上述单位基板区域的布线基板，单位基板区域上的密封部分，半导体芯片以及多个外部电极端子构成的单片部分的工艺；(e)制备具有凹槽的外壳的工艺；(f)在上述凹槽的底部，粘接上述密封部分，把上述单片部分固定在上述凹槽的内部的工艺。
图1是作为本发明一实施形态(实施形态1)的存储卡的模式剖面图。
图2是示出本实施形态1的存储卡的背面的底面图。
图3是本实施形态1的存储卡的斜视图。
图4是把本实施形态1的存储卡倒装的状态的斜视图。
图5是示出本实施形态1的存储卡的制造各工艺的状态的剖面图。
图6是在本实施形态1的存储卡的制造中所使用的母板的底面图。
图7是上述母板的模式正面图。
图8是示出在本实施形态1的存储卡的制造中，搭载在单位布线区域中的半导体元件的状态的模式平面图。
图9是示出在本实施形态1的存储卡的制造中，在母板的一个面上形成模塑体的状态的模式剖面图。
图10是示出本实施形态1的存储卡的制造工艺中成模时的树脂供给状态的从下面一侧观看的模式图。
图11是示出本实施形态1的存储卡的制造中其它的基板划片方法的模式图。
图12是作为本发明其它实施形态(实施形态2)的存储卡的模式剖面图。
图13是把作为本发明其它实施形态(实施形态3)的存储卡的倒装状态的斜视图。
图14是本实施形态3的存储卡的倒装状态的模式剖面图。
图15是在本实施形态3的存储卡的制造中使用的母板的底面图。
图16是示出本实施形态3的存储卡的制造工艺的状态的剖面图。
图17是作为本发明其它实施形态(实施形态4)的存储卡的倒装状态的剖面图。
图18是本实施形态4的存储卡的底面图。
图19是示出本实施形态4的存储卡的制造中的半导体元件的安装状态的斜视图。
图20是示出本实施形态4的存储卡的制造中的半导体元件的安装状态的一个例子的部分剖面图。
图21是示出本实施形态4的存储卡的制造中的半导体元件的安装状态的其它例子的部分剖面图。
图22是作为本发明其它实施形态(实施形态5)的存储卡的倒装状态的剖面图。
图23是本实施形态4的存储卡的底面图。
图24是作为本发明其它实施形态(实施形态6)的存储卡的倒装状态的斜视图。
图25是本实施形态6的存储卡的倒装状态的剖面图。
图26是示出本实施形态6的存储卡的制造各工艺的状态的剖面图。
图27是示出在本实施形态6的存储卡的制造中在外壳中安装了COB封装的状态的斜视图。
图28是本发明其它实施形态(实施形态7)的存储卡的倒装状态的斜视图。
图29是本实施形态7的存储卡的倒装状态的剖面图。
图30是示出本实施形态7的存储卡的制造各工艺的状态的剖面图。
图31是示出在本实施形态7的存储卡的制造中在外壳中安装了COB封装的状态的斜视图。
图32是本实施形态7的变形例的存储卡的倒装状态的剖面图。
图33是本实施形态7的变形例的存储卡的底面图。
图34是示出作为本发明其它实施形态(实施形态8)的存储卡的背面的底面图。
图35是本实施形态8的存储卡的倒装状态的剖面图。
图36是作为本发明其它实施形态(实施形态9)的存储卡的倒装状态的剖面图。
图37是本实施形态9的存储卡的底面图。
图38是示出在作为本实施形态9的存储卡的构成部件的COB封装的制造中从芯片键合到金属线键合的各工艺的状态的剖面图。
图39是示出作为本实施形态9的存储卡的构成部件的COB封装的制造中的传递模塑的各阶段中的状态的剖面图。
图40是示出作为本实施形态9的存储卡的构成部件的COB封装的制造中的与母板的分割有关的各阶段的状态的剖面图。
图41是在本实施形态9的存储卡的制造中使用的母板的底面图。
图42是示出在本实施形态9的存储卡的制造中在外壳中安装了COB封装的状态的斜视图。
图43是基于本申请人的申请的存储卡的平面图。
图44是沿着图43的A-A线的剖面图。
具体实施例方式
为了更详细地说明本发明，根据附图进行说明。另外，在用于说明发明的实施形态的所有附图中，具有相同功能的部分标注相同的符号，并且省略其重复的说明。
实施形态1本实施形态1说明作为电子装置，在基板上搭载构成存储器芯片的1个至多个半导体元件的同时，还搭载控制上述存储器芯片的控制器芯片的存储卡中适用本发明的例子。作为存储器芯片的半导体元件，例如搭载闪速存储器[闪速存储EEPROM(电可擦可编程只读存储器)]，例如，构成32MB或64MB的大容量多媒体卡。
图1至图10是与作为本发明一实施形态(实施形1)的存储卡有关的图。图1至图4是与存储卡的外观及其剖面构造有关的图，图5至图10是与存储卡的制造有关的图。
本实施形态1的存储卡1在外观上如图3以及图4所示，由四方形的基板2和与该基板2的一个面(例如第2面2b)粘合那样形成的密封部分3构成。密封部分3通过传递模塑形成，以均匀的厚度形成在基板2的第2面2b的整个区域中，密封部分3例如由环氧树脂形成。
基板2的尺寸例如是长度32mm，宽度24mm，厚度1.4mm，基板2的厚度为0.6mm。从而，密封部分3的厚度形成为0.8mm。
基板2例如由玻璃环氧树脂布线板构成，表面和背面当然在内部都形成布线4。在成为第2面的背面一侧的第1面2a上通过布线4设置电极4a。该外部电极端子4a沿着基板2的一条边并排配置，成为存储卡1的外部电极端子4a。即，使得在例如把存储卡1插入到数字照相机的槽中的情况下，上述外部电极端子4a接触槽内的电极端子。
该外部电极端子4a经过充填在贯通基板2的通孔内的由布线构成的导体4b，与第2面的布线4电连接。
在基板2的第1面2a上，固定着半导体元件5。该半导体元件5借助未图示的粘接剂固定在基板2上。另外，在基板2的第2面2b上形成上述布线时，用该布线材料形成元件搭载焊盘，在该元件搭载焊盘上借助粘接剂也可以形成半导体元件5。
作为半导体元件5，例如，在基板2上固定存储器芯片5a和控制该存储器芯片5a的控制器芯片5b。在半导体元件5的上面设置着电极(未图示)。在该电极和半导体元件5的周围延伸的预定布线4用导电性的金属线6电连接。金属线6例如使用金线。
存储卡1由在基板2的第2面2b上搭载半导体元件5，用密封部分3覆盖第2面2b的构造构成，成为所谓的COB封装构造。
另外，密封部分3通过传递模塑形成，而该传递模塑时如图3所示，沿着成为与设置外部电极端子4a的一端相反一侧的短边设置圆弧剖面的槽7。该槽7成为在把存储卡1插入到插口以后取出存储卡时使用的取出槽。即，在存储卡1的使用以后，使用者钩住指尖沿着该槽7的边缘，能够容易地把存储卡1从插口中拔出。
另外，把插入到插口中的顶端的一端倾斜地切口，形成方向性识别部分8。进而，在密封部分3的平坦表面上粘贴记载存储卡1的功能或者产品内容等的封条9。
下面，参照图5至图10说明实施形态1的存储卡1的制造方法。图5(a)～(f)是示出存储卡的制造各工艺的状态的剖面图等，是制备矩阵形的基板(以下称为母板)(a)，芯片键合(b)，成形(c)，母板分离(d)、(e)，方向性识别部分形成(f)的图。
首先，如图6以及图7所示，制备母板2f。图6是倒装了母板2f的图，即是母板2f的底面图，图7是母板的模式正面图。
母板2f由玻璃环氧树脂布线板构成的同时，纵轴地形成单位基板区15。用图中所示的虚线框所表示的各部分是单位基板区15，成为基板2的构造。在该母板2f的各单位基板区域15中搭载半导体元件，而且进行预定部分的金属线键合，通过传递模塑，模塑体形成使得覆盖了全部单位基板区15以后，通过沿着虚线划片母板2f和模塑体，分离成每一个单位基板区15，由此制造多个存储卡1。
在本实施形态1中，使用制备了3列5行总计15个单位基板区15的母板2f。各个单位基板区15的构造是已经说明过的基板2的构造。从而，母板2f的厚度是0.8mm，单位基板区15的大小是长度32mm，宽度24mm的长方形。图6中，由于表现第1面2a，因此表现了各个单位基板区15的外部电极端子4a。
另外，在单位基板区域15的一个角设置通过冲孔打出的贯通孔16。该贯通孔16成为直角三角形，其斜面部分形成存储卡1的方向性识别部分8。
母板2f没有特别的限定，是多层构造的玻璃环氧树脂布线板。单位基板区域15由于是上述的基板2，因此正反面当然在内部都形成布线，不过在这里省略各布线。
对于这样的母板2f，如图5(b)以及图8所示，进行芯片键合，固定半导体元件5。作为半导体元件5，固定存储器芯片5a和控制该存储器芯片5a的控制器芯片5b。半导体元件5借助未图示的粘接剂固定在母板2f上。另外，在母板2f的第2面2b上形成布线时，也可以用该布线材料形成元件搭载焊盘，在该元件搭载焊盘上借助粘接剂形成半导体元件。在被搭载的半导体元件5的表面，虽然没有进行图示但是设置着电极。另外，半导体元件5的厚度是0.28mm左右。
接着，如图8所示，用导电性的金属线6连接各半导体元件5的电极18与作为母板2f表面的布线部分的金属线键合焊盘4c。金属线6例如由直径27μm左右的金线构成。把连接半导体元件5与布线的金属线6的高度控制为较低，使得用在下一个工艺中所形成的模塑体可靠地覆盖。连接半导体元件5的电极18与布线的连接装置也可以是其它的结构。
接着，如图5(c)所示，通过传递模塑在母板2f的第2面2b上形成一定厚度的模塑体3a(密封部分3)。模塑体3a例如由环氧树脂形成，形成为厚度(高度)0.6μm。图9是示出在母板的一个面上形成模塑体的状态的模式剖面图，图10是示出成模时的树脂供给状态的从下面一侧观看的模式图。
如图9所示，把在模塑模具20的下模21和上模22之间结束了金属线键合的母板2f合模，在设置于下模21上的罐23内放入树脂片，把由装入到下模21与或者上模22中的未图示的加热器产生的热熔融出的树脂24，通过柱塞25的上升，传送到设置在上模22中的挑选机26内。从挑选机26如图10所示延伸流道27。该流道27通过下模21与上模22合模形成的模腔28经过门29连接。模腔28形成为包括母板2f的全部单位基板区15的大小。
在本实施形态1的模塑模具20中设置2个罐23，从挑选机26分别延伸2个流道27连通单一的模腔28。另外，在模腔28中设置把由注入到模腔28内的树脂24压出的空气导向模腔外的通气孔30。另外，在上模22中设置用于形成存储卡1的槽7的突条31。
从而，如图9所示，在通过模塑模具20的合模保持了母板2f以后，在罐23内分别放入预先加热的树脂片的同时，通过柱塞25上升把溶解了的树脂注入到模腔28内，形成图5(c)所示的模塑体3c(密封部分3)。图5(c)是示出从模塑模具20取出的母板2f的剖面图。
接着，如图5(d)、(e)所示，在未图示的划片装置的载物台35上使用在后面容易去除的粘接剂33进行固定，然后用旋转的划片刀36(例如厚度200μm)纵横地划片母板2f。图5(d)、(e)示出沿着横方向(存储卡1的宽度方向)切断母板2f的状态。在结束了横方向的切断以后，使载物台35旋转90度以后，进行纵方向(存储卡1的长度方向)的切断。由此，大致形成在基板2的第2面2b上粘贴了密封部分3的构造的存储卡1。划片通过使用图示那样的1片划片刀36进行的方法，或者使用隔开预定间隔所设置的多片划片刀36切断预定区域或者全部区域的方法进行。
接着，在成为长方形的基板的一个角，即在母板2f的状态下，沿着方向性识别部分8划片设置了贯通孔16的密封部分的一部分，制造安装了图5(f)所示的方向性识别部分(标记)8的存储卡1。在该存储卡1的基板2的第2面2b上粘贴密封条9，制造能够使用的存储卡1。
模塑体3a(密封部分3)的切断，即，每一个单位基板区15的分离也可以是使用划片刀的划片以外的方法。例如，使立型铣刀(立铣刀)的旋转的剪刀刃沿着图11的箭头37所示那样的作为产品的存储卡的轮廓线移动，切断模塑体3a以及母板2f。
这时，通过由立型铣刀进行的切断，也能够形成存储卡1的方向性识别部分(标记)8。另外，如果依据用立型铣刀的切断，则与由划片刀进行的划片相比较，例如，在存储卡1的单片工艺中还能够同时切断在方向性识别部分(标记)8的加工等中没有用直线与邻接的存储卡1的图形连接的部分。
如果依据本实施形态1则具有以下的效果。
(1)由于在母板2f的一个面的各个单位基板区15上搭载了预定的半导体元件5以后，一起进行成模，然后，与模塑体23一起通过纵横地切断母板2f，能够制造电子装置(存储卡)，因此与以往这种产品的制造工序数相比较，工序数减少，能够实现降低电子装置(存储卡)的成本。
(2)在不具有外壳构造的存储卡1中，扩大能够在基板上搭载半导体元件的区域，另外还增大模塑树脂的厚度。从而，能够搭载更大尺寸的半导体元件5的同时，能够容易地叠层半导体元件5。从而，能够实现存储卡1的高性能化、大容量化。
(3)能够把具有布线的基板2作为封装的一个部件，而且设置在露出的基板2的一个面上的电极4a作为电子装置(存储卡)的外部电极端子4a。
实施形态2图12是作为本发明其它实施形态(实施形态2)的存储卡的模式剖面图。本实施形态2如图12所示，成为把在上述实施形态1中固定基板2的半导体元件5的元件固定区做成一段凹下去的凹槽40的同时，在固定于该凹槽底部的半导体元件5的上面再固定半导体元件5的构造。
在上级的半导体元件5中，由于其电极也需要与基板2的布线连接，因此，使得露出下级的半导体元件的电极那样错开，重叠固定上级的半导体元件。在芯片键合以后，各个半导体元件5的电极通过金属线6连接到基板2的布线4。连接金属线6的布线4(金属线键合焊盘)与图12的情况不同，有可能配置在固定半导体元件5的凹槽40的底部。
在本实施形态2中，在固定于基板2的半导体元件5的上面进而重叠一级以上的半导体元件5。通过多级地搭载半导体元件5，能够实现存储卡1(电子装置)高性能化。另外，作为半导体元件5，通过多级地搭载增加存储器芯片，能够实现存储器的大容量化。
实施形态3图13至图16是与作为本发明其它实施形态(实施形态3)的存储卡有关的图。图13是存储卡的倒装状态的斜视图，图14是存储卡的倒装状态的模式剖面图。
本实施形态3是在基板的表面和背面，即，在第1面或者第2面上，从端部到端部设置大范围的槽，在该槽底固定半导体元件的同时，把半导体元件的电极与布线用金属线键合，而且用绝缘性树脂堵塞使得填埋槽的结构。槽沿着配置在基板第1面的外部电极端子的排列方向设置。由填埋槽的绝缘性树脂构成的密封部分用传递模塑形成，在其形成中，使得从槽的一端流入另一端。这是为了与实施形态1的情况相同，在纵横地分割1片母板同时制造多个存储卡。也可以不仅在第1面或者第2面上，而且在槽底配置连接金属线的布线，该金属线在半导体元件的电极上连接了一端。另外，在以后的附图中，有时使用省略了金属线键合用的布线等的一部分的附图进行说明。
本实施形态3的存储卡1如图13以及图14所示，与实施形态1的存储卡1不同，在第2面2b上不设置密封部分，在设置了外部电极端子4a的第1面2a一侧设置密封部分3c。密封部分3c由填埋设置在第1面2a上的槽45那样所形成的绝缘性树脂形成。沿着外部电极端子4b的排列方向，而且沿着基板2的整个长度(整个宽度)设置槽45。
密封部分3c通过传递模塑形成的同时，如后述那样，与母板的划片一起切断形成。密封部分3c的上表面规定为模塑模具的平坦面，做成平坦的同时，上述模塑模具的平坦面阻塞槽45，同时，为了与槽45两侧的第1面2a接触，密封部分3c的平坦表面与第1面2a位于大致相同的平面上。另外，密封部分3c出现在槽45一端的侧面由于在切断矩基板时用划片刀同时切断形成，因此基板2的侧面和密封部分3c的侧面也位于相同的平面上。
在密封部分3c内，与实施形态1相同，作为半导体元件5固定存储器芯片5a或者控制器芯片5b，而且经过金属线6把半导体元件5的电极与基板2的布线电连接。
本实施形态3的存储卡1的外形是与实施形态1相同的尺寸，但是由于在基板2的第1面2a上设置槽45，在该槽45的槽底固定半导体元件5，成为用密封部分3c覆盖的构造，因此基板2的厚度与实施形态1的情况相比较增厚，但是由于在基板2的第2面2b上不设置密封部分，因此具有总体厚度能够减薄的特长。基板2的厚度例如减薄到0.8mm。槽45的深度例如成为0.6mm。从而，能够谋求使存储卡1很薄。
本实施形态3的情况也与实施形态2相同，也同样能够适用采用使基板2的元件固定区凹下一段，并且在该凹槽底部固定半导体元件的构造，以及在半导体元件上重叠一级以上搭载半导体元件的多级搭载构造，能够谋求与实施形态1相同的高性能、大容量以及薄型化。另外，该构造在以下的各实施形态中也能够采用。
本实施形态3的存储卡1通过以下的方法制造。图15是在存储卡的制造中使用的母板的底面图，图16是示出存储卡的制造各工艺的状态的剖面图。
在本实施形态3的存储卡的制造中，虽然与实施形态1相同使用母板，但是该母板2g如图15以及图16(a)所示，在第1面2a上设置了槽45这一点上不同。母板2g按照3行5列的配置，设置单位基板区15，而上述槽45沿着列方向，即，元件排列成1列的外部电极端子4a的排列方向设置3条，使得横穿过各单位基板区域15。从而，在各单位基板区15中，成为在槽45的两侧存在第1面2a的构造。母板2g的厚度成为0.8mm，槽45的深度成为0.6mm。
在制造存储卡1的情况下，如图16(a)所示，制备具有槽45的母板2g，然后，如图16(b)所示，在各单位基板区域15的槽45的底部用未图示的粘接剂(银胶等)固定半导体元件。作为半导体元件5，固定存储器芯片5a和控制该存储器芯片5a的控制器芯片5b。
接着，如图16(b)所示，用导电性金属线6连接各半导体元件5的未图示电极和母板2f表面的未图示布线(金属线键合焊盘)。
接着，如图16(c)所示，通过传递模塑，用由绝缘性树脂构成的模塑体3a仅阻塞设置在母板2g的第1面2a上的槽45的部分。用该模塑体3a覆盖半导体元件5或者金属线6。在该传递模塑中，与实施形态1相同，用传递模塑进行密封(成模)，而在模塑的另一方面，例如，上模的分离面成为平坦的面，使得该平坦的面阻塞槽45那样接触母板2f的第1面2a。然后，从3条槽45的每一条的一端一侧送入树脂。树脂沿着槽45流动，完全阻塞5个单位基板区15的槽45的部分。其结果，密封部分3c成为均匀的厚度(高度)，同时，其平坦的表面与第1面2a位于大致同一个平面上。
接着，如图16(d)所示，在未图示的划片装置的载物台35上使用粘接剂33固定了母板2g以后，用旋转的划片刀36纵横地切断母板2g。图16(d)示出沿着横方向(存储卡1的宽度方向)切断母板2g的状态。在结束了横方向的切断以后，使载物台35旋转90度，然后如图16(e)所示，进行纵方向(存储卡1的长度方向)的切断。切断可以用一片划片刀顺序地进行，或者以多片划片刀一次或者多次切断进行。
由此，大致形成在基板2的第1面2a的槽45的部分上形成了密封部分3c的存储卡1。
接着，在成为长方形的部分的一个角，即，在母板2g的状态下，沿着方向性识别部分8切断设置了贯通孔16的密封部分，制造图13所示的添加了方向性识别部分(标记)8的存储卡1。在该存储卡1的基板的第2面2b上粘贴密封条，制造能够使用的存储卡1。
在本实施形态3中，在基板2的一部分上设置槽45，在该槽底搭载半导体元件5，用绝缘性树脂填埋槽45，因此能够减少树脂的使用量，能够实现降低存储卡1的成本。
另外，在本实施形态3中，在母板的切断中，外部电极端子4a的排列方向的切断仅成为母板的切断，与作为相互不同材质的基板和树脂的划片相比较，提高切削性能，能够谋求提高品质或者降低切断成本。
实施形态4图17至图21是与作为本发明其它实施形态(实施形态4)的存储卡有关的图。图17是存储卡的倒装状态的剖面图，图18是存储卡的底面图，图19是示出存储卡制造中的半导体元件的安装状态的斜视图，图20是示出半导体元件的安装状态的一个例子的部分剖面图，图22是示出半导体元件的安装状态的其它例子的部分剖面图。
实施形态4是在实施形态3中，如图19所示，把填埋槽45的密封部分3c作为一部分，在露出到没有形成密封部分3c的空间区域50的槽底用面朝下键合固定半导体元件5的结构。例如，如图20所示，使具有半导体元件5的电极51的面与槽底相对，经过焊锡等接合材料53把各电极51电气和机械连接到设置在槽底的键合焊盘52上，或者如图21所示，在槽底与半导体元件5之间经过各向异性导电性粘接剂55，把半导体元件5的电极51电气和机械固定在槽底的键合焊盘52上。
在借助粘接材料53把电极51固定在图20所示的键合焊盘52上的构造中，在槽底与半导体元件5之间充填绝缘性树脂(底层树脂)，形成底层54，配置成使得水分或者异物不会进入到槽底与半导体元件5之间。在使用图21所示的各向异性导电性粘接剂55的情况下，通过使各向异性导电性粘接剂55在半导体元件5的电极51与键合焊盘52之间压缩，各向异性导电性粘接剂55中的导电性粒子相互接触，把电极51与键合焊盘52进行电连接。
图17～图19示出使用各向异性导电性粘接剂55的情况。另外，虽然没有特别限定，但是在本实施形态中，用密封部分3c覆盖的半导体元件5是控制器芯片5b，由面朝下键合搭载的半导体元件5是存储器芯片5a。
另外，在本实施形态中，露出到空间区域50外侧的半导体元件5的表面没有从槽45的边缘的面，即第1面2a突出到外侧。例如，半导体元件5的表面位于与基板2的表面(第1面2a)相同的平面上。这是为了在把存储卡1插入到插口中时，不会被挂住。
本实施形态的存储卡1的制造在使用母板的实施形态3的制造中，在槽45的一部分上形成密封部分3c，由于没有用密封部分3c覆盖剩余部分，因此在槽底的一部分上固定半导体元件5。例如，作为半导体元件5固定控制器芯片5b。然后，用金属线6把该半导体元件5的电极与布线进行电连接，接着，在槽底部分电连接密封部分3使得覆盖上述半导体元件5以及金属线6。
接着，在没有被密封部分3c覆盖的槽底，通过面朝下键合固定半导体元件5。半导体元件5例如固定存储器芯片5a。这种情况下，采取使用图20所示的粘接材料53连接存储器芯片5a的电极51与槽底的键合焊盘52的方法，或者如图21所示，用各向异性导电性粘接剂55电连接存储器芯片51的电极51与槽底的键合焊盘52。在使用粘接材料53的方法中，在固定了半导体元件5以后，在半导体元件5与槽底之间流入绝缘性的底层树脂，然后使该底层树脂硬化，形成底层54。
接着，纵横地划片母板使得在每个单位基板区分离母板，而且，倾斜地切断一个角，形成方向性识别部分8，制造多个图17以及图18所示的存储卡1。
在本实施形态4中，用密封部分3c覆盖槽45的一部分，在没有用密封部分3c覆盖的空间区域50的槽底通过面朝下键合，搭载半导体元件5，因此能够谋求降低高速动作的芯片的电感。
实施形态5图22以及图23是与作为本发明其它实施形态(实施形态5)的存储卡有关的图。图22是存储卡的倒装状态的剖面图，图23是存储卡的底面图。
本实施形态5的存储卡1如图22所示，是在基板2的正反面，即，第1面2a以及第2面2b分别搭载半导体元件5的同时，用密封部分3c、3覆盖的构造。另外，在第1面2a以及第2面2b中，在半导体元件5的上面固定比该半导体元件5的尺寸小的半导体元件5，每一种都成为用金属线6电连接未图示的各电极与各布线的构造。即，本实施形态5成为把实施形态1和实施形态3一起制作的结构。
在本实施形态5的存储卡1的制造中，如实施形态3的图15所示那样使用具有槽45的母板2g，而由于在槽底2级重叠地搭载半导体元件5，因此槽45的深度加深，母板2g的厚度相应地也增厚。
在这种未图示的母板中，首先在各单位基板区的槽底固定预定数量的半导体元件5。另外，在各单位基板区的母板的第2面2b上也固定预定数量的半导体元件5。在该例中，在母板上固定了半导体元件5以后，在该半导体元件5上重叠固定尺寸小的半导体元件5。该固定时，进行半导体元件5的固定使得下级的半导体元件5的电极露出。
接着，用金属线6电连接各半导体元件5的电极与布线。
然后，使得阻塞槽45那样埋入绝缘性树脂，形成覆盖半导体元件5以及金属线6的模塑体，同时，使得覆盖第2面2b上的半导体元件5以及金属线6那样，在第2面2b的整个区域用绝缘性树脂形成模塑体。这两个模塑体通过使用了模塑模具的传递模塑同时形成。
接着，纵横地切断母板，按照每个单位基板区分离母板，而且倾斜地切断一个角，形成方向性识别部分8，制作多个图23以及图22所示的存储卡1。
如果依据本实施形态5，则由于是在基板2的正反面分别搭载半导体元件的构造，因此能够谋求存储卡1的高性能化以及大容量化。另外，在本实施形态5中，由于是在半导体元件5的上面固定半导体元件的多级搭载的构造，因此能够进一步谋求高性能化以及大容量化。
实施形态6从本实施形态6至实施形态9的实施形态的存储卡是在实施形态1以及实施形态3至5的存储卡的制造中，把在纵横地分断母板，进行形成方向性识别部分的切断之前的COB封装嵌入并粘接固定在塑料外壳上的结构。设置在构成COB封装的基板的一个面上的外部电极端子以露出的状态收容在外壳内，上述外部电极端子用作为存储卡的外部电极端子。另外，在长方形的塑料外壳的一个角设置倾斜延伸的方向性识别部分。该方向性识别部分当然也可以是其它的形状(构造)。
图24至图27是与作为本发明其它实施形态(实施形态6)的存储卡有关的图。图24是存储卡的倒装状态的斜视图，图25是存储卡的倒装状态的剖面图，图26是示出存储卡制造各工艺的状态的剖面图，图27是示出在存储卡的制造中，把COB封装安装到外壳上的状态的斜视图。
本实施形态6的存储卡1如图27所示，把COB封装61a嵌入到用塑料形成的外壳60的收容凹槽62中，如图25所示，成为用粘接剂63粘接COB封装61a的构造。存储卡1成为在设置于构成COB封装61a的基板2的一个面上的外部电极端子4a露出的状态下，COB封装61被收容到外壳60中的构造，外部电极端子4a成为用作为存储卡1的外部电极端子的构造(参照图24)。
即，本实施形态6的存储卡1成为在塑料外壳中收容了在实施形态1中形成的COB封装品的构造。在实施形态1中，在模塑后纵横地切断母板，然后进行形成方向性识别部分的切断制造存储卡1，而在本实施形态中，在纵横地切断母板，制造四方形的COB封装以后，把该COB封装嵌入粘接到外壳60上制造存储卡1。另外，在外壳60的角上设置倾斜地切断了的方向性识别部分8。
外壳60用树脂(例如，PPE聚苯醚)形成，成为在一个面上具有嵌入COB封装61a的收容凹槽62的简单构造。从而，制造成本也低廉。
外壳60的外形尺寸例如成为纵(长度)32mm，横(宽度)24mm，厚1.4mm。从而，COB封装61a的外形尺寸由于嵌入到上述外壳60的收容凹槽62中，因此成为纵(长度)28mm，横(宽度)19mm，厚0.8mm。外壳60的凹槽底部的板厚成为0.5mm。构成COB封装61a的基板2的厚度是0.21mm。
接着，参照图26(a)～(d)说明COB封装61a的制造。作为制造工艺，由于大部分与实施形态1的情况相同因此简单地进行说明。图26(a)～(d)是示出COB封装的制造工艺的状态的剖面图，是示出制备母板(a)，芯片键合以及金属线键合(b)，成模(c)，分离母板(d)的图。
如图26(a)所示，在本实施形态6的存储卡1的制造中，也使用与实施形态1的情况相同的母板2f。但是，本实施形态6的母板中的单位基板区15的尺寸例如是长度28mm，宽度19mm，厚度0.21mm，成为嵌入到外壳60中的构造，因此比实施形态1的情况小。
接着，如图26(b)所示，在母板2f的第2面2b上进行芯片键合，作为半导体元件5，固定存储器芯片5a以及控制器芯片5b。
然后，如图26(b)所示，用导电性的金属线6连接各半导体元件5的电极与母板2f表面的布线(金属线键合焊盘)。
然后，如图26(c)所示，使用通常的传递模塑，在母板2f的第2面2b上形成一定厚度的模塑体3a。
然后，如图26(d)所示，用未图示的划片装置，纵横地切断母板2f，形成包括单位基板区15的COB封装61a。
然后如图27所示，在外部电极端子4a露出的状态下，借助粘接剂把COB封装61a嵌入到外壳60中进行固定，制造图24以及图25所示的存储卡1。
在图43、图44那样以往构造的COB封装中，在形成密封部分3时，由于密封树脂硬化时的体积变化，塑料外壳60与COB封装之间的缝隙部分(间隙)的体积有可能变化。外壳60与COB封装的缝隙部分的这种变化可能成为外壳60与COB封装的粘接不良的原因。另外，如果为了可靠地确保外壳60与COB封装的粘接，加大外壳60与COB封装的缝隙部分，相应地预先较多地设定供给的粘接剂的数量，则可能成为粘接剂溢出的原因。
与此相比较，在本实施形态6的存储卡1中，为了在密封树脂24的硬化反应以后通过划片进行分割，布线基板2的平面方向的尺寸由于不受到由密封树脂24的硬化反应产生的体积变化的影响，因此能够提高尺寸精度。从而，特别是在平面方向中，能够减少外壳60的收容凹槽62与COB封装61a之间的间隙部分。另外，通过这样使COB封装61a的侧面与收容凹槽62的侧面的间隙狭窄，即使在借助低成本的胶形粘接剂粘接COB封装61a与外壳60的情况下，也能够防止粘接剂的溢出。
另外，在图43、图44那样的以往构造的COB封装中，在使用由传递模塑法进行的个别封装形成了密封部分的情况下，由于在密封部分的周围的基板上，在各装置区域的布线基板上配置树脂注入浇口，或者成为树脂注入路径的流道，以及模具模腔的通气孔，因此有时在其部分中残留不需要的树脂毛边。这样的毛边可能成为外壳与COB封装的粘接不良，或者基板的浮起/倾斜的原因。而为了防止由这种树脂毛边引起的不良，如果确保外壳与COB封装的缝隙部分具有余量，预先相应地较多设定所供给的粘接剂的数量，则可能成为粘接剂溢出的原因。
与此相比较，在本实施形态6的存储卡1中，由于浇口29，流道27，通气孔30的部分配置在成为COB封装61a的部分的外侧，通过分割进行分离，因此能够阻塞发生树脂毛边，能够狭窄地设定与外壳60之间的缝隙部分。
另外，在图43、图44那样以往构造的COB封装中，在形成密封部分的工艺中，采用了由浇注法进行的个别封装时，将发生由浇注方法引起的密封部分形状的分散性。这样的形状分散性可能成为罩与COB封装之间的接触不良的原因。另外，如果为了可靠地确保罩与COB封装的粘接，预先相应地较多设定所供给的粘接剂的数量，则可能成为粘接剂溢出的原因。
与此相比较，在本实施形态6的存储卡1中，即使采用难以控制模塑体3a周边部分的形状的浇注，通过在把多装置区一起密封以后，用划片把周边部分与COB封装61a进行分割，能够减少形状分散性，能够良好地进行外壳60与COB封装61a的粘接。
另外，在图43、图44那样以往构造的COB封装中，在密封部分周围扩展的薄的基板部分的强度低，在存储卡使用时极有可能发生剥离。为了防止这样的剥离，上述基板部分的粘接是必要的，但是把粘接剂或者粘接带供给到具有凹凸的外壳收容凹槽的周边部分是很困难的，另外，还难以控制胶状粘接剂的浸湿扩展。
与此相比较，在本实施形态6的存储卡1中，由于在构成COB封装61a的基板2的第2面2b的周边部分中也形成密封部分3，因此COB封装61a的中间部分的强度提高，能够防止存储卡1使用时的剥离。
另外，在本实施形态6的存储卡1中，由于在外壳60的收容凹槽62的底部没有大的凹凸，因此具有容易供给粘接剂、粘接带，另外，还容易控制胶状的粘接剂的湿润扩展的效果。
进而，在本实施形态6的存储卡1中，为了降低发生使用时的剥离的可能性，能够采用借助胶状粘接剂/粘接带，主要仅把COB封装61a的中央部分与外壳60粘接，COB封装61a的周边部分或者侧壁部分不与外壳60粘接的构造。特别是，在与外壳60的粘接中采用了胶状粘接剂的情况下，通过不粘接COB封装61a的周边部分或者侧壁部分，能够进一步降低粘接剂溢出的可能性。
实施形态7图28至图31是与作为本发明其它实施形态(实施形态7)的存储卡有关的图。图28是存储卡的倒装状态的斜视图，图29是存储卡的倒装状态的剖面图，图30是示出存储卡的制造各工艺的状态的剖面图，图31是示出在存储卡的制造中在外壳上安装了COB封装的状态的斜视图。
实施形态7的存储卡1如图31所示，成为在用塑料形成的外壳60的收容凹槽62中嵌入COB封装61b，如图29所示，用粘接剂63粘接了COB封装61b的构造。存储卡1成为在设置于构成COB封装61b的基板2的一个面上的外部电极端子4a露出的状态下，COB封装61b收容在外壳60中的构造，上述外部电极端子4a成为用作为存储卡1的外部电极端子的构造(参照图28)。
即，本实施形态7的存储卡1成为在塑料外壳中收容了在实施形态3中形成的COB封装品的构造。在实施形态3中，在成模以后纵横地切断母板，然后进行形成方向性识别部分的划片制造存储卡1，而在本实施形态中，纵横地切断母板，制造了四方形的COB封装61b以后，把该COB封装61b嵌合并粘接到与实施形态6相同的外壳60上，制造存储卡1。
从而，在本实施形态7中，也具有实施形态3的一部分效果，同时，由于与实施形态6相同，在外壳中收容COB封装61b的密封部分3，因此可以得到牢固而且廉价的存储卡1。
接着，参照图30(a)～(e)简单地说明COB封装61b的制造。图30(a)～(e)是示出COB封装的制造各工艺的状态的剖面图，是示出制备母板(a)，芯片键合以及金属线键合(b)，成模(c)，分离母板(d)、(e)的图。
如图30(a)所示，在本实施形态7的存储卡1的制造中也使用具有与实施形态3的情况相同的槽45的母板2g。但是，本实施形态7的母板中的单位基板区15的尺寸例如是长度28mm，宽度19mm，厚度0.8mm，由于成为嵌入到外壳60中的构造，因此比实施形态1的情况小。
接着，如图30(b)所示，在设置于母板2g的第1面2a上的槽45的槽底进行芯片键合，作为半导体元件，固定存储器芯片5a以及控制器芯片5b。
然后，如图30(b)所示，用导电性的金属线6连接各半导体元件5的电极与母板2g表面的未图示的布线。
然后，如图30(c)所示，通过与实施形态3相同的传递模塑，形成模塑体3a，使得阻塞形成在母板2g的第1面2a上的槽45。
然后，如图30(d)所示，在未图示的划片装置的载物台35上借助粘接剂33固定母板2g，用划片刀36纵横地切断母板2g，形成包括单位基板区15的COB封装61b(参照图30(e))。
然后，如图31所示，在2部电极端子4a露出的状态下，把COB封装61b嵌入到外壳60的收容凹槽62中，借助粘接剂63(参照图29)固定，制造图28以及图29所示的存储卡1。
本实施形态7的存储卡1不仅具有实施形态3的存储卡所具有的一部分效果，而且还由于用外壳60覆盖保护COB封装61b的一个面和周边，因此成为牢固的存储卡1。
图32是本实施形态7的变形例的存储卡的倒装状态的剖面图，图33是相同的存储卡的底面图。该变形例在母板的状态下设置3条槽45，制造存储卡1，而该槽45成为延伸到单位基板区15的一方端部的形状。从而，在图32以及图33的状态下，密封部分3c的端部成为延伸到外壳60的内周沿。
在该变形例中，由于扩展槽45的槽宽度，因此能够搭载更大型的半导体元件，能够实现高性能化以及大容量化。
实施形态8图34是示出作为本发明其它实施形态(实施形态8)的存储卡的背面的底面图，图35是存储卡的倒装状态的剖面图。
本实施形态8的存储卡1是在外壳60的收容凹槽62中嵌入并粘接了COB封装61c的构造。COB封装61c在实施形态7的COB封装61b中，在槽45中部分地形成密封部分3c，在没有形成密封部分3c的区域中通过面朝下键合搭载半导体芯片5，该密封形态基于实施形态4的构造。
由面朝下键合进行的半导体元件5的搭载形态成为使用实施形态4中的图20的粘接材料53把半导体元件5的电极51与基板2的键合焊盘52进行电连接，另外，使用图21的各向异性导电性粘接剂55把半导体元件5的电极51与基板2的键合焊盘52进行电连接等。图34以及图35示出基于各向异性导电性粘接剂55的情况。
本实施形态8的存储卡1不仅具有实施形态7以及实施形态4所具有的一部分效果，还由于用外壳60覆盖并保护COB封装61c的一个面和周边，因此成为牢固的存储卡1。
实施形态9图36至图42是与作为本发明其它实施形态(实施形态9)的存储卡及其制造有关的图。
本实施形态9的存储卡1如图42所示，成为在用塑料形成的外壳60的收容凹槽62中嵌入COB封装61d，如图36所示，用粘接剂63粘接了COB封装61d的构造。存储卡1成为在设置于构成COB封装61d的基板2的一个面上的外部电极端子4a露出的状态下，COB封装61d收容到外壳60中的构造，上述外部电极端子4a成为用作为存储卡1的外部电极端子的构造(参照图37)。
即，本实施形态9的存储卡1在塑料外壳中，如实施形态5那样，在基板2的正反面搭载半导体元件5，成为收容了用密封部分3、3c覆盖了每一个COB封装61d的构造。另外，该COB封装61d成为实施形态7的变形例那样密封部分3c的端部延伸到外壳60的内周沿的构造，能够搭载更大型的半导体元件。
本实施形态9是在基板2的正反面搭载半导体元件5的构造，是多级搭载半导体元件5的构造，是能够扩展槽45的宽度，搭载更大型的半导体元件5的构造，由此能够实现存储卡1的高性能化以及大容量化。
另外，是COB封装61d收容固定在外壳60的收容凹槽62中的构造，由于用外壳60保护COB封装61d的一个面以及周边，因此成为更牢固的存储卡1。
接着，参照图38～图40点以及图41简单地说明COB封装61d的制造。图38(a)～(e)是示出COB封装的制造中的从芯片键合到金属线键合的各工艺的状态的剖面图。图39(a)～(d)是示出COB封装的制造中的传递模塑的各阶段中的状态的剖面图。图40(a)～(c)是示出与COB封装的制造中的母板分断有关的各阶段的状态的剖面图。
在本实施形态9的存储卡1的制造中，使用图41以及图38(a)所示那样的母板2h，该母板2h与实施形态3的情况相同，成为具有槽45的母板2h。但是，该母板2h的槽45是达到邻接的单位基板区15的端部的宽度，在纵横地切断分离了母板2h的状态下，一方槽的端部成为划片带而消失，如实施形态7的图32所示那样，谋求扩大半导体元件5的可搭载区。
接着，如图38(b)所示，在设置于母板2h的第1面2a的槽45的槽底进行芯片键合。
然后，如图38(c)所示，倒装母板2h，在母板2h的平坦的第2面2b上进行芯片键合。在半导体元件5对于上述母板2h的正反面的固定中，作为存储卡1，固定应该起到预定功能的多个存储器芯片和控制这些存储器芯片的控制器芯片。
然后，如图38(d)所示，倒装母板2h，用导电性的金属线6连接固定在槽底的半导体元件5的电极和母板2h表面的未图示的布线。
然后，如图38(e)所示，倒装母板2h，用导电性的金属线6连接固定在平坦的第2面2b上的半导体元件5的电极和母板2h表面的未图示的布线。
然后，结束了金属线键合的母板2h如图39(a)所示，在传递模塑装置的模塑模具20的下模21与上模22之间合模。图39是沿着槽45的延伸方向的剖面图。
通过下模21与上模22的合模，在母板2h的正反两面侧形成模腔28。另外，在该模腔28中与图9相同连接着流道27。流道27与模腔28的边界部分成为浇口29。另外，在该浇口29相反一侧的模腔28的一端存在未图示的通气孔。
通过未图示的柱塞的注入动作，如图39(b)所示，沿着流道27内流动的树脂24通过浇口29流入到模腔28内。如果模腔28内全部充填了树脂24，则进行树脂24的硬化，如图39(c)所示，树脂24硬化形成模塑体3a。
然后，如图39(d)所示，从模塑模具取出设置了模塑体的3a的母板。
然后，如图40(a)所示，把结束了成模的母板2h用粘接剂33固定在未图示的划片装置的载物台35上，如图40(b)、(c)所示，用划片刀36纵横地切断母板2h，形成包括单位基板区15的COB封装61d(参照图42)。
然后，如图42所示，在外部电极端子4a露出的状态下，把COB封装61d嵌入到外壳60的收容凹槽62中，借助粘接剂63(参照图36)固定，制造图36以及图37所示的存储卡1。
本实施形态9的存储卡1不仅具有实施形态5的存储卡所具有的一部分效果，还由于用外壳60覆盖并且保护COB封装61d的一个面和周边，因此成为牢固的存储卡1。
以上根据实施形态具体地说明了由本发明者完成的发明，但是本发明并不限定于上述实施形态，在不脱离其宗旨的范围内当然能够进行各种变更。
在以上的说明中，主要对于把由本发明者完成的发明适用在作为成为其背景的利用领域中的存储卡制造的情况，但是并不限定于这种情况。
本发明至少能够使用在COB封装构造的电子装置中。
如果简单地说明在本申请中所公开的发明中，能够根据代表性的内容得到的效果则如下。
(1)能够提供廉价的封装构造的电子装置。
(2)能够提供高性能化而且大容量化的廉价的封装构造的电子装置。
(3)能够提供高性能化而且大容量化的廉价的存储卡。
在本说明书中记载的各个发明并不限于解决在本说明书中记述的全部课题的结构，也包括仅解决特定的1个或者多个课题的结构。
如以上所述，作为本发明的电子装置的存储卡，能够在数字照相机或者音频播放机等中用作为高性能、大容量而且廉价的存储媒体。另外，本发明的存储卡的制造方法与以往这种产品的制造工艺数相比较，由于能够减少工艺数，因此还能够降低存储卡的制造成本。
权利要求
1.一种存储卡，该存储卡具有第1面以及成为上述第1面的背面的第2面，特征在于具备具有主面以及背面的布线基板；形成在上述布线基板的背面上的多个外部电极端子；形成在上述布线基板的主面上的多条布线；配置在上述布线基板的主面上，经过上述多条布线与上述多个外部电极端子电连接的半导体元件；形成在上述布线基板的背面上，覆盖上述半导体元件的由绝缘性树脂构成的密封部分，上述多个外部电极端子以及上述布线基板的背面在上述存储卡的第1面上露出，上述密封部分在上述存储卡的第2面上露出。
2.根据权利要求1所述的存储卡，特征在于上述密封部分覆盖上述多条布线的上部。
3.根据权利要求1所述的存储卡，特征在于上述半导体元件由控制器芯片和存储器芯片构成。
4.根据权利要求1所述的存储卡，特征在于上述半导体元件具有配置在上述布线基板的主面上的第1半导体芯片和配置在上述第1半导体芯片的上部的第2半导体芯片。
5.根据权利要求4所述的存储卡，特征在于在上述布线基板的主面上，固定上述半导体元件的元件固定区凹下去一段，在上述凹槽底部固定上述半导体元件。
6.根据权利要求1所述的存储卡，特征在于在上述布线基板以及密封部分的边缘设置方向性识别部分。
7.一种存储卡，该存储卡具备具有主面以及背面的布线基板；形成在上述布线基板的背面上的多个外部电极端子；形成在上述布线基板的主面上的多条布线；配置在上述布线基板的主面上，经过上述多条布线与上述多个外部电极端子电连接的半导体元件；形成在上述布线基板的背面上，覆盖上述半导体元件的由绝缘性树脂构成的密封部分，粘接上述布线基板与上述密封部分的界面在上述存储卡的侧面露出。
8.一种电子装置的制作方法，特征在于具备(a)制备在主面上具有单位基板区且在背面上具有多个外部电极端子的布线基板的工艺；(b)在上述单位基板区配置半导体芯片，把上述半导体芯片与上述多个外部电极端子电连接的工艺；(c)在上述单位基板区及其周围的布线基板的主面上形成密封上述半导体芯片的密封体的工艺；(d)在上述单位基板区及其周围之间同时切断上述密封体以及上述布线基板，形成由上述单位基板区的布线基板，单位基板区上的密封部分，半导体芯片以及多个外部电极端子构成的单片部分的工艺；(e)制备具有凹槽的外壳的工艺；(f)在上述凹槽的底部，粘接上述密封部分，把上述单片部分固定在上述凹槽内部的工艺。
9.根据权利要求8所述的电子装置的制造方法，特征在于上述(d)工艺中的切断通过划片进行。
10.根据权利要求8所述的电子装置的制造方法，特征在于在上述(e)工艺中制备的外壳中形成方向性识别部分。
11.根据权利要求8所述的电子装置的制造方法，特征在于上述(f)工艺具有在上述外壳的凹槽底部供给胶状粘接剂的工艺；借助上述胶状粘接剂把上述单片部分配置在上述凹槽内部的工艺；硬化上述粘接剂，借助上述粘接剂把上述单片部分的密封部分与上述凹槽底部粘接的工艺。
12.根据权利要求8所述的电子装置的制造方法，特征在于在上述(b)工艺中配置的半导体芯片包括存储器芯片和控制器芯片，通过上述制造工艺形成的电子装置是存储卡。
13.一种电子装置的制造方法，特征在于具有(a)制备在主面上具有第1以及第2单位基板区，在上述第1单位基板区的背面具有第1多个外部电极端子，在上述第2单位基板区的背面上具有第2多个外部电极端子的布线基板的工艺；(b)在上述第1单位基板区配置第1半导体芯片，把上述第1半导体芯片与上述第1多个外部电极端子电连接，而且在上述第2单位基板区中配置第2半导体芯片，把上述第2半导体芯片与上述第2多个外部电极端子电连接的工艺；(c)在上述第1以及第2单位基板区上，形成密封上述第1以及第2半导体芯片的密封体的工艺；(d)在上述第1单位基板区与上述第2单位基板区之间，同时切断上述密封体以及布线基板，形成由上述第1单位基板区的布线基板、第1单位基板区上的第1密封部分、第1半导体芯片以及第1多个外部电极端子构成的第1单片部分，由上述第2单位基板区的布线基板、第2单位基板区上的第2密封部分、第2半导体芯片以及第2多个外部电极端子构成的第2单片部分的工艺；(e)制备具有凹槽的第1外壳的工艺；(f)在上述第1外壳的凹槽的底部，粘接上述第1密封部分，把上述第1单片部分固定在上述第1外壳的凹槽内部的工艺。
14.根据权利要求13所述的电子装置的制造方法，特征在于还具有(g)制备具有凹槽的第2外壳的工艺；(f)在上述第2外壳的凹槽的底部，粘接上述第2密封部分，把上述第2单片部分固定在上述第2外壳的凹槽内部的工艺。
15.根据权利要求13所述的电子装置的制造方法，特征在于上述(d)工艺中的切断通过划片进行。
16.根据权利要求13所述的电子装置的制造方法，特征在于在上述(e)工艺中制备的第1外壳中形成方向性识别部分。
17.根据权利要求13所述的电子装置的制造方法，特征在于上述(f)工艺具有在上述第1外壳的凹槽底部供给胶状粘接剂的工艺；借助上述胶状粘接剂把上述第1单片部分配置在上述凹槽内部的工艺；硬化上述粘接剂，借助上述粘接剂把上述第1密封部分与上述凹槽底部粘接的工艺。
18.根据权利要求13所述的电子装置的制造方法，特征在于在上述(b)工艺中配置的第1以及第2半导体芯片的每一个包括存储器芯片和控制器芯片，通过上述制造工艺形成的电子装置是存储卡。
19.一种电子装置，特征在于具备在第1面上具有使多个外部电极端子露出的布线的基板；在成为上述第1面的背面的第2面或者上述第1面上沿着上述外部电极端子的排列方向在上述基板的整个长度上设置的槽；埋入成使得阻塞上述槽的由绝缘性树脂构成的密封部分；由上述密封部分覆盖，固定在上述槽底，经过连接装置把电极电连接到上述布线上的1个至多个半导体元件。
20.根据权利要求19所述的电子装置，特征在于上述密封部分的表面平坦，上述表面成为与上述槽两侧的基板表面大致相同的高度。
21.根据权利要求19所述的电子装置，特征在于上述基板成为四方形，在上述槽底固定构成存储器芯片的1个至多个半导体元件和控制上述存储器芯片的控制器芯片，构成存储卡。
22.根据权利要求19所述的电子装置，特征在于固定上述基板的上述半导体元件的元件固定区凹下一段，在上述凹槽底部固定着上述半导体元件。
23.根据权利要求19所述的电子装置，特征在于在上述半导体元件的上面重叠固定一级以上的半导体元件，错开固定上级的半导体元件使得各个半导体元件的电极露出，各个电极通过上述连接装置连接到上述布线上。
24.一种电子装置的制造方法，特征在于具备制备纵横地排列配置形成有单位基板区，在第1面的上述各单位基板区中使多个外部电极端子露出，具有在成为上述第1面的背面的第2面或者上述第1面上沿着上述外部电极端子的排列方向的同时在上述基板的整个长度上设置的槽，而且具有布线的基板的工艺；在上述基板的上述各单位基板区的槽底固定1个至多个半导体元件的工艺；把上述半导体元件的电极与上述布线电连接的工艺；埋入绝缘性树脂形成密封部分使得覆盖上述半导体元件以及上述连接装置阻塞上述槽的工艺；按照上述每个单位基板区分离上述基板以及上述密封部分的工艺。
25.根据权利要求24所述的电子装置的制造方法，特征在于平坦地形成上述密封部分的表面的同时，把上述密封部分的表面形成为与上述槽两侧的基板表面大致相同的高度。
26.根据权利要求24所述的电子装置的制造方法，特征在于在上述槽底固定构成存储器芯片的1个至多个半导体元件和控制上述存储器芯片的控制器芯片的同时，把上述基板形成为四方形，形成存储卡。
27.根据权利要求24所述的电子装置的制造方法，特征在于在上述基板的槽底设置凹槽，在该槽底固定上述半导体元件。
28.根据权利要求24所述的电子装置的制造方法，特征在于在上述半导体元件上使得下级半导体元件的电极露出那样错开重叠固定一级以上的半导体元件，然后，把各个半导体元件的电极与上述布线经过上述连接装置电连接。
29.一种电子装置，特征在于具备在第1面上具有使多个外部电极端子露出的布线的基板；在成为上述第1面的背面的第2面或者上述第1面上沿着上述外部电极端子的排列方向在上述基板的整个长度上设置的槽；埋入成使得阻塞上述槽的一部分由绝缘性树脂构成的密封部分；由上述密封部分覆盖，固定在上述槽底，经过连接装置把电极电连接到上述布线上的1个至多个半导体元件；固定在未被上述密封部分覆盖的槽内，经过连接装置把电极电连接到上述布线上的1个至多个半导体元件。
30.根据权利要求29所述的电子装置，特征在于固定在没有用上述密封部分覆盖的槽内的半导体元件的具有电极的面与上述槽底相对，通过各向异性导电性粘接剂把电极与槽底的布线电连接，而且半导体元件的表面没有从上述槽两侧的基板表面突出。
31.根据权利要求29所述的电子装置，特征在于固定在没有用上述密封部分覆盖的槽内的半导体元件的具有电极的面与上述槽底相对，与槽底的布线电连接，在上述槽底与半导体元件之间充填有底层树脂，而且半导体元件的表面没有从上述槽两侧的基板表面突出。
32.根据权利要求29所述的电子装置，特征在于上述基板成为四方形，在上述基板上固定有构成存储器芯片的1个至多个半导体元件和控制上述存储器芯片的控制器芯片，构成存储卡。
33.一种电子装置的制造方法，特征在于具备制备纵横地排列配置形成有单位基板区，在第1面的上述各单位基板区中使多个外部电极端子露出，具有在成为上述第1面的背面的第2面或者上述第1面上沿着上述外部电极端子的排列方向的同时在上述基板的整个长度上设置的槽，而且具有布线的基板的工艺；在上述基板的上述各单位基板区的槽底的偏移位置固定1个至多个半导体元件的工艺；把上述半导体元件的电极与上述布线电连接的工艺；埋入绝缘性树脂形成密封部分使得覆盖上述半导体元件以及上述连接装置阻塞上述槽的一部分的工艺；在没有由上述密封部分阻塞的槽底固定半导体元件的同时，把该半导体元件的电极与上述布线经过连接装置电连接的工艺；按照上述每个单位基板区分离上述基板以及上述密封部分的工艺。
34.根据权利要求33所述的电子装置的制造方法，特征在于使半导体元件的具有电极的面与没有用上述密封部分覆盖的槽底相对，在上述槽底与半导体元件之间借助各向异性导电性粘接剂，把上述半导体元件的电极与上述槽底的布线机械和电气连接。
35.根据权利要求33所述的电子装置的制造方法，特征在于使半导体元件的具有电极的面与没有用上述密封部分覆盖的槽底相对，借助焊锡把上述槽底的布线与上述半导体元件的电极接合。
36.根据权利要求33所述的电子装置的制造方法，特征在于在上述基板上固定有构成存储器芯片的1个至多个半导体元件和控制上述存储器芯片的控制器芯片，同时，把上述基板形成四方形，形成存储卡。
37.一种电子装置，特征在于具备在第1面上具有使多个外部电极端子露出的布线的基板；由设置成覆盖成为上述第1面的背面的第2面的整个区域的由绝缘性树脂构成的密封部分；在上述第1面上沿着上述外部电极端子的排列方向在上述基板的整个长度上设置的槽；埋入成使得阻塞上述槽的由绝缘性树脂构成的密封部分；在上述各密封部分中，由上述密封部分覆盖，固定在上述基板上，经过连接装置把电极电连接到上述布线上的1个至多个半导体元件。
38.根据权利要求37所述的电子装置，特征在于上述密封部分的表面平坦，上述表面成为与上述槽两侧的基板表面大致相同的高度。
39.根据权利要求37所述的电子装置，特征在于上述基板成为四方形，在上述基板上固定有构成存储器芯片的1个至多个半导体元件和控制上述存储器芯片的控制器芯片，构成存储卡。
40.一种电子装置的制造方法，特征在于具备制备纵横地排列配置有形成单位基板区，在第1面的上述各单位基板区中使多个外部电极端子露出，具有在上述第1面上沿着上述外部电极端子的排列方向的同时在上述基板的整个长度上设置的槽，而且具有布线的基板的工艺；在上述基板的上述各单位基板区的槽底固定1个至多个半导体元件的工艺；在成为上述各单位基板区中的上述基板的上述第1面的背面的第2面上固定1个至多个半导体元件的工艺；经过连接装置，把上述各半导体元件的电极与上述布线电连接的工艺；埋入绝缘性树脂形成覆盖上述半导体元件以及上述连接装置的密封部分使得阻塞上述槽的工艺，同时，在上述基板的第2面整个区域中用绝缘性树脂形成密封部分使得覆盖上述第2面上的上述半导体元件以及上述连接装置的工艺；按照上述每个单位基板区分离上述基板以及上述密封部分的工艺。
41.根据权利要求40所述的电子装置的制造方法，特征在于把上述密封部分的表面形成为平坦的同时，把埋入上述槽那样形成的密封部分的表面形成为与上述槽两侧的基板表面大致相同的高度。
42.根据权利要求40所述的电子装置的制造方法，特征在于在上述基板上固定构成存储器芯片的1个至多个半导体元件和控制上述存储器芯片的控制器芯片的同时，把上述基板以及上述密封部分形成四方形，形成存储卡。
43.一种电子装置，特征在于具备在一个面上具有收容凹槽的外壳；插嵌粘接到上述收容凹槽中的COB封装，上述COB封装包括在第1面上具有使多个外部电极端子露出的布线的基板；在成为上述第1面的背面的第2面或者上述第1面上沿着上述外部电极端子的排列方向在上述基板的整个长度上设置的槽；埋入成使得阻塞上述槽的由绝缘性树脂构成的密封部分；由上述密封部分覆盖，固定在上述槽底，经过连接装置把电极电连接到上述布线上的1个至多个半导体元件，使上述外部电极端子露出那样粘接到上述外壳上。
44.根据权利要求43所述的电子装置，特征在于在上述基板上，固定构成存储器芯片的1个至多个半导体元件和控制上述存储器芯片的控制器芯片，构成存储卡。
45.根据权利要求43所述的电子装置，特征在于在上述外壳的边缘设置着方向性识别部分。
46.一种电子装置，特征在于具备在一个面上具有收容凹槽的外壳；插嵌粘接到上述收容凹槽中的COB封装，上述COB封装包括在第1面上具有使多个外部电极端子露出的布线的基板；在成为上述第1面的背面的第2面或者上述第1面上沿着上述外部电极端子的排列方向在上述基板的整个长度上设置的槽；埋入成使得阻塞上述槽的一部分的由绝缘性树脂构成的密封部分；由上述密封部分覆盖，固定在上述槽底，经过连接装置把电极电连接到上述布线上的1个至多个半导体元件；固定在没有用上述密封部分覆盖的槽内，经过连接装置把电极电连接到上述布线上的1个至多个半导体元件，使上述外部电极端子露出那样粘接到上述外壳上。
47.根据权利要求46所述的电子装置，特征在于在上述基板上，固定构成存储器芯片的1个至多个半导体元件和控制上述存储器芯片的控制器芯片，构成存储卡。
48.根据权利要求46所述的电子装置，特征在于在上述外壳的边缘设置着方向性识别部分。
49.一种电子装置，特征在于具备在一个面上具有收容凹槽的外壳；插嵌粘接到上述收容凹槽中的COB封装，上述COB封装包括在第1面上具有使多个外部电极端子露出的布线的基板；覆盖成为上述第1面的背面的第2面的整个面那样设置的由绝缘性树脂构成的密封部分；在上述第1面上沿着上述外部电极端子的排列方向在上述基板的整个长度上设置的槽；埋入成使得阻塞上述槽的由绝缘性树脂构成的密封部分；在上述各密封部分中，由上述密封部分覆盖，固定在上述基板上，经过连接装置把电极电连接到上述布线上的1个至多个半导体元件，使上述外部电极端子露出那样粘接到上述外壳上。
50.根据权利要求49所述的电子装置，特征在于在上述基板上，固定构成存储器芯片的1个至多个半导体元件和控制上述存储器芯片的控制器芯片，构成存储卡。
51.根据权利要求49所述的电子装置，特征在于在上述外壳的边缘设置着方向性识别部分。
全文摘要
本发明提供廉价的存储卡，这是具备在第1个面上具有使多个电极端子露出的布线基板；覆盖成为上述第1面的背面的第2面的整个区域那样设置的由绝缘性树脂构成的密封部分；用上述密封部分覆盖，固定在上述基板的第2面上，通过连接装置把电极电连接到上述布线上的1个至多个半导体元件的电子装置，上述基板成为四方形，由上述基板和上述密封部分构成卡型封装，在上述基板上，固定构成存储器芯片的1个至多个半导体元件和控制上述存储器芯片的控制器芯片，构成存储卡，在上述基板以及密封部分的边缘设置着方向性识别部分。
文档编号H01L21/56GK1493059SQ0280541
公开日2004年4月28日 申请日期2002年1月25日 优先权日2001年2月28日
发明者三浦知巳, 嵯峨徹, 佐藤信衛, 伊藤毅 申请人:株式会社日立制作所, 秋田电子系统株式会社