专利名称：等离子加工方法和设备及用于等离子加工的托架的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种等离子加工方法和设备及用于等离子加工的托架，其用于制造电子设备、微型机械(MEMS微型机电系统)和用来安装零件的插板等。
背景技术：
图19说明了通用平行板型等离子加工设备的一个实例。
请参照图19，如果使用作为排气装置的泵203抽空真空室201，同时通过气体供应部件202把特定气体引入真空室201，并且通过基底电极高频电源210对基底电极施加13.56MHz的高频电力，同时通过压力调节阀204把真空室201的内部维持在特定压力时，那么等离子体在真空室201中产生，并且放在基底电极206上的基底209能够承受蚀刻、沉积、表面重成型等等离子处理。涡轮分子泵203和排气口211恰恰放在基底电极206下，压力调节阀204是往复阀，所述往复阀恰恰放在基底电极206之下和涡轮泵203之上。基底电极206用四个支柱固定在真空容器201上。而且，反相电极241与基底电极206相对地设置。
作为另一种等离子加工设备，有一种高频感应系统的等离子加工设备，其用于通过把高频电力施加在线圈上，从而在真空容器中产生等离子体。本系统的等离子加工设备通过在真空容器中产生高频磁场并由高频磁场产生感应电场加速电子而产生等离子，从而能够产生密度高于平行板型等离子体的等离子体。
图20说明了这种结构的一个实例。参照图20，通过作为排放装置的涡轮分子泵203抽空真空室201，同时把来自气体供应部件202的特定气体引入真空容器201，用线圈使用高频电源205把13.56MHz的高频电力施加至线圈上，所述线圈沿与基底电极206相对的介电板207设置，同时通过压力调节阀204把真空容器201的内部维持至特定的压力，然后，感应耦合型等离子体在真空容器201中产生，并且放在基底电极206上的基底209能够经历等离子加工。
还提供一种使用高频电源210的基底电极，以把高频电源提供至基底电极206上，从而能够控制到达基底209的离子能量。涡轮分子泵203和排气口211恰恰放在基底电极206之下，压力调节阀204是往复阀，其恰恰放在基底电极206之下和涡轮分子泵203之上。基底电极206用四个支柱212固定在真空容器201上。
到目前为止，多种材料已经用作基底电极的表面材料。除了金属(例如铝和不锈钢)，如专利No.2758755所披露，还有这样的实例，其中基底电极仅表面一部分由介电层(硬质表面钝化铝)覆盖，并且仅介电层与基底接触；日本公开专利出版物No.2-155230披露了一个实例，其中与基底接触的基底电极部分覆盖介电薄膜(氯乙烯、特氟纶(美国注册商标，杜邦的聚四氟乙烯树脂模盘)或聚酰亚胺)；专利No.3010683披露了一个实例，其中与基底接触的基底电极部分覆盖介电薄膜，所述薄膜由至少氯乙烯、特氟纶和聚酰亚胺其中之一组成，并且基底电极的自偏电压受到监控，以检测介电薄膜的损坏，等等。如上述，如果介电层设在基底与基底电极之间，则有减小充电损坏的效果。
还有另一种提高基底和基底电极的热传导的方法，通过用陶瓷层覆盖基底电极表面，把DC电压施加于埋在陶瓷层中的DC电极上，从而用静电力把基底抽吸到基底电极表面上或通过夹紧环把基底挤压在基底电极上。还有一种提高基底和基底电极的热传导的方法，其通过在基底与基底电极之间供应气体(氦等)，所述气体成为的热介质。
但是，上述传统系统具有一个问题，即如果希望处理薄而柔软的基底(例如树脂片)时，基底的温度由等离子照射而不利地升高。
这归结于这样的事实，即除了基底的较小热容量外，在真空下基底和基底电极之间的热交换变得不充分的。如果企图用静电力把基底抽吸至基底电极表面上，那么直流电几乎不能流过介电基底，而且抽吸不能发挥作用。并且，如果成为热介质的气体供应至基底与基底电极之间，通过夹紧环把基底挤压在基底电极上，因为基底薄而柔软，则基底大大地变形。这不仅损坏了加工的一致性，而且在基底和基底电极之间形成的空间中可能产生反常放电，缺乏实用性。
而且，当在传统系统中，当基底是较大、薄、硬且容易破碎(硅、玻璃、陶瓷等)时，如果成为热介质的气体供应至基底和基底电极之间，那么由于基底薄，因此极大地变形，并且有时会碎裂。特别是，当基底厚度不大于1mm，面积不小于0.1m2时，上述问题经常发生。
发明内容
考虑到上述传统问题，本发明的目的是提供一种等离子加工方法和设备及用于等离子加工的托架，其能够提高基底的温度可控性。
为了达到上述目的，本发明的结构如下。
根据本发明的第一方面，提供一种等离子加工方法，包括抽空真空室的内部并把气体供应至真空室，并在真空室中产生等离子体，同时把真空室内部控制至特定的压力；和对真空室内基底电极上放置的基底或基底上的薄膜进行处理，同时通过粘合片在基底与基底电极之间进行热交换，所述粘合片放置在基底电极与基底之间。
根据本发明的第二方面，提供一种等离子加工方法，包括抽空真空室的内部并把气体供应至真空室，然后在真空室中产生等离子，同时把真空室内部控制至特定的压力；和对真空室内基底电极上放置的托架上的基底或基底上的薄膜进行处理，同时通过粘合片在托架与基底之间进行热交换，所述粘合片放置在托架与基底之间。
根据本发明的第三方面，提供一种如第二方面所定义的等离子加工方法，其中对基底或基底上的薄膜进行处理，同时通过粘合片在基底电极和托架之间进行热交换，所述粘合片放置在基底电极和托架之间。
根据本发明的第四方面，提供一种等离子加工方法，包括把基底输送至真空室中；固定基底，同时在真空室内朝向基底电极以凸面形状使基底变形；使以凸面形状变形的基底中心部分周围与设在基底电极表面上的粘合片相接触；使基底几乎完整的一个表面与设在基底电极表面上的粘合片相接触；和通过抽空真空室内部并把气体供应至真空室，然后在真空室产生等离子体，同时把真空室内部控制在特定的压力，从而处理基底或放在基底上的薄膜。
根据本发明的第五方面，提供一种等离子加工方法，包括把基底输送至真空室中；在真空室的凸面的基底电极上固定基底；使基底中心部分周围与设在基底电极表面的粘合片相接触；通过将基底的外部边缘部分挤压在基底电极上，使基底几乎完整的一个表面与设在基底电极表面的粘合片相接触；和通过抽空真空室内部并把气体供应至真空室，然后在真空室产生等离子体，同时把真空室内部控制至特定的压力，从而处理基底或基底上的薄膜。
根据本发明的第六方面，提供了一种等离子加工方法，包括使基底几乎完整的一个表面与设在托架表面上的粘合片相接触；把托架输送至真空室；把托架固定在真空室内基底电极上；把托架放置在基底电极上；和通过抽空真空室内部并把气体供应至真空室，然后在真空室产生等离子体，同时把真空室内部控制至特定的压力，从而处理基底或放在基底上的薄膜。
根据本发明的第七方面，提供如第一方面所定义的等离子加工方法，其中粘合片具有不小于0.1W/m·K的热导率。
根据本发明的第八方面，提供如第一方面所定义的等离子加工方法，其中粘合片具有不大于80的Asker C值。
根据本发明的第九方面，提供如第一方面所定义的等离子加工方法，其中粘合片具有50-60的硬度。
根据本发明的第十方面，提供如第一方面所定义的等离子加工方法，其中粘合片具有0.05-0.5mm的厚度。
根据本发明的第十一方面，提供如第一方面所定义的等离子加工方法，其中基底由玻璃或陶瓷制成。
根据本发明的第十二方面，提供如第一方面所定义的等离子加工方法，其中基底是树脂片。
根据本发明的第十三方面，提供如第一方面所定义的等离子加工方法，其中基底具有0.001-1mm的厚度。
根据本发明的第十四方面，提供如第一方面所定义的等离子加工方法，其中基底具有0.001-0.5mm的厚度。
根据本发明的第十五方面，提供如第一方面所定义的等离子加工方法，其中，假设基底具有杨氏模量E(Pa)，基底具有泊松比v，基底具有特征长度a(m)，并且基底具有厚度h(m)，则确定表达式600×(1-V2)a4/(256×Eh3)＞0.005(m)。
根据本发明的第十六方面，提供了一种等离子加工设备，包括真空室；气体供应部件，其用于把气体供应至真空室；排放部件，其用于排放真空室的内部气体；压力调节阀，其用于把真空室内部控制至特定压力；基底电极，其用于在真空室中把基底放在其上；高频电源，其能够把高频电力提供至基底电极或等离子源；和粘合片，其放置在基底电极表面上并把基底放在其上。
根据本发明的第十七方面，提供了一种等离子加工设备，包括基底安装站，其用于把基底放在托架上，所述托架具有设有粘合片的表面；真空室；气体供应部件，其用于把气体供应至真空室；排放部件，其用于排放真空室内部气体；压力调节阀，其用于把真空室内部控制至特定的压力；基底电极，其用于在真空室内把托架放置在其上；和高频电源，其能够把高频电力提供至基底电极或等离子源。
根据本发明的第十八方面，提供一种如第十六方面所定义的等离子加工设备，其中粘合片具有不小于0.1W/m·k热传导率。
根据本发明的第十九方面，提供一种如第十六方面所定义的等离子加工设备，其中粘合片具有不大于80的Asker C。
根据本发明的第二十方面，提供一种如第十六方面所定义的等离子加工设备，其中粘合片具有50-60的硬度。
根据本发明的第二十一方面，提供一种如第十六方面所定义的等离子加工设备，其中粘合片具有0.05-0.5mm的厚度。
根据本发明的第二十二方面，提供一种等离子加工的托架，其用于等离子加工，所述等离子加工用于处理基底或放在基底上的薄膜，包括粘合片，其设置在放置基底的表面上。
根据本发明的第二十三方面，提供一种如第二十二方面所定义的用于等离子加工的托架，包括另一个粘合片，其设置在与放置基底的表面相对的表面上。
根据本发明的第二十四方面，提供一种如第二十二方面所定义的用于等离子加工的托架，其中，粘合片具有不小于0.1W/m·k的热导率。
根据本发明的第二十五方面，提供一种如第二十二方面所定义的用于等离子加工的托架，其中粘合片具有不大于80的Asker C。
根据本发明的第二十六方面，提供一种如第二十二方面所定义的用于等离子加工的托架，其中粘合片具有50-60的硬度。
根据本发明的第二十七方面，提供一种如第二十二方面所定义的用于等离子加工的托架，其中粘合片具有0.05-0.5mm的厚度。
通过参照附图对本发明的优选实施方案进行说明，本发明的上述和其它的方面和特征将更为清楚。
图1是说明了根据本发明第一实施方案的等离子加工方法所使用的等离子加工设备结构的截面图；图2A、2B、2C是说明了根据本发明第一实施方案的等离子加工方法把基底放在基底电极上的过程的截面图；
图2D和2E根据本发明第一实施方案的等离子加工方法的基底电极的不同修改实例的平面图；图3A、3B、和3C说明了根据本发明第一实施方案的等离子加工方法把基底放在基底电极上的过程的截面图；图4A、4B和4C是说明了根据本发明第一实施方案的等离子加工方法把基底放在基底电极上的过程的截面图；图5是说明根据本发明第二实施方案的等离子加工方法所使用的等离子加工设备的结构的截面图；图6是说明本发明第二实施方案的等离子加工方法所使用的等离子加工设备的结构的截面图；图7A和7B是说明根据本发明第二实施方案的等离子加工方法把托架放在基底电极上的过程的截面图；图8A、8B和8C是说明根据本发明第二实施方案的等离子加工方法把托架放在基底电极上的过程的截面图；图9是说明本发明第二实施方案的等离子加工方法所使用的等离子加工设备的整体结构的平面图；图10是说明根据本发明第二实施方案的等离子加工方法的气压臂和盒的操作的截面图；图11A、11B、11C、11D和11E是说明根据本发明第二实施方案的等离子加工方法把粘合片粘至托架上的程序的截面图；图12A、12B、12C、12D和12E是说明根据本发明第二实施方案的等离子加工方法把粘合片粘附于托架上的程序的截面图；图13是根据本发明第二实施方案的等离子加工方法的托架的透视图；图14A、14B和14C是说明根据本发明第二实施方案的等离子加工方法把基底放在托架上的过程的截面图；图15A、15B和15C是说明根据本发明第二实施方案的等离子加工方法把基底放在托架上的过程的截面图；图16A、16B和16C是说明根据本发明第二实施方案的等离子加工方法把基底放在托架上的过程的截面图；
图17A、17B和17C是说明根据本发明第二实施方案的等离子加工方法把基底放在托架上的过程的截面图；图18是说明根据本发明一个实施方案的托架结构的截面图；图19是说明现有技术实例中所用等离子加工设备的结构截面图；图20是说明现有技术实例中所用等离子加工设备的结构截面图；图21是本发明实施方案的修改实例中当粘合片具有通孔时的部分剖面示意性视图；图22是本发明实施方案的修改实例中当粘合片具有凹槽时的部分剖面示意性视图；图23A、23B、23C和23D是本发明上述实施方案的各种修改实例的粘合片的示意性视图；图24A、24B和24C在本发明的上述实施方案中分别是用于说明一个状态的示意性视图，其中粘合片插入本发明上述实施方案中基底电极的凹槽部分上的缝隙中；用于说明一个状态的示意性视图，其中粘合片进入缝隙，结果通过夹紧环把粘合片与基底挤压在一起；和用于说明一个状态的示意性视图，其中粘合片没有插入基底电极的凹槽部分上的缝隙中；图25A、25B和25C是在本发明上述实施方案的修改实例中，当粘合片与基底一起输送时的示意性视图；图26是在本发明上述实施方案的修改实例中，当粘合片由两层结构组成时的说明视图；图27是说明一个状态的示意性视图，其中在本发明上述实施方案的修改实例中，基底放在托架的粘合片上并且随后辊子在基底上旋转；图28是说明了一种情况的视图，其中在本发明上述实施方案的修改实例中，排放孔仅设在托架的中心部分；图29A、29B、29C和29D是A型或C型的弹簧型硬度检测器的正视图，具有后盖除去的检测器的后视图、刻痕尖端的放大试图和检测器的部分截面图，说明其刻痕和其挤压表面之间的关系，以说明Asker C值；图30A和30B是曲线，每一个曲线说明了在挤压表面和刻痕尖端之间的距离、由弹簧施加于刻痕尖端的载荷和刻度，为了说明表示刻度，刻痕的移动和其弹簧力之间关系的基准线；图31是本发明上述实施方案的另一修改例中粘合片放置在不平坦表面的情况下的截面图，所述表面由多个树脂带和基底电极限定而成；图32是图31中圆圈部分III的放大视图；图33是图31的情况下粘合片放置在不平坦表面前的平面图。
具体实施例方式
在说明本发明的过程之前，应该指出，在附图中同样的部件由同样的附图标记表示。
下面将在附图的基础上详细说明本发明的实施方案。
(第一实施方案)下面参照图1-4C将说明本发明的第一实施方案。
图1说明了本发明的第一实施方案中所用等离子加工设备的截面图。
请参照图1，使用作为排放器的涡轮分子泵3抽空作为真空室实例的真空容器1，同时把特定气体从气体供应部件2引入至真空容器1；使用线圈用高频电源5把13.56MHz的高频电源施加于线圈8上(等离子源的一种实例)，所述线圈8沿与基底电极6相对的介电板7设置，同时通过压力调节阀4维持真空容器1的内部至特定的压力，则真空容器1中产生了感应耦合型等离子，并且放在基底电极6上的基底9能够进行等离子加工。
在本说明书和权利要求书中，基底9指薄而柔软的基体和装置，例如，(回路)在树脂片(例如聚酰亚胺片)、纸等上形成的电路等对象。
还提供了一种基底电极用高频电源10，其用于把高频电源施加至基底电极6上，从而能够控制到达基底9的离子能量。涡轮分子泵3和排气口11恰恰放置在基底电极6之下，并且压力调节阀4是往复阀，其恰恰放在基底电极6之下和涡轮分子泵3之上。基底电极6用四个支柱12固定于真空容器1上。气体供应部件2、线圈用高频电源5、基底电极用高频电源10、涡轮分子泵3和压力调节阀4由控制部件1000所控制。应该指出，控制部件1000在其它实施方案中是相似的。因此，仅在图1中代表性地说明，并且在其它实施方案的图中基本省略。
粘合片13设在基底电极6和基底9之间，从而能够进行处理，同时通过粘合片13在基底9和基底电极6之间进行热交换。
作为粘合片13的一个实例，可以使用硅橡胶薄膜。粘合片13片材本身具有自粘性(自附着性能)。通过具有略小于基底9的尺寸或，例如小于外周围尺寸至少大约1mm或更大，粘合片13优选地能够防止在等离子加工过程中的等离子产生的恶化，这种粘合片13具有0.2W/m·K的热传导性，60的Asker C值、55的硬度和0.2mm的厚度。
应该指出，Asker C(ASKER C)是树脂柔软性的指数，Asker C为60的这一事实表示由Asker C硬度计所测量的值是60。数值越大，材料越硬，而对渗透和一致性测试则相反。
Asker C表示日本标准(SRIS)的橡胶工业协会标准0101的弹簧A型sker C型，下面测量方法由日本工业标准(JIS)的K6301(1995)(硬化橡胶的物理测试方法)提供。
弹簧型硬度测试(A型和C型)原则上，对于A型使用厚度不小于12mm的样品，每一个厚度不小于12mm的样品都叠放以尽可能地确保厚度不小于12mm。对于C型使用厚度不小于6mm的样品，每一个厚度不小于6mm的样品都叠放以尽可能地确保厚度不小于6mm。
而且，当表面不光滑时，抛光样品的待测量表面被以使其光滑。待测量表面需要具有这样的尺寸，即测试器的挤压表面的尺寸需要落入至少待测量表面内。
对于测试器，使用如图29A和29B中的实例所示A型和型B的弹簧型硬度测试器。作为刻度303上的硬度，这种测试器表明刻痕301的行程距离(见图29C)，当挤压表面300与样品表面接触时，刻痕301通过弹簧压力从位于挤压表面300中心的孔300a处突出，并由样品的橡胶表面向后推。挤压表面300是与刻痕301垂直的表面并且具有孔300a，刻痕301通过所述孔300a放在它的中心，如图29D所示。孔直径必须不小于10mm。基准线的公差(见图30A和30B)说明了在刻度303、刻痕301的移动和弹簧力之间的关系，假设在A型情况下为±0.0785N(±8gf)并在C型情况下为±0.196N(±20gf)。而且，在刻痕301的移动和刻痕302移动之间没有游隙。刻痕301的材料是抗磨损和抗锈的，而且其构造和尺寸如图29C和29D所示。刻痕301必须正确地附于挤压表面300的孔300a的中心。刻痕尖端必须在刻度303上的0位置以2.540-0.05mm的大小从挤压表面300处突出。刻痕尖端表面必须位于与刻度303上100处挤压表面300相同平面上。刻度303从0-100以相等的间隔分度。
而且，为了有效地防止在粘合片13和基底9之间的缝隙和泡沫的发生，如图21或图2所示，粘合片13内可以制成相互连通的通孔13h或沟槽13g以使泡沫容易溢出。另外，考虑排列沟槽13g的方式，沟槽可以线性地相互平行地排列，如图23A所示；栅状排列，如图23B所示；放射性排列，如图23C所示；或在突出部分13j数字之间排列，如图23D所示。
图2A-2C说明了将聚酰亚胺树脂基底9放置在基底电极6上的过程，在所述聚酰亚胺树脂基底9表面上具有300-nm厚氧化硅薄膜，所述氧化硅薄膜由光致抗蚀剂形成图案，具有厚度h＝0.4mm＝0.0004m。应该指出，基底具有3GPa的杨氏模量E、0.3的泊松比率v、圆形基底构造和0.15m的直径。
首先，基底9通过输送臂23从真空容器1的开-关门22输送至真空容器1中，随后基底9由多个起模针14(支撑件的一个实例)固定(图2A)。在这时，多个起模针14设在基底电极6的外围部分附近，所述起模针14通过为基底电极而设置的孔6a而上下移动，因此，基底9以凸面形状朝向基底电极6变形。所述多个起模针14(例如图2D所示的四个起模针或图2E所示的三个起模针)排列在与基底9的中心对称的点上。所述多个起模针14的底部末端被固定至驱动环100上，作为在控制部件1000的控制下的驱动部件的实例，驱动环100被气缸101等上下移动。不限于此，提供驱动部件(例如气缸101)以使垂直地驱动每一个起模针14，进而使起模针的每一个上下移动，每一个起模针14或驱动部件(例如气缸101)驱动每一个起模针14特定的编号，以使起模针14的每一个特定编号上下移动每一个特定数字的起模针14，而且随后一个接一个地移动所述多个起模针14或每一个针的特定数字，基底可以方便地从基底电极6或粘合片13移动。
然后，驱动环100通过在控制部件1000的操作控制下驱动气缸101被向下移动，以同时逐渐向下移动所述多个起模针14，首先使基底9的中心周围与设在基底电极6的表面上的粘合片13相接触(图2B)。
通过进一步向下移动起模针14，基底9的外围部分也与粘合片13相接触，几乎使得基底9的完整的一个表面与设在基底电极6的表面上的粘合片13接触(图2C)。
通过用上述输送程序，防止缝隙的发生是可行的，所述缝隙的发生是指在基底9和粘合片13之间气体保留下来。
基底9放在基底电极6上，随后基底9上的氧化硅薄膜进行分蚀刻加工，条件是用以5sccm的速率的CF4气体和以45sccm的氩气供应至真空容器1，基底电极6的温度维持30℃，以500W施加高频电力至线圈8和以200W施加至基底电极6，并且真空容器1的内部压力维持在3Pa。因此，蚀刻能够以100nm/min的蚀刻速率进行。处理时间是200秒，其包括过蚀刻时间。因此，不发生光致抗蚀剂的燃烧，并且能够进行令人满意的蚀刻加工。当在相同的条件下测量基底9的温度时，基底9的温度在蚀刻刚要结束之前为57℃。为了比较，蚀刻过程通过传统系统以相似的条件进行(没有粘合片的结构)。因此，发生光致抗蚀剂的燃烧，蚀刻失效。而且，当在相同条件下测量基底9的温度时，基底9的温度在蚀刻刚要结束之前为195℃。
如上所述，基底9的温度与现有技术实例比较大大降低的原因是当进行处理时能够通过粘合片13在基底9和基底电极6之间进行热交换。
加工之后，当把基底9从粘合片13分离时，与上述输送程序相反，有一种程序，其首先通过气缸101在控制部件1000的操作控制下向上移动驱动环100，从而同时逐渐向上移动多个起模针14，以剥离方式把基底9从粘合片13中分离，并且随后把基底9输送至输送臂23以从真空容器1内部卸载基底9。
此时，如果基底9相对粘合片13的表面通过长起模针14和短起模针14而倾斜地受到支撑，而不是同时把基底9从粘合片13分离，例如，通过使多个起模针14具有不同的长度，然后，通过用长的起模针14首先把基底9的外围的某一些部分从与粘合片13的表面分离，其后通过短起模针14把基底9的外围剩余部分与粘合片13的表面分离，而不是同时把基底9的外围与粘合片13的表面分离，这样基底9可以与粘合片13的表面更光滑地分离。为了进行上述操作，起模针14可以如上文所述分别地向上移动。
图3A-3C说明把基底9放置在基底电极6上的过程的另一个实例。首先，基底9被输送至真空容器1种，其后，基底9被固定(图3A)。此时，起模针14，设在基底电极6A的外围部分的附近，所述起模针14通过为基底电极6A设置的孔6a而上下移动，所述基底电极6A具有凸面部分6b，所述凸面部分6b当被向上弯曲时突出，因此中心部分成为顶部。因此，基底9以凸面形式朝向基底电极6A突出而变形。
随后，起模针14逐渐向下移动，使基底9的中心周围与粘合片13相接触，所述粘合片设在凸面的基底电极6A的凸面部分6b的表面，所述凸面基底电极6A具有凸面部分6b的表面，在图形的横向中心部分弯曲并凸出(图3B)。而且，通过向下移动起模针14，几乎基底9的完整的一个表面能够与粘合片13相接触，所述粘合片13设在基底电极6A的凸面部分6b的表面上(图3C)。在此实例中，使用具有1/100-1/10的曲率的凸面基底电极6A。因此，当处理更不易变形的基底9时，基底9能够自发地从基底9的中心邻近可靠地与粘合片13接触，在基底9和粘合片13之间能够减少缝隙的发生的可能性。当曲率小于1/100时，缝隙减小的效果很小；当曲率超过1/10时，在基底9上制成的电路图形容易受到损坏。因此，上述范围是优选的。
图4A-4C说明了在基底电极6上放置基底9的过程的另一个实例。首先，把基底9输送至真空容器1种，随后固定基底9(图4A)。在这个实例中，基底9由不易变形的材料制成，因此朝向基底电极6凸出的基底9的变形度明显地少于在图2A-2C和图3A-3C的情况。
然后，起模针14向下移动，使基底9的中心周围与带粘形片13相接触，所述带粘性13设在凸面基底电极6的表面上(图4B)。
随后，通过环升降杆15向下移动夹紧环16，以把基底9的外围部分挤压在基底电极6上，几乎基底9的完整的一个表面能够与粘合片13相接触，所述粘合片13设在基底电极6的表面上(图4C)。在此实例中，使用凸面基底电极6。因此，即使处理不易变形的基底9，基底9能够自发地从基底9的中心周围可靠地与粘合片13相接触，并且能够减少在基底9和粘合片13之间的缝隙发生的可能性。
与基底9相接触的夹紧环16的下表面可以部分地设有带粘性元件16d作为挤压辅助元件，如图4A中的点线所示。用这种安排，当基底9通过夹紧环16向基底电极6挤压，通过在环和基底9之间产生粘附力，基底9是更可靠地挤压在基底电极6上而没有位移；和当夹紧环16向上移动时，通过粘性元件16d的粘附力而使基底9向上抬一点，基底9可以容易地与基底电极16分离。而且，在夹紧环16上部分地或全部地设置沟纹件，所述沟纹元件不具有粘附力和仅具有沟纹，作为由夹紧环16的图4A中的点线所示部分的另一个挤压辅助元件，并且当基底9用夹紧环16朝向基底电极6挤压时，在环16和基底9之间产生摩擦力，基底9能够没有位移地更可靠地挤压在基底电极6上。
而且，如图24A和24B所示，相对在基底电极6的表面上制成的凹槽部分6d用缝隙90的插入放置粘合片13，通过夹紧环16一起挤压粘合片13和基底9，粘合片13可以进入缝隙90，因此防止在基底9和基底电极6之间的泡沫等缝隙的形成。另外，如图24C所示，当用夹紧环16把粘合片13与基底9一起挤压时，通过单独紧缩粘合片13而不在基底电极6的表面上形成凹槽部分6d，则可以防止泡沫等的缝隙在基底9和基底电极6之间发生。
(第二实施方案)下面将参照图5-17C说明本发明的第二实施方案。
图5说明了本发明的第二实施方案所用的等离子加工设备的截面图。
请参照图5，使用作为排放器的涡轮分子泵3抽空作为真空室实例的真空容器1，同时把特定气体从气体供应部件2引入至真空容器1；使用线圈用高频电源5把13.56MHz的高频电源施加于线圈8上，所述线圈8沿与基底电极6相对的介电板7设置，同时通过压力调节阀4维持真空容器1的内部至特定的压力，则真空容器1中产生了感应耦合型等离子，并且放在基底电极6上的基底9能够进行等离子加工。
还提供了一种基底电极用高频电源10，其用于把高频电源施加至基底电极6上，从而能够控制到达基底9的离子能量。涡轮分子泵3和排气口11恰恰放置在基底电极6之下，并且压力调节阀4是往复阀，其恰恰放在基底电极6之下和涡轮分子泵3之上。基底电极6用四个支柱12固定于真空容器1上。
基底9放在托架17上，粘合片13设在托架17和基底9之间，可以进行加工，同时通过粘合片13在基底9和托架17之间进行热交换。硅橡胶薄膜作为粘合片13使用。粘合片13具有0.2W/m·K的热导率、60的Asker C、55的硬度和0.2mm的厚度。
托架17优选地由一种材料制成，其具有2-5mm的厚度，耐盐酸和良好的热传导性，并且在其表面上形成氧化物薄膜。托架优选地由铝制成，铝的表面用耐热铝作为氧化薄膜进行处理。
托架17中设置了凹槽17a用于容纳粘合片13，其可以具有大约与粘合片13相同的尺寸或如上所述制成大于粘合片13的尺寸，如图24A和24B所示，因此当基底9被夹紧环16所挤压时，粘合片13能够放射性地向外突出。
基底9和托架17放在基底电极6上，其后，在基底9上的氧化硅薄膜进行蚀刻处理，条件是用以5sccm的速率的CF4气体和以45sccm的氩气供应至真空容器1，基底电极6的温度维持30℃，以500W施加高频电力至线圈8和以200W施加至基底电极6，并且真空容器1的内部压力维持在3Pa。因此，蚀刻能够以100nm/min的蚀刻速率进行。
处理时间是200秒，其包括过蚀刻时间。因此，不发生光致抗蚀剂的燃烧，并且能够进行令人满意的蚀刻加工。当在相同的条件下测量基底9的温度时，基底9的温度在蚀刻刚要结束之前为92℃。为了比较，蚀刻过程通过传统系统以相似的条件进行(没有粘合片的结构)。因此，发生光致抗蚀剂的燃烧，蚀刻失效。而且，当在相同条件下测量基底9的温度时，基底9的温度在蚀刻刚要结束之前为200℃。
如上所述，基底9的温度与现有技术实例比较大大降低的原因是当进行处理时能够通过粘合片13在基底9和托架17之间进行热交换。即能够考虑到由于托架17的热容量是远大于(十倍或更多)基底9单独的热容量，因此由于等离子暴露而产生的温度上升得到减小。当使用托架17时，基底9的温度不利地高于不使用托架17的本发明的第一实施方案的结构。然而，通过使用托架17，当基底9在真空中输送时，位置变换发生的可能性大大地减小了。即，在仅薄而轻基底9的输送过程中，容易相对输送臂发生基底位置变换。然而，通过使用具有相当的重量和厚度的托架17，不容易相对输送臂发生基底位置变换，并且这产生易于在真空中输送的效果。
如图6所示，通过在基底电极6和托架17之间设置粘合片18，在进行处理的同时通过粘合片18来在基底电极6和托架17之间实现热交换。基底9的温度升高能够进一步被抑制。考虑到这种结构，图7A和7B说明了把托架17放在基底电极6上的过程，在所述托架17上放置基底9。首先，托架17输送至真空容器1，基底9放置在所述托架17上，随后，固定托架17(图7A)。
然后，起模针14逐渐地向下移动，以产生托架17几乎完整的一个表面与粘合片18相接触，所述粘合片18设在基底电极6(图7B)的表面上。如果托架17及基底电极6的平整度和平行度是足够的，则可以防止在托架17和粘合片18之间产生缝隙。
图8A-8C说明了在基底电极6上放置托架17的过程的另一个实例。首先，托架17输送至真空容器1种，基底9放在所述托架17上，随后固定托架17(图8A)。
其次，起模针14被向下移动以使托架17与粘合片18相接触，所述粘合片18设在基底电极6(图8B)的表面上。
然后，通过环升降杆15向下移动夹紧环16并向基底电极6挤压托架17的外围部分，托架17几乎完整的一个表面与粘合片18相接触，所述粘合片18设在基底电极6的表面上(图8C)。在此实例中，可以更可靠地防止在基底9和粘合片13之间产生缝隙。
还可以朝向基底电极6挤压基底9的外围部分，而不是朝向基底电极6挤压托架17的外围部分。当基底9是易受垂直于它的表面的力的影响，考虑在基底9上造成的较少的损坏，优选地向基底电极6挤压托架17的外围部分。
输送基底9并放在上述实施方案中的粘合片13上。然而，如图25A-2C所示，还可以在整体中输送基底9和粘合片13，把将其放在多个起模针14上，并将其固定，其中粘合片13预先可分离地紧紧粘附于基底9的下部表面，并没有泡沫存在。当基底9上下移动时，多个起模针14直接支撑基底9，所述基底9穿透粘合片13，基底9可以稳定地上下移动。如上所述，如果基底9与粘合片13输送，所述粘合片13预先粘附于基底9的下部表面。当基底9放在基底电极6上，有效地防止缝隙的发生，进而能够防止在基底9和粘合片13之间的泡沫的侵扰。
另外，如图26所示，粘合片13不限于由一层组成，而是允许两层结构。即如图26所示，粘合片13可以是由上部粘合片13a和下部粘合片13b组成。在这样的情况下，当(上部粘合片13a的硬度＞下部粘合片13b的硬度)时，上部粘合片13a具有较低的粘性和足够的可分离性。因此，这种结构对连接在电极或托架的上表面的粘合片是适当的。相反，当(上部粘合片13a的硬度＜下部粘合片13b的硬度)时，下部粘合片13b具有较低的粘性和足够的可分离性。因此，这种结构对连接在托架或基底9的下表面的粘性片时适当的。
图9是说明本发明第二实施方案所用的等离子加工设备的总体结构的平面图。设备由三个部件组成反应室19(包括真空容器1)，其用于进行等离子加工；载荷闸室20；和气压输送部分21，并且所述部件被闸门阀22分开，所述闸门阀22是开启和关闭闸门。载荷闸室20在内部设有输送臂23，并能够在气压输送部分21和载荷闸室20之间接受和输送托架17，及在反应室19和载荷闸室20之间接受和输送托架17。气压臂24在臂和基底盒25或托架盒26之间接受和发送基底9或托架17。
气压臂24在臂24和基底放置站27之间接受和输送基底9和托架17，以把基底9放在托架17设有粘合片13的表面上。基底盒25和托架盒26设在盒升降台28上。当气压臂24接收和输送基底盒25或托架盒26以及基底9或托架17时，气压臂24进行如图10所示的往复运动，同时盒升降台28根据适当的定时上下运动。
图11A-11E说明了把粘合片13粘在托架17上的程序。首先，制备托架17和粘合片13，所述托架17和粘合片13的两个表面由保护膜29和30覆盖(图11A)。
然后，剥离保护薄30的部分并使其与托架17的粘合片放置凹槽部分17a的底面相接触，随后辊子31在保护膜29上旋转，同时拉紧保护膜30的一个末端，因此把粘合片13粘于托架17的粘合片放置凹槽部分17a的内部(图11B和11C)。
其次，剥离保护薄29(图11D)。
能够根据上述程序获得托架17，所述托架17在放置基底9的表面上设有粘合片13(图11E)。
为了在把基底9放在托架17的过程中增强基底9和托架17之间的粘合，有时托架17A优选地具有凸面形状，所述凸面形状具有凸面部分17b的表面，所述凸面部分17b的表面的中心部分在图中的横向弯曲并突出。图12A-12E说明了在上述情况下把粘合片13粘附于托架17上的过程。首先，制成凸面托架17A和粘合片13，所属托架17和粘合片13的两个表面由保护膜29和30覆盖(图12A)。
随后，剥离保膜30的一部分并使其与托架17A相接触，辊子31随后在保护膜29上旋转，同时拉紧保护膜30的一末端，因此把粘合片13粘附于托架17上(图12B和12C)。
然后，剥离保护膜29(图12D)。根据上述程序能够获得凸面托架17A，所述托架17在其放置基底9的表面上设有粘合片13(图12E)。
如图27所示，可以把基底9放在托架17A的粘合片13上并在基底9上旋转滚轮131，以去除基底9和粘合片13之间的缝隙。
图13和图14A-14C说明了另一个在托架17上放置基底9的过程的实例。
图13是托架17的透视图，其中，例如在粘合片-放置凹槽部分17a的底表面上设置了通孔32，通孔32上下移动起模针33。首先，托架17和基底9被输送至基底放置站27上(见图9)，随后基底9在托架17上固定(图14A)。此时，起模针33放在托架17的外围部分附近，所述起模针33在设置在托架17上的内部通孔32中上下移动。因此，基底9以向托架17突出的凸面形状变形。然后，起模针33逐渐向下移动，并且基底9的中心周围与设在托架17的表面上的粘合片13相接触(图14B)。
通过进一步向下移动起模针33，能够使基底9几乎完整的一个表面与设在托架17的表面上的粘合片13相接触(图14C)。
通过使用上述程序，可以防止基底9和粘合片13之间产生缝隙(换言之，没有泡沫进入)。
图15A-15C说明了把基底9放置在托架17A上的过程的另一个实例。首先，托架17和基底9被输送至基底放置站27上(见图9)，随后基底9在托架17上固定(图15A)。此时，起模针33放在托架17A的外围部分附近，所述起模针33在设置在托架17上的内部通孔32中上下移动。因此，基底9以向托架17A突出的凸面形状变形。
随后，起模针33逐渐向下移动，基底9的中心周围与设在托架17A的表面上的粘合片13相接触(图15B)。
通过进一步向下移动起模针33，能够使基底9几乎完整的一个表面与设在托架17A的表面上的粘合片13相接触(图15C)。在此实例中，由于使用凸面托架17A，即使在处理不易变形的基底9时，基底能够自发地从基底9的中心周围可靠地与粘合片13相接触，并且能够减少基底9和粘合片13之间的缝隙发生的可能性。
图16A-16C说明了把基底9放置在托架17A上的过程的另一个实例。托架17和基底9被输送至基底放置站27上(见图9)，随后基底9在托架17A上固定(图16A)。在这个实例中，基底9由一种不易变形的材料组成，因此，基底9朝向托架17A凸出的变形度极大地小于在图14A-14C和15A和15C的情况下基底9。
其次，起模针33逐渐向下移动，并且基底9的中心周围与设在托架17A的表面上的粘合片13相接触(图16B)。
然后，通过多个夹具升降条34向下移动框形或杆形紧固夹具35，所述夹具35能够接触基底9的外围部分，然后向托架17A挤压基底9的外围部分，使基底9几乎完整的一个表面与设在托架17A的表面上的粘合片13相接触的(图16C)。
在此实例中，由于采用凸面托架17A，因此，即使处理不易变形的基底9，基底9能够自发地从基底9的中心周围可靠地与粘合片13相接触，并且能够减少基底9和粘合片13之间的缝隙发生的可能性。当把托架17A输送至真空容器1中，优选地，所述基底9的外围部分通过紧固夹具35保持向托架17A挤压的情况下输送托架17A。
图17A-17C也说明了把基底9放置在托架17上的过程的另一个实例。首先，托架17和基底9被输送至基底放置站27上(见图9)，随后，基底9在托架17上固定(图17A)。在这个实例中，在托架17上设有多个排放孔36。然后，起模针33向下移动，同时通过排放部件150排放基底9和托架17之间的气体，并且基底9的中心周围与设在托架17的表面上的粘合片13相接触(图17B)。
通过进一步向下移动起模针33，使基底9几乎完整的一个表面与设在托架17的表面上的粘合片13相接触(图17C)。在此实例中，排放基底9和托架17之间气体的同时进行接触过程，因此，在基底9和粘合片13之间气体的发生可能性很低，有一个优点是很少在基底9和粘合片13之间产生泡沫。
需要指出，基底放置站27(见图9)也可以设在第二真空容器之内。在这样的情况下有一个优点，即泡沫很少可能在基底9和粘合片13之间介入。
还可以将排放孔36仅设在托架17的中心部分，如图28所示，因此基底9仅在它的中心部分抽吸至粘性片13上，从而从中心连续地附加至基底9的外围部分，因此更有效地消除缝隙或泡沫。
仅通过实例已说明了本发明的前述实施方案，目的是说明在本发明的应用范围内的一些关于真空容器(室)的构造的许多变化、等离子源的系统和安排等。勿庸质疑，除了上面说明了的那些以外，对于本发明的应用，还可以进行许多变化。
虽然前述实施方案是针对应用于干蚀刻的情况下进行举例说明，但是本发明当然可应用于化学气相沉积(CVD)、阴极溅镀或其它等离子加工。
而且，前述实施方案是针对真空容器内部压力为3Pa的情况下进行举例说明。然而，在现有技术实例中，基底和基底电极之间、基底和托架之间或托架和基底电极物质之间的热交换的过压范围通常500Pa或较低，因此本发明对这种压力范围尤其有效。
进一步，虽然针对处理放在托架上的基底上的薄膜情况举例说明了前述实施方案，但是本发明在基底本身被处理情况下也是可应用的。
另外，虽然针对粘合片设在托架的一侧的情况举例说明了前述实施方案，但是粘合片如图18所示设在托架的两侧也是可能的。在这种情况下，不必把任何粘合片设在基底电极的表面上，因此更容易代替粘合片。
此外，虽然针对粘合片的热导率为0.2W/m·K的情况举例说明了前述实施方案。然而，为了增强基底与基底电极之间、基底与托架之间或托架和基底电极之间的热交换，粘合片的热导率优选地不小于0.1W/m·K。
另外，虽然针对粘合片的ASKER C为60的情况举例说明了前述实施方案。然而，为了增强基底与基底电极之间、基底与托架之间或托架与基底电极之间的热交换，粘合片的ASKER C优选地不大于80。在ASKER C大于80的情况下，粘性将变得更弱，进而导致热交换能力降低。
此外，虽然针对粘合片的硬度为55的情况举例说明了前述实施方案。然而，为了增强基底与基底电极之间、基底与托架之间或托架与基底电极之间的热交换，粘合片的硬度优选地为50-60。当粘合片的硬度低于50时，粘合片太柔软，使得泡沫容易进入粘性表面。相反，当粘合片的硬度高于60时，粘合片太硬，导致粘性较弱。
另外，虽然针对粘合片的厚度为0.2mm的情况举例说明了前述实施方案。然而，为了增强基底与基底电极之间、基底与托架之间或托架与基底电极之间的热交换，粘合片的厚度优选地为0.05-0.5mm。当粘合片的厚度小于0.05mm时，粘合片将不容易处理，使得进行把粘合片粘附于基底电极或托架的步骤非常困难，同时粘合片本身在缓冲性能方面将是不充分的，从而很难获得平整度，结果使冷却效率恶化。相反，当粘合片的厚度大于0.5mm时，抗热将变得较大，导致热交换能力降低。
此外，虽然针对基底由聚酰亚胺树脂组成的情况下举例说明了前述实施方案，但是，本发明适用于使用多种基底的情况。当使用导电基底时，基底的温度可能通过静电抽吸而控制至某种程度。因此，当基底是电介质时，本发明特别有效。这种情况的实例可以包括基底由玻璃、陶瓷、树脂片等组成的情况下。
此外，虽然针对基底的厚度是0.4mm的情况举例说明了前述实施方案。然而，当基底的厚度为0.001-1mm时，本发明是特别有效的，而且当基底的厚度为0.001-0.5mm时，本发明更加特别有效。当基底的厚度小于0.001mm时，基底运输进行变得十分困难。相反，当基底的厚度大于1mm时，基底的热容量较大，因此在加工过程中基底的温度变化变得相对较小。当高频动力较小时(例如，大约100W)，即使基底的厚度为0.5-1mm，基底在热容量上较大，因此在处理下基底的温度变化成为相对较小的。另外，使用大尺寸、薄而坚固的、易于破裂的基底(硅、玻璃、陶瓷等)时，特别当基底具有不大于1mm的厚度和不小于0.1m2的面积时，使用所述现有技术中作为加热介质的气体是困难的，因此本发明是特别有效的。
另外，针对基底具有0.0004m的厚度h、3GPa的杨氏模量E、0.3的泊松比率v和具有0.15m的直径的圆形的情况举例说明了前述实施方案。然而，本发明是等离子加工方法，所述方法特别当600×(1-v2)a4/(256×Eh3)＞0.005(m)时是有效的，其中E(Pa)是基底的杨氏模量，v是基底的泊松比率，a(m)是基底的特征长度，h(m)是基底的厚度。即，当处理满足上面有关的表达式的基底时，本发明产生特别大的效果。
通常，假设圆盘具有E(Pa)的杨氏模量、v的泊松比、a(m)的直径和h(m)的厚度、p(Pa)的均匀分布的载荷，当施加于固定在圆盘周边的圆盘时，导致在圆盘的中心3×(1-v2)pa4/(256×Eh3)(m)的弯曲量。众所周知，通常，为了通过把作为加热介质的气体供应至基底和基底电极之间而实现基底的温度控制，200Pa或更高的气体压力是必要的，所述基底电极具有由夹紧环固定在其周边的基底。
因此，满足表达式600×(1-v2)a4/(256×Eh3)＞0.005的基底表示此基底在使用200Pa气体压力时，其周边被固定并将导致0.005m(＝5mm)或更多的弯曲。这样大的变形的发生可能不仅损坏加工的均匀性，而且也引起基底和基底电极之间形成的空间中发生异常放电，此外还可能引起在基底上制成的设备由于应力而碎裂。
上面已经对圆形基底做了的说明。另外，对于矩形或其它形状，根据它们的特征长度(例如，矩形的对角线)，近似通过表达式600×(1-v2)a4/(256×Eh3)＞0.005，能够确定本发明产生巨大应用影响的范围。相反，在基底不能满足上面的表达式的情况下，即使用气体作为加热介质，那些基底不易变形，在一些情况下，可以不用应用本发明而通过传统方法进行处理。
本发明上述实施方案的修改例示于图31-33中。在图31-33中，多个树脂带130通过预定间隙放置在基底电极6的表面上，随后粘合片13C放置在所述多个树脂带130和基底电极6的表面上，以通过粘合片13C的粘附力将粘合片13C固定在所述多个树脂带130和基底电极6的表面上。在这种状态下，在每个树脂带130与树脂带130两侧上的粘合片13C之间形成大约为条形的空间132，但是在粘合片13C的上表面上，由多个树脂带130限定的不平坦形状被通过粘合片13C自身输送，同时由多个树脂带130限定的不平坦形状的差异水平略微减小，从而在粘合片13C获得了不平坦的上表面。
如图33所示，每个树脂带130的两端都从粘合片13C所处区域凸出，因而在每个树脂带130与粘合片13C之间限定的大约为条形的空间132对于粘合片13C周围敞开，不会被粘合片13C关闭。结果，在将粘合片13C粘在基底电极6上时，当真空室内被抽空时，基底电极侧上的大约为条形的空间132中的空气通过大约为条形的空间132排出，从而可以防止粘合片13C由于泡沫膨胀而受损。
当基底9被放置在粘合片13C的不平坦表面上，从而通过粘合片13C的粘附力将基底9固定在粘合片13C上时，由粘合片13C的不平坦上表面和基底9的下表面限定大约为条形的空间131，同时空间131的两端在其纵向敞开。因此，当基底9被放置在粘合片13C上时，当真空室内被抽空时，大约为条形的空间131中的空气通过大约为条形的空间131排出，从而可以防止粘合片13C由于泡沫膨胀而受损。
为了在粘合片13C的上表面形成这种不平坦表面，除了提供上述树脂带130，可以在基底电极6自身表面上形成凹槽。上述防止泡沫膨胀的方法可以用在托架与基底之间的位置或者基底电极与托架之间的位置。
从上述说明中可以看出，根据本发明的第一方面的等离子加工方法，提供了一种等离子加工方法，其包括抽空真空室的内部并把气体供应至真空室，在真空室产生等离子，同时把真空室内部控制至特定的压力；处理真空室内基底电极上放置的基底或基底上的薄膜，同时通过粘合片在基底与基底电极之间进行热交换，所述粘合片放在基底电极与基底之间。因此，能够提高基底的温度可控制性。
根据本发明的第二方面的等离子加工方法，提供一种等离子加工方法，其包括抽空真空室的内部并把气体供应至真空室，然后在真空室产生等离子，同时把真空室内部控制至特定的压力；和处理真空室内基底电极上放置的托架上的基底或基底上的薄膜，同时通过粘合片在托架与基底电极之间进行热交换，所述粘合片放在托架与基底之间。因此，能够提高基底的温度可控制性。
根据本发明的第四方面的等离子加工方法，提供一种等离子加工方法包括把基底输送至真空室；固定基底，同时在真空室内使基底以凸面形状朝向基底电极变形；使以凸面形状变形的基底中心部分周围与设在基底电极的表面上的粘合片相接触；使基底几乎完整的一个表面与设在基底电极的表面上的粘合片相接触；和通过抽空真空室内部并把气体供应至真空室，然后在真空室产生等离子体，同时把真空室内部控制至特定的压力，从而处理基底或基底上的薄膜。因此，能够提高基底的温度可控制性。
根据本发明的第五方面的等离子加工方法，提供一种等离子加工方法，其包括把基底输送至真空室；在真空室的凸面的基底电极上固定基底；使基底中心部分周围与设在基底电极的表面上的粘合片相接触；通过将基底的外部边缘挤压在基底电极上，使基底几乎完整的一个表面与设在基底电极的表面上的粘合片相接触；和通过抽空真空室内部并把气体供应至真空室，然后在真空室产生等离子体，同时把真空室内部控制至特定的压力，从而处理基底或放在基底上的薄膜。因此，能够提高基底的温度可控制性。
根据本发明的第六方面的等离子加工方法，提供一种等离子加工方法，其包括使基底几乎完整的一个表面与设在托架的表面上的粘合片相接触；把托架输送至真空室中；把托架固定在真空室内基底电极上；把托架放置在基底电极上；和通过抽空真空室内部并把气体供应至真空室，然后在真空室产生等离子体，同时把真空室内部控制至特定的压力，从而处理基底或放在基底上的薄膜。因此，能够提高基底的温度可控制性。
根据本发明的第十六方面的等离子加工设备，提供一种等离子加工设备，其包括真空室；气体供应部件，其用于把气体供应至真空室中；排放部件，其用于排放真空室内部中的气体；压力调节阀，其用于把真空室内部控制至特定压力；基底电极，其用于在真空室中把基底放在其上；高频电源，其能够把高频电力施加至基底电极或等离子源；和粘合片，其放置在基底电极的表面并且其上放置了基底。因此，能够提高基底的温度可控制性。
根据本发明的第十七方面的等离子加工设备，提供等离子加工设备，其包括基底安装站，其用于把基底放在托架上，所述托架具有设有粘合片的表面；真空室；气体供应部件，其用于把气体供应至真空室中；排放部件，其用于排放真空室内部中的气体；压力调节阀，其用于把真空室内部控制至特定的压力；基底电极，其用于在真空室内在其上放置托架；和高频电源，其能够把高频电力供应至基底电极或等离子源。因此，能够提高基底的温度可控制性。
根据本发明的第二十二方面的等离子加工托架，提供一种用于等离子加工的托架，其用于等离子加工，其包括粘合片，其放在放置基底的表面上。因此，能够提高基底的温度可控制性。
此外，适当地从上述多种实施方案联合任何任意的实施方案一起使得它们各自产生影响。
虽然参照附图与其优选实施方案结合已经充分地说明了本发明，但是，应该指出对那些熟悉本技术的人来说，多种变化和修改是显而易见的。这样的变化和修改应理解为包括在本发明的范围之内，本发明的范围由附加的权利要求书所确定。
权利要求
1.一种等离子加工方法，其包括抽空真空室的内部并把气体供应至真空室，并在真空室中产生等离子体，同时把真空室内部控制至特定的压力；和对真空室内基底电极上放置的基底或基底上的薄膜进行处理，同时通过粘合片在基底与基底电极之间进行热交换，所述粘合片放置在基底电极与基底之间。
2.一种等离子加工方法，其包括抽空真空室的内部并把气体供应至真空室，然后在真空室中产生等离子体，同时把真空室内部控制至特定的压力；和对真空室内基底电极上放置的托架上的基底或基底上的薄膜进行处理，同时通过粘合片在托架与基底之间进行热交换，所述粘合片放置在托架与基底之间。
3.根据权利要求2所述的等离子加工方法，其中对基底或基底上的薄膜进行处理，同时通过粘合片在基底电极与托架之间进行热交换，所述粘合片放置在基底电极与托架之间。
4.一种等离子加工方法，其包括把基底输送至真空室中；固定基底，同时在真空室内朝向基底电极以凸面形状使基底变形；使以凸面形状变形的基底中心部分周围与设在基底电极表面上的粘合片相接触；使基底几乎完整的一个表面与设在基底电极表面上的粘合片相接触；和通过抽空真空室内部并把气体供应至真空室，然后在真空室产生等离子体，同时把真空室内部控制在特定的压力，从而处理基底或放在基底上的薄膜。
5.一种等离子加工方法，其包括把基底输送至真空室中；在真空室中的凸面的基底电极上固定基底；使基底中心部分周围与设在基底电极表面的粘合片相接触；通过将基底的外部边缘部分挤压在基底电极上，使基底几乎完整的一个表面与设在基底电极表面的粘合片相接触；和通过抽空真空室内部并把气体供应至真空室，然后在真空室中产生等离子体，同时把真空室内部控制至特定的压力，从而处理基底或基底上的薄膜。
6.一种等离子加工方法，其包括使基底几乎完整的一个表面与设在托架表面上的粘合片相接触；把托架输送至真空室；把托架固定在真空室内基底电极上；把托架放置在基底电极上；和通过抽空真空室内部并把气体供应至真空室，然后在真空室产生等离子体，同时把真空室内部控制至特定的压力，从而处理基底或放在基底上的薄膜。
7.根据权利要求1所述的等离子加工方法，其中粘合片具有不小于0.1W/m·K的热导率。
8.根据权利要求1所述的等离子加工方法，其中粘合片具有不大于80的Asker C。
9.根据权利要求1所述的等离子加工方法，其中粘合片具有50-60的硬度。
10.根据权利要求1所述的等离子加工方法，其中粘合片具有0.05-0.5mm的厚度。
11.根据权利要求1所述的等离子加工方法，其中基底由玻璃或陶瓷制成。
12.根据权利要求1所述的等离子加工方法，其中基底是树脂片。
13.根据权利要求1所述的等离子加工方法，其中基底具有0.001-1mm的厚度。
14.根据权利要求1所述的等离子加工方法，其中基底具有0.001-0.5mm的厚度。
15.根据权利要求1所述的等离子加工方法，其中，假设基底具有杨氏模量E(Pa)，基底具有泊松比v，基底具有特征长度a(m)，并且基底具有厚度h(m)，则确定表达式600×(1-v2)a4/(256×Eh3)＞0.005(m)。
16.一种等离子加工设备，其包括真空室；气体供应部件，其用于把气体供应至真空室；排放部件，其用于排放真空室内部的气体；压力调节阀，其用于把真空室内部控制至特定压力；基底电极，其用于在真空室中把基底放在其上；高频电源，其能够把高频电力提供至基底电极或等离子源；和粘合片，其放置在基底电极表面上并把基底放在其上。
17.一种等离子加工设备，包括基底安装站，其用于把基底放在托架上，所述托架具有设有粘合片的表面；真空室；气体供应部件，其用于把气体供应至真空室；排放部件，其用于排放真空室内部气体；压力调节阀，其用于把真空室内部控制至特定的压力；基底电极，其用于在真空室内把托架放置在其上；和高频电源，其能够把高频电力提供至基底电极或等离子源。
18.根据权利要求16所述的等离子加工设备，其中粘合片具有不小于0.1W/m·k热传导率。
19.根据权利要求16所述的等离子加工设备，其中粘合片具有不大于80的Asker C。
20.根据权利要求16所述的等离子加工设备，其中粘合片具有50-60的硬度。
21.根据权利要求16所述的等离子加工设备，其中粘合片具有0.05-0.5mm的厚度。
22.一种用于等离子加工的托架，所述等离子加工用于处理基底或放在基底上的薄膜，包括粘合片，其设置在放置基底的表面上。
23.根据权利要求22所述的等离子加工托架，其包括另一个粘合片，其设置在与放置基底的表面相对的表面上。
24.根据权利要求22所述的等离子加工托架，其中粘合片具有不小于0.1W/m·K的热导率。
25.根据权利要求22所述的等离子加工托架，其中粘合片具有不大于80的Asker C。
26.根据权利要求22所述的等离子加工托架，其中粘合片具有50-60的硬度。
27.根据权利要求22所述的等离子加工托架，其中粘合片具有0.05-0.5mm的厚度。
全文摘要
提供一种等离子加工方法和设备及等离子加工托架，其能够提高基底的温度可控制能力。如果真空室由泵抽空同时通过气体供应部件把特定的气体引入真空室，并且通过线圈使用高频电源把高频电力施加于线圈并同时把真空室的内部维持至特定的压力，然后在真空室产生等离子体，而且放在基底电极上的基底能够进行等离子加工。在这时，通过在基底电极和基底之间设有粘合片，能够提高基底的温度可控制能力。
文档编号H01L21/687GK1450604SQ0310954
公开日2003年10月22日 申请日期2003年4月9日 优先权日2002年4月9日
发明者奥村智洋, 新田敏也 申请人:松下电器产业株式会社