具消除高频噪声的负离子发生装置的制作方法

文档序号:6997033阅读:196来源:国知局
专利名称:具消除高频噪声的负离子发生装置的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种负离子发生装置,特别是一种具消除高频噪声的负离子发生装置。
背景技术
一种习知的负离子产生电路,如美国专利公告第4,873,083号[控制正、负离子平衡的空气离子机的方法及其电路]所揭示,该负离子产生电路包含有一电容及一旁路电阻,该电容是设于放电电极与变压器之间,以使放电电极与接地之间产生直流偏压,该旁路电阻是与该电容并联,以提供一接地路径导掉过高的偏压,该旁路电阻是一可变电阻,其阻值是由该空气离子机量测空气环境反馈的值所决定,以提供所需的偏压,使产生正、负离子的浓度平衡,但该变压器是用以产生高电压,在产生高电压时,会伴随产生高频,在该专利案中并未揭示有如何防止该变压器所产生的高频。
此外,台湾专利公告第287736号[负离子产生器]所揭示的负离子产生电路,其亦未揭示如何防止高频的产生。

发明内容
本实用新型的主要目的是在于提供一种能消除危害人体的高频及高频辐射,并减少高频噪声外泄的具消除高频噪声的负离子发生装置。
本实用新型的具消除高频噪声的负离子发生装置是由如下技术方案来实现的。
方案1
一种具消除高频噪声的负离子发生装置,包含一电源指示电路,其是用以显示电源开/关;一间歇振荡电路,其是具有一变压器及一振荡回路,该变压器是用以产生高压,该高压是经该振荡回路产生共振频率,该振荡回路具有一晶体管,该晶体管具有一基极、一集电极及一射极,该晶体管的基极与集电极是电性连接该变压器;一倍压回路,其是连接有至少一放电电极,该倍压回路是用以整流经该间歇振荡电路的电流,并经该放电电极以形成负离子放电;其特征是设有一高频消除电路,其是具有一第四电容及一第二线圈,该第四电容是与该第二线圈并联连接,该第二线圈是串联连接该晶体管的射极,该第四电容是电性连接该晶体管的基极。
所述的具消除高频噪声的负离子发生装置,其特征是另包含有一高频滤波电路,其是具有一第一电容、一第二电容及一第一线圈,该高频滤波电路是设于该电源指示电路与该间歇振荡电路之间。
所述的具消除高频噪声的负离子发生装置,其特征是该间歇振荡电路具有一第三电容,其是电性连接该晶体管的基极与该变压器。
方案2一种具消除高频噪声的负离子发生装置,包含一电源指示电路,其是用以显示电源开/关;一间歇振荡电路,其是具有一变压器及一振荡回路,该电源指示电路输出的电流是输入该间歇振荡电路,该变压器是用以产生高压,该高压是经该振荡回路产生共振频率,该振荡回路具有一晶体管,该晶体管具有一基极、一集电极及一射极,该晶体管的基极与集电极是电性连接该变压器;一倍压回路,其是连接有至少一放电电极,该倍压回路是用以整流经该间歇振荡电路升压后的电流,并经该放电电极以形成负离子放电;其特征是设有一高频滤波电路,其是具有一第一电容、一第二电容及一第一线圈,该高频滤波电路是设于该电源指示电路与该间歇振荡电路之间。
所述的具消除高频噪声的负离子发生装置,其特征是该间歇振荡电路具有一第三电容,其是电性连接该晶体管的基极与该变压器。
方案3一种具消除高频噪声的负离子发生装置,包含一电源指示电路,其是用以显示电源开/关;一间歇振荡电路,其是具有一变压器及一振荡回路,该电源指示电路输出的电流是输入该间歇振荡电路,该变压器是用以产生高压,该高压是经该振「荡回路产生共振频率,该振荡回路具有一晶体管,该晶体管具有一基极、一集电极及一射极,该晶体管的基极与集电极是电性连接该变压器;一倍压回路,其是连接有至少一放电电极,该倍压回路是用以整流经该间歇振荡电路的电流,并经该放电电极以形成负离子放电;其特征是设有一高频消除电路,其是具有一第四电容及一第二线圈,该第四电容是与该第二线圈并联连接,该第二线圈是串联连接该晶体管的射极,该第四电容是电性连接该晶体管的基极及一罩体,其是包围该变压器、该晶体管及该高频消除电路的第二线圈。
所述的具消除高频噪声的负离子发生装置,其特征是另包含有一高频滤波电路,其是具有一第一电容、一第二电容及一第一线圈,该高频滤波电路是设于该电源指示电路与该间歇振荡电路之间。
所述的具消除高频噪声的负离子发生装置,其特征是该间歇振荡电路具有一第三电容,其是电性连接该晶体管的基极与该变压器。
所述的具消除高频噪声的负离子发生装置,其特征是该一罩体的材质为金属。
本实用新型的具消除高频噪声的负离子发生装置,其是包含一电源指示电路、一间歇振荡电路、一倍压回路及一高频消除电路,其中该电源指示电路是用以显示电源开/关,该间歇振荡电路是具有一变压器及一振荡回路,该电源指示电路输出的电流是输入该间歇振荡电路,该变压器是用以产生高压,该高压是经该振荡回路产生共振频率,该振荡回路具有一晶体管,该晶体管具有一基极、一集电极及一射极,该晶体管的基极与集电极是电性连接该变压器,该倍压回路连接有至少一放电电极,该倍压回路是用以整流经该间歇振荡电路的电流,并经该放电电极以形成负离子放电,该高频消除电路是具有一第四电容及一第二线圈,该第四电容是与该第二线圈并联连接,该第四电容是电性连接该晶体管的基极,该第二线圈是串联连接该晶体管的射极,该第四电容将高频旁路导入地端,该第二线圈产生的电感对于高频呈现高阻抗特性,使高频不会经由该间歇振荡电路的晶体管而被放大,以有效达成消除间歇振荡电路所产生有危害人体的高频的功能。
本实用新型的优点在于1、利用一高频消除电路的一电容将高频旁路到地端,一线圈串联连接该晶体管,该线圈产生的电感对于高频呈现高阻抗特性,使高频不会经由该间歇振荡电路的晶体管而被放大,以有效达成消除间歇振荡电路所产生的危害人体的高频。
2、利用一具有线圈、第一电容及第二电容的π型高频滤波电路,使高频讯号旁路导入地端并被该线圈阻挡,而减少高频噪声外泄的机会。
3、利用一罩体以包围一具产生高频噪声的负离子电路的变压器、晶体管及高频消除电路的线圈,以产生屏蔽效应[shielding effectiveness],消除该负离子装置的高频辐射。
为对本实用新型的结构、特征及其功效有进一步了解,兹列举具体实施例并结合附图详细说明如下
图1是本实用新型的电路示意图。
图2是本实用新型的电路、间歇振荡电路的波形示意图。
图3是一种随身携带式的负离子发生机的示意图。
具体实施方式
依本实用新型的一具体实施例,请参阅图1,一种具消除高频噪声的负离子发生装置包含一电源指示电路11、一间歇振荡电路13、一倍压回路15及一高频消除电路16,较佳地,该负离子电路另包含有一高频滤波电路12,其中该电源指示电路11是用以显示电源开/关,该电源指示电路11具有一开关SW1、一第一电阻R1及一发光二极管LED1,当开关SW1在通路[ON]的状态时,电流经该第一电阻R1,以使该发光二极管LED1导通而点亮,该电流并输入该高频滤波电路12,该高频滤波电路12是一π型电路,其是具有一第一线圈L1、一第一电容C1及一第二电容C2,并将该第一电容C1及该第二电容C2接地,因该第一电容C1与该第二电容C2对高频呈现低阻抗的现象,所以当高频产生时,高频讯号将被该第一线圈L1阻挡,而减少高频噪声外泄及干扰的机会,该电流再传输入该间歇振荡电路13时,该间歇振荡电路13是具有一变压器T1及一振荡回路14,该变压器T1是具有一初级线圈N1、一正反馈线圈N2、一次级线圈N3、一第五电容C5,用以产生高压,该高压经该振荡回路14产生共振频率,该振荡回路14具有一晶体管Q1、一第二电阻R2、一第三电阻R3及一第三电容C3,该晶体管Q1具有一基极、一集电极及一射极,该晶体管Q1的基极与集电极是电性连接该变压器T1,请同时参阅图2,其为该间歇振荡电路13的波形示意图,于导通时间t1的工作流程时,电流输入间歇振荡电路13,并经该正反馈线图N2、该第二电阻R2及该第三电容C3,使该晶体管Q1的基极由OFF状态转成通路[ON]的状态,而导通时间t1是由该第二电阻R2及该第三电容C3决定,电流经该第二电阻R2向该第三电容C3充电,随着该第三电容C3逐渐充电饱和时,流入晶体管Q1的基极电流即会逐渐变小,导致晶体管Q1的集级电流也从大变小,再进入截止时间t2的工作流程,当该第三电容C3逐渐充电饱和时,晶体管Q1的电流即由大变小,此时该正反馈线圈N2将感应一反电动势并释出负电压,进而促使晶体管Q1由通路[ON]状态切入断路[OFF]的截止状态,截止时间t2由该第三电阻R3及该第三电容C3决定,并使该第三电容C3流向该第三电阻R3的电压下降至零电位,当变压器T1的次级线圈N3与初级线圈N1的比值[N3/N1]大于1时,即控制间歇振荡电路13达成升压的目的,当电压再次升压,电流会流经正反馈线圈N2、该第二电阻R2及该第三电容C3,而再次使晶体管Q1导通,形成一周而复始之间歇振荡。
在本实施例中,该倍压回路15是具有一第六电容C5、一第七电容C7、一第八电容C8及一第九电容C9,该第六电容C6至该第九电容C9间并联有一第一二极管D1、一第二二极管D2、一第三二极管D3、一第四二极管D4,该倍压回路15并连接有一第四电阻R4及至少一放电电极17,该放电电极17是对应一放电片18,该倍压回路15是用以整流该次级线圈N3升压的电流,并经该放电电极17与放电片18与以形成负离子放电,间歇振荡电路13于工作时,除了产生基波频率以外,也产生许多不要的高频,此高频频率将导致辐射外泄,造成不良影响,于间歇振荡电路13一侧连接该高频消除电路16,该高频消除电路16是具有一第四电容C4及一第二线圈L2,该第四电容C4是与该第二线圈L2并联连接,该第四电容C4是电性连接该晶体管Q1的基极,该第二线圈L2是串联连接该晶体管Q1的射极,该第四电容C4将高频导入地端,该第二线圈L2产生的电感对于高频呈现高阻抗特性,使高频不会经由该间歇振荡电路13的晶体管Q1而被放大,以有效达成消除间歇振荡电路13所产生有危害人体的高频的功能。
一种利用本实用新型的具消除高频噪声的负离子发生装置所制作的装置,除了包含上述的电路设计,以达到消除危害人体的高频外,另包含有一罩体19,其材质是铁、铝、铜等金属并包围该变压器T1、该晶体管Q1及该高频消除电路16的第二线圈L2,以产生屏蔽效应[shielding effectiveness],消除该负离子装置的高频辐射。并且上述的具消除高频噪声的负离子发生装置是可装设于如图3所示的随身携带式的负离子产生机100或其它电子产品,以达到产生负离子及消除高频噪声的功效。
本实用新型的保护范围当视权利要求所界定者为准,任何熟知此项技艺者,在不脱离本实用新型的精神和范围内所作的任何变化与修改,均属于本实用新型的保护范围。
权利要求1.一种具消除高频噪声的负离子发生装置,包含一电源指示电路,其是用以显示电源开/关;一间歇振荡电路,其是具有一变压器及一振荡回路,该变压器是用以产生高压,该高压是经该振荡回路产生共振频率,该振荡回路具有一晶体管,该晶体管具有一基极、一集电极及一射极,该晶体管的基极与集电极是电性连接该变压器;一倍压回路,其是连接有至少一放电电极,该倍压回路是用以整流经该间歇振荡电路的电流,并经该放电电极以形成负离子放电;其特征是设有一高频消除电路,其是具有一第四电容及一第二线圈,该第四电容是与该第二线圈并联连接,该第二线圈是串联连接该晶体管的射极,该第四电容是电性连接该晶体管的基极。
2.根据权利要求1所述的具消除高频噪声的负离子发生装置,其特征是另包含有一高频滤波电路,其是具有一第一电容、一第二电容及一第一线圈,该高频滤波电路是设于该电源指示电路与该间歇振荡电路之间。
3.根据权利要求1所述的具消除高频噪声的负离子发生装置,其特征是该间歇振荡电路具有一第三电容,其是电性连接该晶体管的基极与该变压器。
4.一种具消除高频噪声的负离子发生装置,包含一电源指示电路,其是用以显示电源开/关;一间歇振荡电路,其是具有一变压器及一振荡回路,该电源指示电路输出的电流是输入该间歇振荡电路,该变压器是用以产生高压,该高压是经该振荡回路产生共振频率,该振荡回路具有一晶体管,该晶体管具有一基极、一集电极及一射极,该晶体管的基极与集电极是电性连接该变压器;一倍压回路,其是连接有至少一放电电极,该倍压回路是用以整流经该间歇振荡电路升压后的电流,并经该放电电极以形成负离子放电;其特征是设有一高频滤波电路,其是具有一第一电容、一第二电容及一第一线圈,该高频滤波电路是设于该电源指示电路与该间歇振荡电路之间。
5.根据权利要求4所述的具消除高频噪声的负离子发生装置,其特征是该间歇振荡电路具有一第三电容,其是电性连接该晶体管的基极与该变压器。
6.一种具消除高频噪声的负离子装置,包含一电源指示电路,其是用以显示电源开/关;一间歇振荡电路,其是具有一变压器及一振荡回路,该电源指示电路输出的电流是输入该间歇振荡电路,该变压器是用以产生高压,该高压是经该振「荡回路产生共振频率,该振荡回路具有一晶体管,该晶体管具有一基极、一集电极及一射极,该晶体管的基极与集电极是电性连接该变压器;一倍压回路,其是连接有至少一放电电极,该倍压回路是用以整流经该间歇振荡电路的电流,并经该放电电极以形成负离子放电;其特征是设有一高频消除电路,其是具有一第四电容及一第二线圈,该第四电容是与该第二线圈并联连接,该第二线圈是串联连接该晶体管的射极,该第四电容是电性连接该晶体管的基极及一罩体,其是包围该变压器、该晶体管及该高频消除电路的第二线圈。
7.根据权利要求6所述的具消除高频噪声的负离子发生装置,其特征是另包含有一高频滤波电路,其是具有一第一电容、一第二电容及一第一线圈,该高频滤波电路是设于该电源指示电路与该间歇振荡电路之间。
8.根据权利要求6所述的具消除高频噪声的负离子发生装置,其特征是该间歇振荡电路具有一第三电容,其是电性连接该晶体管的基极与该变压器。
9.根据权利要求6所述的具消除高频噪声的负离子发生装置,其特征是该一罩体的材质为金属。
专利摘要一种具消除高频噪声的负离子发生装置其是包含一电源指示电路、一间歇振荡电路、一倍压回路及一高频消除电路,该电源指示电路、该间歇振荡电路及该倍压回路是用以形成负离子放电,该高频消除电路是利用一电容的作动使该高频被一线圈阻遏,该高频是不会经由该间歇振荡电路的晶体管而被放大,因该线圈产生的电感对于高频呈现高阻抗特性,所以有效达成消除间歇振荡电路所产生的高频的功能。
文档编号H01T23/00GK2650362SQ0320928
公开日2004年10月20日 申请日期2003年9月10日 优先权日2003年9月10日
发明者谢新茂 申请人:协禧电机股份有限公司
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