一种自带散热风扇的mos三极管的制作方法

专利名称:一种自带散热风扇的mos三极管的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种自带散热风扇的MOS三极管，包括上壳体、栅极外接安装片、下壳体、散热风扇，上壳体外表面设置有散热风扇，散热风扇下方设置有变压器，上壳体下方是下壳体，上壳体与下壳体内部中央填充有栅极金属，栅极金属上表面连接到栅极外接安装片，栅极外接安装片中央开设有三极管安装孔，栅极金属下表面填充有氧化物，氧化物底部填充半导体，半导体一侧的内部分别填充有漏极和源级，漏极金属、漏极和源级外部分别连接有引脚。有益效果在于：能够实现MOS管工作的时候同步控制散热风扇的工作，边工作边上散热，无需添加风扇的额外控制电路，延长了晶体管的使用寿命。
【专利说明】
一种自带散热风扇的MOS三极管
技术领域
[0001]本实用新型属于晶体管优化设计领域，具体涉及一种自带散热风扇的MOS三极管。
【背景技术】
[0002]双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，再输出端输出一个大的电流变化，双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比。另一种晶体管，叫做场效应管，把输入电压的变化转化为输出电流的变化，定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，而P沟道常见的为低压Mos管。场效应管的名字也来源于它的输入端通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流，事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体晶体管或金属氧化物半导体场效应管。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态，这也是导致MOS管发热的一个原因，而一般的MOS管散热性还较差，有待优化设计。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的就在于为了解决上述问题而提供一种自带散热风扇的MOS三极管。
[0004]本实用新型通过以下技术方案来实现上述目的:
[0005]—种自带散热风扇的MOS三极管，包括上壳体、栅极外接安装片、下壳体、散热风扇，上壳体外表面设置有散热风扇，散热风扇下方设置有变压器，上壳体下方是下壳体，上壳体与下壳体内部中央填充有栅极金属，栅极金属上表面连接到栅极外接安装片，栅极外接安装片中央开设有三极管安装孔，栅极金属下表面填充有氧化物，氧化物底部填充半导体，半导体一侧的内部分别填充有漏极和源级，漏极金属、漏极和源级外部分别连接有引脚。
[0006]上述结构中，将漏极和源级的外部引脚分别接入电路组成一个闭合通路，将栅极外接安装片通过三极管安装孔固定特定装备的内部并接地，再将栅极金属的外部引脚接入控制电路，调节控制电路，控制栅极金属与半导体之间的电压值，达到阈值电压后氧化物就会成为漏极和源级中间的连接导体，实现电流流通，一旦电流流通，散热风扇的外接导线就会出现电流流通，经变压器进行变压后进入到散热风扇内，实现边工作边降温。
[0007]为了进一步提高散热效率，散热风扇的壳体周边用螺钉固定在上壳体表面，散热风扇的电机通过导线连接到变压器，变压器再外部伸出两根导线分别连接漏极、源级外部的引脚，上壳体与下壳体通过卡槽配合安装。
[0008]为了进一步提高散热效率，栅极外接安装片焊接在栅极金属上表面并由上壳体和下壳体夹紧安装，三极管安装孔以通孔的形式开设在栅极外接安装片中央。
[0009]为了进一步提高散热效率，氧化物与栅极金属通过导电胶粘贴在一起，半导体与氧化物通过导电胶粘贴在一起，半导体上表面开设有两个方形槽，漏极和源级分别通过绝缘胶粘贴在方形槽内部，引脚分别嵌入栅极金属、漏极和源级的内部并伸出到三极管外部。
[0010]有益效果在于:能够实现MOS管工作的时候同步控制散热风扇的工作，边工作边上散热，无需添加风扇的额外控制电路，延长了晶体管的使用寿命。
【附图说明】

[0011 ]图1是本实用新型所述一种自带散热风扇的MOS三极管的立体视图；
[0012]图2是本实用新型所述一种自带散热风扇的MOS三极管的内部视图。
[0013]1、上壳体;2、栅极外接安装片；3、三极管安装孔;4、下壳体;5、散热风扇；6、变压器;7、引脚;8、栅极金属;9、氧化物;10、半导体;11、漏极;12、源级。
【具体实施方式】
[0014]下面结合附图对本实用新型作进一步说明:
[0015]如图1-图2所示，一种自带散热风扇5的MOS三极管，包括上壳体1、栅极外接安装片
2、下壳体4、散热风扇5，上壳体I外表面设置有散热风扇5，散热风扇5下方设置有变压器6，上壳体I下方是下壳体4，上壳体I与下壳体4内部中央填充有栅极金属8，栅极金属8上表面连接到栅极外接安装片2，栅极外接安装片2中央开设有三极管安装孔3，栅极金属8下表面填充有氧化物9，氧化物9底部填充半导体10，半导体10—侧的内部分别填充有漏极11和源级12，漏极11金属、漏极11和源级12外部分别连接有引脚7。
[0016]上述结构中，将漏极11和源级12的外部引脚7分别接入电路组成一个闭合通路，将栅极外接安装片2通过三极管安装孔3固定特定装备的内部并接地，再将栅极金属8的外部弓丨脚7接入控制电路，调节控制电路，控制栅极金属8与半导体10之间的电压值，达到阈值电压后氧化物9就会成为漏极11和源级12中间的连接导体，实现电流流通，一旦电流流通，散热风扇5的外接导线就会出现电流流通，经变压器6进行变压后进入到散热风扇5内，实现边工作边降温。
[0017]为了进一步提高散热效率，散热风扇5的壳体周边用螺钉固定在上壳体I表面，散热风扇5的电机通过导线连接到变压器6，变压器6再外部伸出两根导线分别连接漏极11、源级12外部的引脚7，上壳体I与下壳体4通过卡槽配合安装，栅极外接安装片2焊接在栅极金属8上表面并由上壳体I和下壳体4夹紧安装，三极管安装孔3以通孔的形式开设在栅极外接安装片2中央，氧化物9与栅极金属8通过导电胶粘贴在一起，半导体10与氧化物9通过导电胶粘贴在一起，半导体10上表面开设有两个方形槽，漏极11和源级12分别通过绝缘胶粘贴在方形槽内部，引脚7分别嵌入栅极金属8、漏极11和源级12的内部并伸出到三极管外部。
[0018]以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其效物界定。
【主权项】
1.一种自带散热风扇的MOS三极管，其特征在于:包括上壳体、栅极外接安装片、下壳体、散热风扇，上壳体外表面设置有散热风扇，散热风扇下方设置有变压器，上壳体下方是下壳体，上壳体与下壳体内部中央填充有栅极金属，栅极金属上表面连接到栅极外接安装片，栅极外接安装片中央开设有三极管安装孔，栅极金属下表面填充有氧化物，氧化物底部填充半导体，半导体一侧的内部分别填充有漏极和源级，漏极金属、漏极和源级外部分别连接有引脚。2.根据权利要求1所述的一种自带散热风扇的MOS三极管，其特征在于:散热风扇的壳体周边用螺钉固定在上壳体表面，散热风扇的电机通过导线连接到变压器，变压器再外部伸出两根导线分别连接漏极、源级外部的引脚，上壳体与下壳体通过卡槽配合安装。3.根据权利要求1所述的一种自带散热风扇的MOS三极管，其特征在于:栅极外接安装片焊接在栅极金属上表面并由上壳体和下壳体夹紧安装，三极管安装孔以通孔的形式开设在栅极外接安装片中央。4.根据权利要求1所述的一种自带散热风扇的MOS三极管，其特征在于:氧化物与栅极金属通过导电胶粘贴在一起，半导体与氧化物通过导电胶粘贴在一起，半导体上表面开设有两个方形槽，漏极和源级分别通过绝缘胶粘贴在方形槽内部，引脚分别嵌入栅极金属、漏极和源级的内部并伸出到三极管外部。
【文档编号】H01L23/467GK205723507SQ201620363159
【公开日】2016年11月23日
【申请日】2016年4月27日
【发明人】王兴
【申请人】王兴