专利名称：具有静电防护功能的发光二极管结构的制作方法
技术领域：
本发明是有关于一种发光二极管(light-emitting diode，LED)的制造方法，且特别是有关于一种具有静电防护(Electro-Static Dischargeprotection，ESD protection)功能的发光二极管结构。
背景技术：
由III-V族元素化合物半导体材料所构成的发光二极管是一种宽能隙(wide bandgap)的发光元件，其可发出的光线从红外光一直到紫外光，而几乎涵盖所有可见光的波段。发光二极管元件的基本(Internalquantum efficiency)，以及元件的光取出效率(light extractionefficiency)，即外部量子效率(External quantum efficiency)。其中，增加内部量子效率的方法主要是改善发光层的长晶品质及其膜层结构的设计，而增加外部量子效率的关键则在于减少发光层所发出的光在发光二极管内部因全反射或其他效应所造成的能量损失。
由于发光二极管的发光效率不断提升，使得发光二极管在某些领域已渐渐取代日光灯与白热灯泡，例如需要高速反应的扫描器灯源、液晶显示器的背光源或前光源汽车的仪表板照明、交通号志灯，以及一般的照明装置等。此外，发光二极管与传统灯泡比较具有绝对的优势，例如体积小、寿命长、低电压/电流驱动、不易破裂、发光时无显著的热问题、不含水银(没有污染问题)与发光效率佳(省电)等特性。值得注意的是，虽然发光二极管具有上述众多优点，但是发光二极管常因异常电压或静电放电(Electro-Static Discharge，ESD)造成损坏。因此，习知技术的作法是将一发光二极管与一齐纳二极管(Zener Diode)并联，以避免发光二极管受到异常电压或静电放电的破坏。
请参考图1A，其绘示已知具有静电防护功能的发光二极管封装结构的等效电路。为了避免发光二极管30于操作时，遭受静电放电而破坏。因此，将发光二极管30与一齐纳二极管40并联，以防止静电放电造成发光二极管30破坏，其中齐纳二极管40在崩溃区操作，故齐纳二极管40会一直保持在导通状态。在上述习知具有静电防护功能的发光二极管封装结构中，当正常顺向偏压施加于发光二极管30的两端V+与V-时，使得发光二极管30正常运作。然而，当有异常电压或静电产生时，此过高的电压便可以经由在崩溃区工作的齐纳二极管40而放电，所以发光二极管30不会被异常电压或高电压的静电造成不可回复的损伤而无法运作。
请参照图1B，其绘示为已知具有静电防护功能的发光二极管封装结构的剖面示意图。透明基底32、N型掺杂氮化镓层34、P型掺杂氮化镓层36以及电极38a、38b构成图1A的III-V族氮化镓发光二极管30；而N型掺杂硅42、P型掺杂硅44与金属层46a、46b构成第1A图中的齐纳二极管40。此外，图1B中所示的凸块50a、50b通常为焊锡(Solder)材质，且凸块50a与50b分别将P型掺杂硅44电性耦接到N型掺杂氮化镓层34，以及N型掺杂硅42电性耦接到P型掺杂氮化镓层36，以构成图1A所示的等效电路图。
虽然上述的结构可以保护发光二极管免于静电放电的破坏，但是此种结构在制作程序上必须再多几道步骤，以在N型掺杂硅42中制作P型掺杂硅44。所以，此种已知具有静电防护功能的发光二极管封装结构将耗费较多的制程时间与制程设备例如离子植入机及附属的气体供应设备以及真空是统等，且耗费的制造成本也会较高。
发明内容
本发明的目的就是在提供一种具有静电防护功能的发光二极管结构，其由一分流二极管(shunt diode)与发光二极管并联，因此发光二极管具有静电防护功能。
基于上述或其他目的，本发明提出一种具有静电防护功能的发光二极管结构，其特征在于，包括一基板；一图案化半导体层，配置于该基板上，该图案化半导体层包括一第一型掺杂半导体层、一位于该第一型掺杂半导体层的部分区域上的发光层，以及一位于该发光层上的第二型掺杂半导体层，其中该图案化半导体层中的该第一型掺杂半导体层、该发光层以及该第二型掺杂半导体层是至少区分为一第一岛状结构与一第二岛状结构；一第一电极，连接于该第一岛状结构中的该第一型掺杂半导体层与该第二岛状结构中的该第二型掺杂半导体层之间；以及一第二电极，连接于该第一岛状结构中的该第二型掺杂半导体层与该第二岛状结构中的该第一型掺杂半导体层之间，其中该第一电极、该第二电极以及该第一岛状结构是构成一发光二极管，而该第一电极、该第二电极以及该第二岛状结构是构成与该发光二极管并联反接之一分流二极管。
其中该基板的材质包括氧化铝、碳化硅、氧化锌、硅、磷化镓，以及砷化镓其中之一。
其中该第一型掺杂半导体层包括一晶核层，位于该基板上；一缓冲层，位在该晶核层上；以及一第一束缚层，位在该缓冲层的部分区域上。
其中该晶核层的材质包括AleInfGa1-e-fN，e、f≥0；0≤e+f≤1。
其中该晶核层为N型掺杂。
其中该缓冲层的材质包括AlcIndGa1-c-dN，c、d≥0；0≤c+d＜1。
其中该缓冲层为N型掺杂。
其中该第一束缚层的材质包括AlxInyGa1-x-yN，x、y≥0；0≤x+y＜1；x＞c。
其中该发光层包括掺杂的AlaInbGa1-a-bN/AlxInyGa1-x-yN量子井结构，且a、b≥0；0≤a+b＜1；x、y≥0；0≤x+y＜1；x＞c＞a。
其中该发光层为N型掺杂。
其中该发光层为P型掺杂。
其中该发光层包括未掺杂的AlaInbGa1-a-bN/AlxInyGa1-x-yN量子井结构，且a、b≥0；0≤a+b＜1；x、y≥0；0≤x+y＜1；x＞c＞a。
其中该第二型掺杂半导体层包括一第二束缚层，位在该发光层上；以及一接触层，位在该第二束缚层上。
其中该第二束缚层的材质包括AlxInyGa1-x-yN，x、y≥0；0≤x+y＜1；x＞c。
其中还包括一透明导电层，位在该接触层上。
其中该接触层包括一超晶格应变层，且该超晶格应变层包括调变掺杂的AluInvGa1-u-vN/AlxInyGa1-x-yN量子井结构，且u、v≥0；0≤u+v≤1；x、y≥0；0≤x+y＜1；x＞u。
其中该超晶格应变层为N型掺杂。
其中该超晶格应变层为P型掺杂。
其中该第一电极的材质包括Ti/Al、Ti/Al/Ti/Au、Ti/Al/Pt/Au、Ti/Al/Ni/Au、Ti/Al/Pd/Au、Ti/Al/Cr/Au、Ti/Al/Co/Au、Cr/Au、Cr/Pt/Au、Cr/Pd/Au、Cr/Ti/Au、Cr/TiWx/Au、Cr/Al/Cr/Au、Cr/Al/Pt/Au、Cr/Al/Pd/Au、Cr/Al/Ti/Au、Cr/Al/Co/Au、Cr/Al/Ni/Au、Pd/Al/Ti/Au、Pd/Al/Pt/Au、Pd/Al/Ni/Au、Pd/Al/Pd/Au、、Pd/Al/Cr/Au、Pd/Al/Co/Au、Nd/Al/Pt/Au、Nd/Al/Ti/Au、Nd/Al/Ni/Au、Nd/Al/Cr/Au Nd/Al/Co/A、Hf/Al/Ti/Au、Hf/Al/Pt/Au、Hf/Al/Ni/Au、Hf/Al/Pd/Au、Hf/Al/Cr/Au、Hf/Al/Co/Au、Zr/Al/Ti/Au、Zr/Al/Pt/Au、Zr/Al/Ni/Au、Zr/Al/Pd/Au、Zr/Al/Cr/Au、Zr/Al/Co/Au、TiNx/Ti/Au、TiNx/Pt/Au、TiNx/Ni/Au、TiNx/Pd/Au、TiNx/Cr/Au、TiNx/Co/Au TiWNx/Ti/Au、TiWNx/Pt/Au、TiWNx/Ni/Au、TiWNx/Pd/Au、TiWNx/Cr/Au、TiWNx/Co/Au、NiAl/Pt/Au、NiAl/Cr/Au、NiAl/Ni/Au、NiAl/Ti/Au、Ti/NiAl/Pt/Au、Ti/NiAl/Ti/Au、Ti/NiAl/Ni/Au、Ti/NiAl/Cr/Au其中之一。
其中该第二电极的材质包括Ni/Au、Ni/Pt、Ni/Pd、Ni/Co、Pd/Au、Pt/Au、Ti/Au、Cr/Au、Sn/Au、Ta/Au、TiN、TiWNx以及WSix其中之一。
其中该第二电极的材质包括一N型透明导电氧化层与一P型透明导电氧化层其中之一。
其中该N型透明导电氧化层包括ITO、CTO、ZnO:Al、ZnGa2O4、SnO2:Sb、Ga2O3:Sn、AgInO2:Sn以及In2O3:Zn其中之一。
其中该P型透明导电氧化层包括CuAlO2、LaCuOS、NiO、CuGaO2与SrCu2O2其中之一。
其中该分流二极管包括一萧特基二极管。
其中该分流二极管包括一齐纳二极管。
基于上述，在本发明的具有静电防护功能的发光二极管结构中，发光二极管与分流二极管是可同时制作，且分流二极管可以保护发光二极管免于静电放电破坏。此外，发光二极管与分流二极管是同时制作，所以可以直接地节省制造成本。
为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下，其中图1A绘示已知具有静电防护功能的发光二极管封装结构的等效电路。
图1B绘示已知具有静电防护功能的发光二极管封装结构的剖面示意图。
图2绘示本发明的较佳实施例的一种具有静电防护功能的发光二极管结构的示意图。
图3绘示图2的发光二极管结构的等效电路图。
图4绘示本发明的较佳实施例的一种具有静电防护功能的发光二极管结构的俯视示意图。
具体实施例方式
请参考图2，其绘示本发明的较佳实施例的一种具有静电防护功能的发光二极管结构的示意图。发光二极管结构例如包括基板110、图案化半导体层120、第一电极160与第二电极170。其中，图案化半导体层120是配置于基板110上，且图案化半导体层120例如包括第一型掺杂半导体层122、位于第一型掺杂半导体层122的部分区域上的发光层124，以及位于发光层124上的第二型掺杂半导体层126。此外，第一型掺杂半导体层122、发光层124以及第二型掺杂半导体层126是至少区分为第一岛状结构150与第二岛状结构160。
请再参考图2，第一电极130是连接于第一岛状结构150中的第一型掺杂半导体层122与第二岛状结构160中的第二型掺杂半导体层126之间，且第二电极140是连接于第一岛状结构150中的第二型掺杂半导体层126与第二岛状结构160中的第一型掺杂半导体层122之间。此外，第一电极130、第二电极140以及第一岛状结构150是构成发光二极管200，而第一电极130、第二电极140以及第二岛状结构160是构成分流二极管300，其例如可为萧特基二极管、齐纳二极管或是其他的二极管结构，且分流二极管300是与发光二极管200并联反接，以使得发光二极管200不易受到静电放电的破坏。
本实施例中，第一岛状结构150与第二岛状结构160的制作方式与现有制程相容，故本实施例能够很容易地将分流二极管300与发光二极管200进行整合。由图2可知，本实施例中分流二极管300与发光二极管200的制作如下首先，先于基板110上依序形成第一型掺杂半导体层122、发光层124以及第二型掺杂半导体层126，而这些半导体层例如是藉由磊晶的方式制作于基板110上，的后再将所形成的第一型掺杂半导体层122、发光层124以及第二型掺杂半导体层126图案化，以形成第一岛状结构150与第二岛状结构160(如图2所绘示)。由于基板110本身是属绝缘材质，故上述的第一岛状结构150与第二岛状结构160可视为彼此电性隔离。最后，形成特定图案分布的第一电极130、第二电极140于上述基板110上，即完成分流二极管300与发光二极管200并联反接的程序。
上述的第一型掺杂半导体层122例如包括晶核层122a、缓冲层122b与第一束缚层122c，其中晶核层122a是位于基板110上，而缓冲层122b是位在晶核层122a上，且第一束缚层122c是位在缓冲层122b的部分区域上。此外，第二型掺杂半导体层126例如包括第二束缚层126a、接触层126b与透明导电层126c，其中第二束缚层126a是位在发光层上124，而接触层126b是位在第二束缚层上126c，且透明导电层126c是位于接触层126b上。
以下将针对本发明中具有静电防护功能的发光二极管结构做更详细的说明。基板110例如包括氧化铝、碳化硅、氧化锌、硅(Si)、磷化镓或砷化镓。此外，第一型掺杂半导体层122的晶核层122a例如包括AleInfGa1-e-fN，e、f≥0；0≤e+f≤1，其中晶核层112a是为N型掺杂。另外，缓冲层112b例如包括AlcIndGa1-c-dN，c、d≥0；0≤c+d＜1，其中缓冲层112b例如为N型掺杂，而第一束缚层112c例如包括AlxInyGa1-x-yN，x、y≥0；0≤x+y＜1；x＞c。
上述的发光层120例如包括掺杂的AlaInbGa1-a-bN/AlxInyGa1-x-yN量子井结构，且a、b≥0；0≤a+b＜1；x、y≥0；0≤x+y＜1；x＞c＞a，其中发光层120例如N型掺杂或P型掺杂。此外，本实施例的发光层120亦可采用未掺杂的AlaInbGa1-a-bN/AlxInyGa1-x-yN量子井结构，且a、b≥0；0≤a+b＜1；x、y≥0；0≤x+y＜1；x＞c＞a。
在上述的第二型掺杂半导体层126中，第二束缚层126a例如包括AlxInyGa1-x-yN，x、y≥0；0≤x+y＜1；x＞c，而接触层126b例如为超晶格应变层，其中超晶格应变层例如包括调变掺杂的AluInvGa1-u-vN/AlxInyGa1-x-yN量子井结构，且u、v≥0；0≤u+v≤1；x、y≥0；0≤x+y＜1；x＞u，而且超晶格应变层例如N型掺杂或P型掺杂，以及透明导电层126c例如铟锡氧化物(ITO)。
本实施例的第一电极130例如包括Ti/Al、Ti/Al/Ti/Au、Ti/Al/Pt/Au、Ti/Al/Ni/Au、Ti/Al/Pd/Au、Ti/Al/Cr/Au、Ti/Al/Co/Au、Cr/Au、Cr/Pt/Au、Cr/Pd/Au、Cr/Ti/Au、Cr/TiWx/Au、Cr/Al/Cr/Au、Cr/Al/Pt/Au、Cr/Al/Pd/Au、Cr/Al/Ti/Au、Cr/Al/Co/Au、Cr/Al/Ni/Au、Pd/Al/Ti/Au、Pd/Al/Pt/Au、Pd/Al/Ni/Au、Pd/Al/Pd/Au、、Pd/Al/Cr/Au、Pd/Al/Co/Au、Nd/Al/Pt/Au、Nd/Al/Ti/Au、Nd/Al/Ni/Au、Nd/Al/Cr/AuNd/Al/Co/A、Hf/Al/Ti/Au、Hf/Al/Pt/Au、Hf/Al/Ni/Au、Hf/Al/Pd/Au、Hf/Al/Cr/Au、Hf/Al/Co/Au、Zr/Al/Ti/Au、Zr/Al/Pt/Au、Zr/Al/Ni/Au、Zr/Al/Pd/Au、Zr/Al/Cr/Au、Zr/Al/Co/Au、TiNx/Ti/Au、TiNx/Pt/Au、TiNx/Ni/Au、TiNx/Pd/Au、TiNx/Cr/Au、TiNx/Co/Au TiWNx/Ti/Au、TiWNx/Pt/Au、TiWNx/Ni/Au、TiWNx/Pd/Au、TiWNx/Cr/Au、TiWNx/Co/Au、NiAl/Pt/Au、NiAl/Cr/Au、NiAl/Ni/Au、NiAl/Ti/Au、Ti/NiAl/Pt/Au、Ti/NiAl/Ti/Au、Ti/NiAl/Ni/Au或Ti/NiAl/Cr/Au。
在本实施例中，第二电极140例如包括Ni/Au、Ni/Pt、Ni/Pd、Ni/Co、Pd/Au、Pt/Au、Ti/Au、Cr/Au、Sn/Au、Ta/Au、TiN、TiWNx或Wsix，而第二电极140更可采用例如N型透明导电氧化层或P型透明导电氧化层，且N型透明导电氧化层例如包括ITO、CTO、ZnO:Al、ZnGa2O4、SnO2:Sb、Ga2O3:Sn、AgInO2:Sn或In2O3:Zn，其中P型透明导电氧化层例如包括CuAlO2、LaCuOS、NiO、CuGaO2或SrCu2O2。
在上述的实施例中，透明导电层126c例如是配置于接触层126b上，但是本发明的另一较佳实施例并不具有一透明导电层126c，亦可达到本发明的目的。
请参考图3，其绘示图2的具有静电防护功能的发光二极管结构的等效电路图。分流二极管300是与发光二极管200并联，且分流二极管300是为反接，以防止发光二极管200遭受异常电压或静电放电的破坏，其中分流二极管300在崩溃区操作，所以分流二极管300会保持在导通状态。当正常顺向偏压施加于发光二极管200的两端V+与V-时，通过发光二极管200的P、N接面的载子会产生顺向电流，使得发光二极管200发光。然而，当有异常电压或静电产生时，此过高的电压便可以经由在崩溃区操作的分流二极管300进行放电，而不经过发光二极管200，因此发光二极管200不会被异常电压或高电压的静电放电而破坏。
请参考图4，其绘示本发明的较佳实施例的一种具有静电防护功能的发光二极管结构的俯视示意图。第一电极130是连接发光二极管200的缓冲层122b与分流二极管300的透明导电层126c，且第二电极140是连接发光二极管200的透明导电层126c与分流二极管300的缓冲层122b。
基于上述，本发明的具有静电防护功能的发光二极管结构具有以下优点
一、本发明的具有静电防护功能的发光二极管结构，发光二极管是与分流二极管并联，其中分流二极管是为反接，所以异常电压或高电压的静电可经由分流二极管进行放电，使得发光二极管具有较长的使用寿命。
二、本发明的具有静电防护功能的发光二极管结构，发光二极管与分流二极管可以同时被制作，其中发光二极管与分流二极管的材料相同，因此无须增加制程步骤，进而节省制造成本。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟习此技术者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。
权利要求
1.一种具有静电防护功能的发光二极管结构，其特征在于，包括一基板；一图案化半导体层，配置于该基板上，该图案化半导体层包括一第一型掺杂半导体层、一位于该第一型掺杂半导体层的部分区域上的发光层，以及一位于该发光层上的第二型掺杂半导体层，其中该图案化半导体层中的该第一型掺杂半导体层、该发光层以及该第二型掺杂半导体层是至少区分为一第一岛状结构与一第二岛状结构；一第一电极，连接于该第一岛状结构中的该第一型掺杂半导体层与该第二岛状结构中的该第二型掺杂半导体层之间；以及一第二电极，连接于该第一岛状结构中的该第二型掺杂半导体层与该第二岛状结构中的该第一型掺杂半导体层之间，其中该第一电极、该第二电极以及该第一岛状结构是构成一发光二极管，而该第一电极、该第二电极以及该第二岛状结构是构成与该发光二极管并联反接之一分流二极管。
2.如权利要求1所述的具有静电防护功能的发光二极管结构，其特征在于，其中该基板的材质包括氧化铝、碳化硅、氧化锌、硅、磷化镓，以及砷化镓其中之一。
3.如权利要求1所述的具有静电防护功能的发光二极管结构，其特征在于，其中该第一型掺杂半导体层包括一晶核层，位于该基板上；一缓冲层，位在该晶核层上；以及一第一束缚层，位在该缓冲层的部分区域上。
4.如权利要求3所述的具有静电防护功能的发光二极管结构，其特征在于，其中该晶核层的材质包括AleInfGa1-e-fN，e、f≥0；0≤e+f≤1。
5.如权利要求4所述的具有静电防护功能的发光二极管结构，其特征在于，其中该晶核层为N型掺杂。
6.如权利要求3所述的具有静电防护功能的发光二极管结构，其特征在于，其中该缓冲层的材质包括AlcIndGa1-c-dN，c、d≥0；0≤c+d＜1。
7.如权利要求6所述的具有静电防护功能的发光二极管结构，其特征在于，其中该缓冲层为N型掺杂。
8.如权利要求6所述的具有静电防护功能的发光二极管结构，其特征在于，其中该第一束缚层的材质包括AlxInyGa1-x-yN，x、y≥0；0≤x+y＜1；x＞c。
9.如权利要求8所述的具有静电防护功能的发光二极管结构，其特征在于，其中该发光层包括掺杂的AlaInbGa1-a-bN/AlxInyGa1-x-yN量子井结构，且a、b≥0；0≤a+b＜1；x、y≥0；0≤x+y＜1；x＞c＞a。
10.如权利要求9所述的具有静电防护功能的发光二极管结构，其特征在于，其中该发光层为N型掺杂。
11.如权利要求9所述的具有静电防护功能的发光二极管结构，其特征在于，其中该发光层为P型掺杂。
12.如权利要求8所述的具有静电防护功能的发光二极管结构，其特征在于，其中该发光层包括未掺杂的AlaInbGa1-a-bN/AlxInyGa1-x-yN量子井结构，且a、b≥0；0≤a+b＜1；x、y≥0；0≤x+y＜1；x＞c＞a。
13.如权利要求6所述的具有静电防护功能的发光二极管结构，其特征在于，其中该第二型掺杂半导体层包括一第二束缚层，位在该发光层上；以及一接触层，位在该第二束缚层上。
14.如权利要求13所述的具有静电防护功能的发光二极管结构，其特征在于，其中该第二束缚层的材质包括AlxInyGa1-x-yN，x、y≥0；0≤x+y＜1；x＞c。
15.如权利要求13所述的具有静电防护功能的发光二极管结构，其特征在于，其中还包括一透明导电层，位在该接触层上。
16.如权利要求13所述的具有静电防护功能的发光二极管结构，其特征在于，其中该接触层包括一超晶格应变层，且该超晶格应变层包括调变掺杂的AluInvGa1-u-vN/AlxInyGa1-x-yN量子井结构，且u、v≥0；0≤u+v≤1；x、y≥0；0≤x+y＜1；x＞u。
17.如权利要求16所述的具有静电防护功能的发光二极管结构，其特征在于，其中该超晶格应变层为N型掺杂。
18.如权利要求16所述的具有静电防护功能的发光二极管结构，其特征在于，其中该超晶格应变层为P型掺杂。
19.如权利要求1所述的具有静电防护功能的发光二极管结构，其特征在于，其中该第一电极的材质包括Ti/Al、Ti/Al/Ti/Au、Ti/Al/Pt/Au、Ti/Al/Ni/Au、Ti/Al/Pd/Au、Ti/Al/Cr/Au、Ti/Al/Co/Au、Cr/Au、Cr/Pt/Au、Cr/Pd/Au、Cr/Ti/Au、Cr/TiWx/Au、Cr/Al/Cr/Au、Cr/Al/Pt/Au、Cr/Al/Pd/Au、Cr/Al/Ti/Au、Cr/Al/Co/Au、Cr/Al/Ni/Au、Pd/Al/Ti/Au、Pd/Al/Pt/Au、Pd/Al/Ni/Au、Pd/Al/Pd/Au、、Pd/Al/Cr/Au、Pd/Al/Co/Au、Nd/Al/Pt/Au、Nd/Al/Ti/Au、Nd/Al/Ni/Au、Nd/Al/Cr/AuNd/Al/Co/A、Hf/Al/Ti/Au、Hf/Al/Pt/Au、Hf/Al/Ni/Au、Hf/Al/Pd/Au、Hf/Al/Cr/Au、Hf/Al/Co/Au、Zr/Al/Ti/Au、Zr/Al/Pt/Au、Zr/Al/Ni/Au、Zr/Al/Pd/Au、Zr/Al/Cr/Au、Zr/Al/Co/Au、TiNx/Ti/Au、TiNx/Pt/Au、TiNx/Ni/Au、TiNx/Pd/Au、TiNx/Cr/Au、TiNx/Co/Au TiWNx/Ti/Au、TiWNx/Pt/Au、TiWNx/Ni/Au、TiWNx/Pd/Au、TiWNx/Cr/Au、TiWNx/Co/Au、NiAl/Pt/Au、NiAl/Cr/Au、NiAl/Ni/Au、NiAl/Ti/Au、Ti/NiAl/Pt/Au、Ti/NiAl/Ti/Au、Ti/NiAl/Ni/Au、Ti/NiAl/Cr/Au其中之一。
20.如权利要求1所述的具有静电防护功能的发光二极管结构，其特征在于，其中该第二电极的材质包括Ni/Au、Ni/Pt、Ni/Pd、Ni/Co、Pd/Au、Pt/Au、Ti/Au、Cr/Au、Sn/Au、Ta/Au、TiN、TiWNx以及WSix其中之一。
21.如权利要求1所述的具有静电防护功能的发光二极管结构，其特征在于，其中该第二电极的材质包括一N型透明导电氧化层与一P型透明导电氧化层其中之一。
22.如权利要求21所述的具有静电防护功能的发光二极管结构，其特征在于，其中该N型透明导电氧化层包括ITO、CTO、ZnO:Al、ZnGa2O4、SnO2:Sb、Ga2O3:Sn、AgInO2:Sn以及In2O3:Zn其中之一。
23.如权利要求21所述的具有静电防护功能的发光二极管结构，其特征在于，其中该P型透明导电氧化层包括CuAlO2、LaCuOS、NiO、CuGaO2与SrCu2O2其中之一。
24.如权利要求1所述的具有静电防护功能的发光二极管结构，其特征在于，其中该分流二极管包括一萧特基二极管。
25.如权利要求1所述的具有静电防护功能的发光二极管结构，其特征在于，其中该分流二极管包括一齐纳二极管。
全文摘要
一种具有静电防护功能的发光二极管结构，其包括一基板、一图案化半导体层、一第一电极与一第二电极。其中，图案化半导体层是配置于基板上，且至少区分为一第一岛状结构与一第二岛状结构。第一电极与第二电极是连接于第一岛状结构与第二岛状结构之间，第一电极、第二电极以及该第一岛状结构是构成一发光二极管，而第一电极、第二电极以及第二岛状结构是构成与该发光二极管并联反接之一分流二极管。上述的发光二极管结构中，第一岛状结构与一第二岛状结构可同时由磊晶方式进行制作，以使得发光二极管具有静电防护功能。
文档编号H01L23/60GK1652359SQ200410004029
公开日2005年8月10日 申请日期2004年2月4日 优先权日2004年2月4日
发明者许世昌, 许进恭 申请人:元砷光电科技股份有限公司