专利名称：半导体器件的制造方法
技术领域：
本发明涉及半导体器件的制造方法，特别涉及硅化物隔离层形成后进行的膜淀积工艺中淀积室内不引入新的氩气，以减少硅化物隔离层厚度削减和均匀淀积二氧化硅膜的方法。
背景技术：
随着对半导体集成电路集成度要求越来越高，对半导体器件制造过程中的构图要求越来越精细，线的宽度和线与线之间的间隔也越来越小，对线和线与线之间的间隔的尺寸精确度要求越来越高。一个集成电路器件需要经过几十道工艺步骤才能完成。而且，要求后续工艺不损坏在前工艺所构成的图形结构。特别是要求线宽度在0.13μm以下时，源/漏结的深度和处理中的热聚集是极其关键的问题。
常规的层间介质(ILD)膜是硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)膜，用硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)层间层介质膜时，需要在700℃到800℃的温度下进行回流处理，使这种常规的硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)层间层介质膜平整。这种在700℃到800℃的温度下进行回流处理会产生热聚集，对器件的制造工艺和器件性能造成不良影响。
用高密度等离子体(HDP)淀积的磷硅玻璃(PSG)膜作为层间层介质膜，可以减小热聚集，而且磷具有所需的除气功能。但是，在形成硅化物隔离层后进行高密度等离子体(HDP)淀积会削减已形成的硅化物隔离层。特别是会将已构图的硅化物隔离层上部的厚度从400削减到10左右，如图1所示。损坏已形成的隔离层。
发明内容
为了消除上述的介质层平整处理中的热聚集和高密度等离子体淀积膜时削减已形成的隔离层等问题。本发明提出一种新的膜淀积方法。
本发明的一个目的是，提供一种新的不引入氩气(Ar)的淀积方法，在形成硅化物隔离层后，在同一处理室内溅射淀积层间层介质膜，在溅射淀积过程中处理室内不引入氩气(Ar)，只利用上一次淀积时处理室内残留的氩气(Ar)进行溅射，使上一次淀积的硅化物隔离层的厚度削减大大减少。
本发明的另一个目的是，提供一种新的不引入氩气(Ar)的淀积方法，构图后进行光增强型化学汽相淀积(PECVD)时不引入新的氩气(Ar)，只利用上一次淀积时处理室内残留的氩气(Ar)，在任何部分形成均匀的二氧化硅膜，以防止形成封口。
图1是用常规的淀积方法使前次形成的隔离层厚度削减的结构的电子显微镜照片；图2是淀积膜不引入氩气时隔离层厚度不削减的结构的电子显微镜照片；和图3，是按本发明的半导体器件的制造方法的工艺流程图。
具体实施例方式
以下具体描述本发明的实施例，通过这些实施例可以更充分地理解本发明的上述目的、其他目的，和本发明的优点。
图3是按本发明的半导体器件的制造方法的工艺流程图。图3显示出在已形成‘N-阱’和‘P阱’的结构上用高密度等离子体(HDP)方法淀积磷硅酸盐玻璃，然后用光刻腐蚀方法形成接点和进行CMP处理，然后淀积钨接点。
在形成例如二氧化硅(SiO2)，氮化硅(SiN)，和碳氧化硅(SIOC)的硅化物隔离层后，在同一处理室内溅射淀积层间层介质膜，溅射过程中处理室内不引入新的氩气(Ar)，只利用上一次淀积时处理室内残留的氩气(Ar)。因此，可以减少上一次淀积膜的厚度削减。
在构图后的工件上用光增强型化学气相淀积(PECVD)法淀积氧化硅(SiO2)时，处理室内不引入新的氩气(Ar)，只利用处理室中上次淀积时残留的氩气，从而在任何部位形成均匀的氧化硅(SiO2)膜，并防止形成封口。具体的工艺条件是以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明的范围内。本发明要求保护的范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
权利要求
1.半导体器件的制造方法，其特征是，在已构图的其上形成了隔离层的工件上溅射淀积层间层介质膜，溅射淀积层间层介质膜的工艺过程中不引入新的氩气(Ar)，以减少已形成的隔离层厚度削减。
2.半导体器件的制造方法，其特征是，在已构图的工件上用光增强型化学气相淀积法淀积二氧化硅(SiO2)膜，光增强型化学气相淀积法淀积二氧化硅(SiO2)膜的过程中处理室内不引入新的氩气(Ar)，以在任何部位形成均匀的二氧化硅(SiO2)。
全文摘要
半导体器件的制造方法，在已构图并形成有隔离层的工件上用例如溅射的物理淀积方法淀积介质膜时，处理室内不引入新的氩气(Ar)，以减少已形成的介质层厚度的削减。或者，在已构图的工件上用光增强化学气相淀积(PECVD)方法形成二氧化硅膜时，处理室内不引入新的氩气(Ar)，以在任何部位形成均匀的二氧化硅膜。
文档编号H01L21/31GK1697142SQ20041001823
公开日2005年11月16日 申请日期2004年5月11日 优先权日2004年5月11日
发明者汪钉崇 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司