专利名称：互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种用于移动式照相机等的图像拾取器件。具体而言，本发明涉及一种包括具有基于互补金属氧化物半导体器件(CMOS)的传感器、用于拾取图像的半导体芯片和内置数字信号处理半导体芯片的CMOS型图像传感器模块。
背景技术：
现有的照相机图像传感器模块是包括图像传感半导体芯片和数字信号处理半导体芯片的多芯片器件。图像传感半导体芯片采集光学图像，数字信号处理半导体芯片将光学图像转换成电信号。根据使用的半导体的具体类型，图像传感器模块分为电荷耦合器件(CCD)或互补金属氧化物半导体器件(CMOS)。
在由奥林巴斯光学有限公司(Olympus Optical Co.，Ltd.)于2002年8月29日提交的、题为“小型图像拾取模块”的美国专利申请2003-0025825号中公开了一种CMOS型图像传感器模块。
图1为所公开的CMOS型图像传感器模块的截面图。参照此图，CMOS型图像传感器模块具有图像传感半导体芯片12和数字信号处理半导体芯片18，其彼此横向隔开地水平安装在衬底11上。此外，分离透镜组13通过灌封材料271和272连接到衬底11上，封装材料271和272在透镜组13与衬底11之间还起密封作用。图像传感半导体芯片12由透明覆层25保护。覆层25和图像传感半导体芯片12彼此由灌封材料261和262封牢，并与衬底11封牢。数字信号处理半导体18由注射型灌封材料密封。附图标记14、15和16分别表示红外滤光片、光学透镜和光阑。
然而，上述CMOS型图像传感器模块具有以下缺陷。
第一，由于在透镜组13与衬底11之间形成密封，CMOS型图像传感器模块的制造需要高生产成本的复杂工艺。另外，图像传感半导体芯片12和数字信号处理半导体芯片18通过独立的工艺模塑到衬底11上。
第二，制造工艺的困难和复杂性尤其在批量生产CMOS型图像传感器模块时将导致频繁的制造缺陷。也就是说，制造现有的CMOS型图像传感器模块的生产率相当低。
第三，因为图像传感半导体芯片和数字信号处理半导体芯片横向相互隔开地水平安装在衬底上，所以现有的CMOS型图像传感器模块相当大。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能使用较简单的工艺生产的CMOS型图像传感器模块。
本发明的另一目的在于提供一种紧凑的CMOS型图像传感器模块。
本发明的又一目的在于提供一种便于批量生产的CMOS型图像传感器模块。
根据本发明的一方面，一种CMOS型图像传感器包括具有在衬底的任一面的芯片可以连线到其上的电路图形的衬底、安装在衬底上侧并连线到电路图形用于图像传感的第一半导体芯片、安装在衬底下侧并连线到电路图形用于数字信号处理的第二半导体芯片、以及由透明聚合封装材料形成至少密封第一半导体芯片的密封树脂单元。
在密封树脂单元仅封装第一半导体芯片的情况下，用环氧树脂模塑化合物(EMC)密封第二半导体芯片。
此外，密封树脂单元可以包括螺纹，透镜组可通过螺纹连接到该单元。透镜组优选包括壳体、在壳体内相互垂直地设置的光学透镜和红外滤光片。还可选择密封树脂单元本身形成光学透镜。在这种情况下，由密封树脂单元构成的透镜可用红外滤光材料覆盖。
根据本发明的另一方面，CMOS型图像传感器模块的制造方法包括(a)设置具有一体化的电路图形的衬底，衬底的任一侧的芯片可以连线到电路图形；(b)将数字信号处理半导体芯片和无源器件安装在衬底下侧；(c)将第二半导体芯片连线到衬底下侧的电路上；(d)将图像传感半导体芯片安装在衬底上侧；(e)将图像传感半导体芯片连线到衬底上侧的电路上；以及(f)将透明聚合封装材料模塑到衬底上，至少覆盖衬底上的芯片之一。
模塑工艺优选包括注入成型。具体而言，模塑工艺可以由注入成型组成。此外，模塑工艺可以包括由传统的转移模塑设备进行的转移模塑。
通过参照附图对优选实施方式进行下述详细描述，将使本发明的上述和其它特征及优点变得更加明晰，附图中图1为现有的CMOS型图像传感器模块的截面图；图2为本发明的CMOS型图像传感器模块的第一实施方式的截面图；图3为本发明的CMOS型图像传感器模块的第二实施方式的截面图；图4为本发明的CMOS型图像传感器模块的第三实施方式的截面图；以及图5为本发明的CMOS型图像传感器模块的第四实施方式的截面图。
具体实施例方式
现在，将参照附图更全面地描述本发明，附图中示出了本发明的具体实施方式
。然而，在进行描述前应说明的是，说明书中使用的术语“模塑工艺”指的是任一类型的模塑工艺，也就是说，不局限于注入成型工艺。
参照图2，第一实施方式的CMOS型图像传感器模块100包括具有电路图形且芯片能连线到任一侧上的衬底110、安装于衬底110的上部并连线到其电路图形的第一半导体芯片(具有CMOS型图像传感器的图像传感芯片)120、安装于衬底110的下部并连线到其电路图形的第二半导体芯片(数字信号处理芯片)130、以及通过注入成型形成在衬底110表面上并在内部密封第一半导体芯片120的透明聚合封装材料的密封树脂单元140。
CMOS型图像传感器模块100还包括在衬底110下部上且其内部密封有无源器件162和第二半导体芯片130的环氧树脂模塑化合物160、结合在密封树脂单元140侧面的保护材料144、以及与密封树脂单元140连接的透镜组170。为此，密封树脂单元140具有外螺纹142，透镜组170拧在其上。
保护材料144防止光透射到密封树脂单元内，并优选为带状形式。透镜组170包括透镜组壳体150、以及在透镜组壳体150中垂直设置的光学透镜154和红外滤光片152。无源器件162包括如电阻和电容之类的小型电子元件。优选用金线122和132将第一半导体芯片120和第二半导体芯片130电连接到衬底110上。附图标记112表示作为母板的柔性印刷电路板(FPCB)，CMOS型图像传感器110安装于其上。
密封树脂单元140可以由热塑性聚合材料制成。在此情况下，密封树脂单元发生变形的温度在100℃与120℃之间的较窄范围内变化。因此，包括这种热塑性聚合封装材料的CMOS型图像传感器模块应使用低温下执行的工艺连接到FPCB 112。类似地，CMOS型图像传感器模块100和FPCB 112可以在其连接处利用局部加热或使用各向异性导电膜(ACF)连接。
通常，密封树脂单元140的透明聚合封装材料可以由聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、热固性透明环氧树脂、或透明ABS制成。PMMA是一种广泛用于如CD、透镜和LCD显示器之类的光学产品的材料。ABS是由丙烯腈、丁二烯、以及苯乙烯制成的热塑性树脂，其广泛用于电子、汽车和工业产品。可使用通常用于制造发光二极管(LED)的非填装型透明环氧树脂作为透明环氧树脂。非填装型透明环氧树脂可以在约150℃的温度下转移模塑到衬底110上。
现在，参照图3描述本发明的第二实施方式。然而，为了简明起见，第二实施方式与第一实施方式相似的部件不再描述。
现在参照图3，在第二实施方式的CMOS型图像传感器模块200中，密封树脂单元240构成塑料光学透镜246，其起第一实施方式的透镜组单元170中的透镜154的作用。也就是说，塑料透镜246是由密封树脂单元240的弯曲上部形成的。红外滤光片252覆盖该光学透镜的表面。附图标记222、232表示连线，262表示无源器件，212表示柔性印刷电路板(FPCB)。
CMOS型图像传感器模块100和200按下述方法制造。
首先，制备两侧包括电路图形的衬底110、210。双侧衬底110、210与球形栅格阵列(BGA)封装的衬底相似。然后，在衬底的下侧安装数字信号处理半导体芯片130、230和无源器件162、262，芯片130、230用金线132、232连线到电路图形。
接着，将数字信号处理半导体芯片130、230和无源器件162、262密封在本身用传统方法模塑在衬底110、210下侧的环氧树脂模塑化合物(EMC)160、260内。然后，将图像传感半导体芯片120、220安装在衬底110、210的上侧，并用金线122、222连线到衬底110、210上的电路图形。
最后，通过模塑透明聚合封装材料使密封树脂单元140、240形成于衬底110、210的上侧。在第一实施方式中，模塑工艺在密封树脂单元140的上部形成螺纹142，透镜组170通过螺纹拧在树脂单元140上。另一方面，在第二实施方式中，模塑工艺在密封树脂单元240的上部形成塑料光学透镜，然后用红外滤光材料252覆盖透镜。保护材料144、244例如可以带状形式结合在密封树脂单元140、240的侧面上，以防止光通过密封树脂单元140、240的侧面透射。
当密封树脂单元140、240由PC或透明ABS形成时，注入成型温度优选在200℃与250℃之间，注入成型压力为800kgf/cm2。当然，这些参数要根据透明聚合封装材料的具体组份和分子量来确定。
现在参照图4描述根据本发明的CMOS型图像传感器的第三实施方式。
在此实施方式中，在衬底310的上部和下部两侧形成密封树脂单元340，也就是说，环氧树脂化合物未模塑到衬底310的下部。其余部分与图2的实施方式相同。例如，密封树脂单元340具有螺纹342，透镜组拧到密封树脂单元342上。透镜组包括透镜壳体350、红外滤光片352、以及光学透镜354。附图标记322、332表示连线，362表示无源器件，312表示柔性印刷电路板(FPCB)。
现在参照图5描述根据本发明CMOS型图像传感器的第四实施方式。
此实施方式中形成于衬底410上部、下部两侧的密封树脂单元440与第三实施方式相同，也就是说，环氧树脂化合物未模塑到衬底410的下部。此实施方式中，与图3的第二实施方式相同，通过密封树脂单元440的上部形成光学透镜446，用红外滤光片452覆盖塑料透镜446。附图标记422、432表示连线，462表示无源器件，412表示柔性印刷电路板(FPCB)。
下面描述本发明的CMOS型图像传感器模块300和400的制造方法。
首先，制备在两侧包括电路图形的衬底310、410。双侧衬底310、410与球形栅格阵列(BGA)封装的衬底相似。然后，在衬底的下部安装数字信号处理半导体芯片330、430和无源器件362、462。芯片330、430用金线332、432连线到电路图形。然后，将图像传感半导体芯片320、420安装在衬底310、410的上部，并用金线322、422连线到衬底310、410上的电路图形。当然，将芯片安装到衬底上侧和下侧的顺序可以颠倒。
接着，将透明聚合封装材料模塑于衬底110、210的上部和下部，形成密封树脂单元340、440，由此封装数字信号处理半导体芯片330、430和无源器件362、462以及图像传感半导体芯片320、420。这种模塑方法可以由注入成型工艺组成，或可包括转移模塑和注入成型工艺的组合。
在第三实施方式中，可用模塑工艺在密封树脂单元340的上部形成螺纹342，透镜组通过螺纹拧到树脂单元340上。另一方面，在第四实施方式中，模塑工艺在密封树脂单元340的上部形成塑料光学透镜，然后，用红外滤光材料352覆盖透镜。保护材料344、444例如可以带状形式结合在密封树脂单元340、440的侧面，以防止光透过密封树脂单元340、440的侧面。最后，在低温下用ACF将衬底310、410连接到FPCB 312、412上。
因此，如上所述，本发明具有以下优点。
第一，整个制造工艺较简单，因此，生产成本维持最低。
第二，本发明使用注入成型，便于CMOS型图像传感器模块的批量生产。
第三，因为图像传感芯片和数字信号处理芯片一个在另一个之上垂直排列于衬底上，所以，CMOS型图像传感器模块较小。
尽管已经参照优选实施方式具体示出和描述了本发明，显而易见，本领域技术人员可以对其在形式和细节上作出各种变化。例如，尽管已经描述了用于密封树脂单元的保护材料为带状形式，保护材料也可以采用其它覆层形式。因此，本发明在不超出由所附权利要求限定的本发明的构思和范围的前提下，可以不同于说明书中详细描述的方式实施。
权利要求
1.一种互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块，包括衬底以及与其一体化的电路图形；具有能拾取光学图像的互补金属氧化物半导体器件传感器的第一半导体芯片，其安装在所述衬底侧面中的上侧并连线到所述电路图形；能处理数字信号的第二半导体芯片，其安装在所述衬底侧面中的下侧并连线到所述电路图形；以及树脂密封单元，其包括与所述衬底一体化并封装所述第一和第二半导体芯片中至少之一的透明聚合材料。
2.如权利要求1所述的互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块，其中，所述第一和第二半导体芯片中，仅所述第一半导体芯片由透明聚合材料封装。
3.如权利要求2所述的互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块，其中，还包括与所述衬底一体化的环氧树脂模塑化合物，所述第二半导体芯片嵌入所述衬底侧面中的下侧的所述环氧树脂模塑化合物中。
4.如权利要求1所述的互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块，其中，所述树脂密封单元的所述透明聚合材料封装所述第一和第二半导体芯片两者。
5.如权利要求2所述的互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块，其中，所述树脂密封单元包括螺纹。
6.如权利要求2所述的互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块，其中，还包括覆盖所述透明聚合材料侧面的不透明材料，以防止光透过透明聚合材料的侧面。
7.如权利要求6所述的互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块，其中，所述不透明材料呈带状形式。
8.如权利要求5所述的互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块，其中，还包括与所述树脂密封单元的所述螺纹配合的透镜组。
9.如权利要求8所述的互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块，其中，所述透镜组包括壳体、以及设置在所述壳体内彼此垂直隔开的光学透镜和红外滤光片。
10.如权利要求2所述的互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块，其中，所述树脂密封单元的透明聚合材料包括光学透镜。
11.如权利要求10所述的互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块，其中，还包括覆盖所述光学透镜表面的红外滤光材料。
12.如权利要求3所述的互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块，其中，还包括设置在所述衬底侧面中的下侧上的无源器件。
13.如权利要求12所述的互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块，其中，所述无源器件被嵌入所述环氧树脂模塑化合物中。
14.如权利要求4所述的互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块，其中，所述密封树脂单元封装所述第一和第二半导体芯片，且在其上部具有螺纹。
15.如权利要求14所述的互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块，其中，还包括与所述树脂密封单元的螺纹配合的透镜组。
16.如权利要求15所述的互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块，其中，所述透镜组包括壳体、设置在所述壳体内彼此垂直隔开的光学透镜和红外滤光片。
17.如权利要求4所述的互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块，其中，所述树脂密封单元的透明聚合材料包括光学透镜。
18.如权利要求17所述的互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块，其中，还包括覆盖所述光学透镜表面的红外滤光材料。
19.如权利要求4所述的互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块，其中，还包括覆盖所述透明聚合材料侧面的不透明材料，以防止光透过透明聚合材料的侧面。
20.如权利要求4所述的互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块，其中，还包括设置在所述衬底侧面中的下侧上的无源器件。
21.如权利要求19所述的互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块，其中，所述不透明材料呈带状形式。
22.如权利要求1所述的互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块，其中，所述密封树脂单元的所述透明聚合材料包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)；聚碳酸酯(PC)；热固性透明环氧树脂；或丙烯腈、丁二烯和苯乙烯(ABS)的透明树脂。
23.一种制造互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块的方法，该方法包括设置具有一体化的电路图形的衬底；在所述衬底侧面中的下侧上安装能处理数字信号的数字信号处理半导体芯片和无源电子器件；将所述数字信号处理半导体芯片连线到所述衬底侧面中的下侧的所述电路图形，以将所述数字信号处理半导体芯片电连接到所述电路图形上；将环氧树脂模塑化合物模塑到所述衬底侧面中的下侧，覆盖所述数字信号处理半导体芯片；在所述衬底侧面中的上侧上安装具有能拾取光学图像的互补金属氧化物半导体器件图像传感器的图像传感半导体芯片，并将所述图像传感半导体芯片连线到所述电路图形，以将所述图像传感半导体芯片电连接到所述电路图形上；以及将透明聚合材料模塑到所述衬底侧面中的上侧，覆盖整个所述图像传感半导体芯片，由此形成内部封有由所述聚合材料封装所述图像传感半导体芯片的密封树脂单元。
24.如权利要求23所述的制造方法，其中，所述聚合材料的模塑包括在所述树脂密封单元的上部形成螺纹。
25.如权利要求24所述的制造方法，其中，还包括通过所述树脂密封单元上的螺纹把透镜组拧到该单元上而将所述透镜组与所述树脂密封单元连接。
26.如权利要求23所述的制造方法，其中，所述聚合材料的模塑包括注入成型，并用所述透明聚合材料形成光学透镜。
27.如权利要求26所述的制造方法，其中，还包括用过滤红外光的材料覆盖所述透镜。
28.如权利要求23所述的制造方法，其中，还包括使不透明材料沿所述树脂密封单元的侧面牢固连接，以防止光透过所述单元的侧面。
29.如权利要求23所述的制造方法，其中，所述透明聚合材料的模塑包括注入成型。
30.一种制造互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块的方法，包括设置两侧都具有电路图形的衬底；在所述衬底侧面中的下侧上安装能处理数字信号的数字信号处理半导体芯片和无源电子器件；将所述数字信号处理半导体芯片连线到所述电路图形，以将所述数字信号处理半导体芯片电连接到所述衬底上；在所述衬底侧面中的上侧上安装具有能拾取光学图像的互补金属氧化物半导体器件图像传感器的图像传感半导体芯片，并将所述图像传感半导体芯片连线到所述电路图形，以将所述图像传感半导体芯片电连接到所述电路图形上；以及在整个所述图像传感半导体芯片和整个所述数字信号处理半导体芯片的上方，将透明聚合材料模塑到所述衬底侧面中的上侧和下侧，由此形成内部封有由聚合材料封装的芯片的密封树脂单元。
31.如权利要求30所述的制造方法，其中，所述聚合材料的模塑包括在所述树脂密封单元的上部形成螺纹。
32.如权利要求31所述的制造方法，其中，还包括通过所述树脂密封单元上的螺纹把透镜组拧到该单元上而将所述透镜组与所述树脂密封单元连接。
33.如权利要求30所述的制造方法，其中，所述聚合材料的模塑包括注入成型，并在所述衬底侧面中的上侧用所述透明聚合材料形成光学透镜。
34.如权利要求33所述的制造方法，其中，还包括用过滤红外光的材料覆盖所述透镜。
35.如权利要求30所述的制造方法，其中，还包括使不透明材料沿设置于所述衬底侧面中的上侧上方的所述树脂密封单元部分的侧面牢固连接，以防止光透过邻近所述图像传感半导体芯片的所述单元的侧面。
36.如权利要求30所述的制造方法，其中，所述将透明聚合材料模塑到所述衬底上侧和下侧包括注入成型。
全文摘要
本发明公开了一种用于移动式照相机或PC照相机的CMOS型图像传感器模块，其包括封装在具有与芯片连接的电路的衬底上的聚合材料的透明块内的图像传感半导体芯片。图像传感半导体芯片设置在衬底的上表面，与安装在衬底下表面的数字信号处理第二半导体芯片垂直间隔开。透明聚合封装材料构成密封树脂单元。数字信号处理第二半导体芯片也可以用密封树脂单元封装。可以通过注入成型和/或转移模塑形成密封转移单元。借助于单一的模塑工艺形成密封树脂单元可维持较低的生产成本。
文档编号H01L31/0203GK1606158SQ200410079420
公开日2005年4月13日 申请日期2004年6月11日 优先权日2003年6月11日
发明者崔敬世 申请人:三星电子株式会社