专利名称：降低半导体器件连接区域的接触电阻的方法
技术领域：
本发明涉及一种含有至少一个连接区域的半导体元件的半导体器件的制造方法，其中降低了至少一个连接区域的电阻并且避免了掺杂元素的不希望的影响。
本发明的背景由于例如包括MOSFETs(金属氧化物半导体场效应晶体管)并且借助MOS或CMOS工艺制造的器件集成度的提高，这些器件的小型化正面临挑战。不仅器件的尺寸和区域需要降低其大小，而且在质量和成品率上仍有很高的期望。此种类型器件的结涉及到掺杂的高活性，结深的良好控制等等的需求。同时，为了允许通过背面接触，需要通过硅化物的低电阻的接触。
从US5851891中可以得知一种生产包括具有低电阻的栅极的IGFET的方法，其中描述了IGFET(绝缘栅场效应晶体管)的制造，其中IGFET的栅电极由硅制成，并且通过使硅与施加于其上的金属反应以形成金属硅化物，在其中形成连接区。除了介质区的附近之外，栅电极的硅被掺杂原子掺杂，例如硼原子。在形成金属硅化物时，这些掺杂原子被迫使朝向介质区但不穿透它。另一方面，在介质区附近中以此方式形成的高掺杂浓度确保了在栅极中不发生不希望的耗尽层效应，因为这样的效应将会增加介质区的有效厚度。形成硅化物界面之前的掺杂原子的驱除被称作雪犁效应。
然而上述方法的一个缺点是仍然存在掺杂原子穿入或穿透介质区的危险，这对于半导体元件的电学性质是不希望的。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种制造至少具有一个连接区的半导体器件的方法，其中减小了连接区的电阻并且避免了来自掺杂元素的不希望的影响。
本发明提供一种制造半导体器件的方法，该半导体器件包括一个具有硅区域的半导体结构，该结构在具有一个表面的衬底之内和/或之上形成有至少一个连接区。该方法包括由第一金属在半导体结构上或至少在其硅区域上形成一个金属聚集层(cluster)。该金属聚集层以在该层中金属聚集部分与没有金属聚集的部分交替的方式形成。优选非硅化物化金属，换句话说在实验条件下与硅不起化学反应的金属，例如W，Mo，Ta，Zr，或Nb，被选用作第一金属。进一步地，本发明的方法包括在金属聚集层顶部淀积第二金属的金属层。第二金属是硅化物化金属并且可以是例如Ti，Co或Ni。然后，对半导体器件至少进行一次热处理，其中通过第二金属与硅区域的硅反应形成金属硅化物，并且由于柯肯特尔效应，其中第一金属的原子在与衬底表面基本上垂直的方向上被置换。
根据本发明的方法，其特征在于选择作为第一金属原子的金属原子不同于与硅形成金属硅化物的第二金属。在形成金属硅化物期间，第一金属的金属原子被引入或引入到形成金属硅化物的区域或与该区域邻近的区域，这些原子有最高的扩散率。
在一个详细实施例中，可以制造具有衬底和由硅制成的半导体本体的半导体器件。该半导体本体包括一个至少具有两个半导体区域，并且在相反导电类型的两个半导体区域之间具有一个p-n结的半导体元件。该半导体本体进一步包括至少两个电连接区，至少一个由金属区域形成的连接区开始与半导体本体的硅区域接触，并且这些区域被允许相互反应形成金属硅化物，该金属硅化物形成连接区的一部分，金属区域和硅区域的原子相互反应。在金属硅化物形成之前，除了硅或金属以外的材料的原子被施加于形成金属硅化物的区域之一或是它们之间，通过这种方式，这些原子形成层中的一个区域，在没有其他材料原子的地方中断，并且在形成金属硅化物期间，其他材料的原子在向与金属区域和硅区域之间的界面垂直的方向上被置换。该方法的特征在于另一金属的金属原子是为了另一材料的原子而选择的，在形成金属硅化物期间，该其他金属的原子被引进到形成金属硅化物区的区域或是与该区域邻近的区域，这些原子具有最高的扩散率。
在本发明的一个实施例中，半导体结构可以包括一个第一主电极和一个第二主电极和一个控制电极。在一个详细实施例中，该第一主电极和第二主电极可以提供有一个连接区。在另一个实施例中，控制电极可以提供有一个连接区。在一个优选实施例中，第一和第二主电极和控制电极两者都可以提供有一个如本发明上述所生产的连接区。
在本发明的一个详细实施例中，半导体结构可由一个具有一个源极区、一个漏极区和一个栅电极的场效应晶体管形成，并且源极和漏极区和/或栅电极可以提供有一个连接区。
在本发明的一个实施例中，第一金属可以以其功函数与晶体管希望的值尽可能的接近的方式选取。例如，如果形成一个NMOST，选择的金属具有的功函数与NMOST希望的值是尽可能接近的，也就是接近4.2eV。同样适用于PMOST，在这种情况下，选择具有的功函数接近于邻近5.2eV的金属。
本发明进一步的实施例中，可以制造一个至少具有一个NMOS晶体管和至少一个PMOS晶体管的半导体器件。在这种情况下，NMOST的金属聚集层(cluster)可以由不同于PMOST的金属聚集层的一种金属形成。通过这种方法，那么可以获得不同的功函数。
在本发明的一个具体实施例中，第一金属的原子可以由以金属原子聚集的形式由汽相施加于硅区域。通过这种方式，没有聚集层的开口或部位被合并一起。在另一实施例中，可选地，第一金属层的原子可以由被施加于衬底的硅区域均匀的第一金属层施加，并且此时该均匀层可以被提供有开口。但是在本发明的另一实施例中，第一金属层的原子可以借助离子注入的方式施加。
进一步地，本发明提供一种具有硅区域和具有连接区的半导体结构的半导体器件，借助本发明的方法可以得到半导体器件。
在一个具体实施例中，该半导体结构可以包括一个第一主电极，一个第二主电极和一个控制电极。但是在另一个实施例中，该半导体结构可以是一个具有一个源极区，一个漏极区和一个栅电极的场效应晶体管。
当前发明的其他特征、性质和优点从下面的详细描述和以实例形式阐明本发明基本原理的附图将变得明显。
附图的详细说明
图1至3概略地描述了根据本发明对应于第一实施例方法制造的各连续阶段中半导体器件的截面图；
图4至7概略地描述了根据本发明对应于第二实施例方法制造的各连续阶段中半导体器件的截面图；图8至13概略地描述了根据本发明对应于第三实施例方法制造的各连续阶段中半导体器件的截面图。
具体实施例的描述下面将借助于各种实施例并参考许多附图描述本发明。然而，本发明并不局限于这些实施例和附图。附图的描述只是概略的，而且并不构成任何形式的限定。在图中某些器件的尺寸是夸大的并且没有按比例画出以说明一个特殊的概念。
本发明的方法可以用于制造具有一个栅电极1和一个源极和漏极区2、3的半导体结构。本发明首先基于由于位于衬底14和栅电极1之间的介质区25附近存在金属原子的观念，可以说，可以形成一个含有金属的栅电极1。于是，是不需要或是几乎不需要对栅电极的硅掺杂。而且，例如在CMOS IC(互补MOS；包含n-型和p-型晶体管)的情况下，通过在两种类型的晶体管中应用一种不同的金属，可以使每个晶体管的功函数匹配。根据本发明，由栅电极1和位于其下部的介质区之间的边界区中存在的金属层控制栅极的功函数(见下)。进一步地，本发明基于在硅中以与掺杂原子类似的方式置换金属原子的观点，但是通过明显不同的机理，即基于所谓后柯肯特尔的效应。该柯肯特尔效应是基于反应矩阵中的外来原子的置换，是由于外来原子可以说是扫过空穴，在这种类型的矩阵中在与反应矩阵中扩散最快的成分方向相反的方向中空穴被置换。另一方面，雪犁效果是基于注入原子在硅中和在金属硅化物中溶解度不同。由于在金属硅化物中的溶解度远低于在硅中的，掺杂原子从金属硅化物中沉淀出来然后进入仍没有反应的剩余的硅中。理解这种效果源自除柯肯特尔效应之外的其他物理过程。这是通过在非常低的溶解度的基础上增长的金属成分造成的排斥掺杂原子引起的。因此在雪犁效应的情况下，掺杂原子在金属成分的移动表面前挤撞。
图1至3概略的描述了根据本发明对应于第一实施例方法制造的在连续阶段中半导体器件100的截面图。图中仅示出了最相关的阶段。形成器件100的起始点是一个半导体本体12(附图1)，例如，在本发明的该实施例中可以由硅制成，并且有一个衬底14，在该实施例中可以同样由硅形成，并且在衬底中形成一个MOSFET，MOSFET具有一个源极区2，一个与源极区2相反导电类型的沟道区4，和一个与源极区2导电类型相同的漏极区3。在沟道区4上形成介质区25，例如，由二氧化硅制成，在此之上是一个在本实施例中可以包含多晶硅的栅电极1。
在半导体本体12的边缘，器件100包括绝缘区15，例如被认知为沟槽或LOCOS(局部氧化的)绝缘体，例如可以是由二氧化硅形成的。在栅电极1的两侧有公知的间隔13，同样可以由二氧化硅形成。直到该阶段，器件100是在一般公知的技术下按照常规的方式制造的，例如LOCOS氧化，掺杂，扩散，CVD，(等离子体)蚀刻和光刻。
然后，在例如借助化学汽相沉积(CVD)半导体本体12的表面由第一金属，例如可以是钨形成的金属聚集层9覆盖。化学汽相沉积的使用意味着在金属聚集层9的聚集层间有其中没有钨的开口9A，或者更常见地没有第一金属。在由第一金属组成的聚集层9中的这些中断，对于本发明需要成功地工作是需要的，在另一实施例中也可以可选地，通过应用金属聚集层9的原子作为均匀的第一金属层，并且然后在该均匀层内形成开口。这些开口可以例如借助光刻和蚀刻形成。但是在另一可选方式中，惰性材料的小颗粒以被施加到半导体本体12的表面上，在此之后，第一金属的原子此时可以层的形式应用于该表面之上。然后借助剥离技术第一金属层提供有需要的开口，其中惰性材料的颗粒被选择性的移除。
在金属聚集层9中的聚集的厚度，例如可以是1至2nm，并且在聚集层9中的开口9A的尺寸例如可以是从1至5nm。金属聚集层9优选由金属形成，该金属在随后步骤中形成金属硅化物的条件下与硅不反应。进一步地，这些金属对于N-或P-MOST必须也具有适合的功函数，这取决于对于特殊的应用需要哪种晶体管。除了钨之外，其他适合金属的例子还包括钼，钽，锆，铌。
然后，例如借助汽相沉积，一个由第二金属形成的金属区域8施加于金属聚集层9之上。该金属区域8例如可以包括钛并且一般必须是一种可以通过与硅反应形成硅化物的金属，例如在本示例性实施例中的硅化物为二硅化钛。由第二金属形成的金属区域8比由第一金属形成的金属聚集层9厚，并且可以在5至30nm之间，例如15nm厚。
然后，例如通过在半导体本体12上实施一个加热处理的方式，由于金属区域8在该实施例中为钛的第二金属，与源和漏区2，3以及栅电极1的硅反应，在本示例性实施例中，第二金属的硅化物二硅化钛5A，6A，7A区域形成在源极区2，漏极3和栅极1的位置处。该反应可在例如500和600℃之间发生，例如在550℃(参考图2)。通过这种方式，分别形成了源极区2、漏极区3和栅电极1的连接区5、6、7。由于柯肯特尔效应，没有参与硅化物形成反应的金属聚集层9的聚集，在栅电极1中朝向绝缘区25被置换。因此，作为柯肯特尔效应的结果，注入的原子在边界区域的方向被推进。如果，例如形成二硅化钛时，硅是移动最快的成份。这意味着存在的外来原子，例如，在随硅移动中，或更确切地，是在远离钛的方向上被置换。因此，在根据本发明的方法中，第一金属的原子在电介质区25的方向上置换。柯肯特尔效应的一个重要条件是外来原子，也就是第一金属的原子在提供有中断的区域中以层的形式出现。由于同一效应，在源极区2和漏极区3的位置处用于形成该处的金属硅化物5A，6A的金属聚集层9的聚集被驱赶到源极区2和漏极区3内。位于绝缘区15的上方并在间隔13上的金属区域8的这些部位可以借助例如湿式蚀刻方法被移除。
在接下来的加热处理期间，通常在从600至850℃的范围内，此时硅化物形成反应可以继续，在栅电极1的位置处的硅被完全消耗掉(图3)。在栅电极1的位置处，金属聚集层9此时形成了在介质区25的附近或是与其相对并且位于金属硅化物7A的下部的栅电极1的一部分，在本实施例中，该金属聚集层的功函数为4.6eV，适合于一个NMOST，并接近于该晶体管所希望的值4.3eV。然后，在源极区2和漏极区3的位置处，在一方面是源极区2和漏极区3的含硅部分之间存在薄金属聚集层9，和另一方面是在这些区域2，3之上存在金属硅化物本实施例中是二硅化钛5A，6A。结果是由于源极区2和漏极区3接触电阻减小。
最后，以常规的方法如本领域的熟练人员所公知的一样完成晶体管的制造，就是说，应用一层或更多的介质层并且提供接触开口，其后是一个导电层例如铝，被应用并图形化以形成源极区2和漏极区3和栅电极1的连接导电体。这些步骤没有在图中示出，同样为了简单化。此时，通过分离技术，例如切的方式获得分立器件100。
在上面提到的示例性实施例中，栅电极1和源漏区2，3都被提供有金属聚集层9。应该指出，栅电极1之外的源漏区2，3，一面是含硅部分与另一面是金属硅化物5A，6A之间可以提供有一个金属聚集层9。通过这种方式，如上已经讨论的，由于源，漏极区2，3连接的接触电阻减小了。也可以有其他申请，例如，如果晶体管的栅电极1已经通过某些其他方法提供有一种金属，而且没有形成硅区域，也并不提供一个含金属硅化物的接触区域。
应该指出，在后的申请不仅被方便的用于场效应晶体管的生产，而且可用于双极型晶体管，其中例如基极和发射极被提供一个含有金属硅化物的连接区。借助根据本发明的方法可以方便地制造甚至包括只是单个的半导体二极管的器件，例如一个肖特基二极管或是一个pn二极管，特别是如果形成二极管结的一个区域特别薄并且被提供一个包括金属硅化物的连接区。
图4至7概略的描述了根据本发明对应于第二实施例方法制造的在连续阶段中半导体器件的截面图，在这些图的讨论中，特别会介绍与上述方法相比的区别之处。对应的或是同样的工艺步骤可以如上述的关于第一示例性实施例被实施。
与第一示例性实施例的最显著的不同是，有时通过一个离子注入步骤I(图4)，形成金属聚集层9的第一金属的原子被引进到施加于其上的半导体本体12或是半导体结构的表面。在该第二示例性实施例中，该第一金属与在第一示例性实施例中一样，可以是一种与硅不反应的金属，举例如W，Ta，Mo，或Zr，该离子注入步骤自动地在金属聚集层9的第一金属的原子之间提供想要的开口。此外，该方法是精确的，可重复的并且是易于局部操作的。注入能量可以例如是40kev，并且注入剂量可以例如是1至5×1015at/cm2。这在源极区2漏极区3和栅极区1的位置处形成了金属聚集层9。
然后如第一示例性实施例中讨论的一样继续器件100的制造。首先，提供一个金属区8，由第二金属形成(参见图5)。然后，在第一加热步骤中，例如在500℃和600℃之间的温度下，金属硅化物5A，6A，7A可以在源漏区2，3的位置和栅电极1的位置形成，同时通过柯肯特尔效应，从金属聚集层9向下聚集被置换(参见图6)。在第二加热处理中，可以在600℃至850℃之间的温度下操作，这些工艺会继续，直到例如栅电极1位置处的硅被完全消耗掉(参见图7)。
半导体器件的进一步的处理此时可以用本领域中的技术人员公知的常规方式进行操作。
图8至13概略的描述了根据本发明对应于第三实施例方法制造的在连续阶段中半导体器件的截面图。在该示例性实施例和第一示例性实施例之间的最显著的区别在于，事实上，在本示例性实施例中，制造一个CMOSIC，因此其中形成有NMOS和PMOS晶体管。因此，在本实施例中半导体本体包括两个具有相反导电类型的沟道区4，40，沟道区4是可能通过向衬底14进行适合的离子注入而形成的。
首先，在相应的步骤中，晶体管之一，在当前示例性实施例中是第一晶体管，由例如可以由二氧化硅形成的掩膜26覆盖(图8)。然后，在半导体本体12的表面上形成一个金属聚集层90，在该示例性实施例中由与硅不反应的第一金属的金属聚集形成，例如是W，Ta，Zr，或Mo(参见图9)。然后，施加一个具有硅化物化性质的第二金属形成的第二金属层80。然后，借助例如剥离工艺在第一晶体管的位置施加的层80，90被再次移除，同时也除去了掩膜26。
然后，第二晶体管，因此也并同金属聚集层90和金属层80，被掩膜27覆盖(附图10)。然后，同样，由与硅不反应并且优选与被选作第二晶体管的金属聚集层90的第一金属不同的第三金属形成的金属聚集层9，和由具有硅化物化特性的第四金属形成的金属层8被应用(附图11)。然后，这些层8，9(参见附图12)在第二晶体管的位置，通过例如剥离工艺被移除，同时也移除掩膜27。
在随后的步骤中，同样在一次或多次热处理中金属硅化物5A，6A，7A，以及在这种情况下，还有优选包含与金属硅化物5A，6A，7A中的不同的金属的金属硅化物50A，60A和70A，在第一晶体管和第二晶体管的位置处分别形成。再次地，由于柯肯特尔效应，金属聚集层9，90形成在已经形成的金属硅化物5A，6A，7A和50A，60A，70A的下面，并且在介质区25和250的附近。如果，例如，第一晶体管是一个NMOST，该晶体管的金属聚集层9被选作一种功函数最接近于这样的晶体管所希望的近似值4.2eV的金属。如果此时第二晶体管是一个PMOST，该晶体管的金属聚集层90被选作一种功函数最接近于这样的晶体管所希望的近似值5.2eV的不同的金属。
应该指出，在该变型中，如在第三示例性实施例中描述的一样，对于选择第四金属8和第三金属9，以及由其形成的层的厚度而言，有尽可能大的自由度。明显地，该变型可以被容易地修正，例如，给出一个变型，其中在两个晶体管中金属8是相同的，并且具有相同的厚度。在这种情况下，实施掩膜26和27的剥离，例如，在金属区域8形成之前。如果需要NMOST和PMOST两者的源极漏极区2，3和20，30被提供由相同金属做成的金属聚集层9，90，通过一个简单的变化也是可能的。
根据本发明，有三种重要的材料，就是说，做成控制电极1的材料，金属电极8的材料和金属聚集层9的材料。在金属层8的材料上的控制电极1的材料必须形成一个其中只出现一种扩散材料的结。此时由于根据本发明金属聚集层9的原子在向介质区25的方向上被推进，因此形成控制电极1的材料由此被选择而包括扩散元素。形成控制电极1的材料对介质区25不能有负面影响。最后，根据当前发明的方法最重要的要求是，形成金属聚集层9的材料要表现为所谓的“柯肯特尔标记”。这意味着在形成硅化物组合物的过程中这种材料不得不是惰性的而且是基本上不移动的。基本上不移动意味着该材料在形成硅化物的相关温度下是不扩散的。
本发明不局限于所述示例性实施例，由于对于本领域的熟练人员来讲，可能在本发明的范围内作出大量的变型和修改。例如，制造具有不同的几何形状和/或不同的尺寸的器件是可能的。作为衬底14可以可选的由Si制成，也可能使用由玻璃，陶瓷，或是塑料制成衬底14。于是，半导体本体12可以由所谓的SOI(绝缘体上的硅)形成。在该本文中，可选地可以使用所谓的衬底传送技术是可能的。
还应该指出，除了在实施例中提到的之外的材料也属于本发明的范围。例如，作为钛的替换物质也可能使用其它的金属，例如镍和钴。就确定这些金属的一层和一层硅的顺序而言，明显确定了将要形成的硅化物的成分，即，一方面为镍或是钴，和另一方面为硅，在形成硅化物期间最快地扩散。可以想象，对于同一金属的两种不同的金属硅化物，这是不同的，例如，一硅化钴和二硅化钴。对上面提到的或其它的材料使用其它的淀积工艺也是可能的，例如外延，CVD(化学汽相淀积)，溅射和汽相淀积。作为湿式化学蚀刻方法的替代，也可以使用“干式”工艺，例如等离子体蚀刻。
还可以指出，没有必要所有的晶体管的介质层25都是相同的材料或是相同的厚度。
进一步地，可以指出，器件100可以进一步包括有源的和无源的半导体元件或是电学元件，例如大量的二极管和/或晶体管和电阻和/或电容，可选为集成电路的形式。显然可以适当地制造。然而，像上面已经指出的，该方法能方便地用于制造包括选择一个可选为双极晶体管或甚至单个二极管的分立的(半)分立器件。
尽管该发明关于具体优选的实施例已经进行了描述，很清楚，对于一个对本领域熟知的人员来讲，在不远离当前发明的保护范围内，形式和细节上大量的替换和修改是可能的。
权利要求
1.一种制造半导体器件(100)的方法，该半导体器件包括具有一个在衬底(14)的一个表面之内和/或之上形成有至少一个连接区(5，6，7)的硅区域的半导体结构，其特征在于，该方法包括由第一金属形成一个金属聚集层(9)，以在层(9)内金属聚集与没有金属聚集的部位(9A)交替的方式，第一金属成为非硅化物化金属，在金属聚集层(9)上面淀积一个第二金属的金属层(8)，该第二金属是一种硅化物化金属，执行至少一次热处理，为了通过第二金属与硅区域反应形成金属硅化物(5A，6A，7A)，其中第一金属的原子在与衬底(14)的表面基本上垂直的方向上被置换。
2.根据权利要求1的方法，其特征在于，第一金属是从由W，Mo，Ta，Zr和Nb构成的组中选出的。
3.根据权利要求1或2的方法，其特征在于，该半导体结构包括一个第一主电极(2)和一个第二主电极(3)和一个控制电极(1)。
4.根据权利要求3的方法，其特征在于，第一主电极(2)和第二主电极(3)提供有一个连接区。
5.根据权利要求3或4之一的方法，其特征在于，控制电极(1)提供有一个连接区(7)。
6.根据前述权利要求之一的方法，其特征在于，该半导体结构形成为一个具有一个源极区(2)，一个漏极区(3)和一个栅电极区(1)的场效应晶体管。
7.根据权利要求6的方法，其特征在于，其功函数尽可能接近该晶体管的需要的值的一种金属被选作第一金属。
8.根据权利要求6或7的方法，其特征在于，形成至少一个NMOS场效应晶体管和至少一个PMOS场效应晶体管，NMOS晶体管的金属聚集层(9)由一种不同于PMOS晶体管的金属聚集层(90)的一种金属形成。
9.根据上述的权利要求之一的方法，其特征在于，第一金属的原子以汽相状态，以金属原子的聚集形式施加于硅区域。
10.根据权利要求1-8之一的方法，其特征在于，通过被施加到硅区的第一金属的均匀层以及被提供有开口(9A)的均匀层施加第一金属的原子。
11.根据权利要求1-8之一的方法，其特征在于，第一金属的原子通过离子注入的方式被施加。
12.一种半导体器件(100)，其特征在于，所述半导体器件包括具有一个至少形成有一个连接区(5，6，7)的硅区域的半导体结构，该半导体器件(100)是借助权利要求1至11中所述的方法获得的。
13.根据权利要求12的半导体器件(100)，其特征在于，该半导体结构包括一个第一主电极(2)，一个第二主电极(3)和一个控制电极(1)。
14.根据权利要求13的半导体器件(100)，其特征在于，该半导体结构是一个具有一个源极区(2)，一个漏极区(3)和一个栅电极区(1)的场效应晶体管。
全文摘要
本发明涉及一种半导体器件的制造方法，该半导体器件具有一个在衬底的一个表面之内和/或之上形成有至少一个连接区的硅区域的半导体结构。该方法包括由第一非硅化物化的金属形成金属聚集层，接下来淀积一个由第二硅化物化的金属组成的金属层。随后的热处理用于由第二金属形成金属硅化物，第一金属的原子在与衬底表面基本上垂直的方向上被置换。根据本发明，第一金属的原子由于柯肯特尔效应被取代而位于金属硅化物的下面。例如，如果制造一个MOST，这有利于源漏极区位置和栅极区的位置。
文档编号H01L29/786GK1667808SQ20041009814
公开日2005年9月14日 申请日期2004年10月18日 优先权日2003年10月17日
发明者T·斯拉姆, J·C·胡克尔, M·J·H·凡达尔 申请人:Imec公司, 康宁克里克菲利浦电子股份有限公司