专利名称：制造硅上液晶间隙物的方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体元件制程，特别是涉及一种包含可同时定义氧化间隙物以及用来隔离画素元件的沟渠，藉由此方法可改良此氧化间隙物的外观轮廓，并可避免在进行沟渠蚀刻制程时，发生蚀刻过早终止的问题，因此，可改善条纹效应(fringe effect)并可增进显示器的亮度的硅上液晶(liquid crystal on silicon，LCOS)显示器的间隙物与沟渠的制造方法。
背景技术：
硅上液晶(liquid crystal on silicon，LCOS)已渐渐成为制造具高解析度携带型显示器的一种普遍技术。LCOS利用在含有硅的后玻璃基板与具有透射性质的前玻璃基板之间封入液晶材料。反射画素(reflective pixel)是位于此后玻璃基板的上面，一般是属于硅基板上的第三层金属化层或更高层的金属化层。而一般形成于介电绝缘层上的较低层金属化层是包含电子元件的电路系统，例如制造于硅基板上的晶体管与电容器以及包含透明电极(氧化铟锡电极)的前玻璃基板。这些较低层的金属化层是用来控制施于各画素电极(pixel electrode)的电压，以定义此LCOS显示器的各个显示单位(display cell)的状态。藉由受到施于显示单位的电压而改变排列的液晶分子，可调节通过此显示单位液晶的极化光。
在一个制造显示单位的方法中，沟渠是形成于各画素电极之间，而间隙物就如同支撑柱一般，是形成于相邻的画素电极的上方，两者可用来定义包含液晶的显示单位。此间隙物的外观轮廓与沟渠的深度跟宽度对显示器的画质(display performance)有关键性的影响。例如，决定光传送或反射的液晶分子，其排列会受此间隙物侧壁的倾斜角度所影响，以至于影响到此显示器的亮度和对比。此外，在此画素电极边缘会有影响到液晶分子排列方位的电边缘场效应(electric fringe field effect)，此效应是取决于沟渠的蚀刻轮廓，因为不规则的沟渠轮廓会降低显示器的亮度。在现有习知的制造硅上液晶显示器方法中有一问题，包括制造组成此显示单位的间隙物与沟渠的蚀刻制程。例如，间隙物的制造是利用图案化的光阻，将未受光阻保护的一相当厚度的氧化层加以蚀刻剥除，其中此氧化层的厚度一般约为一微米或更厚。因此，此光阻的厚度对现有习知的程序而言是关键性的因素。这是因为光阻若太厚，会形成一不佳的间隙物侧壁轮廓；若太薄，则会对此间隙物造成蚀刻损害。此外，依照现有习知的LCOS间隙物制程，在画素电极之间以干式蚀刻法进行沟渠蚀刻步骤时，当蚀刻残留物的生成速度等同或超过其移除的速度而建立起一稳定态时，这些金属/高分子蚀刻残留物(metal/polymeric etching residues)常会引发过早蚀刻终止(premature etch stop)，如此则会造成不如预期的沟渠外观轮廓与深度。
因此，在制造LCOS显示器时需建立一制程，用以制造具有较佳蚀刻轮廓的间隙物与画素边缘之间的沟渠，进而增进显示器的画质并改良LCOS显示器的亮度与对比。
因此，当在克服习知方法的缺点时，本发明方法所提供的制程可以准确地制造具有较佳蚀刻轮廓的间隙物与画素边缘之间的沟渠，进而改进显示器的画质，其中包括改良LCOS显示器的亮度和对比。
由此可见，上述现有的硅上液晶显示器的间隙物与沟渠在制造方法与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决硅上液晶显示器的间隙物与沟渠的制造方法存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般制造方法又没有适切的方法能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。
有鉴于上述现有的硅上液晶显示器的间隙物与沟渠的制造方法存在的缺陷，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新的硅上液晶显示器的间隙物与沟渠的制造方法，能够改进一般现有的硅上液晶显示器的间隙物与沟渠的制造方法，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经反复试作及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。
发明内容
本发明的目的在于，克服现有的硅上液晶显示器的间隙物与沟渠的制造方法存在的缺陷，而提供一种新的硅上液晶显示器的间隙物与沟渠的制造方法，所要解决的技术问题是使其在多步骤的蚀刻制程中，用来制造硅上液晶(LCOS)显示器的间隙物与沟渠，从而更加适于实用，且具有产业上的利用价值。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种硅上液晶显示器的间隙物与沟渠的制造方法，应用在一多步骤蚀刻制程中，其至少包括以下步骤提供一硅基板，至少包含置于硅基板上的一第一介电绝缘层、复数组第一金属画素电极对与复数组第二金属画素电极对；在该些组的第一与第二金属画素电极对上沉积一第二介电绝缘层；在该第二介电绝缘层上沉积一硬罩幕层；在该硬罩幕层上进行微影制程产生图案化的一光阻，该光阻作为一蚀刻罩幕；进行第一次电浆蚀刻制程，将未被该光阻保护的该硬罩幕层与该第二介电绝缘层去除，在该些组的第一金属画素电极对之间的上方分别形成一间隙物；去除残留的该光阻与高分子蚀刻残留物；以及进行第二次电浆蚀刻制程，向下蚀刻暴露出的该第一介电绝缘层，以在该些组的第二金属画素电极对之间分别形成一沟渠。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的硅上液晶显示器的间隙物与沟渠的制造方法，其中在该第一次电浆蚀刻制程中会形成一高分子保护层。
前述的硅上液晶显示器的间隙物与沟渠的制造方法，其中所述的去除步骤所使用的方法是选自于由湿式剥除法与氧化灰化法所组成的族群。
前述的硅上液晶显示器的间隙物与沟渠的制造方法，其中所述的该些沟渠的深度较该些组的第一与第二金属画素电极对的全长深度为更深。
前述的硅上液晶显示器的间隙物与沟渠的制造方法，其中所述的该些间隙物的高度是介在约8,000至12,000之间。
前述的硅上液晶显示器的间隙物与沟渠的制造方法，其中所述的该些组的第一与第二金属画素电极对的材质至少包含铝铜合金。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种硅上液晶显示器的间隙物与沟渠的制造方法，应用在一多步骤蚀刻制程中，其至少包括以下步骤提供一硅基板，至少包含置于硅基板上的一第一介电绝缘层、复数组第一金属画素电极对与复数组第二金属画素电极对；在该些组的第一与第二金属画素电极对上沉积一第二介电绝缘层；在该第二介电绝缘层上沉积至少包含氮化硅的一硬罩幕层；在该硬罩幕层上进行微影制程产生图案化的一光阻，该光阻作为一蚀刻罩幕；进行第一次电浆蚀刻制程，将未被该光阻保护的该硬罩幕层与该第二介电绝缘层去除，用以在该些组的第一金属画素电极对之间的上方分别形成一间隙物，并且形成一高分子保护层；进行一湿式蚀刻制程，去除残留的该光阻与该高分子保护层；以及进行第二次电浆蚀刻制程，向下蚀刻暴露出的该第一介电绝缘层，用以在该些组的第二金属画素电极对之间分别形成一沟渠。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的硅上液晶显示器的间隙物与沟渠的制造方法，其中所述的该些沟渠的深度较该些组的第一与第二金属画素电极对的全长深度为更深。
前述的硅上液晶显示器的间隙物与沟渠的制造方法，其中所述的该些沟渠的深度约在4,000至8,000之间。
前述的硅上液晶显示器的间隙物与沟渠的制造方法，其中所述的该些间隙物的高度是在约8,000至12,000之间。
前述的硅上液晶显示器的间隙物与沟渠的制造方法，其中所述的该些间隙物的侧壁与该基板的水平面呈一约65度至75度的倾斜角度。
本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上技术方案可知，本发明是关于一种硅上液晶显示器的间隙物与沟渠的制造方法，可用在多步骤蚀刻制程中用来制造硅上液晶显示器的间隙物与沟渠。其中包括提供一硅基板，其上依序具有介电绝缘层与金属画素电极。接着在此金属画素电极上沉积第二介电绝缘层。然后，在此第二介电绝缘层上沉积硬罩幕层。接下来在此硬罩幕层上进行微影制程将图案转移至光阻上面，再利用电浆蚀刻将未被光阻保护的硬罩幕层与第二介电绝缘层加以去除，以形成间隙物。接着去除在此进行处理的表面上所残余的光阻与高分子蚀刻残留物。最后，进行第二次电浆蚀刻制程，以在相邻于此间隙物的金属画素电极之间向下蚀刻产生沟渠。
借由上述技术方案，本发明硅上液晶显示器的间隙物与沟渠的制造方法，可以在多步骤的蚀刻制程中，用来制造硅上液晶(LCOS)显示器的间隙物与沟渠。其具有上述诸多的优点及实用价值，并在同类制造方法中未见有类似的设计公开发表或使用而确属创新，其不论在制造方法上或功能上皆有较大的改进，在技术上有较大的进步，并产生了好用及实用的效果，且较现有的硅上液晶显示器的间隙物与沟渠的制造方法具有增进的多项功效，从而更加适于实用，诚为一新颖、进步、实用的新设计。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
图1A-1E所示为在各制程阶段中LCOS显示器的后玻璃基板的部分剖面图，用来说明依据本发明的一实施例。
图2所示为一制程流程图，用来说明包含本发明的数个实施例。
12第一介电绝缘层13A阻障层13B反射金属层 14A画素电极14B画素电极 14C画素电极16第二介电绝缘层18硬罩幕层20光阻 24间隙物24A高分子保护层 26沟渠步骤201提供一硅基板，其中包含位于此硅基板上的第一介电绝缘层以及位于此第一介电绝缘层上的金属画素电极步骤203在此金属画素电极上沉积间隙物氧化物层步骤205在此间隙物氧化物层上沉积硬罩幕层步骤207进行微影制程以及硬罩幕层的蚀刻制程，用以形成间隙物的蚀刻图案步骤209进行第一次干式蚀刻制程，用以蚀刻产生间隙物并在此间隙物的边缘形成高分子保护层步骤211利用包括氧化灰化法和/或湿式剥除法，用以去除光阻与残留的高分子保护层步骤213利用包括以氧为主的电浆蚀刻法来进行第二次干式蚀刻制程，用以蚀刻产生沟渠具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的硅上液晶显示器的间隙物与沟渠的制造方法其具体实施方式
、方法、步骤、特征及其功效，详细说明如后。
虽然此发明方法是以一含示范性画素电极与间隙物的LCOS显示器的制造作为参考来解释说明，但值得重视的是，此发明方法亦可应用于用不同金属材质制造的画素电极，以及有不同尺寸大小与不同间隙物位置排列方式的画素电极与间隙物。
例如，在一实施例中，请参阅图1A至图1E所示，为部分LCOS显示器的后玻璃基板装置的部分剖面图，包括在LCOS显示器各阶段制程中的画素电极与间隙物。
请参阅图1A所示，在一硅基板上制造第一介电绝缘层12，然后在此第一介电绝缘层12上制造含晶体管元件的金属化层(metallizationlayer)。此第一介电绝缘层12的材质以二氧化硅为佳，其制造方法是以传统的电浆增强式化学气相沉积法(plasma enhanced CVD，PECVD)或高密度电浆化学气相沉积氧化层法(HDP-CVD oxide formation method)为佳，其中又以PECVD为较佳，例如使用硅烷(silane，SiH4)以及含有氧原子的气体来源，如O2、N2O、CO2或其混合气体。此介电绝缘层的厚度以约8,000至12,000之间为佳。
接下来，藉由传统的金属线形成制程(metal line formationprocesses)，来制造如14A、14B和14C的画素电极。例如，在一实施例中，首先在介电绝缘层12上沉积一阻障层(barrier layer)。阻障层的材料以氮化钛(TiN)或氮化硅钛(TiSiN)等耐高温的金属氮化物或含硅的耐高温金属氮化物为佳，其中对铝铜合金的制作而言以氮化钛(TiN)为较佳。而制作阻障层的方法是以传统的化学气相沉积法(CVD)或物理气相沉积法/氮化制程(PVD/nitridation process)的方式来配制。然后，进行传统的CVD和/或PVD制程，用以沉积如铜铝合金的反射金属层或金属合金层于此阻障层上。接下来，利用传统的金属蚀刻制程来加以蚀刻此金属化层而形成如14A、14B和14C的画素电极，其中在每一个画素电极内，包含反射金属层13B与阻障层13A。值得重视的是，亦可同时执行一镶嵌制程(damascene process)来制作此画素电极，例如包括在第一介电绝缘层12中的镶嵌开口中形成阻障层作为衬底。另外亦值得重视的是，内连线线路，例如中介窗(vias，图中未示)，是形成于位于此第一介电绝缘层12中的较低层的金属化层中，用来将此画素电极与下方的电路系统，包括晶体管和电容(图中未示)，整个串接起来，以对画素电极施予一选择性电压。
依然请参阅图1A所示，随后在如14A、14B和14C的画素电极上与画素电极间的沟槽中，沉积第二介电绝缘层16。此介电绝缘层的材质以氧化硅(例如，二氧化硅，SiO2)为佳，且其配制则以PECVD或HDP-CVD制程为佳，其中又以近似于制造第一介电绝缘层12的PECVD制程为较佳。此第二介电绝缘层16的厚度以介在约8,000至12,000之间为佳。
依然请参阅图1A所示，在本发明方法中，一重要且具关键性的步骤是将一硬罩幕层18沉积于此第二介电绝缘层16上。此硬罩幕层18的材质以氮化硅(如SiN)或氮氧化硅(SiON)为佳，而其中又以氮化硅为较佳。所使用的制程方法可为LPCVD或PECVD，其中以PECVD为较佳。此硬罩幕层18的厚度是介在约800到1,200之间。
请参阅图1B所示，接着在此硬罩幕层18上进行传统的微影制程，用以将光罩的图案转移到光阻20上面。利用此光阻，可在接下来的蚀刻制程中，将未受光阻20保护的第二介电绝缘层16加以去除而形成间隙物。值得重视的是，间隙物可在不同的间隙物间距下形成，而在间隙物之间亦会包含一个或多个画素电极。
在一较佳的实施例中，此间隙物会在多组的第一对(first pairs)画素电极(例如14B与14C)间的角缘部分上形成，而与此间隙物相邻的沟渠会在间隔至少一相邻画素电极(例如14A)之间形成。也就是说，沟渠会将每个对第一对画素电极相隔开来，而一间隙物会形成于每个对第一对画素电极的上方。因此，在此较佳的实施例中，此光阻20是横跨覆盖于第一对画素电极之间的上方，如14B和14C，也就是位于将蚀刻形成的间隙物的上方。
请参阅图1C所示，传统的氮化物化学蚀刻，例如包含如四氟化碳(CF4)、氧气(O2)和氮气(N2)的碳氟化合物(fluorocarbons)，常用于第一次蚀刻步骤中来剥除此硬罩幕层18。紧接着进行氧化物化学蚀刻(oxide etching chemistry)，例如包含碳氟化合物和/或碳氢氟化合物的化学蚀刻，其中以如CHF3、CH2F2、C2H2F4、C3H2F6、C4H2F8和C5H4F8的碳氢氟化合物或是其混合物为佳，例如在碳原子对氟原子的比例高于约三分之一的情况下，会有较快的高分子合成速率。值得注意的是，如同氧气一般，氦气和氩气等惰性气体亦可导入此化学蚀刻制程中，用以加快氧化物的被蚀刻速度。例如，在蚀刻此第二介电绝缘层16用以形成间隙物24的过程中，以形成一高分子保护层侧壁为佳，如24A。此间隙物24的侧壁会呈一预定的倾斜角。例如，此间隙物底部的宽度会较其顶部为宽，且其侧壁与硅基板的水平面会呈一介于约65度至75度的θ角。请参阅图1D所示，接下来剥除此光阻20以及去除蚀刻时所形成的高分子保护层侧壁，如24A。所使用的方法是传统的氧化灰化制程(oxygen ashing process)和/或湿式剥除制程(wet stripping process)，其中以纳入湿式剥除制程为佳。依照本发明的方法，其优点在于此光阻20的厚度并不会限制影响间隙物的形成。这是因为即使在进行间隙物的蚀刻制程过程中，此光阻20被消耗殆尽，还有硬罩幕层18可以保护间隙物24避免受到损伤。
请参阅图1E所示，接下来进行第二次蚀刻步骤，用以在画素电极14A与14B之间且相邻于间隙物24的位置上，向下蚀刻第一介电绝缘层12至预定的深度而形成沟渠26。为求最佳化的沟渠深宽比(aspect ratio)，此第二次蚀刻制程例如可选择性地使用高密度电浆(high density plasma)蚀刻法和/或双电浆源极(dual plasma source，DPS)蚀刻法。所形成的沟渠，例如26，其深度可以与画素电极(如14A和14B)的深度相同，但是以形成较画素电极更深的深度为较佳。例如，较此画素电极的二分之一至其全长的深度更深，例如约在4,000至8,000的深度。
为了帮助避免因高分子的形成与堆积而引发蚀刻过早终止，在进行此沟渠(第二次)的蚀刻制程时，以进行至少一次氧化层的化学蚀刻制程为佳。其中此化学蚀刻制程是以氧为主的原位电浆蚀刻。该电浆蚀刻制程包括在如1秒至15秒的短暂时间内，进行含氧原子来源的气体冲洗(oxygensource gas flush)，接着再重新继续此氧化蚀刻步骤。例如，将电浆气体源在一短暂时间内注入蚀刻反应室中，此电浆气体源成分主要为氧气(如大于50体积百分比)，且还选择性地包含氩气、氦气与/或氮气等，用以制造以氧为主的蚀刻化学(etching chemistry)。此蚀刻制程可去除在第二次蚀刻期间所形成的金属/高分子蚀刻残留物。接下来，经过重新调整此蚀刻化学的状态至先前的氧化物的蚀刻化学，重复进行此第二次蚀刻步骤，用以继续蚀刻此沟渠至预定的深度，例如沟渠26。依据本发明的方法，在蚀刻此沟渠的第二次蚀刻过程中，去除光阻20与在间隙物蚀刻制程后所形成的高分子保护层，将有利于避免引发过早蚀刻终止。此外，在进行第二次蚀刻步骤期间，藉由此硬罩幕层18保护间隙物24的上部避免受蚀刻损伤。可执行内部含氧原子的化学蚀刻步骤，用以至少去除部分残余的金属/高分子残留物，进而避免蚀刻过早终止。因此，本发明方法可藉由改良过的操作装置来制造间隙物与沟渠的蚀刻轮廓与沟渠的深度，并避免损伤到此间隙物，也避免了在进行蚀刻沟渠时发生蚀刻过早终止。也因此，本发明方法可进一步改善LCOS显示器的画质，包含改良其对比与亮度。
请参阅图2所示，为包含本发明方法的数个实施例流程图。在第201步骤中，提供一LCOS显示器的硅基板，其中包含沉积于硅基板上方的第一介电绝缘层以及位于第一介电绝缘层上方的画素电极。在第203步骤中，在此画素电极上沉积间隙物氧化层。第205步骤中，在此间隙物氧化层上沉积硬罩幕层。第207步骤中，执行微影制程与硬罩幕层的蚀刻制程，用以制造间隙物的蚀刻图案。第209步骤中，进行第一次蚀刻制程，用以形成间隙物，其中包括在此进行处理的表面上，形成高分子保护层。第211步骤中，进行氧化灰化法与/或湿式剥除法，用以去除剩余的光阻与残留的高分子保护层。第213步骤中，进行第二次蚀刻制程，用以蚀刻出沟渠，其制程方法包括以氧为主的(原位)化学蚀刻法，用以至少去除部分因重复沟渠蚀刻步骤所产生的金属/高分子蚀刻残留物。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的方法及技术内容作出些许的更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
权利要求
1.一种硅上液晶显示器的间隙物与沟渠的制造方法，应用在一多步骤蚀刻制程中，其特征在于其至少包括以下步骤提供一硅基板，至少包含置于硅基板上的一第一介电绝缘层、复数组第一金属画素电极对与复数组第二金属画素电极对；在该些组的第一与第二金属画素电极对上沉积一第二介电绝缘层；在该第二介电绝缘层上沉积一硬罩幕层；在该硬罩幕层上进行微影制程产生图案化的一光阻，该光阻作为一蚀刻罩幕；进行第一次电浆蚀刻制程，将未被该光阻保护的该硬罩幕层与该第二介电绝缘层去除，在该些组的第一金属画素电极对之间的上方分别形成一间隙物；去除残留的该光阻与高分子蚀刻残留物；以及进行第二次电浆蚀刻制程，向下蚀刻暴露出的该第一介电绝缘层，以在该些组的第二金属画素电极对之间分别形成一沟渠。
2.根据权利要求1所述的硅上液晶显示器的间隙物与沟渠的制造方法，其特征在于其中在该第一次电浆蚀刻制程中会形成一高分子保护层。
3.根据权利要求1所述的硅上液晶显示器的间隙物与沟渠的制造方法，其特征在于其中所述的去除步骤所使用的方法是选自于由湿式剥除法与氧化灰化法所组成的族群。
4.根据权利要求1所述的硅上液晶显示器的间隙物与沟渠的制造方法，其特征在于其中所述的该些沟渠的深度较该些组的第一与第二金属画素电极对的全长深度为更深。
5.根据权利要求1所述的硅上液晶显示器的间隙物与沟渠的制造方法，其特征在于其中所述的该些间隙物的高度是介在约8,000至12,000之间。
6.根据权利要求1所述的硅上液晶显示器的间隙物与沟渠的制造方法，其特征在于其中所述的该些组的第一与第二金属画素电极对的材质至少包含铝铜合金。
7.一种硅上液晶显示器的间隙物与沟渠的制造方法，应用在一多步骤蚀刻制程中，其特征在于其至少包括以下步骤提供一硅基板，至少包含置于硅基板上的一第一介电绝缘层、复数组第一金属画素电极对与复数组第二金属画素电极对；在该些组的第一与第二金属画素电极对上沉积一第二介电绝缘层；在该第二介电绝缘层上沉积至少包含氮化硅的一硬罩幕层；在该硬罩幕层上进行微影制程产生图案化的一光阻，该光阻作为一蚀刻罩幕；进行第一次电浆蚀刻制程，将未被该光阻保护的该硬罩幕层与该第二介电绝缘层去除，用以在该些组的第一金属画素电极对之间的上方分别形成一间隙物，并且形成一高分子保护层；进行一湿式蚀刻制程，去除残留的该光阻与该高分子保护层；以及进行第二次电浆蚀刻制程，向下蚀刻暴露出的该第一介电绝缘层，用以在该些组的第二金属画素电极对之间分别形成一沟渠。
8.根据权利要求7所述的硅上液晶显示器的间隙物与沟渠的制造方法，其特征在于其中所述的该些沟渠的深度较该些组的第一与第二金属画素电极对的全长深度为更深。
9.根据权利要求8所述的硅上液晶显示器的间隙物与沟渠的制造方法，其特征在于其中所述的该些沟渠的深度约在4,000至8,000之间。
10.根据权利要求7所述的硅上液晶显示器的间隙物与沟渠的制造方法，其特征在于其中所述的该些间隙物的高度是在约8,000至12,000之间。
11.根据权利要求7所述的硅上液晶显示器的间隙物与沟渠的制造方法，其特征在于其中所述的该些间隙物的侧壁与该基板的水平面呈一约65度至75度的倾斜角度。
全文摘要
本发明是关于一种硅上液晶显示器的间隙物与沟渠的制造方法，可用在多步骤蚀刻制程中用来制造硅上液晶显示器的间隙物与沟渠。其中包括提供一硅基板，其上依序具有介电绝缘层与金属画素电极。接着在此金属画素电极上沉积第二介电绝缘层。然后，在此第二介电绝缘层上沉积硬罩幕层。接下来在此硬罩幕层上进行微影制程将图案转移至光阻上面，再利用电浆蚀刻将未被光阻保护的硬罩幕层与第二介电绝缘层加以去除，以形成间隙物。接着去除在此进行处理的表面上所残余的光阻与高分子蚀刻残留物。最后，进行第二次电浆蚀刻制程，以在相邻于此间隙物的金属画素电极之间向下蚀刻产生沟渠。
文档编号H01L21/311GK1693948SQ20041010362
公开日2005年11月9日 申请日期2004年12月29日 优先权日2004年5月5日
发明者锺贵仁 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司