气化器及原料溶液的气化方法以及气化器的清洗方法

专利名称：气化器及原料溶液的气化方法以及气化器的清洗方法
技术领域：
在DRAM的开发等中，本发明被应用于晶片制造用的气化器及原料溶液的气化方法，更详细地涉及MOCVD(有机金属气相生长)用的气化器及原料溶液的气化方法。
背景技术：
一般地，本发明的对应的气化器及MOCVD用原料溶液的气化方法，用对于形成SrBi2TaO9强电介质薄膜具有实用性和发展性的MOCVD(有机金属气相生长)法来进行。
在作为一种存储器的DRAM的开发中，成为问题的是伴随细微化的存储电容。从软错误等观点，要求电容与上一代相同的水平，因此需要一些对策。作为该对策，在到1M为止的单元结构中为平面结构，但从4M起采用称为层叠结构、沟道结构的立体结构，实现电容器面积的增加。另外，电介质膜也从基板Si的热氧化膜采用了在多晶Si上层叠热氧化膜与CVD氮化膜的膜(一般将该层叠的膜称为ON膜)。在16M DRAM中，为了进一步使有助于电容的面积增加，在层叠型中采用利用侧面的厚膜型或还利用板的背面之鳍型等。
但是，在这种立体结构中，由工艺的复杂化引起的工序数增加并且由级差增大引起的合格率下降成为问题，256M比特以后的实现较困难。因此作为不改变现有的DRAM的结构来使集成度更增加的一个解决策略，考虑到将电容的电介质替换为介电常数高的强电介质的方法。另外，作为介电常数高的电介质薄膜，首先关注的是Ta2O5、Y2O3、HfO2等高介电常数单金属常电介质氧化物的薄膜。另外，各自的介电常数是Ta2O5为28，Y2O3为16，HfO2为24左右，是SiO2的4～7倍。
但是，在256M-DRAM以后的应用中，需要立体电容器结构。作为具有比这些氧化物更高的介电常数、期待应用于DRAM的材料，认为有希望的是(BaxSr1-x)TiO3、Pb(ZryTi1-y)O3、(PbaL1-a)(ZrbTi1-b)O3的三种。另外，具有与超导电材料非常相似的结晶结构之Bi类的层状强电介质材料也有希望，尤其是称为Y1材料的SrBi2TaO9从低电压驱动和疲劳特性优良的观点看，近年非常引人注目。
通常，形成SrBi2TaO9强电介质薄膜由具有实用性和发展性的MOCVD(有机金属气相生长)法来进行。
在这种气化器及MOCVD用原料溶液的气化方法中，强电介质薄膜的原料例如为有机金属配位化合物Sr(DPM)2、Bi(C6H5)3和Ta(OC2H5)5，分别溶于THF(四氢呋喃)溶剂中，作为溶液使用。另外，DPM是二苯基甲烷(ジビバイロイメタン)的缩写。
使用于MOCVD法的装置结构包括反应部，使SrBi2TaO9薄膜原料气相反应和表面反应而进行成膜；供给部，向反应部供给SrBi2TaO9薄膜原料以及氧化剂；回收部，提取反应部中的生成物。并且，在供给部设有用于使薄膜原料气化的气化器。
图7是表示现有的MOCVD用气化器的系统构成例的概念图。作为涉及现有的气化器的技术例子，已知图7所示的例子，示出一般的MOCVD装置的构成例的概要。在该图7中，在图中下方的加热器上，通过基座装载有进行表面处理的目标体的晶片(wafer)。在上方构成了对该晶片的处理气体供给部。
从上方的处理气体供给部供给O2、Ar等的气体(主载流气体/副载流气体)、或在与真空系统连接的气化系统中，被作为强电介质薄膜的原料的有机金属配位化合物Sr(DPM)2、Bi(C6H5)3和Ta(OC2H5)5由气化系统(Flash vaporization system)被气化。利用该被气化的气体，经由加热器部，通过喷嘴执行装载在基座上的晶片的表面处理。
但是，在上述现有的技术中，产生薄膜原料附着在供给部即气化器的喷出口附近的周围的现象。固态化的薄膜原料即附着物随时间生长。该固态化的薄膜原料引起堵塞气体的导入口(气化器的喷出口)等的各种障碍，并对MOCVD用气化器的长期使用成为障碍。
为了去除该障碍物，以往开放后取下部件，进行部件的清洗或部件的交换。该作业需要较多的时间，使气化器的运转效率降低，使MOCVD的堆叠工艺恶化。
并且，在MOCVD中，为了得到均匀性优良的膜，要求得到原料溶液均匀分散的气化气体。但是，在上述现有技术中，未必对应于相关的要求。

发明内容
本发明的目的在于，提供一种气化器，排除在气化器的喷出口附近的周围附着薄膜原料的现象，可以长期使用，可以向反应部稳定地供给原料。
本发明的目的在于，提供一种原料溶液的气化方法，可得到原料溶液均匀分散的气化气体。本发明的气化器，将经过气体通路被供给的成膜原料从导入口向气化部导入，并在该气化部中使该原料溶液气化，其特征在于，设置用于向所述导入口喷出清洗液的清洗部件。
另外，可以是上述气化器为MOCVD(有机金属气相生长)用的气化器；清洗液含有包含在原料溶液中的有机金属的溶媒；包围气化部的气体喷出前端部外周，设有多个清洗剂供给路径；该多个清洗剂供给路径设定为相对于气化部的气体喷出前端部的中心具有预定的角度，将从该多个清洗剂供给路径喷出的清洗液，以旋涡的状态向气化部的气体喷出前端部喷出。
并且，可以是将上述预定的角度设为相对于气体喷出前端部的中心线1度至15度的范围内，在多个清洗剂供给路径附近的周围还设置空冷管，通过冷却清洗剂，防止溶媒在清洗之前变为气体。
另外，可以构成为将上述清洗剂供给路径配置在气体喷出前端部的正下方的位置，将清洗剂供给路径的前端部作为清洗喷嘴构成，从清洗喷嘴的前端使包含溶媒的清洗液喷出，利用该喷出的清洗剂来实现更有效地去除附着在气化部的气体喷出前端部外周上的薄膜原料的附着固化物。
权利要求11记载的发明的气化器具有气化部，该气化部将经由形成在内部的气体通路被供给的、包含原料溶液的载流气体进行气化，其特征在于具有第1供给部，向气化部供给载流气体；第2供给部，向载流气体供给原料溶液；以及第3供给部，在气化部的气体出口附近供给作用于从该气体出口放出的载流气体的气体。
上述作用可以是防止载流气体在气化部的气体出口附近产生涡流的辅助作用，并且防止产生涡流的对策是在气体出口的附近的向下方向的气体喷射，并且防止产生涡流的对策用的气体喷射是超高速气体流。
另外，可以将气化器设为MOCVD(有机金属气相生长)用的气化器，还具有用于抑制原料溶液的气化的冷却系统部，并且还具有形成高性能的作用区域的完全气化用高性能气化管，用于将包含从气化部喷出的原料溶液的载流气体完全进行气化。
本发明的原料溶液的气化方法是在气化部将经由形成在内部的气体通路供给的、包含原料溶液的载流气体进行气化，其特征在于，具有向气化部供给气体的气化部气体供给工序；载流气体供给工序，向载流气体供给原料和原料溶液，以防止包含原料溶液的载流气体产生气泡；通过冷却来抑制溶媒气化的冷却工序；和防止涡流气体供给工序，供给用于防止在气化部的气体出口附近产生涡流的气体。
另外，可以是上述的防止涡流气体供给工序中的气体供给是在气化部的气体出口附近的下方的超高速气体流，并且目的在于，使包含从气化部喷出的原料溶液的载流气体形成为细微的喷雾状态；可以减少从下方供给的O气(氧气)量，用于提高细微的喷雾状态形成的执行性，并且，进行在N2气(氮气)中加上氧气的抽真空处理。本发明的气化器的清洗方法，从导入口向气化部中导入经由气体通路供给的成膜溶液，在该气化部中使该原料溶液气化，其特征在于，使清洗液向着所述导入口喷出。
本发明的特征在于，所述成膜原料通过所述清洗液溶解于溶媒中。另外，对于MOCVD用的成膜原料，例如使其以喷雾化状态包含在Ar(氩)等载流气体中，以气液混合状态(气液混合气体状态)导入到气化部。另外，也可根据成膜条件，例如使氧气包含在气液混合气体中。
本发明的特征在于，所述清洗液是可溶解所述成膜原料的溶媒。作为溶媒，例如使用甲苯、环氧氯丙烷(ECH)等。另外，也可以综合考虑蒸气压、溶解度等，混合使用多种溶媒。
本发明的特征在于，将所述气化部设为减压状态来进行所述清洗。在清洗时，可以将气化部大气开放，但由于再次恢复到减压状态需要时间，所以最好是仍在减压状态下进行清洗。
本发明的特征在于，以大于等于30cc/min的速度，使所述清洗液喷出。若以大于等于30cc/min来供给，则清洗液始终维持液相。即，通常气化部的温度高，并且，被维持在减压状态。若向此处供给清洗液，则清洗液会气化，有可能丧失清洗效果。但是，本发明人发现若以大于等于30cc/min来供给清洗液，则在极短时间(10秒以下)内，可以干净地去除堆积或附着在导入口或其周边的堆积物或附着物。相反，发现若不到30cc/min，则去除堆积物或附着物需要时间，并且，残留残渣。其理由虽不明确，但认为是由于若以大于等于30cc/min供给，清洗液始终以液相状态与堆积物或附着物接触。大于等于50cc/min更好。但是，即使超过100cc/min，由于效果饱和，所以最好是上限为100cc/min。
本发明的特征在于，将所述导入口与清洗液喷出口的距离设为小于等于25mm。在小于等于40mm的情况下，清洗效果变得显著。更好是小于等于15mm。
本发明的特征在于，在所述气化部设置清洗液的排水(drain)口，在该排水口设置气体喷射器，在该气体喷射器的下流连接除害器。
当进行清洗时，若不从气化器排出清洗后的清洗液，则会留在气化部下部。另外，通常由于气化器下流与成膜装置相通，所以清洗后的清洗液会进入到成膜装置中。因此，在气化部的下部设置排水口，将清洗后的清洗液从排水口排出到气化部外部。
此时，在排水口设置使气体通过的喷射器管。设为从喷射器管的一方可导入例如空气等的气体。将喷射器管的另一方连接到除害器上。当从一方的口流过气体时，排水口与喷射器管的连接部成为减压状态，将清洗后的清洗液从排水口排出到喷射器管。输运到喷射器管的清洗后的清洗液随着气体流，被导入除害器。这样，不破坏气化部的减压状态，可以排出清洗后的清洗液。其结果，不破坏减压状态，可进行清洗。因此，当然不用说，即使将气化部恢复到大气后进行清洗也无妨。


图1是表示实施例1的MOCVD用气化器的结构的要点部的截面图。
图2是用于说明抑制薄膜原料附着的现象产生的动作原理的概念图。
图3是表示将附着在实施例2的气化器的喷出口附近的周围的薄膜原料有效去除的、附着物去除装置的实施例。
图4是用于说明图3的3个清洗液供给路径的结构例的原理图。
图5是表示实施例3的MOCVD用气化器用清洗装置的实施方式的主要部分的截面图。
图6是表示应用于实施例2和3的气化管的实施方式的图。
图7是表示现有的MOCVD用气化器的系统结构例的概念图。
(符号说明)11载流气体+少量氧化气体供给部12防止气泡+原料溶液供给部13抑制溶媒气化的冷却系统14防止涡流用气体供给部15细微喷雾化部16完全气化用高性能气化管20、30气化器31清洗剂供给路径32空冷管41气体喷出细孔(采样载流喷嘴)42清洗喷嘴43空气(Air)44真空排气45排气阀46溶媒槽
具体实施例方式
下面，参照附图来详细说明本发明的气体器及原料溶液的气化方法的实施方式。参照图1～图6，示出本发明的气化器及原料溶液的气化方法的一实施方式。并且，以下所示的实施例1～3相当于气化通路部的局部的构成装置的改良，实现去除在现有例中成为问题点的、薄膜原料附着在气化器的喷出口附近的周围的现象。
(实施例1)图1的截面图表示实施例1的MOCVD用气化器的结构的主要部分。该图1中，本实施例1的MOCVD用气化器具有如下的结构，包括载流气体+少量氧化气体供给部11、防止气泡+原料溶液供给部12、抑制溶媒气化冷却系统13、防止涡流用气体供给部14、细微喷雾化部15、完全气化用高性能气化管16的各部分。
另外，设有完全气化用高性能气化管16，用于形成对载流气体的高性能的作用区域，将包含从气化部喷出的原料溶液的载流气体完全进行气化。在该完全气化用高性能气化管16中，应用下面的实施例4所示的气化管，经由喷嘴向基座上的晶片供给气体。
载流气体+少量氧化气体供给部11是将经由形成在内部的气体通路供给的、包含原料溶液的载流气体供给给气化部的气体供给部。防止气泡+原料溶液供给部12是将防止包含原料溶液的载流气体产生气泡的原料及其原料溶液供给给载流气体的供给部。
抑制溶媒气化的冷却系统13是用于抑制溶媒气化的冷却系统部。
防止涡流用气体供给部14是供给用于防止在气化部的气体出口附近产生涡流的气体的气化供给部。
细微喷雾化部15是使包含从气化器20喷出的原料溶液之载流气体形成细微的喷雾状态的状态区域。
完全气化用高性能气化管16是将包含从气化器20喷出的原料溶液的载流气体完全进行气化的高性能的作用区域管。
在上述结构的实施例1的MOCVD用气化器中构成防止涡流用气体供给部14，产生涡流来抑制在喷出口附近的周围附着薄膜原料的现象的产生。通过该防止涡流用气体供给部14，在喷出口附近周围重新形成超高速气体流的细微喷雾化部15。另外，重新形成的超高速气体流的细微喷雾化部15是概念上的气化气流部，具有抑制产生以往成为问题的、薄膜原料附着在供给部的气化器20的喷出口附近周围的现象的作用。
作为用于进一步提高执行性的具体的对策实例，增大防止涡流用气体供给部14的涡流的气体流量。因此，例如为了抽真空，减少从下部供给的O2(氧)气量。代之进行向Ar气或N2气等载流气体中加入O2气等。
图2是用于说明抑制上述薄膜原料附着的现象产生的动作原理的原理图。在该图2中，从防止涡流用气体供给部14供给的气体在气化器20的气体喷出细孔周围形成放射状气流，防止产生涡流。并且，在图2中，利用记载于气化器20的前端部的箭头21来概念性地示出气体的放射状气流的形成方式。气化器20的中央部的气体喷出细孔突出成山状，从该气化器20的周围放出气体来形成气体的放射状气流。利用如此形成的放射状气流，消除薄膜原料即附着物在气体喷出细孔的周围的滞留，有效防止产生向气体喷出细孔的周围的附着物。
在上述实施例1中，在伴随溶媒的抑制气化冷却系统13的实施的、相对于气体喷出细孔的位置从上方实施空冷时的晶片处理实验中，在大致处理100个晶片后产生喷出口的堵塞。该数据相当于3天～4天的处理工序，相对于现有技术中的处理，将喷出口的堵塞产生时间延长了数倍。
(实施例2)图3和图4表示将附着在气化器的喷出口附近周围的薄膜原料有效去除的附着物去除装置的实施例。另外，图4是用于说明图3的3个清洗供给路径之结构例的概念图。
本实施例2是在产生薄膜原料附着在气化器的喷出口附近的周围的现象的情况下用于有效去除的实施例。另外，本实施例2通过与实施例1合用，可进一步改善由上述实施例1所改善的喷出口堵塞的产生。
在表示本实施例2的图3和图4中，在对应于本实施例2的MOCVD用气化器中设有3个清洗剂供给路径31a、31b、31c。另外，在3个清洗剂供给路径31a、31b、31c附近的周围还设有空冷管32用于向气化器30的气体喷出细孔的前端部供给清洗剂。
在上述结构的实施例2的MOCVD用气化器中，通过新设置清洗剂供给路径31和空冷管32，冷却清洗液，并在清洗之前使溶媒不会在清洗前变成气体。通过该对策，实现了在气化器30的气体喷出细孔前端部的周围容易产生的薄膜原料的附着现象和薄膜原料的固化现象的防止。
在上述实施例中，清洗为多点、以倾斜的清洗更有效。例如，更具体地，将喷嘴设为3个，实现从各喷嘴喷出的清洗剂的动作的效率化。
另外，在清洗剂的供给中，例如使用送入空气的空气喷射器。由此，可以不将被处理对象的室内恢复成大气后清洗。但是，也可以恢复成大气后清洗。
作为应用为清洗剂的液剂实例，例如供给甲苯/10秒、己基环己烷(ヘチルシクロヘキサン)/1.5秒。并且，为了在减压下清洗，也可送入充足的溶剂。例如，将供给量设为30cc/分。
(实施例3)图5是表示清洗装置的实施方式的图，示出将附着在气化器的喷出口附近的周围的薄膜原料有效去除的附着物去除装置的实施例。本实施例3是与上述实施例2一样的目的，在薄膜原料的附着现象产生于气化器的喷出口附近的周围的情况下用于有效去除的实施例。另外，本实施例3是实现更有效地改善由上述实施例1改善的喷出口的堵塞的产生的实施例。
在表示本实施例3的图5中，在对应于本实施例3的MOCVD用气化器中的气体喷出细孔前端部的正下方的位置配置有清洗喷嘴42，用于向气化器的气体喷出细孔(采样载流喷嘴)41之前端部供给清洗液。在表示本实施例3的图5中，将气体喷出细孔41的前端部与清洗喷嘴42的前端部之间隔距离表示为“h”。
在上述结构的实施例3的MOCVD用气化器中，通过新设置清洗喷嘴42，容易实现在气化器的气体喷出细孔前端部周围容易产生的、由薄膜原料引起的附着物的去除作业。
在上述实施例中，从溶媒槽46使包含溶媒的清洗液由清洗喷嘴42的前端喷出，使清洗液向采样载流喷嘴41的前端部喷出。利用该喷出的清洗液来更有效地去除附着在采样载流喷嘴41的前端部的薄膜原料的附着固化物。
在上述清洗时，需要使容纳采样载流喷嘴41的室(chamber)内减压，并使从清洗喷嘴42喷出的清洗剂有效地喷出。为了该目的，使用空气喷射器来送入空气(Air)43，使用吸引效应来进行真空排气44。被吸引的排气通过排气阀45排气。
作为上述清洗中的常数实例，例如将间隔距离设为h＝15，将溶媒槽46的压力设为0.1Mpa，将流量设为50cc/min，将采样载流喷嘴41的喷嘴直径设为0.3Φ，作为将甲苯设为溶媒时的实验结果，进行了在5秒以内去除污垢。另外，从采样载流喷嘴41喷出的溶媒之蒸气压较好是5～100Torr，最好是10～50Torr。
(实施例4)图6是表示应用于实施例2和3中的气化管的实施方式的图。在上述实施例2和3中示出附着物去除装置的结构例，有效地去除附着在在气化器的喷出口附近的周围的薄膜原料。在这些实施例2和3的实施中，产生不对被处理对象的晶片产生障碍而排除被去除的附着物的必要。就该目的而言，使气化管为与正下方方向的通路A不同，设有沿侧方向的通路B。经由该沿侧方向的通路B，进行对晶片的处理气体的供给。由此，使从晶片处理室内排除障碍物变容易。
另外，上述的实施方式是本发明的最佳实施的一例。但是，不限于此，在不脱离本发明主旨的范围内，可进行各种变形实施。
产业上的可利用性从以上说明可知，本发明的气化器及原料溶液的气化方法，具有清洗剂供给路径，向气化部供给载流气体、向载流气体供给原料溶液、并向气化部的气体喷出前端部的外周喷出清洗液。通过该结构，可更有效地去除在气化部的气体喷出前端部上附着的薄膜原料的附着固化物。
另外，上述气化器应用于MOCVD(有机金属气相生长)变得有效，通过使有机金属的溶媒包含于清洗液中，可提高清洗效果。另外，包围气化部的气体喷出前端部外周，设置多个清洗剂供给路径，并设定为相对于气体喷出前端部的中心具有预定角度，若将从多个清洗液供给路径喷出的清洗液以旋涡的状态喷出，可进一步提高清洗效果。并且，通过调整相对于上述中心线的角度或冷却清洗剂，可进一步提高清洗效果。
并且，在气化部的气体出口的附近供给作用于从该气体出口放出的载流气体的气体，由此可抑制产生薄膜原料附着在气化部的气体喷出前端部。例如，将本作用作为防止在气化部的气体出口附近产生涡流的辅助作用，是气体出口的附近的下方向的气体喷射，并作为超高速气体流时，可提高效果。
权利要求
1.一种气化器，将经由气体通路被供给的成膜原料从导入口向气化部导入，并在该气化部中使该原料溶液气化，其特征在于，设有用于向所述导入口喷出清洗液的清洗部件。
2.如权利要求1所述的气化器，其特征在于，所述气化器是MOCVD(有机金属气相生长)用的气化器。
3.如权利要求1或2所述的气化器，其特征在于，所述清洗液是用于溶解所述成膜原料的溶媒。
4.如权利要求1至3的任一项所述的气化器，其特征在于，所述清洗部件包围所述导入口的前端部外周并设有多个。
5.如权利要求4所述的气化器，其特征在于，所述多个清洗部件相对于所述导入口的中心具有预定角度而设定，可以将从该多个清洗部件喷出的清洗液向所述气化部的气体喷出前端部以旋涡的状态喷出。
6.如权利要求5所述的气化器，其特征在于，所述预定的角度相对于所述气体喷出前端部的中心线在1度至15度的范围内。
7.如权利要求4至6的任一项所述的气化器，其特征在于，在所述多个清洗剂供给路径附近的周围还设置空冷管，通过冷却所述清洗剂，在清洗之前防止溶媒在清洗前变为气体。
8.如权利要求1至3之任一项所述的气化器，其特征在于，将所述清洗剂供给路径配置在所述气体喷出前端部的正下方的位置来构成。
9.如权利要求8所述的气化器，其特征在于，将所述清洗液供给路径的前端部构成为清洗喷嘴。
10.如权利要求9所述的气化器，其特征在于，从所述清洗喷嘴的前端使包含溶媒的清洗液喷出，利用该喷出的清洗剂来实现更有效地去除附着在所述气化部的气体喷出前端部的外周上的、薄膜原料的附着固化物。
11.一种气化器，具有气化部，该气化部将经由形成在内部的气体通路供给的、包含原料溶液的载流气体进行气化，其特征在于，具有第1供给部，向所述气化部供给所述载流气体；第2供给部，向所述载流气体供给所述原料溶液；以及第3供给部，在所述气化部的气体出口的附近，供给作用于从该气体出口放出的所述载流气体的气体。
12.如权利要求11所述的气化器，其特征在于，所述作用是防止所述载流气体在所述气化部的气体出口附近产生涡流的辅助作用。
13.如权利要求11或12所述的气化器，其特征在于，防止所述涡流产生的对策是所述气体出口附近的向下方向的气体喷射。
14.如权利要求13所述的气化器，其特征在于，防止所述涡流产生的对策用的所述气体喷射是超高速气体流。
15.如权利要求11至14的任一项所述的气化器，其特征在于，将所述气化器设为MOCVD(有机金属气相生长)用的气化器。
16.如权利要求11至15的任一项所述的气化器，其特征在于，还具有用于抑制所述原料溶液的气化的冷却系统部。
17.如权利要求1或11所述的气化器，其特征在于，还具有形成高性能的作用区域的完全气化用高性能气化管，用于将包含从所述气化部喷出的所述原料溶液的载流气体完全进行气化。
18.一种原料溶液的气化方法，将经由形成在内部的气体通路供给的、包含原料溶液的载流气体在气化部进行气化，其特征在于，具有气体供给工序，向所述气化部供给气体的气化部；载流气体供给工序，将防止包含所述原料溶液的载流气体产生气泡的原料和原料溶液供给给所述载流气体；冷却工序，利用冷却来抑制溶媒气化；以及防止涡流气体供给工序，供给用于防止在所述气化部的气体出口附近产生涡流的气体。
19.如权利要求18所述的原料溶液的气化方法，其特征在于，所述防止涡流气体供给工序中的所述气体供给是所述气化部的气体出口附近的下方的超高速气体流，用于使从所述气化部喷出的、包含所述原料溶液的载流气体形成为细微的喷雾状态。
20.如权利要求19所述的原料溶液的气化方法，其特征在于，减少从下方供给的O气量，并且，进行向N2气体中加入O气的抽真空处理，用于提高所述细微的喷雾状态形成的执行性。
21.一种气化器的清洗方法，将经由气体通路供给的成膜溶液从导入口向气化部导入，在该气化部使该原料溶液气化，其特征在于，使清洗液向所述导入口喷出。
22.如权利要求21所述的气化器的清洗方法，其特征在于，所述成膜原料通过所述清洗液溶解于溶媒中。
23.如权利要求22所述的气化器之清洗方法，其特征在于，所述清洗液是可溶解所述成膜原料的溶媒。
24.如权利要求21至23的任一项所述的气化器的清洗方法，其特征在于，将所述气化部变为减压状态后进行所述清洗。
25.如权利要求21至24的任一项所述的气化器的清洗方法，其特征在于，以大于等于30cc/min的速度使所述清洗液喷出。
26.如权利要求21至25的任一项所述的气化器的清洗方法，其特征在于，将所述导入口与清洗液喷出口的距离设为小于等于25mm。
27.如权利要求1至17的任一项所述的气化器，其特征在于，在所述气化部中设置清洗液的排水口，在该排水口中设置气体喷射器，在该气体喷射器的下流连接除害器。
全文摘要
本发明得到MOCVD用气化器，排除在气化器的喷出口附近的周围附着薄膜原料的现象。载流气体+少量氧化气体供给部11将经由形成在内部的气体通路供给的、包含原料溶液的载流气体供给给气化部；防止气泡+原料溶液供给部12将防止包含原料溶液的载流气体产生气泡的原料及其原料溶液供给给载流气体，抑制溶媒气化冷却系统13抑制溶媒的气化；防止涡流用气体供给部14供给用于防止在气化部的气体出口附近产生涡流的气体。细微喷雾化部15使包含从气化器20喷出的原料溶液的载流气体形成为细微的喷雾状态，完全气化用高性能气化管16将包含从气化器20喷出的原料溶液的载流气体，完全进行气化。
文档编号H01L21/31GK1751380SQ20048000451
公开日2006年3月22日 申请日期2004年2月18日 优先权日2003年2月18日
发明者矢元久良, 酒进谅一, 庄司正文, 阿久户和哉, 长冈健, 绵贯宏 申请人:华哥姆电创股份有限公司