专利名称：调节半导体刻蚀设备工艺腔顶针高度的方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体刻蚀设备制造方法，尤其涉及一种调节半导体刻蚀设备工艺腔顶针高度的方法。
背景技术：
TEL公司生产的UNITY-II干法刻蚀设备的IEM(离子能量调节)工艺腔内使用LIFTER传送机构来实现硅片的传送，其结构主要由以下部件构成(如图1所示)1.顶针(金属制)2.顶针停止装置(VESPEL制，VESPEL是一种高分子材料)3.弹簧(金属制)顶针的运动情况是汽缸驱动轴上升，通过联动机构压缩弹簧，推动顶针沿着顶针停止装置向上运动，顶针升起；汽缸驱动轴下降，顶针在弹簧作用下沿着顶针停止装置向下运动，顶针降下。
因此顶针顶端距离硅片背面的距离d由顶针停止装置的长度决定。目前顶针的驱动是由汽缸来实现的，距离d约为1.3mm左右，且无法调节。
工艺刻蚀过程中顶针是在降下位置。同时在刻蚀过程中硅片背面会不断聚集静电电荷，当静电电荷聚集到一定的数量时，硅片背面与顶针的顶端会发生异常放电，导致硅片背面产生缺陷。
TEL公司采取了两种方法来解决异常放电现象
1.使用VESPEL制的顶针，使顶针顶端与硅片背面绝缘，从而避免异常放电。
2.改用MOTOR驱动顶针，来调节顶针顶端与硅片背面的距离，从而避免或减轻异常放电。
上面两种方法需要对设备进行较大改造和软件升级，需投入大量的经费和时间。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种调节半导体刻蚀设备工艺腔顶针高度的方法，其能避免或减轻由于异常放电对硅片背面造成的缺陷，且操作简单、使用方便。
为解决上述技术问题，本发明一种调节半导体刻蚀设备工艺腔顶针高度的方法，采用在顶针与顶针停止装置之间增加垫片，调节步骤如下(1)用游标卡尺测量顶针与载片台表面的距离d；(2)将顶针驱动机构分解后，在顶针与顶针停止装置之间装上合适的垫片；(3)再次用游标卡尺测量顶针与载片台表面的距离d，如果未达到要求可再次进行调节，直至满足要求。
所述的垫片采用不锈钢或高分子材料制成。
所述垫片的规格为0.1mm、0.2mm或0.5mm。
和现有技术相比，本发明具有以下有益效果半导体刻蚀设备在氧化膜等离子刻蚀时经常发生异常放电，导致硅片背面有白色圆点缺陷，采用本发明方法制成的半导体刻蚀设备，通过控制顶针顶端距离硅片背面的距离d在0.3-0.5mm，达到解决异常放电的问题。本发明能避免或减轻由于异常放电对硅片背面造成的缺陷，且操作简单、使用方便。
图1是现有的半导体刻蚀设备的结构示意图；图2是采用本发明方法制成的半导体刻蚀设备的结构示意图。
具体实施例方式
下面结合附图对本发明作进一步详细的说明。
如图2所示，本发明采用在顶针与顶针停止装置之间增加垫片来调节顶针与硅片背面的距离。调节步骤如下(1)用游标卡尺测量顶针与载片台表面的距离d；(2)将顶针驱动机构分解后，在顶针与顶针停止装置之间装上合适的垫片；(3)再次用游标卡尺测量顶针与载片台表面的距离d，如果未达到要求可再次进行调节，直至满足要求。
通常距离d为1.3mm，在添加了2个0.5mm的垫片后即可调整到0.3-0.5mm的要求范围。
为方便调节，将垫片的规格确定为0.1mm、0.2mm、0.5mm三种。
半导体刻蚀设备在氧化膜等离子刻蚀时经常发生异常放电，导致硅片背面有白色圆点缺陷，通过控制顶针顶端距离硅片背面的距离d在0.3-0.5mm，达到解决异常放电的问题。
权利要求
1.一种调节半导体刻蚀设备工艺腔顶针高度的方法，其特征在于，采用在顶针与顶针停止装置之间增加垫片，调节步骤如下(1)用游标卡尺测量顶针与载片台表面的距离d；(2)将顶针驱动机构分解后，在顶针与顶针停止装置之间装上合适的垫片；(3)再次用游标卡尺测量顶针与载片台表面的距离d，如果未达到要求可再次进行调节，直至满足要求。
2.如权利要求1所述的调节半导体刻蚀设备工艺腔顶针高度的方法，其特征在于，所述的垫片采用不锈钢或高分子材料制成。
3.如权利要求1所述的调节半导体刻蚀设备工艺腔顶针高度的方法，其特征在于，所述垫片的规格为0.1mm、0.2mm或0.5mm。
全文摘要
本发明公开了一种调节半导体刻蚀设备工艺腔顶针高度的方法，其采用在顶针与顶针停止装置之间增加垫片，即可调节顶针与硅片背面的距离，从而避免和减轻异常放电，且操作简单、使用方便。
文档编号H01L21/3065GK1970841SQ20051011070
公开日2007年5月30日 申请日期2005年11月24日 优先权日2005年11月24日
发明者王健 申请人:上海华虹Nec电子有限公司