专利名称：半导体激光装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体激光装置，特别详细地涉及一种使横模为高次模或多模来振荡的、带宽为3μm以上的GaN系半导体激光芯片所发出激光束进行波长合成(合波)的半导体激光装置。
背景技术：
以往，作为发出600nm以下短波区域的光源，III-V族氮化物的AlInGaN类的半导体激光器受到关注。该AlInGaN等的GaN系材料是如非专利文献1所记载，在蓝·绿波长区域的半导体发光元件方面，具有极其优越的特性，近来，正在开展利用该材料，在360～500nm波长区域振荡的半导体激光器的实用化和技术开发。
这种半导体激光器是振荡波长短、比现正在实用化的最短波长为630nm的半导体激光器可以获得非常小的光点，所以，期待高记录密度型的光盘存储用的光源上应用。另外，450nm以下的短波光源是在短波区域中利用灵敏度高的感光材料的印刷等领域的、作为数字图像形成器械的光源很重要；450nm域的半导体激光器是利用光聚合物的作为CTP(computerto plate电脑直接制版)用的曝光光源正在实用化。在这些应用中，需要光学性高品质的单峰高斯光束，所以，作为半导体激光器，必须利用高品位的基本横模激光器。
为了实现基本横模振荡，有需要利用折射率波导型的元件结构来谋求波导振荡模的稳定化。满足其要求的基础上，折射率波导结构的折射率差即带中央部与带外部之间的实效折射率差Δn通常设定为5×10-3～1×10-2的范围。并且，为了实现基本横模振荡，与此同时还需要2μm以下的极其窄的带宽。因此，元件端面的光密度变为极其大，例如，在作为光盘记录用光源利用的50mW型的半导体激光器中，元件端面的光密度达到约5MW/cm2左右。从而，在基本横模振荡的GaN系半导体激光器中，100～200mW左右是具有几千～10000小时以上的实用可靠性，认为是从一个带所能获得的连续光输出限度。
另外，为了获得更大的光输出，需要采取宽的带宽，用高次模或多横模来振荡。作为这样的大输出的半导体激光器，具体地，带宽为50～2000μm左右、可以获得0.5～5W左右的大输出的红色或红外线区域的宽带半导体激光器，广泛利用在固体激光器激励、焊接、软钎焊、医疗用等领域。
所述的GaN系半导体激光器具有发挥活用短波的优点，在如上述的应用领域中，取代红色或红外线区域的半导体激光器的可能性。并且，此GaN系半导体激光器是光子能量高，所以也有可能应用在活用光化学反应的材料改质、产业上。实现那样的应用方面，提高高次模或多模来振荡的元件性能变为重要。特别是，大输出光源利用了作为能源的光，但是，不是单单提高输出还提高亮度变为重要。另外，在GaN系的半导体激光器中，利用横向生长来降低结晶缺陷(转位)密度而实现高可信度，所以，在现状中，在维持高品位的结晶性而扩大带宽方面有限度。最近，虽然已经制作出全面低转位密度的GaN基板，但是和一般的蓝宝石基板相比，极其高价，所以，为了一般的使用，希望进而的低成本化。
在这样的状况下，为了实现大输出中高亮度即每单位面积的激光功率大的激光装置，波长合成而聚光其来自多个发光区域的激光束就变得有效。图4是模式性地表示应用此种波长合成聚光系统的半导体激光装置的一般形式的图。在此种半导体激光装置中，集成多个半导体激光芯片LD1～5，将从这些所发出的激光光束B1～5，利用分别的焦点距离＝f1、数值孔径＝NA1的准直透镜C1～5来变为平行光之后，利用焦点距离＝f2、数值孔径＝NA2的聚光透镜D来变为波长合成聚光。另外，在图5中，表示在一个半导体芯片集成多个发光区域而构成的、从半导体激光器阵列LA所发出的激光光束B1～5变为波长合成聚光的半导体激光装置。
日本应用物理杂志(Japanese Journal of AppliedPhysics)1995年第34卷第7A号第L797～799页。
以上例示的波长合成激光光源中，将排列在平行于接合面方向的多个近视野像进行波长合成。此时的光学系统的倍率m是用m＝f2/f1来表示。另外，如果设半导体激光器的近视野像的宽度为W1，则聚光光点的平行于接合面方向的宽度W2变为W2＝m×W1。如果设聚光光束所扩展的角度为NA2，则根据此NA2，可以规定输出光束的亮度(光点直径与扩展角度的积)。另一方面，为了在聚光透镜中集中其合成了n条光束的准直光，有需要满足(n/m)×NA1≤NA2。从而，在给出的光学系统中，为了增加波长合成的光束条数n而实现高输出·高亮度化，有需要使半导体激光器的输出光束的辐射角度NA1(＝准直透镜的数值孔径)变小。
另外，如上所示，不是只为了增加波长合成的光束条数n，使GaN系的半导体激光装置的水平光束辐射角度即平行于接合面的辐射角度变小的要求是广泛存在的。
发明内容
本发明是鉴于上述的情况而进行的，其目的在于，提供一种将可以抑制水平光束辐射角度为小的、半导体激光芯片所发出的激光光束，合成更多条成为可能，并且可以获得高输出·高亮度的波长合成光束的半导体激光装置。
如上所述，根据本发明的、构成半导体激光装置的激光芯片是具有折射率波导结构，横模为高次模或多模来振荡的GaN系的带状型半导体激光装置，其特征在于带中央部与带外部之间的实效折射率差Δn为1.5×10-2以下。
另外，优选上述的实效折射率差Δn是设定为5×10-3≤Δn≤1.5×10-2的范围、更优选设定为5×10-3≤Δn≤1.5×10-2的范围。
另外，优选上述构成的半导体激光器中，带的宽度为5μm以上。
另外，作为上述的折射率波导结构，适当采用脊形波导(通道)结构或内部带型波导(通道)结构均可以。
另外，具有上述构成的本发明的构成要件的半导体激光器，可以在一个半导体芯片具备一个带结构的来形成；或者也可以在一个半导体芯片上，以每一个发光点大体上一线排列在平行于接合面方向的状态来设置多个带结构，而形成作为半导体激光器阵列。
另一方面，根据本发明的半导体激光装置是在上面所说明的一个半导体芯片上具备一个带结构而形成的类型的、利用半导体激光器的波长合成激光装置，其特征在于，由每一个发光点大体上一线排列在平行于接合面方向的状态来布置多个上述半导体激光芯片；使每一个半导体激光芯片所发出的激光束各自平行光化的多个准直透镜；将透过该准直透镜的多个激光束在大致共同点上进行聚光的聚光透镜而构成。
另外，根据本发明的其他半导体激光装置是利用上述半导体激光器阵列来形成的半导体激光芯片的波长合成激光装置，其特征在于，由一个或多个该半导体激光芯片；使该半导体激光芯片所发出的激光束各自平行光化的多个准直透镜；将透过该准直透镜的多个激光束在大致共同点上进行聚光的聚光透镜而构成。
不同于波道路设计中已经决定辐射角度的基本横模振荡的半导体激光器，在扩大带宽而包含高次横模的多模来振荡的半导体激光器中，以往是认为光束辐射角度是不能控制。下面，举出实际例子来详细说明这一点。
本发明人对图6所示的振荡波长为808nm的宽带的多模半导体激光器，制作多种样品元件，研究了决定光束辐射角度的条件。另外，该图6的半导体激光器具有n-GaAs基板1(Si＝2×1018cm-3渗杂)、n-GaAs缓冲层2(Si＝2×1018cm-3渗杂、0.5μm厚)、n-Al0.63Ga0.37As金属包层3(Si＝1×1018cm-3渗杂、1μm厚)、不渗杂SCH活性层4、p-Al0.63Ga0.37As金属包层5(Zn＝1×1018cm-3渗杂、1μm厚)、p-GaAs盖层6(Zn＝2×1018cm-3渗杂、0.3μm厚)、SiO2绝缘膜7、p侧电极8(Ti/Pt/Au)和n侧电极9。在此，不渗杂SCH活性层4是由In0.48Ga0.52P光波导层(不渗杂、层厚Wg＝0.1μm)、In0.13Ga0.87As0.75P0.25量子井层(不渗杂、10nm)、In0.48Ga0.52P光波导层(不渗杂、层厚Wg＝0.1μm)所构成。
本例的半导体激光器是具有底部宽度为W3的台面晶体管(mesa)带结构，但制作了此带宽的宽度W3值为10、15、20、25、55μm的5种样品元件。进而地，通过改变p-Al0.63Ga0.37As金属包层5的台面晶体管带外的蚀刻区域的残留厚度t1，制作了控制带中央部与带外之间的实效折射率Δn，该Δn的值为5×10-3、7×10-3、1.4×10-2的三种样品元件。另外，在以往的红外线半导体激光器中，获得稳定的折射率波导的Δn＝9×10-7以上的范围中，光束辐射角度是不变化，所以，例如将Δn取为2×10-2以上的大值。这种半导体激光器在室温中，以波长为808nm、阈值电流为约100mA来振荡。
在这种半导体激光器中，在图7、图8中分别表示求出水平光束的辐射角度即平行于接合面内的光束辐射角度(半值全幅)与所述实效折射率差Δn之间的关系、相同水平光束辐射角度(半值全幅)与所述带宽W3之间关系的结果。
如图7所示，这种红外线区域的宽带横向多模半导体激光器中，实效折射率差Δn在5×10-3以上的稳定的折射率波导区域中，光束辐射角度是不依存于Δn而几乎变为恒定。这表示与光波道路的境界条件无关，由作为增益介质的活性区域的特性支配横模即近视野像的基本空间频率。另外，图7中，Δn＝5×10-3的情况下，虽然光束辐射角度变小，但是，由于横模的光输出依存性，在本例中横模变为不稳定，向活性层的注入载波所引起的等离子体效果降低，所以，折射率波导变为不稳定而判明不适于实用。
另一方面，如果看图8所示的光束辐射角度的带宽依存性，带宽W3为约20μm中光束辐射角度变为最大，在20μm以上，近似变为恒定。另外，在此没有表示的带宽W3＝200μm的元件是变为和W3＝55μm的元件几乎相同的光束辐射角度。这样，在以往的红外线区域的宽带的多模半导体激光器中，即使利用折射率波导结构，控制光束辐射角度是困难的。特别是，实现高亮度化所需要的小光束辐射角度是困难的。
但是，根据本发明人的研究，清楚了即使是横模为同样的高次模或多模来振荡的半导体激光器，和GaN系的带状型半导体激光装置的情况完全不同。判明即这种GaN系的带状型半导体激光装置的情况下，使带中央部与带外部之间的实效折射率差Δn越小，则水平光束辐射角度越小，并且，即使那样，在宽的Δn的范围中，折射率波导变为稳定，而十分适合于实用。
图2是对横模为高次模或多模来振荡的GaN系的带状型半导体激光装置的典型例，表示研究带中央部与带外部之间的实效折射率差Δn与水平光束辐射角度(半值全幅)之间关系的结果。由此清楚如果实效折射率差Δn为1.5×10-2以下范围，则可以获得20°以下的充分小的水平光束辐射角度。
另外，一般地，如果实效折射率差Δn越是变小，则折射率波导变为不稳定，但是，在此种情况下，还确认了即使是实效折射率差Δn变为5×10-3范围的小的值，但折射率波导还稳定，稳定的横模控制成为可能。从这一点，优选在构成本发明的半导体激光器中，将实效折射率差Δn值设定为5×10-3≤Δn≤1.5×10-2的范围。
另外，如果使实效折射率差Δn变为1×10-2的小的值，则水平光束辐射角度变为15°以下左右的更小角度，可以实现进而的高亮度化。从这一点，更优选在构成本发明的半导体激光器中，将实效折射率差Δn设定为5×10-3≤Δn≤1×10-2的范围。
另外，图3中表示对横模为高次模或多模来振荡的GaN系的带状型半导体激光器的典型例，研究带宽W1与水平光束辐射角度(半值全幅)之间关系的结果。从图3中清楚如果是在此所示的带宽W1范围，则水平光束辐射角度是不依存于带宽W1。如果那样，优选将该带宽W1设定为5μm以上的大的值，实现高输出化。
另外，为了比较，在图3中表示了带宽为W1＝1.4μm的基本横模来振荡的半导体激光器的同样的(研究带宽W1与水平光束辐射角度)关系。由此清楚宽带的多横模半导体激光器和基本横模元件比较，其光束辐射角度大，且光束辐射特性完全不同。
另一方面，根据本发明的半导体激光装置，都是合成其排列在平行于接合面方向的多条近视野像的构成。但是，如上所述，在其中利用了可以充分小地设定水平光束辐射角度的半导体激光芯片，所以增加其波长合成的光束条数n而实现高输出·高亮度化成为可能。
图1是构成本发明的第一实施方式的半导体激光芯片的截面模式图。
图2是表示GaN系的带状型多横模半导体激光器中的、水平光束辐射角度与带内外实效折射率差之间关系的说明图。
图3是表示GaN系的带状型多横模半导体激光器中的、水平光束辐射角度与带宽之间关系的说明图。
图4是表示波长合成聚光的半导体激光装置之一例的大体平面图。
图5是表示波长合成聚光的半导体激光装置之另一例的大体平面图。
图6是表示以往的红外线区域半导体激光器之一例的概略垂直截面图。
图7是表示以往的红外线区域半导体激光器中的、水平光束辐射角度与带内外实效折射率差之间关系的说明图。
图8是表示以往的红外线区域半导体激光器中的、水平光束辐射角度与带宽之间关系的说明图。
图中20-低缺陷GaN基板层，21-n-GaN缓冲层，22-n-In0.1Ga0.9N缓冲层，23-n-In0.1Ga0.9N金属包层，24-n-GaN光波导层，25-不渗杂活性层，26-p-GaN光波导层，27-p-Al0.1Ga0.9N金属包层，28-p-GaN盖层，29-SiN膜，30-p电极，31-n电极。
具体实施例方式
下面，结合图详细说明本发明的实施方式。
图1是构成本发明的第一实施方式的半导体激光器的截面模式图。如图1所示，该半导体激光器具有低缺陷GaN基板层20；n-GaN缓冲层21(Si渗杂、5μm厚)；按顺序形成在该n-GaN缓冲层21上的n-In0.1Ga0.9N缓冲层22(Si渗杂、0.1μm厚)、n-In0.1Ga0.9N金属包层23(Si渗杂、0.45μm厚)、n-GaN光波导层24(Si渗杂、0.1μm厚)、不渗杂活性层25、p-GaN光波导层26(Mg渗杂、0.3μm厚)、p-Al0.1Ga0.9N金属包层27(Mg渗杂、0.45μm厚)和p-GaN盖层28(Mg渗杂、0.25μm厚)。
并且，上述的p-GaN盖层28的周围和p-Al0.1Ga0.9N金属包层27的上表面是由SiN膜29来覆盖，进而在其上面形成Ni/Au所构成的p电极30，并且，在n-GaN缓冲层21上的、不包含发光区域的部分，形成了由Ti/Pt/Au所构成的电极31。
下面，说明此半导体激光器的制作方法。首先，在省略图示的蓝宝石C面基板上，例如通过日本应用物理杂志(Japanese Journal of AppliedPhysics)2000年第39卷第7A号第L647页所记载的方法，形成成为低缺陷GaN基板20的层。其次，利用常压MOCVD法，使n-GaN缓冲层21、n-In0.1Ga0.9N缓冲层22、n-In0.1Ga0.9N金属包层23、n-GaN光波导层24、不渗杂活性层25、p-GaN光波导层26、p-Al0.1Ga0.9N金属包层27和p-GaN盖层28(Mg渗杂、0.25μm厚)生长。
在此，活性层25是作为不渗杂In0.1Ga0.9N量子井层(3nm厚度)、不渗杂Al0.04Ga0.96N障壁层(0.01μm厚度)、不渗杂In0.1Ga0.9N量子井层(3nm厚度)、p-Al0.1Ga0.9N障壁层(Mg渗杂、0.01lμm厚度)的4层结构。
接着，利用光刻和氯离子的RIBE(reactive ion beam etching光刻离子反应)来将p-GaN盖层28和p-Al0.1Ga0.9N金属包层27的侧部区域，从p-GaN光波导层26蚀刻到离开t2距离的位置，形成宽度W2的脊形带(ridge strip)。
接着，通过等离子体CVD法在全面制作SiN膜29之后，通过光刻和蚀刻法，除去脊上的不要的部分。然后，在氮气气氛中，通过热处理，使p型杂物活性化。接着，由氯离子的RIBE法来蚀刻而除去，除了含发光区域部分以外的外延层，到n-GaN缓冲层21露出为止。然后，真空蒸镀作为n电极材料的Ti/Al/Ti/Au和作为p电极材料的Ni/Au后，在氮气中进行退火，形成作为电阻电极的n电极31和p电极31。谐振器端面是由劈开的方法来形成。
如以上，完成了构成本实施方式的GaN系的带状型半导体激光器。此半导体激光器是具有折射率波导结构，横模为高次模或多模来振荡的。其振荡波长为405nm。
前面所说明的图2表示在构成本实施方式的半导体激光器中，带中央部与带外部之间的实效折射率差Δn与水平光束辐射角度(半值全幅)之间关系的研究结果。在本例中，制作了脊形带宽W2为恒定的7μm、实效折射率差Δn作为4.8×10-3、6.5×10-3、1.07×10-2、1.42×10-2的四种样品元件，对这些研究了上述的关系。另外，此实效折射率差Δn的值是改变上述的p-Al0.1Ga0.9N金属包层27的蚀刻残留厚度t2的方法来改变的。由此，如上所说明，如果实效折射率差Δn为1.5×10-2以下范围，则可以获得20°以下的充分小的水平光束辐射角度。
另外，一般地，如果实效折射率差Δn越是变小，则折射率波导变为不稳定，但是，在此种情况下，还确认即使是实效折射率差Δn变为5×10-3的较小范围，折射率波导还稳定，稳定的横模控制成为可能。因此，考虑这一点，优选实效折射率差Δn设定为5×10-3≤Δn≤1.5×10-2的范围。
另外，如果使实效折射率差Δn变为1×10-2以下范围，则水平光束辐射角度变为15°以下左右的更小角度，还可以实现进而的高亮度化。因此，从这一点，更优选将实效折射率差Δn设定为5×10-3≤Δn≤1×10-2的范围。
另外，在图3中表示对构成本实施方式的半导体激光器，带宽W1与水平光束辐射角度(半值全幅)之间关系的研究结果。另外，在本例中，制作了实效折射率差Δn设为9×10-3来恒定、带宽W1为5μm、10μm、15μm的三种样品元件，对这些研究了上述的关系。如前面所说明，清楚了如果带宽W1为5μm～15μm的范围，则水平光束辐射角度不依存于带宽W1。如果那样，优选将该带宽W1设定为5μm以上的大的值，实现高输出化。
另外，基本结构和本实施方式相同的半导体激光器是，除了本实施方式中所使用的已经说明的GaN基板以外，还可以利用绝缘物的蓝宝石基板来形成。另外，在如SiC的导电性的基板上也可以制作同样的结构。进而地，还可以利用埋入AlGaN的结构或其他折射率波导结构和狭窄电流结构。
进而，在上述的实施方式中，金属包层为Al0.1Ga0.9N、光波导层为GaN所构成的，但是，为了获得载波关闭效果，作为金属包层的Al组成是作为0.1以上。在大于这些以上的Al组成中，光关闭是随着Al组成的增加而提高，所以，上述是变为充分条件，利用薄的Al GaN金属包层可以实现良好的光关闭。另外，作为金属包层，可以应用包含Al GaN的超晶格结构等。
并且，劈开一个半导体芯片上具有一个带的结构来制作了构成上述实施方式的半导体激光器。但是，一个半导体芯片上具有多个带结构的基板的劈开的方法，也可以制作半导体激光器阵列。
下面，说明利用如上述的半导体激光芯片的、波长合成半导体激光装置的实施方式。首先，作为一个实施方式，可以举出图1所示形式的半导体激光芯片即应用多个在一个半导体芯片上具有一个带结构的半导体激光芯片的实施方式。其全体形状基本上和图4所示的同样，此种情况下，分别利用图1的半导体激光芯片来代替图示的多个半导体激光器LD1～5就可以。
另外，此种情况下，多个的半导体激光芯片是每一个发光点大体上一线排列在平行于接合面方向的状态来布置，成为排列在平行于接合面方向的多个近视野像互相重叠的形态。
下面，作为其他实施方式，可以举出在一个半导体芯片上，利用了一个具有多个带结构所构成的本发明的半导体激光器阵列的实施方式。其全体形状是基本上和图5所示的相同，此种情况下，通过上述的本发明的半导体激光器阵列来代替图示的半导体激光器阵列就可以。
在此半导体激光器阵列中，和一般的半导体激光器阵列同样，每一个发光点大体上一线排列在平行于接合面方向的状态来形成多个带结构。在本例中，通过波长合成聚光系，变成为排列在平行于接合面方向的多个近视野像互相重叠的形态。另外，并设利用多个如上述的半导体激光器阵列，可以使进行波长合成的光束条数更多。
在以上所说明的半导体激光装置中，都是利用了如上所述的、可以设定水平光束辐射角度充分小的、本发明特征的半导体激光器阵列，所以，增加进行波长合成的光束条数n而可以实现高输出·高亮度化。
权利要求
1.一种半导体装置，其特征在于在具有折射率波导结构，横模为高次模或多模来振荡的GaN系的带状型半导体激光装置中，带中央部与带外部之间的实效折射率差Δn为1.5×10-2以下。
2.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于所述实效折射率差Δn为5×10-3≤Δn≤1.5×10-2的范围。
3.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于所述实效折射率差Δn为5×10-3≤Δn≤1.5×10-2的范围。
4.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于所述带的宽度为5μm以上。
5.根据权利要求2所述的半导体激光装置，其特征在于所述带的宽度为5μm以上。
6.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于所述折射率波导结构为脊形波导结构。
7.根据权利要求2所述的半导体激光装置，其特征在于所述折射率波导结构为脊形波导结构。
8.根据权利要求4所述的半导体激光装置，其特征在于所述折射率波导结构为脊形波导结构。
9.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于所述折射率波导结构为内部带型波导结构。
10.根据权利要求2所述的半导体激光装置，其特征在于所述折射率波导结构为内部带型波导结构。
11.根据权利要求4所述的半导体激光装置，其特征在于所述折射率波导结构为内部带型波导结构。
12.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于在一个半导体芯片中具备一个带结构。
13.根据权利要求2所述的半导体激光装置，其特征在于在一个半导体芯片中具备一个带结构。
14.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于在一个半导体芯片中，每一个发光点大体上一线排列在平行于接合面方向的状态来设置多个带结构，而形成作为半导体激光器阵列。
15.根据权利要求2所述的半导体激光装置，其特征在于在一个半导体芯片中，每一个发光点大体上一线排列在平行于接合面方向的状态来设置多个带结构，而形成作为半导体激光器阵列。
16.一种半导体激光装置，其特征在于，由每一个发光点大体上一线排列在平行于接合面方向的状态来布置权利要求12所述的多个半导体激光芯片；使每一个半导体激光芯片所发出的激光束各自平行光化的多个准直透镜；将透过该准直透镜的多个激光束在近似共同点上进行聚光的聚光透镜而构成。
17.一种半导体激光装置，其特征在于，由每一个发光点大体上一线排列在平行于接合面方向的状态来布置权利要求13所述的多个半导体激光芯片；使每一个半导体激光芯片所发出的激光束各自平行光化的多个准直透镜；将透过该准直透镜的多个激光束在大致共同点上进行聚光的聚光透镜而构成。
18.一种半导体激光装置，其特征在于，由一个或多个权利要求14所述的半导体激光芯片；使该半导体激光芯片所发出的多束激光束各自平行光化的多个准直透镜；将透过该准直透镜的多个激光束在大致共同点上进行聚光的聚光透镜而构成。
19.一种半导体激光装置，其特征在于，由一个或多个权利要求15所述的半导体激光芯片；使该半导体激光芯片所发出的多束激光束各自平行光化的多个准直透镜；将透过该准直透镜的多个激光束在大致共同点上进行聚光的聚光透镜而构成。
全文摘要
本发明是具有折射率波导结构，将横模为高次模或多模来振荡的GaN系的带状型半导体激光器的多个发光区域，能够聚光为高亮度，抑制水平光束辐射角度为小。本发明具有例如，在p－GaN盖层(28)和p－Al
文档编号H01S5/40GK1764027SQ200510116450
公开日2006年4月26日 申请日期2005年10月21日 优先权日2004年10月22日
发明者早川利郎, 浅野英树, 长滨慎一, 松本祐司, 甲本克敏 申请人:富士胶片株式会社, 日亚化学工业株式会社