专利名称：关于基板的信息的测量方法和用于光刻设备中的基板的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种关于基板的信息的测量方法、用于光刻设备中的基板以及光刻设备和基板的组合体。
背景技术：
光刻设备是将希望的图案施加到基板的目标部分上的机器。例如，光刻设备可以用于集成电路(IC)的制造中。在那种情况下，构图装置，如掩模，可用于产生对应于IC的单独层的电路图案，且可以将该图案成像到具有由辐射敏感材料(光刻胶)制成的层的基板(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括部分、一个或几个管芯)上。通常，单基板包含一组相继暴光出的相邻目标部分。公知的光刻设备包括所谓的步进机(stepper)和所谓的扫描仪，在所谓的步进机中通过一口气将整个图案曝光到目标部分上来辐照各个目标部分，在所谓的扫描仪中通过经由给定方向(该扫描方向)上的投影束扫描图案来照射各个目标部分，同时同步地与该方向平行或反平行的扫描基板。
虽然在本文中对IC制造中使用光刻设备进行了具体提及，但应当理解，在此描述的光刻设备具有其它的应用，如集成光学系统的制造、磁畴存储器的制导和检测图案、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。本领域熟练技工将意识到，在这种可选应用的上下文中，在此任意使用的术语“晶片”或“管芯”可认为是分别与更常用的术语“基板”或“目标部分”同义。在曝光之前或之后，例如，可用轨迹器(一般将一层光刻胶涂敷到基板上并且显影该曝光的光刻胶的工具)或度量或检查工具处理在此提到的基板。如果可应用，在此可将该公开应用到这种和其它基板处理工具上。而且，例如，为了产生多层IC，可不止一次地处理基板，因而在此使用的术语基板还可以指代已包含多个处理层的基板。
在此使用的术语“辐射”和“光束”包括所有类型的电磁辐射，包括紫外线(UV)辐射(例如，具有365、248、193、157或126nm的波长)和远紫外(EUV)辐射(例如，具有5-20nm范围的波长)以及粒子束，如离子束或电子束。
在此使用的术语“构图装置”应当广义地解释为涉及可以用于给光束在其截面赋予图案的投影束的器件，以在基板的目标部分中产生图案。应当注意到，赋予投影束的图案可以不完全对应于基板的目标部分中所希望的图案。通常，赋予投影束的图案会对应于目标部分中所产生的器件如集成电路中的特定功能层。
构图装置可以是透射的或反射的。构图装置的例子包括掩模、可编程反射镜阵列和可编程LCD面板。掩模在光刻中是公知的，且包括的掩模类型例如是二元的、交互相移和衰减相移，以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的例子使用小反射镜矩阵结构，每一个小反射镜都可以独立地倾斜，以在不同方向上反射入射的辐射束；以该方式，构图被反射的光束。在构图装置的每个例子中，支撑结构可以是框架或台，例如，其可如需要的那样固定或可移动，且其可确保构图装置处于例如相对于投影系统所希望的位置处。在此任意使用的术语“中间掩模版”或“掩模”可以认为是与更常用的术语“构图装置”同义。
在此使用的术语“投影系统”应当广义地解释为包括各种类型的投影系统，包括折射光学系统、反射光学系统和反射折射光学系统，只要是适当的，例如，对于所使用的曝光辐射，或其它因素，如使用湿浸流体或使用真空。在此任意使用的术语“透镜”可认为是与更常用的术语“投影系统”同义。
照射系统还可包含各种类型的光学组件，包括折射的、反射的和反射折射的光学组件，用于引导、成形或控制辐射的投影束，且这种组件在下面还共同地或单独地称为“透镜”。
光刻设备可以是具有两个(双级)或多个基板台(和/或两个或多个掩模台)的类型制成。在这种“多级”机器中，可平行地使用另外的台，或者当一个或多个其它的台用于曝光时，可在一个或多个台上执行预备步骤。
光刻设备还可以是其中基板浸到具有较高折射率的液体例如水中以填充投影系统的最后元件和基板之间的空间的类型。浸液还可应用到光刻设备中的其它空间中，例如，掩模和投影系统的第一元件之间。湿浸技术在用于增加投影系统的数值孔径的技术领域中是公知的。
在使用光刻投影设备的制造工艺中，将图案(例如，在掩模中)成像到至少部分被一层辐射敏感材料(光刻胶)覆盖的基板上。在该成像步骤之前，基板可进行各种工序，如打底、光刻胶涂布和软烘焙。曝光之后，对基板进行其它工序，如曝光后烘焙(PEB)、显影、硬烘焙和成像特征的测量/检查。该列工序用作构图单层器件例如IC的基础。然后可对上述构图的层进行各种工艺，如蚀刻、离子注入(掺杂)、金属化、氧化、化学机械抛光等，全部用于完成单独层。如果相比上述整个工序需要几个层，或者其它变型，对于每个新层都必须重复。最后，一器件阵列会存在于基板(晶片)上。然后通过如切块或锯切的技术使这些器件彼此分离，以便可以将单独的器件装配在载体上、连接到引脚等。
在例如IC的制造工艺期间，设计具体的工艺流程以限定器件结构。该器件的正确工作一般依赖于单独叠层的对准。为此，一般将对准标记暴露在下面不存在器件结构的位置处的光刻胶中。显影之后，对准传感器可用于读出对准标记，用于位置确定。
为了对准，可使用对准标记或标记器(marker)结构，可以通过它们与入射光束(或对准束)的相互作用产生一个或多个衍射束。自所述的一个或多个衍射束收集的信息，可以确定标记器相对于掩模上的图案位置的位置。一般，标记器由一些周期结构如包括一序列线和沟槽的光栅构成。
在对准位于器件结构顶部上的标记期间，对准光的反射会从器件特定下层出现。由于下面的和/或周围的特征的大小和密度改变了，其公知地引发不同的信号响应，甚至在一个管芯内经常会出现变化的串扰。这种串扰会引起位置移动，其在由对准传感器读出之后会产生不正确的标记位置信息。
当然，可使用标记来提供其它信息，如聚焦信息、重叠信息、曝光剂量信息等。由下面和/或周围特征的串扰还会在由标记提供的任何信息中产生错误。
发明内容
本发明的一个方面在于提供一种在读出期间防止光刻胶标记和下面和/或周围结构之间的串扰的方法。
在实施例中，提供了一种测量由基板提供的信息的方法。该基板包括已由光刻设备产生的特征。该方法包括将光束投影到设置在基板上特征的上方和/或附近的标记器上，并且由传感器检测标记器提供的信息。将涂层设置在基板上，以使涂层位于光束和该特征之间，以基本上防止光束被该特征反射以及防止导致由标记器提供信息的不正确读出。
在实施例中，提供了在光刻设备中使用的基板。该基板包括由光刻设备产生的特征，和在该特征上方和/或附近的一层光刻胶中产生的标记器。设置该标记器以提供关于基板的信息。该基板还包括涂层，该涂层用于基本防止用于检测由标记器提供的信息所使用的光束被该特征反射，并且防止导致由标记器提供的信息的不正确读出。
在实施例中，提供了一种光刻设备与光刻设备中所使用的基板的组合体。该光刻设备包括用于调节辐射束的照射系统，和用于支撑构图装置的支座。构图装置用于给辐射束在其截面上赋予图案。该设备还包括用于支撑基板的基板台、用于将构图的辐射束投影到基板目标部分上的投影系统、和用于测量关于基板的信息的传感器。该基板包括特征，和在该特征上方和/或附近的一层光刻胶中产生的标记器，该特征通过用构图装置构图辐射束和用投影系统将构图的辐射束投影到基板的目标部分上而产生。设置标记器以提供关于基板的信息。该基板还包括涂层，该涂层用于基本上防止来自光刻设备中的传感器的光束被该特征反射，并且防止导致由标记器提供的信息的不正确读出。
现在仅借助实例，将参考示意性附图描述本发明的实施例，其中相应的附图符号表示相应的部件，且其中图1描绘了根据本发明实施例的光刻设备；图2是基板的标记器结构的截面示意图，该基板用于提供图1设备的对准信息；图3是基板的一个实施例的截面示意图，该基板用于提供图1设备的对准信息；图4是基板的另一实施例的截面示意图，该基板用于提供图1设备的对准信息；和图5描绘了用于测量关于基板信息的方法的实施例，该基板包括由图1的光刻设备产生的特征。
具体实施例方式
图1示意性地描绘了根据本发明特定实施例的光刻设备10。该设备10包括照射系统(照射器)IL，用于提供辐射(例如，UV辐射或EUV辐射)的投影束PB；第一支撑结构(例如，掩模台)MT，用于支撑构图装置(例如，掩模)MA且连接到用于相对于部件PL精确地定位构图装置的第一定位器件PM上；基板台(例如，晶片台)WT，用于支撑基板(例如，涂覆光刻胶的晶片)W且连接到用于相对于部件PL精确地定位基板的第二定位器件PW上；和投影系统(例如，折射投影透镜)PL，用于将由构图装置MA引入到投影束PB的图案成像到基板W的目标部分C(例如，包括一个或多个管芯)上。
如这里描述的，该设备为透射型(例如，使用透射掩模)。可选地，该设备可以是反射型(例如，使用反射掩模，例如如以上涉及的一种类型的可编程反射镜阵列)。
照射器IL接收来自辐射源SO的辐射束。例如，当源是受激准分子激光器时，该源和光刻设备可以是分离的实体。在这种情况下，不应该认为该源形成了光刻设备的一部分，借助束传递系统BD使辐射束从源SO传送给照射器IL，例如，束传递系统BD包括合适的导向反射镜和/或光束扩展器。换句话说，例如，当源是汞灯时，源是设备的整体部分。如果需要，源SO和照射器IL与束传递系统一起可称为辐射系统。
照射器IL可包括用于调节束的角强度分布的调节器件AM。一般，可以调节照射器光瞳面上的强度分布的至少外和/或内径向范围(通常分别称为σ-外和σ-内)。另外，照射器IL一般包括各种其它的组件，如积分器IN和聚光器CO。照射器提供了称为投影束PB的受调节的辐射束，该束在其截面上具有所希望的均匀性和强度分布。
投影束PB入射到支撑结构MT上支撑的构图装置MA上。横过构图装置MA，投影束PB穿过透镜PL，透镜PL将束聚焦到基板W的目标部分C上。借助于第二定位器件PW和位置传感器IF(例如，干涉仪装置)，能够精确地移动基板台WT，例如，以便在束PB的路径上定位不同的目标部分C。同样地，例如在从掩模库机械取回之后或者在扫描期间，可以使用第一定位器件PM和另一位置传感器(未示出)，以相对于束PB的路径精确地定位构图装置MA。通常，将借助长行程模块(粗定位)和短行程模块(细定位)来实现支撑结构MT和基板台WT的移动，它门形成部分定位器件PM和PW。然而，在步进机(与扫描仪相对)的情况下，支撑结构MT可只连接到短行程驱动器上，或可将其固定。可利用构图装置对准标记M1、M2和基板对准标记P1、P2对准构图装置MA和基板台W。
可将所描述的设备用于下面的实例模式中1.在步进模式，当将引入到投影系统的整个图案一次投影到目标部分C上时，保持支撑结构MT和基板台WT基本不动(即，单静态曝光)。然后在X和/或Y方向上移动基板台WT，以便能够曝光不同的目标部分C。在步进模式，曝光区域的最大尺寸限制了在单静态曝光中成像的目标部分C的尺寸。
2.在扫描模式，当将引入到投影束的图案投影到目标部分C上时，同步地扫描支撑结构MT和基板台WT(即，单动态曝光)。由投影系统PL的(缩小)放大倍率和图像反向特性确定基板台WT相对于支撑结构MT的速度和方向。在扫描模式，在单动态曝光中曝光区域的最大尺寸限制了目标部分的宽度(在非扫描方向上)，而扫描运动的长度确定目标部分的高度(在扫描方向上)。
3.在另一模式，保持支撑可编程构图装置的支撑结构MT基本不动，且当将引入到投影束的图案投影到目标部分C上时移动或扫描基板台WT。在该模式，一般使用脉冲辐射源，且如需要，在基板台WT的每次移动之后或在扫描期间连续辐射脉冲之间，更新可编程构图装置。能够容易地将该模式操作应用到使用可编程构图装置的无掩模光刻上，可编程构图装置例如为以上涉及类型的可编程反射镜阵列。
还可采用以上描述的使用模式或完全不同的使用模式的组合和/或变型。
直到最近，光刻设备一般包含单掩模台和单基板台。然而，现在可获得其中有至少两个独立可移动的基板台的机器；例如，参见，美国专利No.5,969,441、6,262,796和6,710,849中所描述的多级设备。支持这种多级设备的基本操作原理在于，当第一基板台处于用于曝光位于那个台上的第一基板的投影系统下面的曝光位置时，一旦完成第一基板的曝光，第二基板台就会运行到装载位置，卸下在前曝光了的基板，拾取新基板，进行一些关于新基板的初始测量，然后准备就绪将新基板转移到投影系统下面的曝光位置；然后重复该循环。以这种方式，有可能大大增加机器生产量，进而改善了机器的拥有成本。应当理解，对仅具有一个在曝光和测量位置之间移动的基板台，可以使用相同的基本原理。
设备10还提供有其为各种系统一部分的多个传感器50，该系统提供了关于基板相对于构图装置和投影系统PL的位置信息。例如，设备10可包括对准系统60，用于在XY平面内相对于彼此对准构图装置MA和基板W；焦点误差检测系统70，用于确定投影系统PL的焦点或图像平面与基板W的表面之间的差；和高度传感器80，用于绘制基板W的外形。
对准系统60可以是任一布置，如在美国专利No.6,297,876中描述的间接离轴(indirect off-axis)对准系统，这里将其结合作为参考，且使用辐射对准束，辐射对准束通过分离的对准单元辐射且入射到基板W上呈光栅的形式的标记器上。如下面进一步详细描述的，光栅使对准束衍射成与光栅法线不同的角度延伸的多个子束。用对准单元的透镜将不同的子束引入到平面内的不同位置处。在该平面上，可提供用于进一步分离不同子束的元件。透镜系统还用于将不同的子束最后成像到基准平面上，以产生标记图像。在该基准面上，可提供基准标记，且辐射敏感检测器(即，传感器)可设置在基准标记后面。检测器的输出信号将取决于基板标记的图像和基准标记相一致的程度。以该方式，可测量和优化基板W上的标记器与对准单元中的基准标记器的对准程度。检测器包括分离的单个检测器，用于以不同的顺序测量强度和对准位置。为了完成对准，应当使对准单元中的基准与第二基准标记器对准，例如，为具有对准单元的基板台提供一个。然后利用曝光光线使该第二基准标记器与构图装置MA中的标记器对准。为了该目的可使用如在美国专利No.5,144,363中所描述的设备和方法，其结合在这里作为参考。
可选地，可使用直接轴上对准系统，将对准束经由透镜系统PL直接引导到基板W上提供的标记器上。通过基板W上的标记器使该束衍射成不同的子束，且将该束反射到投影系统PL中。在横过投影系统PL之后，将不同的子束聚焦在提供给构图装置MA的基准对准标记器上。使由子束形成的基板标记器的图像成像在构图装置MA中的基准标记器上。以该方式，可以测量和优化基板W上的标记器和构图装置MA中的基准标记器的对准程度。这可通过使用构造和设置成用于检测横过构图装置MA中的标记器的对准束的辐射敏感检测器(即，传感器)来实现。对于这里描述的轴上对准系统的更多信息，例如参见美国专利No.4,778,275，这里将其结合作为参考。
设备10还可包括焦点误差检测系统70，用于确定投影系统PL的焦点平面和基板W表面之间的偏差，以便可例如通过沿着投影系统PL的轴(即Z轴)移动投影系统PL来改正该偏差。对于焦点误差检测系统的例子的广泛描述，参考美国专利No.4,356,392，将其结合在这里作为参考。
图2描绘了在基板上的光学标记器结构200的实施例。基板W可以是用于半导体器件制造中的半导体晶片。如图2中可以看到的，标记器200包括具有周期P的光栅202，该周期P适合于正好在可见范围光谱内波长λ的入射光束100的衍射。入射光束100由传感器50提供。传感器50可以位于对准系统、焦点误差检测系统或以上描述的高度传感器中，或者可以是可构造和设置成测量由标记器200提供的信息的任一其它光学传感器。将意识到，周期P适合于可见光谱内的光衍射不是主要的，且可以以适合于较短波长或适合于较长波长的周期P实施本发明的实施例。在此使用的术语“光”不局限于可见光谱内的波长，还可包括波长比可见光波长长或短的光。
光栅202包括插入基板W表面中的沟槽206之间的一系列线204。沟槽206具有相对于线204顶表面的深度dt。光栅的周期P由线宽度PI和沟槽宽度PII组成。
在图2中，将具有波长λ的入射光束100沿与基板W表面基本垂直的方向引入。可选地，可使用非垂直倾斜和多种波长的入射光束100。在实施例中，可在其它的非衍射标记器图案上使用白光，即具有宽带波长的光。
图2的标记器光栅202是所谓的相位光栅。衍射图案由两条衍射束示意性地示出，每个都具有相对于表面的衍射角θ。在衍射图案中，强度最大和最小的位置由光栅的周期控制。当入射光束100的波长λ处于可见光的范围内时，周期P可以是16/n微米(其中n是1、2、……7)，以获得适合于对准目的的衍射图案。在实施例中，线宽度PI和沟槽宽度PII每一个都是8/n微米(n∈{1、2、、7})。
为了从光栅202获得足够的衍射光和获得良好限定的衍射最大和最小的角分布(衍射图案)，希望光栅202包含最小数量的线和由入射光束照亮的中间沟槽。例如，该类型的标记器在照亮区内包括至少10个沟槽。当然，如本领域普通技术领域将意识到的，可使用其它类型的标记器。
衍射束的强度由沟槽206相对于线204的顶表面208的深度进一步确定。在衍射光的某一方向上，在线204的顶表面208处散射的光线和在沟槽206的底部210处散射的光线应当具有某一相位关系，以在那个方向上的这些光线之间与周期P无关地得到正干涉。沟槽206相对于线204的顶表面208的深度应当是这样的以便出现正干涉，否则如果干涉是负的，则会出现信号消失。这被称为相位深度调节。
在相位光栅202中，可如下示意性地推知衍射图案中的干涉在角度θ下第一组光子在线204的顶表面208上反射，同时第二组光子在沟槽206的底面210处反射。在给定的方向θ上，当从线顶表面208和沟槽底面210散射的光束的相位差在衍射束的传播前面PF处基本为零时，出现了强度最大值。
当然，可使用任一类型的标记器结构，来提供测量的基准。虽然对于对准目的可使用图中示出的和在此描述的标记器200，但并不指以任何方式限制。例如，为了在基板W的上方进行设备10的聚焦和/或水准性能(leveling performance)的测试，可使用专门的构图装置以在投影系统PL的入射光瞳中转移图像源。这可提供基板W平面处的图像，在某些位置处，聚焦将依赖于横向偏移。对于处于最好聚焦的图像，应当没有横向偏移。如果图像没有处于完全聚焦，则将由传感器50检测在X和Y两个方向上的横向偏移。
在实施例中，可设置标记器以包含其它的聚焦信息，以便可使用焦点误差检测系统70来导出聚焦信息，例如基板W相对于投影系统PL的对准。将下面描述的实施例应用到可结合图1的设备10或在此描述的任一其它类型的光刻设备使用的任一类型的标记器上。
在实施例中，标记器可以是用于重叠和/或焦点测量的盒内盒(box-in-box)结构。盒内盒结构可由单条线组成，或者还可由光栅组成。本领域普通技术人员应当意识到，下面描述的基板W的实施例可应用到任一标记器上，该标记器将信息提供给在光刻设备10中或者任一脱机的光学度量工具(即，在光刻设备10中不是特定的，但与设备有关)中使用的任一光学传感器。
图3示出了根据本发明实施例的基板W的截面。基板W包括利用图1的光刻设备由光刻法产生的至少一个特征300。即，如本领域普通技术人员将理解的，将构图的辐射束借助投影系统PL投影到基板的目标部分上以产生特征300。
同样图3中所示的是沉积在至少一个特征300上方的光刻胶310。该光刻胶310包括设置光刻胶310和至少一个特征300之间的、一般称为“BARC”的底抗反射涂层320。通过用包括对准标记器的构图装置构图辐射束，将标记器20成像到直接位于特征300上方的光刻胶310上。在显影了标记器200之后，以不透明涂层330在标记器200上方基本均匀的方式用不透明涂层330涂覆光刻胶310。换句话说，没有完全地填充标记器200的沟槽206；代替地，沟槽206的底表面210具有与线204的顶表面208基本相同厚度的涂层330。以该方式，不透明涂层330的存在基本上不会改变标记器200的外形。
在实施例中，可提供光刻胶310，且可成像标记器200，以使得标记器200在特征300附近，即旁边。要理解的是，在该上下文中的“附近”意思指标记器200足够靠近特征300以使得特征300可反射从传感器50发出的光束100，由此有助于减少在由标记器200提供的信息测量中的可能误差。
不透明的涂层330基本上防止了从传感器50发出的光束100被下面的特征300反射，以及防止使基板W相对于构图装置MA的不精确对准。因此，通过在传感器50的光束100和特征300之间提供涂层，可在特征上方直接成像标记器200，而不是与不包含特征的一部分基板隔离。这种能力允许利用更精确的结果限制成品基板。如本领域普通技术人员将意识到的，还允许该产品用于使绘图散焦，其可用于进一步限制产品，以及用于获得重叠(X、Y)信息和用于曝光剂量信息。
在实施例中，不透明的涂层330包括金属，如铝，且可被涂覆到光刻胶310上，具有大于约20nm的厚度。优选地，不透明的涂层330的厚度大于约40nm。当然，可使用包含其它金属和材料的涂层，且为了最佳的结果可改变涂层的厚度。这些例子并不是用于以任何方式限制。
在实施例中，可通过首先生长使得不透明金属最佳结晶生长的籽晶层，来产生不透明的涂层330。例如，籽晶层可以是钽，和/或不透明金属可以是铝。这允许晶粒尺寸变小，由此减小对由标记器200提供的信息读出时晶粒可能的扰动(disturbance)。应当意识到，这种实例不是用于以任何方式限制。可在籽晶层中使用不同的材料，且可使用不同的金属作为不透明金属。
在进行对准和/或聚焦测量之后，可移动涂层330以便可进一步处理基板W。换句话说，如本领域普通技术人员将意识到的，由本发明提供的实施例可提供非破坏性的方式来测量基板W。当除去涂层330时，包含的BARC 320可帮助保护下面的特征300。
在另一实施例中，图4中所示，基板W包括通过以上描述的光刻工艺产生的特征400。在该实施例中，涂层420设置在来自传感器50的光束100和提供在光刻胶410下面的特征400之间。这种涂层420优选是提供光刻设备运转的曝光辐射和由对准传感器提供的光束的抗反射特性的抗反射涂层(“ARC”)，但还优选对于由用于绘制基板W形貌的高度传感器所使用的辐射波长是透明的。例如，运转的曝光辐射可具有248nm的波长，由对准传感器提供的光束的波长可以是533nm和/或632.8nm，以及高度传感器可使用具有约900nm-1100nm波长的光束。因此，ARC在包括248nm、533nm和632.8nm的波长处应当是抗反射的(即吸收)，但在约900nm-1100nm之间的波长处可以是透明的。在实施例中，ARC是非光敏的。在光刻中使用的ARC一般是光敏的，且使用折射率匹配以确保ARC对于每个层和基板的特征是有效的。通过提供非光敏的ARC，ARC基本上可用于所有的层和特征。
图5描绘了用于测量由基板W提供的信息的方法500的实施例。基板W包括由图1中描绘的光刻设备10产生的特征300、400。方法500在510处开始。在520，将光束100投影到设置在基板W上的特征300、400上方和/或附近的标记器200上。在520，由传感器50检测由标记器200提供的信息。该信息可以是对准信息、聚焦信息、重叠信息、曝光剂量信息或可由与传感器结合的标记器提供的任何其它类型的信息。在光被投影到标记器200上之前，将涂层330、420设置在基板W上，以便涂层330、420位于光束100和特征300、400之间，以基本防止光束100被特征300、400反射，以及防止导致由标记器200提供的信息的不精确读出。该方法在530处结束。
在实施例中，依赖于由标记器200提供的信息的类型，可在检测的基础上来调节基板W的位置。例如，如果提供的信息是基板W在X-Y面上相对于构图装置MA的对准信息，可在X-Y面上调节基板W的位置。而且，如果提供的信息是基板相对于投影系统PL沿着Z轴的聚焦或对准信息，则可调节基板W相对于投影系统PL沿着Z轴的位置。
本领域技术人员将意识到，可构思和简化本发明的其它实施例，以在不脱离本发明的精神的前提下实施。如在此描述的方法还可执行为软件、固件、硬件或它们的某些组合(例如，以在数据存储介质如光盘或计算机存储器上存储的一组或多组可执行机器指令的形式)。在实施例中，提供了一种包括程序代码的计算机程序，当在计算机系统上执行时，给计算机系统下指令以执行如在此描述的一个或多个方法。
虽然已示出和描述了本发明的优选实施例，但它们并不指以任何方式限制。相反，本发明指的是，包含在所附权利要求的精神和范围内的各种改变和修改。
权利要求
1.一种用于测量由基板提供的信息的方法，该基板包括由光刻设备产生的特征，该方法包括将光束投影到设置在基板上的特征上方和/或附近的标记器上；以及由传感器检测所述标记器提供的信息；其中涂层设置在基板上，使得涂层位于光束和所述特征之间，以基本防止光束被特征反射以及防止导致由标记器提供的信息的不精确读出。
2.根据权利要求1的方法，其中该涂层包括设置在标记器顶部上的不透明材料层。
3.根据权利要求2的方法，其中不透明层包括金属。
4.根据权利要求3的方法，其中该金属包括铝。
5.根据权利要求1的方法，其中该涂层包括用于生长不透明金属晶粒的籽晶层。
6.根据权利要求5的方法，其中该籽晶层包括钽，且该金属包括铝。
7.根据权利要求1的方法，其中该涂层是设置在所述标记器和所述特征之间的抗反射涂层。
8.根据权利要求7的方法，其中该抗反射涂层是非光敏的。
9.根据权利要求7的方法，其中该抗反射涂层对于光束的波长是抗反射的。
10.根据权利要求9的方法，其中光束的波长约为533nm。
11.根据权利要求9的方法，其中光束的波长约为632.8nm。
12.根据权利要求1的方法，其中该传感器是对准传感器。
13.根据权利要求1的方法，其中该传感器是聚焦传感器。
14.根据权利要求1的方法，其中该传感器是光学传感器。
15.根据权利要求1的方法，其中由所述的标记器提供的信息包括所述标记器在X-Y平面内的位置。
16.根据权利要求15的方法，其中该位置包括在光刻设备中基板相对于构图装置的对准位置。
17.根据权利要求16的方法，进一步包括基于所述检测调节基板的位置。
18.根据权利要求1的方法，其中由所述的标记器提供的信息包括聚焦信息。
19.根据权利要求18的方法，其中在基板上方绘制焦点和/或水准性能的测试中使用聚焦信息。
20.根据权利要求1的方法，其中由所述的标记器提供的信息包括曝光剂量信息。
21.根据权利要求1的方法，其中所述的检测包括由所述传感器检测所述标记器衍射的光。
22.根据权利要求1的方法，其中在光刻设备中执行该方法。
23.根据权利要求1的方法，其中在度量工具中执行该方法。
24.一种用于光刻设备中的基板，该基板包括由光刻设备产生的特征；在该特征上方和/或附近的一层光刻胶中产生的标记器，设置该标记器以提供关于基板的信息；以及涂层，其用于基本防止用于检测由标记器提供的信息所使用的光束被所述特征反射，以及防止导致由标记器提供的信息的不精确读出。
25.根据权利要求24的基板，其中该涂层包括沉积在标记器上方的不透明层。
26.根据权利要求25的基板，其中该不透明层包括金属。
27.根据权利要求26的基板，其中该金属包括铝。
28.根据权利要求24的基板，其中该涂层包括用于生长不透明金属晶粒的籽晶层。
29.根据权利要求28的基板，其中该籽晶层包括钽，和/或该金属包括铝。
30.根据权利要求24的基板，其中该涂层包括设置在该特征和该标记器之间的抗反射涂层。
31.根据权利要求30的基板，其中该抗反射涂层是非光敏的。
32.根据权利要求30的基板，其中该抗反射涂层对于光束的波长是抗反射的。
33.根据权利要求32的基板，其中光束的波长约为533nm。
34.根据权利要求32的基板，其中光束的波长约为632.8nm。
35.根据权利要求24的基板，其中由所述标记器提供的信息包括所述标记器在X-Y平面上的位置。
36.根据权利要求35的基板，其中所述标记器的所述位置提供了关于基板相对于光刻设备中构图装置的对准位置的信息。
37.根据权利要求24的基板，其中由所述标记器提供的信息包括聚焦信息。
38.根据权利要求37的基板，其中在基板上方绘制焦点和/或水准性能的测试中使用聚焦信息。
39.根据权利要求24的基板，其中由所述标记器提供的信息包括曝光剂量信息。
40.根据权利要求24的基板，其中该标记器包括多条线和多个沟槽，该多条线和沟槽以重复的顺序设置在标记器中。
41.根据权利要求24的基板，其中该标记器由单条线的布置组成。
42.根据权利要求24的基板，其中光束设置在光刻设备中。
43.根据权利要求24的基板，其中光束设置在度量工具中。
44.一种光刻设备与光刻设备中使用的基板的组合体，所述光刻设备包括用于调节辐射束的照射系统；用于支撑构图装置的支座，该构图装置用于给辐射束在其截面上赋予图案；用于支撑基板的基板台；用于将构图的辐射束投影到基板的目标部分上的投影系统；以及用于测量关于基板的信息的传感器；以及该基板包括特征，所述特征是通过用构图装置构图辐射束并且用投影系统将构图的辐射束投影到基板的目标部分上而产生；在该特征上方和/或附近的一层光刻胶中产生的标记器，该标记器设置成提供关于基板的信息；以及涂层，其用于基本防止来自光刻设备中的传感器的光束被该特征反射，以及防止导致由标记器提供的信息的不精确读出。
45.根据权利要求44的组合体，其中该涂层包括沉积在该标记器上方的不透明层。
46.根据权利要求45的组合体，其中该不透明层包括金属。
47.根据权利要求46的组合体，其中该金属包括铝。
48.根据权利要求44的组合体，其中该涂层包括用于生长不透明金属的晶粒的籽晶层。
49.根据权利要求48的组合体，其中该籽晶层包括钽，和/或该金属包括铝。
50.根据权利要求44的组合体，其中该涂层包括设置在该特征和该标记器之间的抗反时涂层。
51.根据权利要求50的组合体，其中该抗反射涂层是非光敏的。
52.根据权利要求50的组合体，其中该抗反射涂层对于由该传感器提供的光束的波长是抗反射的。
53.根据权利要求52的组合体，其中光束的波长约为533nm。
54.根据权利要求52的组合体，其中光束的波长约为632.8nm。
55.根据权利要求44的组合体，其中光刻设备进一步包括用于绘制基板形貌的高度传感器。
56.根据权利要求55的组合体，其中该抗反射涂层对于由该高度传感器提供的光束波长是透明的。
57.根据权利要求56的组合体，其中该波长在约900nm和约1100nm之间。
58.根据权利要求44的组合体，其中该传感器是对准传感器。
59.根据权利要求44的组合体，其中该传感器是聚焦传感器。
60.根据权利要求44的组合体，其中该传感器是光学传感器。
61.根据权利要求44的组合体，其中由所述标记器提供的信息包括所述标记器在X-Y平面上的位置。
62.根据权利要求61的组合体，其中所述标记器的所述位置提供了关于基板相对于光刻设备中构图装置的对准位置的信息。
63.根据权利要求44的组合体，其中由所述的标记器提供的信息包括聚焦信息。
64.根据权利要求63的组合体，其中在基板上方绘制焦点和/或水准性能的测试中使用聚焦信息。
65.根据权利要求44的组合体，其中由所述标记器提供的信息包括剂量信息。
66.根据权利要求44的组合体，其中该标记器包括多条线和多个沟槽，该多条线和沟槽以重复的顺序设置在标记器中。
67.根据权利要求44的组合体，其中该标记器由单条线的布置组成。
全文摘要
本发明公开了一种测量由基板提供的信息的方法。该基板包括通过光刻设备产生的特征。该方法包括将光束投影到设置在基板上的特征上方和/或附近的标记器上，以及由传感器检测所述标记器提供的信息。将涂层设置在基板上，以使得该涂层位于光束和该特征之间，以基本防止光束被该特征反射以及防止导致由标记器提供的信息的不精确读出。
文档编号H01L21/027GK1804726SQ200510119148
公开日2006年7月19日 申请日期2005年12月27日 优先权日2004年12月29日
发明者S·拉巴哈杜尔辛, M·J·A·皮尔特斯, J·豪肖尔德, C·凡德文 申请人:Asml荷兰有限公司