专利名称：离子注入机晶圆传送控制系统的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种晶圆传送控制系统，尤其涉及一种半导体制造离子注入工艺中所用的离子注入机晶圆传送控制系统，属于半导体器件制造领域。
背景技术：
现有半导体集成电路制造技术中，随着半导体集成电路技术的发展，集成度越来越高，电路规模越来越大，生产效率越来越高，因此对半导体工艺设备的自动化提出了更高的要求。离子注入机作为半导体离子掺杂工艺线的关键设备之一，相应的也提出了很高的要求，要求离子注入机具有整机运行可靠性稳定、生产效率高、低尘粒污染、整机全自动控制等多种功能和特征。其中整机生产效率、晶圆的精确传送控制、晶圆定位及注入角度的控制等极为重要。
作为晶圆传送系统的控制是离子注入机设备中最关键的技术之一，它直接决定离子注入机的生产率、注入后的晶圆工艺的各项指标。晶圆传送系统控制的指标几乎影响整机各个性能指标，决定整机的实用性能，特别地对晶圆不同位置的识别、晶片传送效率、晶圆的缺口定位、晶圆的注入角度、降低碎片率及降低微粒污染及整机稳定性和可靠性起决定性作用，并且满足大生产线的生产需求。
目前国内大规模生产线上的离子注入机主要是国外生产的离子注入机，引进的这些离子注入机上采用的晶片传送系统非常复杂，以国内现有的技术难以维护调试，同时稳定性不高，在使用过程中一旦出现机械、电器或控制的故障，备件的供应只能依靠国外，时间周期长，使的整机处于待修状态，从而影响生产效率。而国产的离子注入机上基本没有配备晶圆自动传送系统，也就无从谈起离子注入机全自动控制功能，离子注入机的实用性能、可靠性能和生产效率均受到了影响。
发明内容
为了解决上述存在的问题，本实用新型提供了一种能够进行自动传送晶圆，减少晶圆在运动过程中的微粒污染和人员干预，实现无人操作、加快晶圆工作流程的离子注入机晶圆传送控制系统。
本实用新型的技术方案是这样实现的一种离子注入机晶圆传送控制系统包括左晶圆预处理系统、左隔离阀门系统、左晶圆定位及传送系统、晶圆处理机构、右晶圆定位及传送系统、右隔离阀门系统和右晶圆预处理系统，其中左晶圆预处理系统与左隔离阀门系统连接，左隔离阀门系统与左晶圆定位及传送系统连接，左晶圆定位及传送系统与晶圆处理机构连接，右晶圆预处理系统与右晶圆定位及传送系统连接，右晶圆定位及传送系统与右隔离阀门系统连接，右晶圆定位及传送系统与晶圆处理机构连接。
所述的左晶圆预处理系统是作为晶圆进入晶圆处理机构前的处理系统，在大气状态下进入左晶圆预处理系统的是一盒晶圆(最多包含25片晶圆)，因此在左晶圆预处理系统中，主要是识别晶圆在片盒中的位置及其数量。通过真空抽气系统使左晶圆预处理系统由大气状态到达与左晶圆定位及传送系统及晶圆处理机构一样的高真空状态；所述的左隔离阀门系统是作为左晶圆预处理系统与左晶圆定位及传送系统连通的机构，当左晶圆预处理系统与左晶圆定位及传送系统状态一致时，左隔离阀门系统进行连通；所述的左晶圆定位及传送系统是作为将单片晶圆从左晶圆预处理系统取出，通过晶圆定位系统确定晶圆缺口方向，确定方向后将晶圆送往晶圆处理机构，亦可将工艺处理完成的晶圆从晶圆处理机构取回，并将晶圆送回到左晶圆预处理系统中其原有的位置，左晶圆定位及传送系统通常处于高真空状态。
所述的晶圆处理机构是将晶圆进行处理的系统，通常处于高真空状态。
本系统是左右对称的，左、右晶圆预处理系统相同，左、右隔离阀门系统相同，左、右晶圆定位及传送系统相同。
所述的右晶圆预处理系统是作为晶圆进入晶圆处理机构前的处理系统，在大气状态下进入右晶圆预处理系统的是一盒晶圆(最多包含25片晶圆)，因此在右晶圆预处理系统中，主要是识别晶圆在片盒中的位置及其数量。通过真空抽气系统使右晶圆预处理系统由大气状态到达与右晶圆定位及传送系统及晶圆处理机构一样的高真空状态。
所述的右隔离阀门系统是作为右晶圆预处理系统与右晶圆定位及传送系统连通的机构，当右晶圆预处理系统与右晶圆定位及传送系统状态一致时，右隔离阀门系统进行连通。
所述的右晶圆定位及传送系统是作为将晶圆从右晶圆预处理系统取出，通过晶圆定位系统确定晶圆缺口方向，确定方向后将晶圆送往晶圆处理机构，亦可将工艺处理完成的晶圆从晶圆处理机构取回，并将晶圆送回到右晶圆预处理系统中其原有的位置，右晶圆定位及传送系统通常处于高真空状态。
与现有技术相比本实用新型的有益效果是1、本系统采用左、右隔离的多个系统模块，加快处理流程，提高生产效率。
2、左右的系统对晶圆进行一定时序的传送，到达最大稳定的传送效率；3、无须人为干预，进行全自动操作运行，从而减少碎片率，降低设备的故障率。
图1为本实用新型结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明新型作进一步介绍，但不作为对本发明新型的限定。
如图1所示，一种离子注入机晶圆传送控制系统包括左晶圆预处理系统1、左隔离阀门系统2、左晶圆定位及传送系统3、晶圆处理机构4、右晶圆定位及传送系统5、右隔离阀门系统6和右晶圆预处理系统7，其中左晶圆预处理系统1与左隔离阀门系统2连接，左隔离阀门系统2与左晶圆定位及传送系统3连接，左晶圆定位及传送系统3与晶圆处理机构4连接，右晶圆预处理系统7与右晶圆定位及传送系统5连接，右晶圆定位及传送系统5与右隔离阀门系统6连接，右晶圆定位及传送系统5与晶圆处理机构4连接。
在工作过程中，晶圆盒(最多存放25片晶圆)从外部到达左晶圆预处理系统1，经过处理系统识别，系统将获得有关晶圆盒中各个位置晶圆的信息，既晶圆盒中晶圆的位置和数量，同时左晶圆预处理系统1从外部状态(大气状态)到达与左晶圆定位及传送系统3状态(真空状态)一致的状态后，左隔离阀门系统2将左晶圆预处理系统1与左晶圆定位及传送系统3进行连通，左晶圆定位及传送系统3将已经识别的左晶圆预处理系统1中的晶圆依此取出，并进行定位，到达设定的位置，左晶圆定位及传送系统3再次将晶圆送到晶圆处理机构4，晶圆处理机构4将晶圆进行工艺处理，完成工艺处理后，左晶圆定位及传送系统3将处理后的晶圆取出，并送回到左晶圆预处理系统1中原有的位置，显示处理后的信息。右部分同左部分一样。
权利要求1.一种离子注入机晶圆传送控制系统，其特征在于包括左晶圆预处理系统、左隔离阀门系统、左晶圆定位及传送系统、晶圆处理机构、右晶圆定位及传送系统、右隔离阀门系统和右晶圆预处理系统，其中左晶圆预处理系统与左隔离阀门系统连接，左隔离阀门系统与左晶圆定位及传送系统连接，左晶圆定位及传送系统与晶圆处理机构连接，右晶圆预处理系统与右晶圆定位及传送系统连接，右晶圆定位及传送系统与右隔离阀门系统连接，右晶圆定位及传送系统与晶圆处理机构连接。
专利摘要本实用新型公开了一种离子注入机晶圆传送控制系统包括左晶圆预处理系统、左隔离阀门系统、左晶圆定位及传送系统、晶圆处理机构、右晶圆定位及传送系统、右隔离阀门系统和右晶圆预处理系统，其中左晶圆预处理系统与左隔离阀门系统连接，左隔离阀门系统与左晶圆定位及传送系统连接，左晶圆定位及传送系统与晶圆处理机构连接，右晶圆预处理系统与右晶圆定位及传送系统连接，右晶圆定位及传送系统与右隔离阀门系统连接，右晶圆定位及传送系统与晶圆处理机构连接。该系统能实现对晶圆不同位置的识别、晶圆方向的定位、晶圆的注入角度，并大大提高了晶片传送效率、降低碎片率、降低微粒污染、提高了整机的自动程度。
文档编号H01L21/02GK2867585SQ200520142510
公开日2007年2月7日 申请日期2005年12月5日 优先权日2005年12月5日
发明者唐景庭, 伍三忠, 郭健辉, 彭立波, 王迪平, 孙勇, 许波涛, 易文杰, 姚志丹, 孙雪平, 谢均宇 申请人:北京中科信电子装备有限公司