专利名称:软磁性材料的制造方法、软磁性粉末和压粉磁芯的制作方法
技术领域:
本发明一般涉及软磁性材料的制造方法、软磁性粉末、和压粉磁芯,并且更特别涉及含有多个(a plurality of)覆盖有绝缘膜的软磁性颗粒的软磁性材料的制造方法、金属磁性粉末和压粉磁芯。
背景技术:
按常规,尝试了改变电气和电子部件例如发动机和变压器铁芯的比例到更高密度和更小尺寸,并且容许用低电功率实现更精确的控制。这导致了在制造这种电气和电子部件中所用软磁材料的开发,特别是在中高频率范围内有优良磁特性的软磁材料。
例如,关于这种软磁材料,日本专利早期公开No.2002-246219公开了以在高温环境下使用期间维持磁特性为目的压粉磁芯,及其制造方法(专利文献1)。根据专利文献1公开的压粉磁芯制造方法,覆盖有磷酸盐膜的粉化铁粉首先与预定量的聚苯硫(PPS树脂)混合并进行压制工艺。所得的压制品在空气中温度为320℃加热一小时,然后在温度为240℃再加热一小时。然后冷却所述压制品制成压粉磁芯。
专利文献1日本专利早期公开No.2002-246219发明内容本发明要解决的问题用此方法制造的压粉磁芯会在它内部包括许多晶粒不连续性(错位,晶界,缺陷),这将阻碍畴壁的移动(磁通量的变化),导致压粉磁芯的磁导率降低且矫顽力增加。在专利文献1中公开的压粉磁芯的情况中,即使通过施加到所述压制品的两次热处理,也没有充分消除内部晶粒不连续性。因此,所得压粉磁芯的有效磁导率,其可根据频率和PPS树脂含量而变化,一直保持在400或以下的低值。
考虑在温度不低于1000℃下对所述压制品进行热处理以充分减少压粉磁芯内部的晶粒不连续性。然而,覆盖粉化铁粉的磷酸盐化合物的耐热性低,并因而在高温下的热处理期间损坏。这导致磷酸盐覆盖的粉化铁粉在粒子间的涡流损耗增加,这会减小所述压粉磁芯的磁导率。
因此,本发明的目的是解决上述问题并提供达到期望磁特性的软磁材料的制造方法、软磁粉和压粉磁芯。
解决问题的方法除了软磁粉的加压成形中引入的错位为代表的应变,压粉磁芯内部的晶粒不连续性还包括,沿着软磁粒子表面形成的表面层微晶的晶界,和在软磁粒子内部形成的亚晶粒的晶界。例如,在制造软磁粉的粉化工艺中,通过软磁粉末的强制快速冷却中的热应力应变,形成这些晶界。
这些晶界成为显著增加软磁粉末矫顽磁力的因素。然而,这些晶界固有地在能量方面是稳定的并且因此只有通过例如不低于1000℃的高温下热处理才可以消除。本发明人专注于沿着软磁粒子表面形成的表面层微晶并完成了本发明,本发明即使在相对低的温度下通过热处理也能充分地减小矫顽磁力。
根据本发明一个方面的软磁材料制造方法包括如下步骤,制备含有多个软磁粒子的软磁粉末,蚀刻所述软磁粉末以除去软磁粒子表面,并且,在所述蚀刻步骤后,在不低于400℃且不高于900℃的温度下在细碎状态的软磁粉末上进行第一次热处理。
根据如上安排的软磁材料制造方法,可在第一次热处理前通过蚀刻所述软磁粉末以除去沿着其形成表面层微晶的软磁粒子表面。这使无表面层微晶晶界的软磁粉末可以进行第一次热处理。因此,可通过第一次热处理有效地消除残余的晶粒不连续性。结果,有可能获得足够低的矫顽磁力的软磁粉末。
在此情况中,通过在温度不低于400℃进行热处理可充分实现上述通过第一次热处理的效果。另外,在温度不低于900℃进行热处理可防止在热处理中软磁粉末被烧结和固化。如果软磁粉末被烧结,需要将固化的软磁粉末机械地破碎成片。这有可能提高软磁粒子内部新应变的可能性。因此,可在不高于900℃的温度下通过热处理避免这种可能性。
优选地,在蚀刻步骤后,所述软磁粉末的粒度分布基本仅在不小于10μm且不大于400μm范围内。根据如上安排的软磁材料制造方法,不低于10μm的粒度分布的软磁粉可抑制“表面能应力应变”的影响。这里所述的“表面能压力应变”指的是软磁粒子表面存在的应变和缺陷导致的应力应变,这将导致阻碍所述畴壁的移动。因而,可通过抑制上述影响而减小软磁粉的矫顽磁力。而且,不低于10μm的粒度分布可防止软磁粉末固化。当利用根据本发明的制造方法制造压粉磁芯时,不高于400μm的粒度分布可减少压粉磁芯粒子间的涡流损失。
优选地,所述蚀刻步骤包括除去软磁粒子表面的步骤,以便通过所述制备步骤制备的软磁粉末的平均粒径减小到相对于所述平均粒径不低于90%范围内的值。如上安排的软磁材料制造方法是有利的,因为相对于初始平均粒径,所述软磁粒子在尺寸上没有变得太小且防止形状退磁场影响的增加,并且也防止“表面能应力应变”影响的增加。这使所得的软磁粉末的矫顽磁力减小。
利用上面陈述的软磁材料制造方法生产根据本发明的软磁粉末。本软磁粉末具有减小到相对于用所述制备步骤制备的软磁粉末矫顽磁力不大于70%的值的矫顽磁力。根据本发明的软磁材料制造方法用于使软磁材料的矫顽磁力从其初始值减小到不大于70%的值。
优选地,软磁材料制造方法还包括如下步骤,在进行第一次热处理步骤之后,在多个软磁粒子的每一个上形成绝缘膜,并且通过将每一个都具有在其上形成的绝缘膜的多个软磁粒子压力成形而制备压制品。根据如上安排的软磁材料制造方法,由于在第一次热处理后形成所述绝缘膜,所以第一次热处理不导致绝缘膜的损坏。
由于利用充分消除了晶粒不连续性的软磁粉末形成所述压制品,所以大多数存在于压制品内部的晶粒不连续性是由发生在压力成形中的应力引起的。因而,可容易地减少压制品内部的晶粒不连续性。而且,晶粒不连续性减少的软磁粒子处于在所述压力成形中可容易变形的状态。因此,在这样的状态中可获得所述压制品以使多个软磁粒子无间隙地互相啮合,由此使所述压制品密度得以增加。
优选地,软磁材料制造方法还包括在制备压制品步骤之前加入有机物质到软磁粉末的步骤。根据如上安排的软磁材料制造方法,在压力成形中,所述有机物质插入到每一个具有形成于其上的绝缘膜的软磁粒子之间。因此,有机物质充当压力成形中的润滑剂并防止绝缘膜的破裂。在压力成形之后,有机物质也用来使软磁粒子互相粘合。这使压制品的强度提高。
优选地,软磁材料制造方法还包括在至少30℃的温度且低于绝缘膜的热分解温度下进行压制品的第二次热处理步骤。根据如上安排的软磁材料制造方法,第二次热处理使压制品内部存在的晶粒不连续性减少。在此情况中,软磁粉末内部的晶粒不连续性已预先在第一次热处理中被充分减小。结果,压制品内部的大多数晶粒不连续性是由发生在压力成形中的应变引起的。因此,即使在小于绝缘膜热分解温度的相对低的热处理温度下,例如,在常规磷酸盐绝缘膜的情况中小于500℃,可充分减小存在于压制品内部的应变。
另外,在第二次热处理中,由于热处理的温度小于绝缘膜的热分解温度,可防止围绕软磁粒子的绝缘膜损坏。通过适当保护的绝缘膜,这使发生在软磁粒子之间的粒子间涡流损耗减小。不小于30℃的热处理温度也可在一定程度上实现通过第二次热处理的上述效果。
利用上述软磁材料的制造方法制造根据本发明的压粉磁芯。压粉磁芯的矫顽磁力为不大于1.0×102A/m。如上形成的压粉磁芯可减小压粉磁芯的磁滞损耗,由于它的充分低的矫顽磁力。这使压粉磁芯在铁损中磁滞损耗比例大的低频域中也被有效利用。
发明效果如上所述,根据本发明,可提供达到期望磁特性的软磁材料制造方法、软磁粉末和压粉磁芯。
附图简述
图1是用根据本发明实施方案的软磁材料制造方法制造的压粉磁芯横截面示意图。
图2是表示如图1中所示制造压粉磁芯的粉化工艺中获得的软磁粒子状态的示意图。
图3是图2中示意性表示的软磁粒子SEM-EBSP图象(扫描电子显微镜-电子反向散射图案)(scanning electron microscope-electron backscattering pattern)。
图4是表示由图3中所示双点划线IV所限定区域的软磁粒子放大图。
图5是表示如图1所示制造压粉磁芯的蚀刻步骤中获得的软磁粒子状态的示意图。
图6是表示如图1所示制造压粉磁芯的第一次热处理步骤中获得的软磁粒子状态的示意图。
图7是表示如图1所示制造压粉磁芯的压力成形步骤中获得的软磁粒子状态的示意图。
图8是表示如图1所示制造压粉磁芯的第二次热处理步骤中获得的软磁粒子状态的示意图。
图9是表示本发明的第二个实施方案中热处理温度和软磁粉末矫顽磁力之间关系的曲线图。
符号说明10软磁粒子,10a表面,20绝缘膜,30复合磁性粒子,40有机物质实施本发明的最佳方式将参考所述附图描述本发明的实施方案。
参照图1,压粉磁芯包括多个各个由软磁粒子10和围绕软磁粒子10表面的绝缘膜20形成的复合磁性粒子30。有机物质40配置在多个复合磁性粒子30之间。各个所述多个复合磁性粒子30通过有机物质40互相结合,或通过复合磁性粒子30的凹凸啮合而互相结合。有机物质40与复合磁性粒子30牢固地结合在一起以改善所述压粉磁芯的强度。
例如,软磁粒子10可用铁(Fe)、铁(Fe)-硅(Si)合金、铁(Fe)-氮(N)合金、铁(Fe)-镍(Ni)合金、铁(Fe)-碳(C)合金、铁(Fe)-硼(B)合金、铁(Fe)-钴(Co)合金、铁(Fe)-磷(P)合金、铁(Fe)-氮(N)-钴(Co)合金、铁(Fe)-铝(Al)-硅(Si)合金等制成。软磁粒子10可以是金属单质或合金。
例如,通过用磷酸处理软磁粒子10形成绝缘膜20。此外,绝缘膜20优选含有氧化物。作为含有氧化物的绝缘膜20,可使用氧化物绝缘体,例如,除了含有磷和铁的磷酸铁之外,还有磷酸锰、磷酸锌、磷酸钙、磷酸铝、二氧化硅、二氧化钛、氧化铝、或氧化锆。绝缘膜20可形成在如附图所示的单层中,或可形成在多层中。
绝缘膜20充当软磁粒子10之间的绝缘膜。通过用绝缘膜20覆盖软磁粒子10,可提高压粉磁芯的电阻率ρ。因而,可防止涡电流在软磁粒子10之间流动,由此减小涡电流造成的压粉磁芯的铁损。
作为有机物质40,可采用热塑性树脂例如热塑性聚酰亚胺、热塑性聚酰胺、热塑性聚酰胺-酰亚胺(polyamidimide)、聚苯硫、聚酰胺酰亚胺、聚醚砜、聚醚酰亚胺或聚醚醚酮(polyetheretherketone);非热塑性树脂例如全芳香族聚酯或全芳香族聚酰亚胺;和高级脂肪酸例如高分子量聚乙烯、硬脂酸锌、硬脂酸锂、硬脂酸钙、棕榈酸锂、棕榈酸钙、油酸锂和油酸钙。这些也可被互相组合采用。高分子量聚乙烯指的是分子量不小于100,000的聚乙烯。
然后将利用图2至8描述根据实施方案的软磁材料制造方法。
参照图2,首先,利用粉化方法制造由多个软磁粒子10制成的软磁粉末。更具体而言,通过利用高压水喷雾,将溶解的原料金属喷射并骤冷所述金属,并因而制造了多个软磁粒子10。通过本骤冷步骤获得的软磁粒子10包括,除了在晶粒之间延伸的晶界51之外,还有沿着表面10a以预定深度形成的表面层微晶57、在表面层微晶57之间延伸的表面层微晶界53、在软磁粒子10内部形成的亚晶粒56、和在亚晶粒56之间延伸的亚晶界52。应当注意,软磁粉末的制造方法不限于水雾化法并且可以是气体雾化法。
图3和4表示用所述水雾化法制造的纯度不低于99.8%的雾化铁粉。参照图3和4,在使用水雾化法的情况中,直径约为100μm的软磁粒子10具有在距离所述表面的深度约为100nm至250nm处形成的表面层微晶57。另一方面,在使用气体雾化法制造软磁粉末的情况中,表面层微晶的形成深度相对浅,相对于约100μm的直径,大约是10nm。然而,在这里描述的表面层微晶的形成深度是一个实例,并且随着软磁粒子的品质和粒度、软磁粉末制造条件等变化。
参照图5,然后通过将软磁粉末引入到氯化氢(HCl)水溶液(盐酸)中并进行预定时间的搅拌工艺,将所述软磁粉末进行蚀刻工艺。在此情况中,除了盐酸,还可使用磷酸(H3PO4)、硝酸(HNO3)、硫酸(H2SO4)和其混合溶液。例如,除了用这些水溶液进行酸处理,也可使用利用离子铣削(milling)装置进行的氩离子铣削法和利用等离子体中的反应性气体活性种类进行反应性离子铣削法。
上述蚀刻工艺沿着距离表面10a的预定深度除去软磁粒子10的表面,由此从软磁粒子10除去在软磁粒子10中形成的表面层微晶57。在此情况中,优选进行蚀刻工艺以使在蚀刻工艺之后软磁粉末的平均粒度的值为不小于蚀刻工艺前软磁粉末平均粒度的90%。在这里描述的平均粒度指的是当用激光散射衍射法等测定的粒度柱状图中以粒度升序加和的粒子质量总和达到总质量的50%而获得的粒度,即,50%粒度D。
也优选,在蚀刻工艺后,软磁粒子10的粒度基本上只分布在不小于10μm且不大于400μm的范围内。在此情况中,在蚀刻工艺后,通过使用适当筛目大小的筛子,可将任何尺寸小于10μm的粒子和任何尺寸大于400μm的粒子从所述软磁粉末强制除去。更优选,软磁粒子10的粒度基本上只分布在不小于75μm且不大于355μm的范围内。
然后将进行了蚀刻工艺的软磁粉末清洗,并随后通过用丙酮置换水分将软磁粉末干燥。
参照图6,然后将软磁粉末在不小于400℃且不大于900℃的温度下进行热处理,例如,一个小时。所述热处理更优选在不小于700℃且不大于900℃的温度下进行。如果本热处理残存软磁粒子10内部形成的亚晶界52和在软磁粒子10的新表面10b上的表面层微晶,将引起表面层微晶旁边的晶界被消除。在此情况中,因为先前步骤中进行的蚀刻工艺引起全部或大多数表面层微晶被预先除去,所以可有效地消除软磁粒子10内部存在的晶粒不连续性。
参照图7,在软磁粒子10表面10b上形成绝缘膜20而制造复合磁性粒子30。然后通过加入有机物质40到所得的复合磁性粒子30并一起混合而获得混合粉末。对于混合技术没有特定限制,并且可使用任何技术例如机械合金化法、振动球磨研磨法、行星式球磨研磨法、机械熔合法、共沉淀法、化学气相沉积法(CVD)、物理气相沉积法(PVD)、电镀法、喷镀法、气相沉积法、或溶胶-凝胶工艺。
然后将获得的混合粉末引入到铸模中并在例如700MPa至1500MPa的压力下压力成形。这导致混合粉末的压缩而产生压制品。优选将所述混合粉末在惰性气氛或减压空气中压力成形。在此情况中,可防止混合粉末被空气中的氧气氧化。本压力成形引起在软磁粒子10中新产生应变61。
在此情况中,通过用如图5所述的蚀刻工艺和用图6所述的热处理,消除了大多数表面层微晶界53和原先存在软磁粒子10内部的亚晶界52。因而,复合磁性粒子30处于在压力成形中容易变形的状态中。因此,可以这种方式形成压制品,以使多个复合磁性粒子30无间隙地互相啮合,如图1所示。这使压制品密度增加,由此获得高磁导率。有机物质40位于临近的复合磁性粒子30之间而充当润滑剂并防止绝缘膜20的破裂,所述破裂的原因是复合磁性粒子30互相摩擦。
参照图8,然后在温度不小于30℃且不大于绝缘膜20的热分解温度下热处理通过压力成形获得的压制品。例如,在磷酸盐绝缘膜的情况中,绝缘膜20的热分解温度为500℃。
在此情况中,因为消除了大多数表面层微晶界53和原先存在软磁粒子10内部的亚晶界52,所以即使在压力成形之后,压制品内部晶粒不连续性的量也相对小。而且,因为在压力成形中软磁粒子10内部晶粒不连续性很少,所以在未与这些晶粒不连续性复杂纠缠的情况下产生新应变61。为此,尽管在小于绝缘膜20热分解温度的相对低温下进行热处理,也可容易地减少压制品内部存在的晶粒不连续性。
因为在小于绝缘膜20热分解温度的温度下进行压制品上的热处理,所以热处理不导致绝缘膜20的损坏。这即使在热处理之后也保持覆盖软磁粒子10的绝缘膜20,并且使绝缘膜20可靠地防止涡电流在软磁粒子10之间流动。更优选地,在不小于30℃且不大于300℃的温度下热处理通过压力成形获得的压制品。在此情况中,可进一步防止绝缘膜20的损坏。
其后,将得到的压制品进行适当的处理例如挤出或切削加工以提供如图1中所示完成的压粉磁芯。
根据本发明实施方案的软磁材料制造方法包括以下步骤制备含有多个软磁粒子10的软磁粉末,蚀刻所述软磁粉末以除去软磁粒子10的表面10a,并且,在所述蚀刻步骤后,在不低于400℃且不高于900℃的温度下在细碎状态的软磁粉末上进行热处理。
根据如上安排的软磁材料制造方法,将压力成形前的软磁粒子10进行蚀刻工艺并且也在预定温度范围进行热处理,以制造已充分消除晶粒不连续性的压粉磁芯。这使压粉磁芯的磁滞损耗减小。因为对于软磁粉末的热处理是在软磁粒子10上形成绝缘膜20之前进行的,所以热处理不导致绝缘膜20的损坏。而且,因为对于压制品的热处理是在低于绝缘膜20的热分解温度的温度下进行的,所以也抑制了由热处理造成的绝缘膜20的损坏。这使绝缘膜20在软磁粒子10之间很好地充当绝缘层并且使压粉磁芯的涡流损耗得以减小。结果,通过磁滞损耗和涡流损耗的减小,可显著减小压粉磁芯的铁损。
实施例用下面描述的实施例评价了根据本发明的软磁材料制造方法。
(实施例1)根据实施方案中描述的制造方法,首先将软磁粒子进行蚀刻工艺。在此情况中,作为软磁粒子10,使用纯度不低于99.8%的水雾化铁粉(产品名称“ABC100.30”,由Hgns AB制造)。通过制备浓度为3质量%的盐酸水溶液(600cm3)进行蚀刻工艺,将200克软磁粉末引入所述溶液中并搅拌溶液。在此情况中,在不同条件下,采用10分钟至300分钟范围内的不同搅拌时间而制造多种进行蚀刻工艺的软磁粉末。为比较目的也制备了不进行蚀刻工艺的软磁粉末。
测定了如上制造的软磁粉末的平均粒度和矫顽磁力。当测定矫顽磁力时,首先利用树脂粘合剂以固化所述软磁粉末并制成片(直径20mm、厚度5mm)。以1(T特斯拉)、-1T、1T和-1T的顺序将磁场施加到所述片,并且使用振动样品磁强计(VSM)表示此时B(磁通量)H(磁场)回路的形状。从本BH回路的形状计算所述片的矫顽磁力,它的值被假定为软磁粉末的矫顽磁力。
然后将软磁粉末在氢气流中在温度为850℃的条件下进行热处理一小时。通过如上类似的方法测定热处理之后的软磁粉末矫顽磁力。
然后将软磁粉末用膜覆盖而形成如软磁粒子10表面上绝缘膜20的磷酸铁膜。将聚苯硫(PPS树脂)以相对于所述软磁粉末的1质量%的比例加入到覆盖有所述膜的软磁粉末,并一起搅拌。在13ton/cm2的表面压力下将得到的混合粉末压力成形而制成环形压制品(外径34mm、内径20mm、厚度5mm)。通过将线圈缠绕在获得的压制品周围(第一卷300圈和第二卷20圈)并施加磁场到所述压制品,测定压制品的矫顽磁力和磁导率。
然后将压制品在氮气中温度为550℃的条件下进行热处理一小时。通过如上类似的方法测定热处理之后压制品的矫顽磁力和磁导率。通过上述测定的软磁粉末和压制品的矫顽磁力和磁导率的值表示在表1中。
从表1可以看出,搅拌时间不大于60分钟的软磁粉末实现了保持相对于蚀刻工艺前的平均粒度不小于90%的值的平均粒度。在此情况中,与不进行蚀刻工艺的软磁粉末相比,热处理之后的矫顽磁力可被减小。特别是,搅拌时间在30至40分钟范围内,可有效地减小所述矫顽磁力。所述矫顽磁力在不小于60分钟的范围内随着渐增的搅拌时间而增加的原因被认为是粒度减小太多的软磁粒子10引起形状退磁场和表面能应力应变的效应超过了蚀刻工艺导致的消除表面层微晶界的效应。
更具体而言,如果不进行加工,软磁粉末的最初矫顽磁力是2.86(Oe奥斯特)。如果进行所述热处理,实现矫顽磁力为2.20(Oe),约是最初矫顽磁力的77%。另一方面,当在蚀刻工艺中搅拌进行30分钟时,热处理后的矫顽磁力是1.95(Oe),相对于2.86(Oe)约是68%的值。因而,可以确定,根据本发明,软磁粉末的矫顽磁力可减小到不大于70%的值。
按照如上所述减小的软磁粉末矫顽磁力,通过压力成形获得的压制品和进一步进行热处理的压制品的各自矫顽磁力可被减小并且可增加其各自的磁导率。特别是在加工时间在30分钟至40分钟的范围内的情况中,热处理后的压制品的矫顽磁力可减小到不大于1.30(Oe)(=1.0×102A/m)的值。
(实施例2)在本实施例中,在实施例1中使用的并且未进行蚀刻工艺的软磁粉末和在蚀刻工艺中搅拌30分钟的软磁粉末在氢气流中不同热处理温度的条件下进行热处理一小时。通过类似于实施例1的方法测定了每个在各自热处理温度下处理的软磁粉末矫顽磁力。通过测定获得的每个矫顽磁力值表示在表2中并且绘制的值表示在图9中。
参照表2和图9,在热处理温度为900℃的情况中,热处理引起软磁粉末轻微固化而产生轻微粉碎的需要。因此,测定的矫顽磁力具有增大的值。在热处理温度大于900℃的情况中,软磁粉末快速固化以致它有时不能被粉碎。同样,在所述固化软磁粉末可被粉碎的情况中,测定的矫顽磁力具有显著增大的值。因而,可以确定,通过将软磁粉末上的热处理温度设定在不大于900℃的温度,例如850℃,如实施例1中进行的,可减小软磁粉末的矫顽磁力。
应当理解,在这里公开的实施方案和实施例是示例性的并且在各个方面是非限制性的。本发明的范围是由各项权利要求而不是上面的说明书限定的,并且意欲包括在与各项权利要求等效范围和含义内的全部修改。
工业适用性本发明适用于制造例如电机磁心、电磁阀、反应器或其它从压力成形的软磁粉末制造的电磁部件。
权利要求
1.一种软磁材料的制造方法,包含如下步骤制备含有多个软磁粒子(10)的软磁粉末,蚀刻所述软磁粉末而除去所述软磁粒子(10)的表面(10a),并且,在所述蚀刻步骤后,在不小于400℃且不大于900℃的温度下对所述处于细碎状态中的软磁粉末进行第一次热处理。
2.根据权利要求1的软磁材料制造方法,其中,在所述蚀刻步骤后,所述软磁粉末的粒度分布基本上仅存在于不小于10μm且不大于400μm的范围内。
3.根据权利要求1的软磁材料制造方法,其中所述蚀刻步骤包括除去所述软磁粒子(10)的表面(10a)的步骤,以使由所述制备步骤制备的软磁粉末平均粒径被减小到相对于所述平均粒径不小于90%的范围内的值。
4.利用权利要求1的软磁材料制造方法制造的软磁粉末,其中所述软磁粉末的矫顽磁力被减小到相对于由所述制备步骤制备的软磁粉末的矫顽磁力不大于70%的值。
5.根据权利要求1的软磁材料制造方法,还包括如下步骤在所述进行第一次热处理步骤后,在每一个所述多个软磁粒子(10)上形成绝缘膜(20),并且通过将所述多个软磁粒子(10)压力成形而制备压制品,每一个所述软磁粒子(10)具有形成于其上的所述绝缘膜(20)。
6.根据权利要求5的软磁材料制造方法,还包括在所述制备压制品步骤之前向所述软磁粉末加入有机物质(40)的步骤。
7.根据权利要求5的软磁材料制造方法,还包括在温度为不小于30℃且小于所述绝缘膜(20)的热分解温度下对所述压制品进行第二次热处理的步骤。
8.利用权利要求7的软磁材料制造方法制造的压粉磁芯,其中所述压粉磁芯的矫顽磁力不大于1.0×102A/m。
全文摘要
本发明提供一种软磁材料制造方法,包括如下步骤制备含有多个软磁粒子(10)的软磁粉末,蚀刻所述软磁粉末而除去软磁粒子(10)的表面(10a),并且,在蚀刻步骤后,在不小于400℃且不大于900℃的温度下热处理所述处于细碎状态中的软磁粉末。通过如上安排的本方法,可获得期待的磁特性。
文档编号H01F1/24GK1938114SQ20058001006
公开日2007年3月28日 申请日期2005年3月29日 优先权日2004年3月30日
发明者前田彻, 五十岚直人, 广濑和弘, 丰田晴久 申请人:住友电气工业株式会社