专利名称：铝－碳化硅质复合体的制作方法
技术领域：
本发明涉及适合作为电路板的基板的铝-碳化硅质复合体。在平板形状为四方形时本发明中的长轴表示对角线，为圆形时表示直径，为椭圆形时表示长轴，为其它形状时表示最长的轴。
背景技术：
今天，随着半导体元件的高集成化和小型化，散热量持续增加，如何使其有效地散热成为课题。此外，制作具有高绝缘性·高导热性的基板，例如氮化铝基板、氮化硅基板等陶瓷基板的表面形成有铜制或铝制金属电路的陶瓷电路板，在其背面作为散热板的由铜制或铝制基板形成的基板例如被作为功率组件(power module)用基板使用。
以往的陶瓷电路板的典型的散热构造是在陶瓷电路板上焊接基板的结构，该基板一般为铜制、铝制。但是，该结构例如在热负荷的情况下，焊接层会因为基板和陶瓷电路板的热膨胀系数不同而开裂，其结果是，出现散热不充分、误操作电路上的半导体或半导体破损等问题。
因此，日本专利特公表平05-507030号公报提出了作为热膨胀系数与陶瓷电路板的值接近的基板，使用铝合金-碳化硅质复合体的技术方案。
大多数情况下基板被接合于散热片或散热单元等，其接合部分的形状和弯弯度很重要。例如，将基板接合于散热片或散热单元等时，一般利用设置于基板的周边部的孔进行螺旋固定，但如果基板上存在微小的凹凸，则基板和散热片或散热单元等之间会产生缝隙，这样即使涂布高导热性的散热油脂，有时也会造成导热性下降。其结果是，存在陶瓷电路板、基板、散热片或散热单元等构成的组件的整体散热性下降的问题。
所以，为了尽可能地在基板和散热片之间不出现缝隙，大多数情况下使用预先在其上设置了凸型弯曲的基板。通常可用具有规定形状的模具加热下对基板施加压力而形成该弯曲，但利用该方法获得的弯曲的弯度参差不齐，且形状不一定，存在品质不稳定的问题。此外，由于弯曲形状的参差不齐，导致其与散热片或散热单元等之间产生缝隙。
另外还有利用机械加工切削基板表面而形成弯曲的方法，但铝-碳化硅质复合体的材质非常硬，必须使用金刚钻等工具进行研削，所以存在加工时间长、成本高的问题。
因此，为了解决上述问题，提出了在平板状的碳化硅质多孔体中含浸以铝为主成分的金属、在两个主面设置铝层、对散热面侧的铝层进行机械加工的方法。本发明中，铝层是指铝合金层等以铝为主成分的金属层。
但是，采用上述方法制得的基板存在机械加工后铝层的中央部分变厚的倾向。因此，在组装功率组件时如果进行与陶瓷电路板的焊接，则因为陶瓷电路板的配置，有时散热面中央部的形状会发生变形，与散热片之间产生缝隙，无法发挥足够的散热特性。
另外，上述方法中为了控制两个主面的铝层的厚度，有时采用熔点高于含浸时所用的铝合金的高纯度铝板，这样在含浸时高纯度铝和熔点较低的铝层的反应有时会造成局部的色差。
发明的揭示本发明是鉴于上述情况完成的发明，其目的是提供适合作为陶瓷电路板用基板的铝-碳化硅质复合体。
本发明者为了实现上述目的进行认真研究后获得了具有下述技术特征的铝-碳化硅质复合体。
(1)铝-碳化硅质复合体，它是在平板状的碳化硅质多孔体中含浸以铝为主成分的金属而构成的、两个主面具有以铝为主成分的金属形成的铝层、一个主面被接合于电路板、另一主面被作为散热面使用的铝-碳化硅质复合体，该复合体的特征在于，将碳化硅质多孔体的散热面成形或机械加工为凸型的弯曲形状，含浸以铝为主成分的金属后，进一步对散热面的铝层进行机械加工形成弯曲。
(2)上述(1)记载的铝-碳化硅质复合体，其中，电路板接合面的铝层的平均厚度为0.1～0.3mm，前述电路板接合面内的铝层的厚度差在0.1mm以内，两个主面的铝层的平均厚度差在较厚一方的铝层的平均厚度的40％以内。
(3)上述(1)或(2)记载的铝-碳化硅质复合体，其中，使以铝为主成分的金属形成的铝层中含有5～40质量％的以氧化铝或二氧化硅为主成分的纤维、球状粒子及粉碎状粒子中的1种以上。
(4)上述(1)～(3)中任一项记载的铝-碳化硅质复合体，该复合体的导热率在180W/mK以上，且热膨胀系数在10×10-6/K以下。
(5)上述(1)～(4)中任一项记载的铝-碳化硅质复合体，其中，用于消除加工变形的加热处理前后的散热面的长轴方向的弯度的变化量是每200mm在30μm以下。
(6)上述(1)～(5)中任一项记载的铝-碳化硅质复合体，该复合体通过高压锻造法制得。
本发明的铝-碳化硅质复合体具有低热膨胀及高热传导的特征。在铝合金含浸前，将平板状的碳化硅质多孔体的一个主面预先成形或机械加工成凸型形状，在铝合金含浸后，进一步对表面铝层进行机械加工，这样与以往的形成弯曲的方法相比，与陶瓷电路板焊接后的散热性趋于良好。由于能够简便地加工成规定形状、散热面的变形变化少、并可防止产生外观的局部色调不佳，所以特别适合作为对可靠性有高要求的搭载半导体零部件的陶瓷电路板的基板使用。
附图的简单说明
图1为本发明的铝-碳化硅质复合体的实施方式的立体图。
图2为图1的A-A截面图。
符号的说明1为铝-碳化硅质复合体，2为铝层。
实施发明的最佳方式金属-陶瓷复合体的制法大致有含浸法和粉末冶金法2种。其中，粉末冶金法无法获得足够的导热率等特性，实际商品化的复合体采用含浸法制得。含浸法中有各种制法，包括在常压下实施的方法和在高压下实施的方法(高压锻造法)。高压锻造法有液态模锻法和模铸法。
适合于本发明的方法是高压下实施含浸的高压锻造法，可采用液态模锻法和模铸法中的任一种，但更好是液态模锻法。高压锻造法是在高压容器内填充陶瓷多孔体(以下称为预成形体)，然后在高压下使铝合金的熔液含浸于其中而获得复合体的方法。
以下，对本发明的利用液态模锻法的制造例进行说明。
对本发明的碳化硅质多孔体(以下称为SiC预成形体)的制造方法无特别限定，可采用公知方法制造。例如，可以在作为原料的碳化硅(以下称为SiC)粉末中添加作为粘合材料的二氧化硅或氧化铝等，混合、成形后在800℃以上的温度下进行煅烧而获得。对于成形方法也无特别限定，可采用加压成形、挤压成形和铸造成形等，可根据需要并用保形用粘合剂。
作为本发明的特征之一的SiC预成形体的一个主面的凸型弯曲形状通过成形或机械加工形成。对成形及机械加工的方法无特别限定，在前述SiC预成形体的制造方法中，将在SiC粉末中添加了粘合材料的混合物成形时，可采用使用附加了形状的成形模的方法，或者煅烧后对一个主面进行机械加工形成凸型形状的方法中任一种。
作为使铝合金含浸于SiC预成形体而获得铝-碳化硅质复合体的方法，例如有下述方法。将SiC预成形体装入型箱内后，在前述型箱的两个主面配置以氧化铝或二氧化硅为主成分的纤维、球状粒子及粉碎状粒子中的1种以上，使其直接与上述两个主面相接，形成1个铸造板坯(block)。作为铝合金，优选使用AC4C、AC4CH、ADC12等。在500～650℃左右对前述铸造板坯进行预加热后，在高压容器内配置1个或2个以上，为了防止铸造板坯的温度下降，尽可能快地在30MPa以上的压力下对铝合金的熔液加压，使铝合金含浸于SiC预成形体的空隙中，获得两个主面设置有铝层的铝-碳化硅质复合体。本发明中，也可以消除含浸时的变形为目的实施退火处理。
本发明的使碳化硅质多孔体中含浸铝或其合金而形成的铝-碳化硅质复合体的重要特性是导热率和热膨胀系数。SiC含有率高的碳化硅质多孔体的导热率高，热膨胀系数小，所以比较理想，但如果含有率变高，则有时铝合金无法充分含浸。从实用性方面考虑，优选含有40质量％以上平均粒径较好为40μm以上的粗SiC粒子、SiC预成形体的相对密度较好在55～75％的范围内的碳化硅质多孔体。为了防止处理时或含浸中的裂纹，SiC预成形体的强度以弯曲强度计优选3MPa以上。
最好对SiC预成形体用原料SiC粉末进行粒度调整。如果仅有粗粉，则强度显现性下降，另一方面，如果仅有微粉，则有时所得复合体不具备所希望的较高导热率。本发明者进行探讨后发现，例如较好的是平均粒径优选40～150μm的SiC粗粉40～80质量％和平均粒径优选5～15μm的SiC微粉60～20质量％混合而得的混合粉末。
SiC预成形体通过对在前述SiC粉末中添加了粘合材料的混合物的成形体进行脱脂、煅烧而获得。煅烧温度只要在800℃以上即可，煅烧时的气氛如何无关紧要，可获得弯曲强度在3MPa以上的SiC预成形体。但是，如果于氧化性气氛中在超过1100℃的温度下进行煅烧，则有时SiC的氧化被促进，导致铝-碳化硅质复合体的导热率下降，因此最好在氧化性气氛中于1100℃以下的温度下进行煅烧。煅烧时间可结合SiC预成形体的大小、投入煅烧炉的量、煅烧气氛等条件适当决定。
本发明的SiC预成形体在成形为规定形状时，可以通过1片1片地干燥或在SiC预成形体间采用与预成形体形状相同的石墨等间隔物进行干燥，防止干燥造成的弯曲形状的变化。此外，在煅烧时进行与干燥时同样的处理，能够防止伴随内部组织的变化而出现的形状变化。
另一方面，为使本发明的铝-碳化硅质复合体中的铝合金在含浸时充分地浸透在预成形体的空隙内，其熔点最好尽可能得低。作为该铝合金，可例举例如含有7～25质量％硅的铝合金。更好的是含有镁，这样可加强碳化硅粒子和金属部分的结合。对于铝合金中的铝、硅、镁以外的金属成分，只要不会导致特性极端地发生变化即可，无特别限定，例如可含有铜等。
本发明中，在为了形成规定厚度的铝层而层积以氧化铝或二氧化硅为主成分的纤维、球状粒子及粉碎状粒子中的1种以上的工序中，最好在SiC预成形体的表面配置上述粒子使其与该表面直接相接。这样不仅能够形成规定厚度的铝层，还具备含浸后不会出现色差、成形时的加工性良好的优点。
铝层中的以氧化铝或二氧化硅为主成分的纤维、球状粒子及粉碎状粒子中的1种以上形成的材料的含量相对于铝-碳化硅质复合体的质量，优选5～40质量％，特好为10～20质量％。含量如果不足5质量％，则有时很难控制两个主面的铝层的厚度，有时加工后的退火处理会使弯曲形状发生较大变化。另一方面，含量如果超过40质量％，则铝合金层会变得过硬，难以实施一般的机械加工。
以消除铝合金含浸入SiC预成形体时的变形为目的而实施的退火处理最好在400～550℃的温度下进行10分钟以上。退火温度如果未满400℃，则有时复合体内部的变形未充分释放，机械加工后的退火处理工序中弯曲形状会发生较大变化。另一方面，如果退火温度超过550℃，则有时用于含浸的铝合金会发生熔融。退火时间如果未满10分钟，则即使退火温度达到400～550℃，复合体内部的变形也不会充分释放，在以消除机械加工后的加工变形为目的的退火处理工序中，有时弯曲形状会发生较大变化。
被设置于铝-碳化硅质复合体表面的铝层的厚度如下所述。即，利用机械加工对两个主面进行加工时，两个主面的厚度可以相同，但仅对散热面侧进行加工时，为使加工后两个主面的铝层的厚度无较大差异，最好预先增加待加工的散热面侧的铝层的厚度。电路板接合面的铝层的平均厚度优选0.1～0.3mm，两个主面的铝层的平均厚度差最好在较厚一方的铝层的平均厚度的40％以内。
电路板接合面的铝层的平均厚度如果未满0.1mm，则有时机械加工时铝-碳化硅质复合体中的SiC预成形体构造部分在碰到加工刀刃时会产生碎屑，同时铝-碳化硅质复合体中的SiC预成形体构造部分会露出，从而导致电镀不佳。另一方面，如果电路板接合面的铝层的平均厚度超过0.3mm，则有时焊接陶瓷电路板后散热面的形状会发生变形，其与散热片之间会出现缝隙，无法获得足够的放热特性。此外，如果两个主面的铝层的平均厚度差超过较厚一方的铝层的平均厚度的40％，则有时导热率会下降，或实施其后的用于消除加工变形的退火处理时，两个主面的铝层的热膨胀系数不同会使弯度发生变化。
电路板接合面内的铝层的厚度差较好在0.1mm以内，特好是在0.05mm以内。电路板接合面内的铝层的厚度差如果大于0.1mm，则实施了机械加工后，有时进行其后的退火处理时弯度会变大。另外，有时来自安装的元件的热量所导致的最厚部位和最薄部位的热膨胀差会成为出现裂缝的原因。
散热面或电路板接合面的弯曲形成最好利用车床等机械加工实施。将被加工品固定于车床等时，一般采用利用设置于被加工品周边部的孔等进行螺旋固定的方法。本发明中，由于对铝-碳化硅质复合体表面的铝层进行机械加工，所以可获得具备理想的球面形状的散热面，从而能够获得具备良好的散热特性和应力缓解性的铝-碳化硅质复合体。
机械加工前的铝-碳化硅质复合体的铝层的厚度几乎相同时，有时必须同时实施两个主面的加工，将两个主面的铝层的平均厚度差控制在较厚一方铝层的平均厚度的40％以内。对电路板接合面进行机械加工时，虽然不必象散热面侧那样进行弯曲加工，可进行平面研削，但与仅对散热面进行加工时相比，存在加工费用提高的问题，较好的是将两个主面的铝层的平均厚度差调整为散热面铝层的平均厚度的40％以内，特好是调整为30％以内。
此外，机械加工后的两个主面的铝层的平均厚度合计较好在1.0mm以下，特好是在0.6mm以下。两个主面的铝层的平均厚度的合计如果超过1.0mm，则铝-碳化硅质复合体整体的热膨胀系数变大，搭载半导体零部件后施加了热负荷时，焊接层会因铝-碳化硅质复合体和陶瓷电路板的热膨胀系数差而出现开裂，其结果是，散热不充分，可能引发使半导体误操作或导致半导体破损的问题。
机械加工后的铝-碳化硅质复合体的散热面的弯度是，长轴上每200mm优选10～400μm，特好为100～300μm。散热面的弯度如果未满10μm，则其后的组件组装工序中，在散热面和散热片间会产生缝隙，即使涂布高导热性的散热油脂，导热性也会下降，其结果是，有时导致由陶瓷电路板、基板、散热片等构成的组件的散热性下降。另一方面，如果弯度超过400μm，则与散热片接合时的螺旋固定有时会导致铝-碳化硅质复合体或陶瓷电路板开裂。
电路板面的长轴上的弯度是每200mm优选-200～200μm，特好的是-100～100μm。电路板面的长轴上的弯度如果不在上述范围内，则电路板接合时的焊锡厚度不一定，或焊接时易出现空隙，有时会导致由陶瓷电路板、铝-碳化硅质复合体、散热片等构成的组件的散热性下降。
以消除加工变形而实施的退火处理最好在400℃～550℃的温度下进行10分钟以上。如果退火温度未满400℃或退火温度即使在400℃～550℃的范围内但退火时间未满10分钟，则复合体内部的变形未充分释放，有时在其后的电路板的焊接工序中弯度会变大。另外，退火温度如果超过550℃，则含浸的铝合金有时会熔融。
退火处理前后的散热面的长轴上的弯度差为每200mm优选30μm以下，特好是20μm以下。弯度差如果超过30μm，则组件组装工序中，铝-碳化硅质复合体和散热片间会产生缝隙，即使涂布高导热性的散热油脂，有时也会出现导热性下降。
本发明的铝-碳化硅质复合体具有良好的散热特性和应力缓解性，所以例如适合作为位于陶瓷电路板和散热片等散热零部件间的基板使用。
本发明的铝-碳化硅质复合体由于两个主面具有铝层，可将散热面加工成理想的球面形状，所以将本发明的铝-碳化硅质复合体作为基板使用时，基板和散热片等散热零部件的接触趋于良好，可提高由陶瓷电路板、基板及散热片等构成的组件的散热特性。
本发明的铝-碳化硅质复合体的导热率在180W/mK以上，特好为200W/mK以上，热膨胀系数为10×10-6/K以下，特好的是达到8.5×10-6/K以下。除了前述效果以外，由于较高的导热率以及与半导体零部件和陶瓷电路板的同等水平的低膨胀率，所以使用了该复合体的散热零部件，甚至是使用了该复合体的组件的散热特性良好，即使承受了温度变化也不易变形，其结果是，具备可获得高可靠性的特点。
实施例1称取70g的SiC粉末A(太平洋ランダム公司制NG-220，平均粒径60μm)、30g的SiC粉末B(屋久岛电工株式会社制GC-1000F，平均粒径10μm)及10g的硅溶胶(日产化学株式会社制スノ一テックス)，用搅拌混合机混合30分钟后，以10MPa的压力加压成形为纵185mm×横135mm×厚5.0mm尺寸的平板状。
大气中，于900℃对所得成形体煅烧2小时，获得相对密度65％的SiC预成形体后，利用车床将SiC预成形体的一个主面加工成每200mm的弯度为200μm的凸型球面形状，使中央部的厚度达到4.6mm。
将所得SiC预成形体装入带可流入熔液的熔液入口的纵185mm×横135mm×高5.2mm的铁制框架中，在球面状的面(散热面)上配置纵185mm×横135mm×厚0.4mm的氧化铝纤维(田中制纸株式会社制，纯度97％，片状形态)，在平面状的面(电路板接合面)上配置纵185mm×横135mm×厚0.2mm的氧化铝纤维(田中制纸株式会社制，纯度97％，片状形态)，使上述纤维在由其形成的铝层中的含量都达到35质量％。
将两面用涂了石墨的SUS板夹住而成为一体的成形体放入电炉中于600℃进行预热。然后将其放入预先经过加热的内径300mm的加压模具内，在其中注入含有12质量％硅和0.5质量％的镁的铝合金熔液，以100MPa的压力加压20分钟，使铝合金含浸入SiC预成形体。冷却至室温后，用湿式带锯机将铁框架等切断，剥离夹住的SUS板后，为了消除含浸时的变形，在530℃的温度下进行3小时的退火处理，获得铝-碳化硅质复合体。
然后，在铝-碳化硅质复合体的周边部的4个角设置直径8mm的加工孔，利用加工孔通过螺旋固定于车床夹具，在铝层的厚度为0.4mm的面形成每200mm为200μm的弯度，加工成球面形状。此外，使加工后的两个主面的铝层的平均厚度相同，实施研削量平均200μm的研削，使平均厚度达到5.0mm。机械加工后，用马弗炉于530℃的温度进行3小时的退火处理，消除加工变形。
比较例1(加热下施压形成弯曲的例子)除了使用纵185mm×横135mm×高5.0mm的铁制框架，将SiC预成形体的形状形成为纵185mm×横135mm×厚5.0mm的平板状，未在SiC预成形体的两面配置氧化铝纤维，未实施预成形体及铝-碳化硅质复合体的机械加工之外，其它与实施例1同样，制得铝-碳化硅质复合体。
然后，在所得的铝-碳化硅质复合体的上下配置每250mm弯度为250μm的球面形状的凹凸石墨模具，在大气中于530℃的温度下加热10分钟，再于5MPa的压力下加压10分钟，形成每200mm为200μm的弯曲。形成弯曲后，于530℃的温度下进行3小时的退火处理。
(物性测定)沿对角线将实施例1及比较例1获得的铝-碳化硅质复合体切断，再沿对角线以等间隔测定各主面(以下称为主面1和主面2)的铝层(Al层)的20个点的厚度，算出其平均值。
然后，算出((主面1和主面2的铝层的平均厚度差的绝对值)/(较厚一方的铝层的平均厚度)×100)的值。此外，利用研削加工制得热膨胀系数测定用试验体(直径3mm、长度10mm)、导热率测定用试验体(直径11mm、厚度3mm)、弯曲形状测定用试验体(100mm×50mm×3mm)。用热膨胀计(精工电子工业株式会社制TMA300)测定各试验体的25～250℃下的热膨胀系数，用激光闪烁法(理学电机株式会社制LF/TCM-8510B)测定25℃下的导热率。关于弯曲形状，用轮廓形状测定机(东京精密株式会社制计数器1600D-22)，每个试验体各取20个点，测定实施例1的机械加工后及退火处理后的散热面的对角线上每200mm的弯度，以及比较例1的形成弯曲后及退火处理后的散热面的对角线上每200mm的弯度。此外，为了获知彼此的差异，算出2条对角线上的弯度值差的平均及标准偏差。结果示于表1及表2。
实施例2～9为使铝层的平均厚度达到100μm，将平面形状面的氧化铝纤维的厚度改为0.1mm，含浸铝合金后，将球面形状面研削为300μm(实施例2)；为使铝层的平均厚度达到300μm，将平面形状面的氧化铝纤维的厚度改为0.3mm，含浸铝合金后，将球面形状面研削为100μm(实施例3)；为使铝层的平均厚度达到50μm，将平面形状面的氧化铝纤维的厚度改为0.05mm，含浸铝合金后，将球面形状面研削为350μm(实施例4)；为使铝层的平均厚度达到350μm，将平面形状面的氧化铝纤维的厚度改为0.35mm，将球面形状面研削为50μm(实施例5)；为使平面形状面的铝层的厚度差达到100μm，分阶段地改变厚度将平面形状面的氧化铝纤维的一端的厚度改为0.15mm，另一端的厚度改为0.25mm(实施例6)；将平面形状面的氧化铝纤维的厚度改为0.12mm(实施例7)；将平面形状面的氧化铝纤维的厚度改为0.11mm(实施例8)；将平面形状面的氧化铝纤维的厚度改为0.1mm(实施例9)；除此以外与实施例1相同，制得铝-碳化硅质复合体，进行加工和评价。结果示于表1及表2。
实施例10～16使氧化铝纤维的含量为3质量％(实施例10)，使氧化铝纤维的含量为45质量％(实施例11)，使氧化铝纤维的含量为5质量％(实施例12)，使氧化铝纤维的含量为40质量％(实施例13)，未在SiC预成形体的两面配置氧化铝纤维(实施例14)，填充35质量％的球形氧化铝粒子(住友化学株式会社制氧化铝CB-10级，纯度99.9％)替代氧化铝纤维(实施例15)，填充35质量％的粉碎状的氧化铝粒子(昭和电工株式会社制氧化铝AL-15-H级，纯度99.9％)替代氧化铝纤维(实施例16)，除此以外与实施例1相同，制得铝-碳化硅质复合体，进行评价。结果示于表1和表2。
表1
*计算时将Al层平均厚度较高的一方作为主面1。
表2
*2散热面的长轴上的平均弯度。关于弯度值，如果呈凸形记为+。*3比较例1为形成弯曲的加工处理。
产业上利用的可能性本发明的铝-碳化硅质复合体由于能够简便地加工成规定形状、散热面的变形变化少、并可防止产生外观的局部色调不佳，所以特别适合作为对可靠性有高要求的搭载半导体零部件的陶瓷电路板的基板使用。
这里，引用2004年9月14日提出申请的日本专利申请2004-266144号的说明书、权利要求书、附图及摘要的全部内容作为本发明的说明书的揭示。
权利要求
1.铝-碳化硅质复合体，它是在平板状的碳化硅质多孔体中含浸以铝为主成分的金属而构成的、两个主面具有以铝为主成分的金属形成的铝层、一个主面被接合于电路板、另一主面被作为散热面使用的铝-碳化硅质复合体，其特征在于，将碳化硅质多孔体的散热面成形或机械加工为凸型的弯曲形状，含浸以铝为主成分的金属后，进一步地对散热面的铝层进行机械加工形成弯曲。
2.如权利要求1所述的铝-碳化硅质复合体，其特征在于，电路板接合面的铝层的平均厚度为0.1～0.3mm，前述电路板接合面内的铝层的厚度差在0.1mm以内，两个主面的铝层的平均厚度差在较厚一方的铝层的平均厚度的40％以内。
3.如权利要求1或2所述的铝-碳化硅质复合体，其特征在于，使以铝为主成分的金属形成的铝层中含有5～40质量％的以氧化铝或二氧化硅为主成分的纤维、球状粒子及粉碎状粒子中的1种以上。
4.如权利要求1～3中任一项所述的铝-碳化硅质复合体，其特征在于，导热率在180W/mK以上，且热膨胀系数在10×10-6/K以下。
5.如权利要求1～4中任一项所述的铝-碳化硅质复合体，其特征在于，用于消除加工变形的加热处理前后的散热面的长轴方向的弯度的变化量是每200mm在30μm以下。
6.如权利要求1～5中任一项所述的铝-碳化硅质复合体，其特征在于，所述通过高压锻造法制得。
全文摘要
本发明提供适合作为对可靠性有高要求的搭载半导体零部件的陶瓷电路板的基板使用的铝－碳化硅质复合体。它是在平板状的碳化硅质多孔体中含浸以铝为主成分的金属而构成的、两个主面具有以铝为主成分的金属形成的铝层、一个主面被接合于电路板、另一主面被作为散热面使用的铝－碳化硅质复合体，该复合体的特征在于，将碳化硅质多孔体的散热面成形或机械加工为凸型的弯曲形状，含浸以铝为主成分的金属后，进一步地对散热面的铝层进行机械加工形成弯曲。
文档编号H01L23/373GK1977378SQ20058002128
公开日2007年6月6日 申请日期2005年9月7日 优先权日2004年9月14日
发明者岩元豪, 广津留秀树, 平原和典 申请人:电气化学工业株式会社