导电材料用组合物、导电材料、导电层、电子器件和电子装置的制作方法

专利名称：导电材料用组合物、导电材料、导电层、电子器件和电子装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及导电材料用组合物、导电材料、导电层、电子器件和电子装置，更具体而言，涉及能够用其制备具有高载流子传输能力的导电层的导电材料用组合物、由该组合物形成并且具有高载流子传输能力的导电材料、采用该导电材料作为主要材料形成的导电层、安置有该导电层并且具有高可靠性的电子器件、以及安置有该电子器件的电子装置。
背景技术：
使用有机材料的电致发光器件(下文中，被简称作“有机EL器件”)已经得到了深入开发，人们期待它们可被用作在廉价并且大的全色显示中使用的固态发光器件或发射器件。
通常地，这种有机EL器件具有在阴极和阳极之间安置发光层的这种结构。当在阴极与阳极之间施加电场时，电子从阴极侧注入到发光层中，而空穴从阳极侧注入到发光层中。
注入的电子和空穴在发光层中被复合，随后，它们的能级从导带返回到价带。此时，激发能释放为光能量，因而发光层发光。
在这种有机EL器件中，已知的是分层器件结构在获得高亮度的高效有机EL器件中是有效的，在所述分层器件结构中，在发光层与阴极和/或阳极之间安置由对电子或空穴具有不同载流子传输性质的有机材料所形成的有机层。
为此目的，有必要将相互具有不同载流子传输性质的发光层和有机层(下文中，这些层总称作“有机层”)层压在电极上。然而，在使用涂敷法的常规制备方法中，当这些有机层进行层压时，相邻有机层之间发生相互溶解，因而导致最终的有机EL器件在发光效率、发光的色纯度和/或图案精确度方面退化的问题。
由于这种原因，因而在层压有机层的情况下，这些有机层不得不使用具有不同溶解性的有机材料形成。
为了解决这样的问题，已经有人公开了改善下部有机层的耐久性即下部有机层的耐溶剂性的方法(参见，例如，日本专利公开JP-A 9-255774)。在这种方法中，使构成下部有机层的有机材料聚合，以改善下部有机层的耐溶剂性。
在日本专利公开2000-208254中可找到用于改善下部有机层的耐溶剂性的另一种方法。该出版物公开了的方法是将固化树脂加入到构成下部有机层的有机材料中，以使有机材料与固化树脂一起固化。
然而，即使在采用这样的方法制备有机EL器件的情况下，所得有机EL器件的性质也不能被改善到满足实际预期的程度。
而且，上述的问题在使用有机材料的薄膜晶体管中变得更加严重。

发明内容
因此，本发明的目的是提供能够用其制备具有高载流子传输能力的导电层的导电材料用组合物、使用所述导电材料用组合物得到并且具有高载流子传输能力的导电材料、采用该导电材料作为主要材料得到的导电层、安置有该导电层并且具有高可靠性的电子器件、以及安置有该电子器件的电子装置。
为了实现上述目的，本发明涉及导电材料用组合物，该组合物包括下列通式(A1)所示的化合物 其中，8个R可以相同或不同，并且各自独立地表示氢原子、甲基或乙基，Y表示含有至少一个取代或未取代的芳烃环或者取代或未取代杂环的基团，而X1、X2、X3和X4可以相同或不同，并且各自独立地表示由下列通式(A2)所示的取代基 其中，n1为2～8的整数，而Z1表示氢原子或甲基。
根据上述的本发明，能够提供一种导电材料用组合物，并且该组合物能够被用于制备具有高载流子传输能力的导电层。
在根据本发明的导电材料用组合物中，优选基团Y包含至少一个取代或未取代的芳烃环。
通过使用这样的组合物，可以使上述通式(A1)所示的化合物在它们相应的取代基X1、X2、X3和X4中的任意一个或多个上彼此进行聚合反应得到的聚合物表现出空穴传输能力。
此外，在根据本发明的导电材料用组合物中，还优选取代基X1和取代基X3是彼此相同的。
这样使得，相邻主骨架能够在所得聚合物中的间隔变化小，从而能够改善聚合物的空穴传输能力，其中所述相邻主骨架是上述通式(A1)所示的化合物除其取代基X1、X2、X3和X4之外的部分。
此外，在根据本发明的导电材料用组合物中，还优选取代基X2和取代基X4彼此相同。
这样也使得，在所得聚合物中相邻主骨架之间的间隔变化变小，从而能够进一步改善该聚合物的空穴传输能力。
此外，在根据本发明的导电材料用组合物中，还优选取代基X1、取代基X2、取代基X3和取代基X4彼此相同。
这样也使得，在所得聚合物中相邻主骨架之间的间隔变化变小，从而能够进一步改善该聚合物的空穴传输能力。
此外，在根据本发明的导电材料用组合物中，还优选取代基X1、取代基X2、取代基X3和取代基X4中的每一个都被连接到苯环的3-，4-或5-位上。
这样使得，在所得聚合物中，相邻主骨架能够更可靠地以合适的间隔存在。
而且，在根据本发明的导电材料用组合物中，还优选基团Y由碳原子和氢原子构成。
这样使得，所得聚合物能够具有高的空穴传输能力，因此，由该聚合物形成的导电层也能够具有高的空穴传输能力。
而且，在根据本发明的导电材料用组合物中，还优选基团Y总共包含6～30个碳原子。
这样也使得，所得聚合物能够具有更高的空穴传输能力，因此，由该聚合物形成的导电层也能够具有更高的空穴传输能力。
而且，在根据本发明的导电材料用组合物中，还优选基团Y包含1～5个芳烃环。
这样也使得，所得聚合物能够具有更高的空穴传输能力，因而由该聚合物形成的导电层也可以具有更高的空穴传输能力。
而且，在根据本发明的导电材料用组合物中，还优选基团Y是亚联苯基或其衍生物。
这样也使得，所得聚合物能够具有更高的空穴传输能力，因此，由该聚合物形成的导电层也能够具有更高的空穴传输能力。
而且，在本发明中，还优选所述组合物进一步包含丙烯酸交联剂。
这样使得，能够得到具有交联结构的聚合物，并且所述交联结构是由化合物的取代基X1、取代基X2、取代基X3和取代基X4中的任意1个或多个(下文中，这些取代基中的每一个都被称作″取代基X″，而这些取代基的全体根据情形被总称作″这些取代基X″)与其它化合物的任意1个以上的这些取代基X通过丙烯酸交联剂进行聚合反应产生的。根据这种聚合物，由于化合物的主骨架之间的间隔被保持在更合适的间隔，因此可以进一步降低主骨架之间的相互作用。结果，聚合物可以表现出特别高的空穴传输能力。
在根据本发明的导电材料用组合物中，优选丙烯酸交联剂主要包含聚酯(甲基)丙烯酸酯-基-交联剂。
根据上述的导电材料用组合物，能够制备其中均匀分散有这些取代基X和聚酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂的聚合物，因而能够由该聚合物形成具有均匀膜性质的导电层。
在上述组合物中，优选聚酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂包含至少两个(甲基)丙烯酰基。
这样使得，能够通过聚酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂将取代基X和取代基X更可靠地连接在一起。
而且，在上述组合物中，还优选聚酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂包含作为其主要组分并且由下列通式(B1)所示的化合物 其中，n3为4,500以下的整数，而两个A1可以相同或不同，并且各自独立地表示氢原子或甲基。
这样使得，能够产生含有空穴传输特别高的材料的聚合物。
此外， 在上述组合物中，优选所述取代基X1和取代基X3彼此相同。
这样使得，能够适当地防止所得聚合物中的电子密度偏倚，因而能够改善该聚合物的空穴传输能力。
此外，在上述组合物中，还优选所述取代基X2和取代基X4彼此相同。
这样也使得，能够适当地防止所得聚合物中的电子密度偏倚，因而能够改善该聚合物的空穴传输能力。
此外，在上述组合物中，所述取代基X1、取代基X2、取代基X3和取代基X4彼此相同。
这样也使得，能够适当地防止所得聚合物中的电子密度偏倚，因而能够进一步改善该聚合物的空穴传输能力。
而且，在根据本发明的导电材料用组合物中，还优选将取代基X1、取代基X2、取代基X3和取代基X4中的每一个都连接在苯环的3-、4-或5-位上。
这样使得，相邻主骨架能够以适当间隔更可靠地存在于所得聚合物中。
此外，在上述组合物中，还优选所述基团Y由碳原子和氢原子构成。
这样使得，所得聚合物能够具有高的空穴传输能力，因而由该聚合物形成的导电层也能够具有高的空穴传输能力。
而且，在上述组合物中，还优选基团Y包含总共为6～30个碳原子。
这样也使得，所得聚合物能够具有更高的空穴传输能力，因而由该聚合物形成的导电层也能够具有更高的空穴传输能力。
而且，在上述组合物中，还优选基团Y包含1～5个芳烃环。
这样也使得，所得聚合物能够具有更高的空穴传输能力，因而由该聚合物形成的导电层也能够具有更高的空穴传输能力。
而且，在上述组合物中，还优选基团Y为亚联苯基或其衍生物。
这样也使得，所得聚合物能够具有更高的空穴传输能力，因而由该聚合物形成的导电层也能够具有更高的空穴传输能力。
在根据本发明的导电材料用组合物中，还优选丙烯酸交联剂主要包含环氧(甲基)丙烯酸酯-基交联剂。
根据上述导电材料用组合物，能够制备其中均匀分散有这些取代基X和环氧(甲基)丙烯酸酯-基交联剂的聚合物，因而能够由该聚合物形成具有均匀膜性质的导电层。
在上述组合物中，优选环氧(甲基)丙烯酸酯-基交联剂包含至少两个(甲基)丙烯酰基。
这样使得，取代基X和取代基X能够通过环氧(甲基)丙烯酸酯-基交联剂更可靠地连接在一起。
此外，在上述组合物中，优选环氧(甲基)丙烯酸酯-基交联剂包含作为其主要组分并且由下列通式(B4)所示的化合物
其中，n6为1～10的整数，而两个A1可以相同或不同，并且各自独立地表示氢原子或甲基。
通过使用上述这种化合物，能够制备含有空穴传输能力特别高的聚合物。
此外，在上述组合物中，还优选取代基X1和取代基X3彼此相同。
这样使得，能够使相邻主骨架在所得聚合物中的间隔变化小，因而能够改善聚合物的空穴传输能力，其中所述主骨架是上述通式(A1)所示化合物除其取代基X1、X2、X3和X4之外的部分。
此外，在上述组合物中，还优选取代基X2和取代基X4彼此相同。
这样也使得，能够使所得聚合物中的相邻主骨架之间的间隔变化小，因而能够进一步改善聚合物的空穴传输能力。
此外，在上述组合物中，还优选取代基X1、取代基X2、取代基X3和取代基X4彼此相同。
这样也使得，能够使所得聚合物中的相邻主骨架之间的间隔变化小，因而能够进一步改善聚合物的空穴传输能力。
此外，在上述组合物中，还优选将取代基X1、取代基X2、取代基X3和取代基X4中每一个都连接在苯环的3-、4-或5-位上。
这样使得，相邻主骨架能够以适合间隔更可靠地存在于所得聚合物中。
此外，在上述组合物中，还优选基团Y由碳原子和氢原子构成。
这样使得，所得聚合物能够具有高的空穴传输能力，因而由该聚合物形成的导电层也具有高的空穴传输能力。
而且，在上述组合物中，还优选基团Y总共包含6～30个碳原子。
这样也使得，所得聚合物能够具有更高的空穴传输能力，因而由该聚合物形成的导电层也具有更高的空穴传输能力。
而且，在上述组合物中，还优选基团Y包含1～5个芳烃环。
这样也使得，所得聚合物能够具有更高的空穴传输能力，因而由该聚合物形成的导电层也能够具有更高的空穴传输能力。
而且，在上述组合物中，还优选基团Y为亚联苯基或其衍生物。
这样也使得，所得聚合物能够具有更高的空穴传输能力，因而由该聚合物形成的导电层也具有更高的空穴传输能力。
在根据本发明的导电材料用组合物中，优选丙烯酸交联剂主要包含氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂。
根据上述导电材料用组合物，能够制备其中均匀分散有这些取代基X和氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂的聚合物，因而能够由该聚合物形成具有均匀膜性质的导电层。
在上述组合物中，优选所述氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂主要包含芳族氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂、脂环族氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂和脂肪族氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂中的至少一种。
这样使得，能够得到具有优异弹性、刚性和耐化学性的聚合物。
在上述组合物中，优选氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂包含至少两个(甲基)丙烯酰基。
这样使得，在所得聚合物中，通过氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂，能够更可靠地将取代基X和取代基X连接在一起。此外，还优选相邻主骨架能够以合适的间隔存在于所得聚合物中。
此外，在上述组合物中，优选氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂包含作为其主要组分并且由下列通式(B9)所示的化合物 其中，n8为1～100的整数，两个A1可以相同或不同，并且各自独立地表示氢原子或甲基，而两个A2可以相同或不同，并且各自独立地表示通过将二异氰酸酯化合物的两个异氰酸酯基除去得到的基团。
这样使得，相邻主骨架能够以合适的间隔存在于所得聚合物中。因此，所得聚合物可以具有特别高的空穴传输能力。
在上述组合物中，优选氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂包含作为其主要组分并且由下列通式(B10)所示的化合物
其中，n10为1～90的整数，而两个A1可以相同或不同，并且各自独立地表示氢原子或甲基。
根据上述的组合物，能够得到即使被放置在较高温度的气氛中的情况下也几乎不退化或降解的聚合物。
此外，在上述组合物中，还优选取代基X1和取代基X3彼此相同。
这样使得，能够使相邻主骨架在所得聚合物中的间隔变化小，因而能够改善聚合物的空穴传输能力，其中所述主骨架是上述通式(A1)所示化合物除其取代基X1、X2、X3和X4之外的部分。
此外，在上述组合物中，还优选取代基X2和取代基X4彼此相同。
这样也使得，能够使所得聚合物中的相邻主骨架之间的间隔变化小，因而能够进一步改善聚合物的空穴传输能力。
此外，在上述组合物中，还优选取代基X1、取代基X2、取代基X3和取代基X4彼此相同。
这样使得，能够使所得聚合物中的相邻主骨架之间的间隔变化小，因而能够进一步改善聚合物的空穴传输能力。
此外，在上述组合物中，还优选将取代基X1、取代基X2、取代基X3和取代基X4中的每一个都连接在苯环的3-、4-或5-位上。
这样使得，相邻主骨架能够以适合间隔更可靠地存在于所得聚合物中。
此外，在上述组合物中，还优选基团Y由碳原子和氢原子构成。
这样使得，所得聚合物能够具有高的空穴传输能力，因而由该聚合物形成的导电层也具有高的空穴传输能力。
而且，在上述组合物中，还优选基团Y总共包含6～30个碳原子。
这样也使得，所得聚合物能够具有更高的空穴传输能力，因而由该聚合物形成的导电层也具有更高的空穴传输能力。
而且，在上述组合物中，还优选基团Y包含1～5个芳烃环。
这样也使得，所得聚合物能够具有更高的空穴传输能力，因而由该聚合物形成的导电层也能够具有更高的空穴传输能力。
而且，在上述组合物中，还优选基团Y为亚联苯基或其衍生物。
这样也使得，所得聚合物能够具有更高的空穴传输能力，因而由该聚合物形成的导电层也具有更高的空穴传输能力。
在根据本发明的导电材料用组合物中，还优选基团Y包含至少一个取代或未取代杂环。
这样使得，能够易于调节在所得聚合物中的载流子传输能力的特征。
此外，在上述组合物中，还优选取代基X1和取代基X3彼此相同。
这样使得，能够使相邻主骨架在所得聚合物中的间隔变化小，因而能够改善聚合物的载流子传输能力，其中所述主骨架是上述通式(A1)所示化合物除其取代基X1、X2、X3和X4之外的部分。
此外，在上述组合物中，还优选取代基X2和取代基X4彼此相同。
这样也使得，能够使所得聚合物中的相邻主骨架之间的间隔变化小，因而能够进一步改善聚合物的载流子传输能力。
此外，在上述组合物中，还优选取代基X1、取代基X2、取代基X3和取代基X4彼此相同。
这样也使得，能够使所得聚合物中的相邻主骨架之间的间隔变化小，因而能够进一步改善聚合物的载流子传输能力。
此外，在上述组合物中，还优选将取代基X1、取代基X2、取代基X3和取代基X4中每一个都连接在苯环的3-、4-或5-位上。
这样使得，相邻主骨架能够以适合间隔更可靠地存在于所得聚合物中。
此外，在上述组合物中，还优选所述杂环包含选自氮、氧、硫、硒和碲中的至少一种杂原子。
通过选择含有这样一类杂原子的这种杂环，易于改变聚合物的价带和导带的能级或带隙的大小，因而能够改变聚合物的载流子传输能力的特征。
此外，在上述组合物中，杂环可以是芳族杂环或非芳族杂环中的任一种，但是更优选芳族杂环。
通过使用这种芳族杂环，能够适当地防止具有共轭化学结构的主骨架的电子密度的偏移，即，能够适当地防止π电子定域化。因而，防止聚合物的载流子传输能力受损。
此外，在上述组合物中，优选基团Y包含1～5个杂环。
通过使基团Y具有这种数目的杂环，能够充分改变聚合物的价带和导带的能级或带隙的大小。
此外，在上述组合物中，优选基团Y包含至少一个除杂环之外的取代或未取代芳烃环。
通过选择这种含有杂环和芳烃环的基团作为基团Y，能够更可靠地使聚合物具有所需的载流子传输性质。
此外，在上述组合物中，优选基团Y包含两个分别与通式(A1)中的各个N直接连接的芳烃环以及至少一个位于这些芳烃环之间的杂环。
这样使得，能够防止聚合物中的电子密度偏移，因而能够使每一个聚合物都具有均匀的载流子传输能力。
此外，在上述组合物中，优选基团Y总共包含2～75个碳原子。
根据这种组合物，通式(A1)所示化合物在溶剂中的溶解性趋向于增加，因而存在在制备导电材料用组合物中所使用溶剂的选择范围变宽的可能性。
在本发明中，还优选上述组合物进一步包含丙烯酸交联剂。
这样使得，能够得到具有通过取代基X和取代基X与丙烯酸交联剂进行聚合反应得到的交联结构的聚合物。根据这种聚合物，由于主骨架之间的间隔被保持更合适的间隔，因此可以进一步降低主骨架之间的相互作用，其中所述主骨架是上述通式(A1)所示的各个化合物除其取代基X之外的部分。结果，聚合物能够表现出特别高的空穴传输能力。
在根据本发明的导电材料用组合物中，还优选所述丙烯酸交联剂主要包含聚酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂。
根据上述导电材料用组合物，能够制备其中均匀分散有这些取代基X和聚酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂的聚合物，因而能够形成膜性质均匀的导电层。
在上述组合物中，优选聚酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂包含至少两个(甲基)丙烯酰基。
这样使得，能够通过聚酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂，将取代基X和取代基X更可靠地连接在一起。
而且，在上述组合物中，还优选聚酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂包含作为其主要组分并且由下列通式(B1)所示的化合物 其中，n3为4,500以下的整数，而两个A1可以相同或不同，并且各自独立地表示氢原子或甲基。
这样使得，能够制备含载流子传输能力特别高的聚合物。
此外，在上述组合物中，还优选取代基X1和取代基X3彼此相同。
这样使得，能够使相邻主骨架在所得聚合物中的间隔变化小，因而能够改善聚合物的载流子传输能力，其中所述主骨架是上述通式(A1)所示化合物除其取代基X1、X2、X3和X4之外的部分。
此外，在上述组合物中，还优选取代基X2和取代基X4彼此相同。
这样也使得，能够使所得聚合物中的相邻主骨架之间的间隔变化小，因而能够进一步改善聚合物的载流子传输能力。
此外，在上述组合物中，还优选取代基X1、取代基X2、取代基X3和取代基X4彼此相同。
这样也使得，能够使所得聚合物中的相邻主骨架之间的间隔变化小，因而能够进一步改善聚合物的载流子传输能力。
此外，在上述组合物中，还优选将取代基X1、取代基X2、取代基X3和取代基X4中的每一个都连接在苯环的3-、4-或5-位上。
这样使得，相邻主骨架能够以适合间隔更可靠地存在于所得聚合物中。
此外，在上述组合物中，还优选所述杂环包含选自氮、氧、硫、硒和碲中的至少一种杂原子。
通过选择含有这样一类杂原子的这种杂环，易于改变聚合物的价带和导带的能级或带隙的大小，因而能够改变聚合物的载流子传输能力的特征。
此外，在上述组合物中，杂环可以是芳族杂环或非芳族杂环中的任一种，但是更优选芳族杂环。
通过使用这种芳族杂环，能够适当地防止具有共轭化学结构的主骨架的电子密度的偏移，即，能够适当地防止π电子定域化。因而，防止聚合物的载流子传输能力受损。
此外，在上述组合物中，优选基团Y包含1～5个杂环。
通过使基团Y具有这种数目的杂环，能够充分改变聚合物的价带和导带的能级或带隙的大小。
此外，在上述组合物中，优选基团Y包含至少一个除杂环之外的取代或未取代芳烃环。
通过选择这种含有杂环和芳烃环的基团作为基团Y，能够更可靠地使聚合物具有所需的载流子传输性质。
此外，在上述组合物中，优选基团Y包含两个分别与通式(A1)中的各个N直接连接的芳烃环以及至少一个位于这些芳烃环之间的杂环。
这样使得，能够防止聚合物中的电子密度偏移，因而能够使每一个聚合物都具有均匀的载流子传输能力。
此外，在上述组合物中，优选基团Y总共包含2～75个碳原子。
根据这种组合物，通式(A1)所示化合物在溶剂中的溶解性趋向于增加，因而存在在制备导电材料用组合物中所使用溶剂的选择范围变宽的可能性。
在根据本发明的导电材料用组合物中，优选丙烯酸交联剂主要包含环氧(甲基)丙烯酸酯-基交联剂。
根据上述导电材料用组合物，能够制备其中均匀分散有这些取代基X和环氧(甲基)丙烯酸酯-基交联剂的聚合物，因而能够形成膜性质均匀的导电层。
在上述组合物中，优选环氧(甲基)丙烯酸酯-基交联剂包含至少两个(甲基)丙烯酰基。
这样使得，能够通过环氧(甲基)丙烯酸酯-基交联剂，将取代基X和取代基X更可靠地连接在一起。
此外，在上述组合物中，优选环氧(甲基)丙烯酸酯-基交联剂包含作为其主要组分并且由下列通式(B4)表示的化合物 其中，n6为1～10的整数，而两个A1可以相同或不同，并且各自独立地表示氢原子或甲基。
通过使用上述的这种化合物，能够制备含具有特别高载流子传输材料的聚合物。
此外，在上述组合物中，还优选取代基X1和取代基X3彼此相同。
这样使得，能够使相邻主骨架在所得聚合物中的间隔变化小，因而能够改善聚合物的载流子传输能力，其中所述主骨架是上述通式(A1)所示化合物除其取代基X1、X2、X3和X4之外的部分。
此外，在上述组合物中，还优选取代基X2和取代基X4彼此相同。
这样也使得，能够使所得聚合物中的相邻主骨架之间的间隔变化小，因而能够进一步改善聚合物的载流子传输能力。
此外，在上述组合物中，还优选取代基X1、取代基X2、取代基X3和取代基X4彼此相同。
这样也使得，能够使所得聚合物中的相邻主骨架之间的间隔变化小，因而能够进一步改善聚合物的载流子传输能力。
此外，在上述组合物中，还优选将取代基X1、取代基X2、取代基X3和取代基X4中的每一个都连接在苯环的3-、4-或5-位上。
这样使得，相邻主骨架能够以适合间隔更可靠地存在于所得聚合物中。
此外，在上述组合物中，还优选所述杂环包含选自氮、氧、硫、硒和碲中的至少一种杂原子。
通过选择含有这样一类杂原子的这种杂环，易于改变聚合物的价带和导带的能级或带隙的大小，因而能够改变聚合物的载流子传输能力的特征。
此外，在上述组合物中，杂环可以是芳族杂环或非芳族杂环中的任一种，但是更优选芳族杂环。
通过使用这种芳族杂环，能够适当地防止具有共轭化学结构的主骨架的电子密度的偏移，即，能够适当地防止π电子定域化。因而，防止聚合物的载流子传输能力受损。
此外，在上述组合物中，优选基团Y包含1～5个杂环。
通过使基团Y具有这种数目的杂环，能够充分改变聚合物的价带和导带的能级或带隙的大小。
此外，在上述组合物中，优选基团Y包含至少一个除杂环之外的取代或未取代芳烃环。
通过选择这种含有杂环和芳烃环的基团作为基团Y，能够更可靠地使聚合物具有所需的载流子传输性质。
此外，在上述组合物中，优选基团Y包含两个分别与通式(A1)中的各个N直接连接的芳烃环以及至少一个位于这些芳烃环之间的杂环。
这样使得，能够防止聚合物中的电子密度偏移，因而能够使每一个聚合物都具有均匀的载流子传输能力。
此外，在上述组合物中，优选基团Y总共包含2～75个碳原子。
根据这种组合物，通式(A1)所示化合物在溶剂中的溶解性趋向于增加，因而存在在制备导电材料用组合物中所使用溶剂的选择范围变宽的可能性。
在根据本发明的导电材料用组合物中，还优选丙烯酸交联剂主要包含氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂。
根据上述导电材料用组合物，能够制备其中均匀分散有这些取代基X和氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂的聚合物，因而能形成具有均匀膜性质的导电层。
在上述组合物中，优选氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂主要包含芳族氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂、脂环族氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂和脂肪族氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂中的至少一种。
这样使得，能够得到具有优异弹性、刚性和耐化学性的聚合物。
在上述组合物中，优选氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂包含至少两个(甲基)丙烯酰基。
这样使得，在所得聚合物中，能够通过氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂，将取代基X和取代基X更可靠地连接在一起。另外，相邻主骨架也能够以合适的间隔存在于所得聚合物中。
此外，在上述组合物中，优选氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂包含作为其主要组分并且由下列通式(B9)所示的化合物(B9) 其中，n8为1～100的整数，两个A1可以相同或不同，并且各自独立地表示氢原子或甲基，而两个A2可以相同或不同，并且各自独立地表示通过将二异氰酸酯化合物中的两个异氰酸酯基除去得到的基团。
这样使得，相邻主骨架能够以合适间隔存在于所得聚合物中。结果，所得聚合物能够具有特别高的载流子传输能力。
在上述组合物中，优选氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂包含作为其主要组分并且由下列通式(B10)所示的化合物 其中，n10为1～90的整数，两个A1可以相同或不同，并且各自独立地表示氢原子或甲基。
根据上述组合物，能够得到即使被放置在较高温度的气氛中的情况下也几乎不退化或降解的聚合物。
此外，在上述组合物中，还优选取代基X1和取代基X3彼此相同。
这样使得，能够使相邻主骨架在所得聚合物中的间隔变化变小，因而能够改善聚合物的载流子传输能力，其中所述主骨架是上述通式(A1)所示化合物除其取代基X1、X2、X3和X4之外的部分。
此外，在上述组合物中，还优选取代基X2和取代基X4彼此相同。
这样也使得，能够使所得聚合物中的相邻主骨架之间的间隔变化小，因而能够进一步改善聚合物的载流子传输能力。
此外，在上述组合物中，还优选取代基X1、取代基X2、取代基X3和取代基X4彼此相同。
这样也使得，能够使所得聚合物中的相邻主骨架之间的间隔变化小，因而能够进一步改善聚合物的载流子传输能力。
此外，在上述组合物中，还优选将取代基X1、取代基X2、取代基X3和取代基X4中的每一个都连接在苯环的3-、4-或5-位上。
这样使得，相邻主骨架能够以适合间隔更可靠地存在于所得聚合物中。
此外，在上述组合物中，还优选所述杂环包含选自氮、氧、硫、硒和碲中的至少一个杂原子。
通过选择含有这样一类杂原子的这种杂环，易于改变聚合物的价带和导带的能级或带隙的大小，因而能够改变聚合物的载流子传输能力的特征。
此外，在上述组合物中，杂环可以是芳族杂环或非芳族杂环中的任一种，但是更优选芳族杂环。
通过使用这种芳族杂环，能够适当地防止具有共轭化学结构的主骨架的电子密度的偏移，即，能够适当地防止π电子定域化。因而，防止聚合物的载流子传输能力受损。
此外，在上述组合物中，优选基团Y包含1～5个杂环。
通过使基团Y具有这种数目的杂环，能够充分改变聚合物的价带和导带的能级或带隙的大小。
此外，在上述组合物中，优选基团Y包含至少一个除杂环之外的取代或未取代芳烃环。
通过选择这种含有杂环和芳烃环的基团作为基团Y，能够更可靠地使聚合物具有所需的载流子传输性质。
此外，在上述组合物中，优选基团Y包含两个分别与通式(A1)中的各个N直接连接的芳烃环以及至少一个位于这些芳烃环之间的杂环。
这样使得，能够防止聚合物中的电子密度偏移，因而能够使每一个聚合物都具有均匀的载流子传输能力。
此外，在上述组合物中，优选基团Y总共包含2～75个碳原子。
根据这种组合物，通式(A1)所示化合物在溶剂中的溶解性趋向于增加，因而存在在制备导电材料用组合物中所使用溶剂的选择范围变宽的可能性。
本发明的另一个方面涉及由下列通式(A1)所示的各种化合物的取代基X1、取代基X2、取代基X3和取代基X4直接进行聚合或通过丙烯酸交联剂进行聚合得到的导电材料，每一种化合物都包含在权利要求1所限定的根据本发明的导电材料用组合物中。
其中，8个R可以相同或不同，并且各自独立地表示氢原子、甲基或乙基，Y表示含有至少一个取代或未取代的芳烃环或者取代或未取代杂环的基团，而X1、X2、X3和X4可以相同或不同，并且各自独立地表示由下列通式(A2)所示的取代基
其中，n1为2～8的整数，而Z1表示氢原子或甲基。
根据上述的导电材料，能够制备具有高载流子传输能力的导电层(聚合物)。
在上述导电材料中，优选化合物通过光辐照进行聚合。
通过使用光辐照，在所得导电层中能够相对容易地选择上述通式(A1)所示的各个化合物发生聚合反应的区域以及聚合度。
在上述导电材料中，优选化合物和丙烯酸交联剂这两者都通过光辐照进行聚合。
在这种情况下，在所得导电层中也能够相对容易地选择上述通式(A1)所示的各个化合物与丙烯酸交联剂发生聚合反应的区域以及聚合度。
本发明的其它方面涉及主要包含上述导电材料的导电层。这样的导电层可以具有高的空穴传输能力。
在这种情况下，优选将该导电层用于空穴传输层。这样的空穴传输层也能够具有高的空穴传输能力。
在这种情况下，优选空穴传输层的平均厚度在10～150nm的范围内。
当在有机EL器件中采用这样的空穴传输层时，能够提高有机EL器件的可靠性。
此外，可将上述本发明的导电层用于电子传输层中。这样的电子传输层也可以具有高的电子传输能力。
在这种情况下，优选电子传输层的平均厚度在10～150nm的范围内。
当在有机EL器件中使用这种电子传输层时，能够增加该有机EL器件的可靠性。
此外，可以将上述本发明的导电层用于有机半导体层中。这样的有机半导体层能够表现出优异的半导体特性。
在这种情况下，优选有机半导体层的平均厚度在0.1～1,000nm的范围内。
当将这种有机半导体层用于有机薄膜晶体管时，能够增加该有机薄膜晶体管的可靠性。
本发明的另一方面涉及包括含上述导电层的层压体的电子器件。这样的电子器件可以具有高的可靠性。
电子器件的实例可以包括发光器件和光电换能器。这些发光器件和光电换能器也可以具有高的可靠性。
在这种情况下，优选发光器件包括有机EL器件。这样的有机EL器件也可以具有高的可靠性。
在本发明中，电子器件的实例还可以包括开关元件。这样的开关元件也可以具有高的可靠性。
在这种情况下，优选开关元件包括有机薄膜晶体管。这样的有机薄膜晶体管也可以具有高的可靠性。
本发明的再另一个方面涉及包含上述电子器件的电子装置。这样的电子装置也能够具有高的可靠性。


图1所示为有机EL器件的实例的横截面图；图2(a)所示为有机TFT的横截面图，而图2(b)所示为有机TFT的平面图；图3(a)～图3(d)解释说明了图2所示的有机TFT的制备方法；图4(a)～图4(d)解释说明了图2所示的有机TFT的制备方法；图5是透视图，其显示应用了本发明电子装置的个人移动计算机(或个人笔记本电脑)的结构；图6是透视图，其显示应用了本发明电子装置的移动电话(包含个人手提电话系统(PHS))的结构；以及图7是透视图，其显示应用了本发明电子装置的数字照相机的结构。
具体实施例方式
下文中，将参考附图中所示的优选实施方案，详细地描述本发明的导电材料用组合物、导电材料、导电层、电子器件和电子装置。
(导电层)首先，描述通过使用本发明的导电材料作为其主要材料得到的导电层(即，根据本发明的导电层)。
据本发明的导电材料包含作为其主要组分并且由下列通式(A1)所示的各种化合物(其为芳基胺衍生物)的取代基X1、取代基X2、取代基X3和取代基X4(下文中，这些取代基X1、X2、X3和X4中的每一个都被称作″取代基X″，而这些取代基的全体根据情形被总称作″取代基X″)进行直接聚合反应得到的聚合物。
其中，8个R可以相同或不同，并且各自独立地表示氢原子、甲基或乙基，Y表示含有至少一个取代或未取代的芳烃环或者取代或未取代杂环的基团，而X1、X2、X3和X4可以相同或不同，并且各自独立地表示由下列通式(A2)所示的取代基 其中，n1为2～8的整数，而Z1表示氢原子或甲基。
在这种聚合物中，相邻主骨架被通过各个取代基X之间的直接反应所形成的化学结构(下文中，这种化学结构被称作″第一连接结构″)连接，因而变成易于形成主骨架的二维网络，其中所述主骨架是所述化合物除去取代基X之外的部分(即，芳基胺骨架)。
此处注意，每一个主骨架都具有共轭化学结构，并且由于其电子云的独特铺展，因而主骨架有助于聚合物中载流子(空穴或电子)的平稳输送。
尤其是，在本发明的聚合物中，主骨架通过第一连接结构连接，因而相邻主骨架之间存在预定的间隔。因此，相邻主骨架之间的相互作用降低，以使载流子能够在主骨架之间平稳传输。
此外，在本发明的聚合物中，主骨架被连接形成上述的二维网络。因此，即使在该网络的一部分存在主骨架之间的连接结构被切断的情况下，载流子通过其它通道也得以平稳传输。
此外，在本发明的聚合物中，如上所述，易于形成具有二维膨胀的网络，并且这种网络使得能够有效地防止或抑制聚合物的相互缠结。换言之，如果聚合物被复杂缠结，则相邻主骨架之间的间隔缩短，因而相邻主骨架之间的相互作用变得太大，从而降低载流子传输能力。由于这些原因，在本发明聚合物所形成的导电层中，载流子可以得以平稳传输。
如上所述，本发明的聚合物是本发明的导电材料用组合物的主要组分，其结构是其中主骨架通过第一连接结构连接，以使相邻主骨架之间存在预定的间隔，以及其特征是主骨架易于形成二维网络。由于这些因素的协同效应，因此本发明的导电材料可以表现出特别高的载流子传输能力。因此，使用本发明导电材料作为其主要组分形成的导电层也可以具有特别高的载流子传输能力。
在这一点上，请注意，如果聚合物中相邻主骨架之间的间隔太小，则相邻主骨架之间的相互作用趋向于增强。另一方面，如果聚合物中相邻主骨架之间的间隔太大，则变得载流子难于在主骨架之间传递，从而导致聚合物的载流子传输能力受损。
各个取代基X的结构应当鉴于这些事实确定。具体而言，优选的是，通式(A2)所示的各个取代基X都具有其中n1为2～8、尤其为3～6的直链碳-碳连接(即，亚烷基)。这样使得，所得聚合物中的相邻主骨架能够以合适的间隔存在，从而可靠地降低所得聚合物的相邻主骨架之间的相互作用。此外，还能够在主骨架之间更可靠地传递载流子，因而所得聚合物能够具有高的载流子传输能力。
在本发明的导电材料用组合物中，优选取代基X1和取代基X3彼此相同。即，优选取代基X1和取代基X3具有基本相同的碳原子数，更优选相同的碳原子数。这样使得，对于被相应取代基X(即，取代基X1或取代基X3)之间的聚合反应所连接的化合物的相邻主骨架，能够使它们的间隔变化小。即，能够使在所得聚合物中的主骨架之间的间隔变化小。结果，能够有效地防止所得聚合物的电子密度偏移，从而能够改善聚合物的空穴传输能力。
鉴于上述情况，还优选取代基X2和取代基X4彼此相同。即，还优选取代基X2和取代基X4具有基本相同的碳原子数，更优选相同的碳原子数。这样使得，能够进一步改善上述效果，从而能够进一步改善聚合物的载流子传输能力。
此外，还优选取代基X1、取代基X2、取代基X3和取代基X4彼此相同。即还优选取代基X1、取代基X2、取代基X3和取代基X4具有基本相同的碳原子数，更优选相同的碳原子数。这样使得，能够显著地表现上述效果。此外，在这种情况下，由于各个取代基X从主骨架伸出的长度基本上彼此相同(或正好相同)，因此能够降低取代基X产生空间位阻的可能性。这样使得，取代基X之间能够可靠地进行聚合反应，即，可靠地制备聚合物。在这种结果下，能够进一步改善聚合物的载流子传输能力。
如通式(A2)中所示那样，每个取代基X都含有作为端基的(甲基)丙烯酰基。由于(甲基)丙烯酰基具有高的反应活性和结合稳定性，因此，这些取代基X都较易于直接聚合，形成长链聚合物。
在通过利用(甲基)丙烯酰基使这些取代基X聚合得到的第一连接结构中，氧原子与碳原子之间存在双键(π键)，因而第一连接结构包含两个双键。因此，即使在主骨架之间的间隔较大的情况下，通过这两个π键，也能够在主骨架之间可靠地传递载流子。
此外，由于在这两个π键中的每一个与每一个主骨架之间都存在直链碳-碳连接(即，亚烷基)，因此能够防止相邻主骨架之间的相互作用增加。
在这种连接中，要注意的是，如果第一连接结构具有含很多个共轭π键的结构比如苯环，则相邻主骨架之间通过这种结构产生相互作用，因而抵消了使相邻主骨架以适当间隔存在所得到的作用。
此外，要注意的是，取代基X1可以连接在苯环的2-、3-、4-、5-或6-位上，但优选连接在3-、4-或5-位上。这样使得，相邻主骨架通过第一连接结构连接得到的作用能够显著地表现出来。即，相邻主骨架能够更可靠地以合适间隔存在。
下文中，对所得聚合物中有助于载流子传输能力的主骨架进行解释。
在主骨架中，即，在上述通式(A1)所示的化合物(下文中，被简称作“化合物(A1)”)中，通过适当调整基团(或连接基团)Y的化学结构，能够改变聚合物的载流子传输性质。其原因可以考虑如下。即，在聚合物中，价带和导带的能级或带隙的大小是根据在有助于载流子传输的主骨架中的电子云铺展(即，电子分布)的变化进行改变的。
在化合物(A1)中，基团Y包含至少一个取代或未取代芳烃环或至少一个取代或未取代杂环。通过适当选择芳烃环和/或杂环的种类，能够相对容易地调节在所得聚合物中的载流子传输性质。
例如，通过选择由未取代芳烃环构成的结构作为基团Y，可以得到能够表现出空穴传输能力的聚合物。
更具体而言，对于由未取代芳烃环构成的结构，可以提及的有化学式(C1)～(C16)所示的结构。

在这种情况下，优选基团Y总共含6～30个碳原子，更优选10～25个碳原子，还更优选10～20个碳原子。
此外，在基团Y中，优选芳烃环的数量为1～5，更优选2～5，还更优选2～3。
鉴于上述因素，在化合物(A1)中，化学式(C1)所示的亚联苯基或其衍生物可认为是基团Y的特别优选结构。
通过选择这样的基团，在所得聚合物中的空穴传输能力变得很优异，因而，由该聚合物形成的导电层也能够具有更高的空穴传输能力。
其次，通过选择含有至少一个取代或未取代杂环环作为基团Y的结构，可以相对容易地控制所得聚合物的载流子传输性质。
对于这样的杂环，优选选择包含选自氮、氧、硫、硒和碲中的至少一个杂原子的杂环。通过选择含有这种杂原子的这种杂环，特别易于改变聚合物的价带和导带的能级或带隙的大小。
杂环可以是芳族杂环或非芳族杂环中的任一种，但是优选使用芳族杂环。通过使用芳族杂环，能够适当地防止具有共轭化学结构的主骨架的电子密度偏移，即，能够适当地防止π电子的定域化。因而，可防止聚合物的载流子传输能力受损。
基团Y优选包含1～5个杂环，更优选1～3个杂环。在基团Y含2个以上杂环的情况下，这些环可以相同或不同。通过使基团Y具有这样数量的杂环，能够充分地改变聚合物的价带和导带的能级或带隙的大小。
在基团Y含有至少一个取代或未取代杂环的情况下，基团Y可以进一步含有除所述至少一个杂环之外的至少一个芳烃环。通过选择含有杂环和芳烃环的基团作为基团Y，能够更可靠地使聚合物具有所需的载流子传输性质。
尤其是，基团Y优选包含两个芳烃环以及位于这些芳烃环之间的至少一个杂环，并且每一个所述芳烃环都直接与通式(1)中的每一个N连接。通过使用这样的基团Y，能够可靠地防止聚合物的电子密度偏移。因而，聚合物可以具有均匀(一致)的载流子传输能力。
基团Y优选总共具有2～75个碳原子，更优选2～50个碳原子。如果基团Y总共具有太多的碳原子，则通式(A1)所示化合物在溶剂中的溶解性趋向于根据所使用取代基X的种类而降低，导致可能使用于制备本发明导电材料用组合物的溶剂的选择范围变窄。
另一方面，通过将基团Y中的碳原子总数设定在上述范围内的值，可以维持主骨架的平面性。因而，可以可靠地防止聚合物的载流子传输能力受损。
鉴于这些因素，作为由未取代杂环所构成结构的结构，可考虑下列化学式(D1)～(D20)中任一个所示的这些结构作为优选结构。


其中，在这些化学式中，每一个Q1都可以相同或不同，并且各自独立地表示N-T1、S、O、Se或Te(其中，T1表示H、CH3或Ph)，每一个Q2都可以相同或不同并且各自独立地表示S或O，而每一个Q3都可以相同或不同并且各自独立地表示N-T3、S、O、Se或Te(其中，T3表示H、CH3、C2H5或Ph)。
通过按如上所述合适确定基团Y的化学结构，使得选择例如化学式(D2)、(D16)、(D18)和(D20)中的任一个作为基团Y得到的聚合物相比于选择化学式(D17)得到的聚合物，能够表现出高的空穴传输能力，并且相比于选择化学式(D8)或(D19)得到的聚合物，可以表现出特别高的空穴传输能力。
相反，选择化学式(D8)、(D17)和(D19)中的任一个作为基团Y得到的聚合物相比于由化学式(D2)或(D16)得到的聚合物，可以表现出高的电子传输能力。此外，选择化学式(D8)、(D17)和(D19)中的任一个作为基团Y得到的聚合物相比于选择化学式(D18)或(D20)得到的聚合物，还能够表现出尤其高的电子传输能力。
此外，包含在基团Y中的未取代杂环和/或未取代芳烃环可以引入取代基，只要主骨架的平面性不会受到大的影响即可。这种取代基的实例包括具有较少碳原子数的烷基，比如甲基或乙基或和卤素基团等。
此外，在主骨架中，各个取代基R为氢原子、甲基或乙基，并且各个取代基R都是根据取代基X的碳原子数进行选择。例如，在碳原子数较大的情况下，选择氢原子作为取代基R，而在碳原子数较小的情况下，选择甲基或乙基作为取代基R。
此时，在本发明中，除如上所述那样通过这些取代基X(其是取代基X1、X2、X3和X4中的任一个)直接聚合反应得到的第一连接结构之外，优选聚合物还包含由取代基X和取代基X与丙烯酸交联剂的聚合反应得到的第二连接结构。根据这样的聚合物，由于主骨架之间的间隔被保持在适当的间隔，因而可以进一步降低主骨架之间的相互作用。因此，含有第二连接结构的聚合物能够表现出尤其高的空穴传输能力。
在这样的聚合物中，优选通式(A2)所示的取代基X具有其中n1为2～8、尤其为2～6的直链碳-碳连接(即，亚烷基)。这样使得，尽管在产生第一连接结构和/或第二连接结构的情况下，相邻主骨架也能够存在合适的间隔，因而可靠地降低所得聚合物中相邻主骨架之间的相互作用。此外，还能够在主骨架之间更可靠地传递载流子，因而所得聚合物能够具有高的载流子传输能力。
优选地，取代基X1和取代基X3包含基本上相同数量的碳原子，更优选相同数量的碳原子。通过选择这样的取代基X，能够适当地防止这些取代基X(取代基X1和/或取代基X3)对主骨架的电学影响发生变化，其结果是防止了聚合物中的电子密度偏移。这样使得，能够改善聚合物的载流子传输能力。
鉴于上述情况，还优选取代基X2和取代基X4基本上具有相同数量的碳原子，更优选具有相同数量的碳原子。这样使得，能够进一步改善上述效果，从而能够进一步改善聚合物的载流子传输能力。
此外，还优选取代基X1、取代基X2、取代基X3和取代基X4基本上具有相同数量的碳原子，更优选具有相同数量的碳原子。这样使得，能够显著地表现上述效果。此外，在这种情况下，由于尽管在形成第一连接结构和/或形成第二连接结构的情况下，聚合物中的主骨架之间的间隔也能够大于确定的距离，因此，可以进一步防止主骨架之间产生相互作用。在这样的结果下，能够进一步改善聚合物的载流子传输能力。
丙烯酸交联剂的实例包括但不限制于(甲基)丙烯酸酯-基交联剂，比如(甲基)丙烯酸交联剂、聚酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂、环氧(甲基)丙烯酸酯-基交联剂、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂、胺(甲基)丙烯酸酯-基交联剂和三聚氰胺(甲基)丙烯酸酯-基交联剂。这些丙烯酸交联剂可以单独使用或将它们中的两种以上组合使用。其中，优选使用主要包含聚酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂、环氧(甲基)丙烯酸酯-基交联剂和氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂的丙烯酸交联剂。
下文中，对这些交联剂进行描述。
通过使用主要包含聚酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂的丙烯酸交联剂，能够降低生产成本，原因是聚酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂能够相对容易地以较少数量的步骤进行合成。此外，由于这种丙烯酸交联剂具有高的溶解度，因此扩大了用于溶解本发明的导电材料用组合物的溶剂的选择范围。
包含在交联剂中的(甲基)丙烯酰基具有稳定的光聚合反应性，因此，(甲基)丙烯酰基与这些取代基X可有效地反应。这样可以适当地防止残留有未反应的这些取代基X。因此，能够制备其中均匀分散有这些取代基X和聚酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂的聚合物，因而能够形成具有均匀膜性质的导电层。
此外，由于聚酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂具有高的透明性，因此使用这种聚酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂得到的聚合物也具有高的透明性。因此，根据本发明的导电材料(即，聚合物)可以适当地用于制备包含在需要透明性的电子器件比如有机EL器件中的空穴传输层等。
所使用的聚酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂并没有特殊的限制，只要取代基X和取代基X可以通过该聚酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂连接在一起即可。然而，优选的是，聚酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂包含至少两个(甲基)丙烯酰基。这样使得，取代基X和取代基X能够通过聚酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂更可靠地连接在一起。此外，在所得聚合物中，相邻主骨架也能够存在合适的间隔。
这种具有至少两个(甲基)丙烯酰基的聚酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂的实例包括下列通式(B1)～(B3)所示的化合物。这些交联剂可以单独使用或将其中两种以上组合使用。尤其地，优选使用含有作为其主要组分并且由通式(B1)所示化合物的聚酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂。
其中，n3为4,500以下的整数，n4为1～3的整数，而n5为0～1500的整数，两个R3可以相同或不同，并且各自独立地表示具有1～10个碳原子的亚烷基，R4表示具有1～100个碳原子的亚烷基，而两个以上的A1可以相同或不同，并且各自独立地表示氢原子或甲基。
通式(B1)所示的化合物在每一个末端都具有作为端基的(甲基)丙烯酰基，因此，该化合物在其每一个末端都发生其与各个取代基X的聚合。
在(甲基)丙烯酰基之间，存在由聚酯构成的部分。适当地调控所述由聚酯构成部分的长度，即，由碳-碳连接构成的部分(即，亚烷基)的长度，能够控制第二连接结构的(链)长度，因而相邻主骨架能够以合适的间隔存在。因而，所得聚合物具有高的载流子传输能力。
由于上述原因，得到的最终聚合物可以具有优异的载流子传输能力。
在通式(B1)中，尤其优选n3为1,300以下的整数。将n3调控在上述范围内的值，能够使相邻主骨架存在特别合适的间隔。因此，在所得聚合物中，更可靠地降低了相邻主骨架之间的相互作用，并且载流子在主骨架之间更可靠地传递。因此，所得聚合物可具有更优异的载流子传输能力。
下文中，将描述环氧(甲基)丙烯酸酯-基交联剂。在环氧(甲基)丙烯酸酯-基交联剂的情况下，其原料易于低价获得，并且其合成相对容易。因此，将主要含环氧(甲基)丙烯酸酯-基交联剂的丙烯酸交联剂用于连接这些取代基X，在制备本发明的导电材料用组合物时，能够降低成本。
此外，由于这种环氧交联剂具有高度的溶解性，因此其优点在于扩大了用于溶解本发明的导电材料用组合物的溶剂的选择范围。
包含在这种交联剂中的(甲基)丙烯酰基具有稳定的光聚合反应性，因此，(甲基)丙烯酰基与取代基X可有效地反应。这样可以适当地防止残留有未反应的取代基X和环氧(甲基)丙烯酸酯-基交联剂。因此，能够防止形成这种不均匀分散有其中这些取代基X相互直接连接的部分(即第一连接部分)以及其中这些取代基X通过环氧(甲基)丙烯酸酯-基交联剂连接的部分(即第二连接部分)的聚合物，因而能够形成具有均匀膜性质的导电层。
此外，由于环氧(甲基)丙烯酸酯-基交联剂具有高透明性，因而，使用这种环氧(甲基)丙烯酸酯-基交联剂得到的聚合物也具有高透明性。因此，根据本发明的导电材料(即，聚合物)也能够合适地用于制备包含在需要透明性的电子器件比如有机EL器件中的空穴传输层等。
所使用的环氧(甲基)丙烯酸酯-基交联剂没有特殊限制，只要取代基X和取代基X能够通过环氧(甲基)丙烯酸酯-基交联剂连接在一起即可。然而，优选的是，环氧(甲基)丙烯酸酯-基交联剂包含至少两个(甲基)丙烯酰基。这样使得，取代基X和取代基X能够通过环氧(甲基)丙烯酸酯-基交联剂更可靠地连接在一起。此外，在所得聚合物中，相邻主骨架也能够存在合适的间隔。
这种含至少两个(甲基)丙烯酰基的环氧(甲基)丙烯酸酯-基交联剂的实例包括下列通式(B4)～(B8)所示的化合物。这些交联剂可以单独使用或将其中两种以上组合使用。尤其是，优选使用含作为其主要组分并且由通式(B4)所示化合物的环氧(甲基)丙烯酸酯-基交联剂。
其中，每一个n6都可以相同或不同，并且各自独立地表示1～10的整数，n7为1～40的整数，而两个以上的A1可以相同或不同，并且各自独立地表示氢原子或甲基。
通式(B4)所示化合物在每一个末端都具有作为端基的(甲基)丙烯酰基，因此，该化合物在其每一个末端都发生其与这些取代基X的聚合。
在(甲基)丙烯酰基之间，存在由环氧构成的部分(单元)。通过适当地调控所述环氧构成部分的长度，能够控制连接结构的(链)长度，因而使得相邻主骨架存在合适的间隔。
具体地，优选的是，在通式(B4)中，将n6设定为1～10的整数。通过将n6调控在上述范围以控制所述环氧构成部分的长度，能够使相邻主骨架存在合适的间隔。在这种结果下，能够可靠地降低聚合物中相邻主骨架之间的相互作用，因而，在聚合物中，可以可靠地进行相邻主骨架之间的空穴传输。
在这一点上，要注意的是，尽管环氧单元具有存在带共轭键的苯环的化学结构、不共轭的化学结构比如亚甲基和C-CH3键，但是优选这种不共轭的化学结构。在这种情况下，能够通过苯环适当地防止或抑制主骨架之间产生相互作用。
由于上述原因，所得的最终聚合物能够具有优异的载流子传输能力。
下文中，描述氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂。这种氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂的实例包括但不限制于下面的这些交联剂芳族氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂、脂环族氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂和脂肪族氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂等。这些氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂可以单独使用，或将其中两种以上组合使用。
包含在这种交联剂中的(甲基)丙烯酰基具有稳定的光聚合反应性，因此(甲基)丙烯酰基与取代基X进行有效反应。这样可适当地防止残留未反应的这些取代基X和氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂。因此，能够防止形成这样不均匀分散有其中这些取代基X彼此直接连接的部分(即，第一连接结构)以及其中这些取代基X通过氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂连接的部分(即，第二连接结构)的聚合物，因而能够形成具有均匀膜性质的导电层。
在这一点上，优选的是，氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂在其主要成分上含有下列交联剂中的至少一种芳族氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂；脂环族氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂和脂肪族氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂。在这种氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂的情况下，其原料易于低价得到，并且其合成相对容易。因此，主要使用这种氨基甲酸酯交联剂，其优点在于能够实现在制备本发明的导电材料用组合物时降低成本。
此外，这些氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂具有比如优异的弹性、刚性和耐化学性的这些性质。因此，由这些取代基X通过氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂的聚合得到的第二连接结构表现出来自氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂的这些性质。这种情况意味着能够将这些优异的弹性、刚性和耐化学性提供给本发明的导电材料(聚合物)以及采用该聚合物作为其主要材料形成的导电层。因而，能够改善安置有该导电层的电子器件的性能。
此外，由于这种氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂具有高的溶解度，因此，它扩大了用于溶解本发明的导电材料用组合物的溶剂的选择范围。
而且，由于氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂具有高透明性，因此使用这种氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂得到的聚合物也具有高透明性。因此，根据本发明的导电材料(即，聚合物)能够合适地用于制备包含在需要透明性的电子器件比如有机EL器件中的空穴传输层等。
所使用的氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂并没有特殊限制，只要取代基X和取代基X能够通过氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂连接在一起即可。然而，优选的是，氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂包含至少两个(甲基)丙烯酰基。在这种情况下，能够将取代基X和取代基X通过氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂更可靠地连接在一起。此外，在所得聚合物中，相邻主骨架也能够存在合适的间隔。
这种具有至少两个(甲基)丙烯酰基的氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂的实例包括下列通式(B9)所示的化合物。
其中，n8表示1～100的整数，2个以上的A1可以相同或不同，并且各自独立地表示氢原子或甲基，两个以上的A2可以相同或不同，并且各自独立地表示将二异氰酸酯化合物中的两个异氰酸酯基除去得到的基团。
通式(B9)所示化合物在每一个末端都具有作为端基的(甲基)丙烯酰基，因此该化合物在其每一个末端都发生其与取代基X的聚合。
在(甲基)丙烯酰基之间，存在被氨基甲酸酯键连接的结构。因此，适当地调控该结构的长度(大小)，即通过合适地调控所述两个A2的种类或n8的数量，能够控制该连接结构的(链)长度，因而使相邻主骨架存在合适的间隔。因此，由所述导电材料形成的聚合物可以具有优异的空穴传输能力。
此外，在通式(B9)所示的化合物中，能够适当地选择A2的种类，即，适当地选择二异氰酸酯化合物的种类。这样，如果选择芳族二异氰酸酯化合物作为二异氰酸酯化合物，则能够由通式(B9)所示化合物得到芳族氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂。此外，如果选择脂环族二异氰酸酯化合物作为二异氰酸酯化合物，则能够由通式(B9)所示化合物得到脂环族氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂。此外，如果选择脂肪族二异氰酸酯化合物作为二异氰酸酯化合物，则能够由通式(B9)所示化合物得到脂肪族氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂。
芳族二异氰酸酯化合物的实例包括甲苯二异氰酸酯(TDI)，比如，甲苯2，4-二异氰酸酯、甲苯2，6-二异氰酸酯、甲苯2，5-二异氰酸酯、甲苯3，5-二异氰酸酯和甲苯α，4-二异氰酸酯；四甲代苯二甲撑(tetramethylkylylene)二异氰酸酯，比如2，4，6-三甲基-1，3-亚苯基二异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯(MDI)、二异氰酸亚萘酯(NDI)、二异氰酸对-亚苯酯、1，3-二-(异氰酸根合甲基)-苯(XDI)、m-四甲代苯二甲撑二异氰酸酯(m-TMXDI)和p-四甲代苯二甲撑二异氰酸酯(对-TMXDI)；3，3’-二甲基二苯基甲烷-4，4’-二异氰酸酯；以及4，4’-亚甲基二(异氰酸苯酯)等。
脂环族二异氰酸酯化合物的实例包括反式-1，4-环己烷二异氰酸酯(CHD I)、4，4’-二环己基甲烷二异氰酸酯(H12MDI)、1，3-二-(异氰酸根合甲基)环己烷(H6XDI)和3-异氰酸根合甲基-3，5，5’-三甲基环己基异氰酸酯(IPDI)等。
脂肪族二异氰酸酯化合物的实例包括二异氰酸1，6-己二酯(HDI)、二二聚体异氰酸酯(DDI)和降冰片烯二异氰酸酯(NBDI)等。
在这些化合物中，优选甲苯二异氰酸酯(TDI)作为在通式(B9)所示化合物中使用的二异氰酸酯化合物，其表示为通式(B10)。即，优选使用通式(B10)所示的氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂。
其中，n10表示1～100的整数，而两个以上的A1可以相同或不同，并且各自独立地表示氢原子或甲基。
此处，通式(B10)所示的苯环具有作为供电子取代基的甲基。由于采用这种结构，因此电子密度偏向氨基甲酸酯键一侧。这种情况下，能够防止或抑制氨基甲酸酯键被具有未共享电子对的化合物比如水分子、醇、氨等的攻击，即，被亲核试剂攻击。因此，氨基甲酸酯键难于发生断裂，因而即使将采用通式(B10)所示氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂形成的聚合物(导电材料)放置在较高温度的气氛下，它也几乎不退化或不降解。因此，使用本发明的导电材料作为其主要材料形成的导电层可以具有优异的耐久性。
在通式(B10)所示的化合物中，如上所述，优选n10为1～90的整数。通过将n10调控在上述范围内，变成能够将主骨架之间的间隔设定在合适的范围内。在这种结果下，能够可靠地降低聚合物中相邻主骨架之间的相互作用，因而能够可靠地进行聚合物中相邻主骨架之间的空穴传输。因此，由所述组合物形成的最终聚合物可以具有优异的载流子传输能力。
在这一点上，要注意的是，尽管芳族氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂具有存在带共轭键的苯环的化学结构，但是也存在非共轭化学结构比如亚甲基和C-CH3键。由于存在有这种非共轭化学结构，因而这种非共轭化学结构优先于苯环结构出现，因而能够通过苯环适当地防止或抑制主骨架之间的相互作用。
采用聚合反应所得聚合物作为其主要材料，可得到上述的导电层，因此，所得导电层具有高度的耐溶剂性。因此，在导电层上以这种方式形成上层并且使该上层与所述导电层接触的情况下，可以可靠地防止导电层因包含在形成上层的材料内的溶剂或分散介质所致的溶胀或溶解。
此外，导电层是采用该聚合物作为其主要材料得到的。因此，在使用含这种导电层的层压材料构成电子器件(下面描述)的情况下，可以可靠地防止随着时间的流逝，在导电层和接触层之间的界面附近出现导电层的组分材料与接触该导电层的层(下文中，简称作“接触层”)的组分材料的混合。因而，能够防止电子器件的特性随时间流逝而退化。
(有机电致发光器件)接着，描述本发明电子器件的实施方案。在本实施方案中，本发明的电子器件是以属于发光器件的有机电致发光器件(下文中，简称作“有机EL器件”)进行具体描述的。
图1所示为有机EL器件的实例的横截面图。
图1所示有机EL器件1包括透明基底2、安置在基底2上的阳极3、安置在阳极3上的有机EL层4、安置在有机EL层4上的阴极5以及为覆盖这些层3、4和5而安置的保护层6。
基底2用作有机EL器件1的支撑，并且上述的这些层是形成在基底2上的。
作为构成基底2的组分材料，可以使用具有透光性质和良好光学性质的材料。
这种材料的实例包括各种树脂，比如聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚丙烯、环烯烃聚合物、聚酰胺、聚醚砜、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、和聚芳酯(polyarylene)，以及各种玻璃材料等。可以采用这些材料中的至少一种作为基底2的组分材料。
基底2的厚度没有特别的限制，但优选在约0.1～30mm的范围内，更优选在约0.1～10mm的范围内。
阳极3是将空穴注入有机EL层4中(即，注入下面描述的空穴传输层41中)的电极。阳极3被制备成基本上透明的(包括透明且无色、有色且透明、或半透明)因而能够肉眼识别有机EL层4(即，下面描述的发光层42中)发射的光。
从这样的观点考虑，优选采用具有高的功函、优异传导率和光透射性质的材料作为阳极3的组分材料(下文中，称作“阳极材料”)。
这种阳极材料的实例包括比如ITO(氧化铟锡)、SnO2、含Sb的SnO2、和含Al的ZnO的氧化物；Au、Pt、Ag、Cu以及含两种以上这些金属的合金。可以使用这些材料中的至少一种作为阳极材料。
阳极3的厚度并没有限制于任何特定的值，但是优选在约10～200nm的范围内，更优选在约50～150nm的范围内。如果阳极3的厚度太薄，则存在阳极3不能充分表现出功能的情况。另一方面，如果阳极3的厚度太厚，则存在透光率将依赖于例如所使用阳极材料的种类而显著降低的情况，因而产生不适于实际使用的有机EL器件。
要注意的是，还可以采用导电树脂比如聚噻吩、聚吡咯等作为阳极材料。
另一方面，阴极5是将电子注入有机EL层4中(即，注入下面描述的电子传输层43中)的电极。
作为阴极5的组分材料(下文中，被称作“阴极材料”)，优选使用具有低功函的材料。
这种阴极材料的实例包括Li、Mg、Ca、Sr、La、Ce、Er、Eu、Sc、Y、Yb、Ag、Cu、Al、Cs、Rb以及由其中两种以上构成的合金。可以使用这些材料中的至少一种作为阴极材料。
尤其是，在使用合金作为阴极材料的情况下，优选使用含稳定金属元素比如Ag、Al或Cu的合金，具体为诸如MgAg、AlLi或CuLi的合金。使用这种合金作为阴极材料，能够改善阴极5的电子注入效率和稳定性。
阴极5的厚度优选在约1nm～1μm的范围内，更优选在约100～400nm的范围内。如果阴极5的厚度太薄，存在阴极5的功能不能充分表现出来的情况。另一方面，如果阴极5太厚，则存在有机EL器件1的发光效率降低的情况。
有机EL层4被安置在阳极3和阴极5之间。有机EL层4包括空穴传输层41、发光层42和电子传输层43。在阳极3上顺序形成这些层41、42和43。
空穴传输层41具有将从阳极3注入的空穴传输给发光层42的功能。电子传输层43具有将从阴极5注入的电子传输给发光层42的功能。
作为用于空穴传输层41和电子传输层43中之一或用于41、43这两层的组分材料，可以使用根据本发明的导电材料。
例如，在使用本发明的导电材料作为空穴传输层41的组分材料的情况下，可以使用其基团Y的化学结构由取代或未取代芳烃环构成的化合物。
更具体而言，可以使用基团Y的化学结构表示为上述化学式(C1)～(C16)的化合物。
在这一点上，要注意的是，电子传输层43的组分材料并不限制于具体的一些材料，各种材料都可以用于电子传输层43。
可用于电子传输层43的这些材料的实例包括苯基化合物(星形化合物)，比如1，3，5-三[(3-苯基-6-三-氟甲基)喹喔啉-2-基]苯(TPQ1)和1，3，5-三[{3-(4-叔丁基苯基)-6-三氟甲基}喹喔啉-2-基]苯(TPQ2)；萘基化合物，比如萘；菲基化合物，比如菲；屈(注，屈用来表示带草字头的屈)基化合物，比如屈；苝基化合物，比如苝；蒽基化合物，比如蒽；芘基化合物，比如芘；吖啶基化合物，比如吖啶；均二苯代乙烯基化合物，比如均二苯代乙烯；噻吩基化合物，比如BBOT；丁二烯基化合物，比如丁二烯；香豆素基化合物，比如香豆素；喹啉基化合物，比如喹啉；二苯乙烯基化合物，比如二苯乙烯基；吡嗪基化合物，比如吡嗪和二苯乙烯基吡嗪；喹喔啉-基化合物，比如喹喔啉；苯醌基化合物，比如苯醌和2，5-二苯基-对-苯醌；萘醌基化合物，比如萘醌；蒽醌基化合物，比如蒽醌；噁二唑基化合物，比如噁二唑，2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑(PBD)、BMD、BND、BDD和BAPD；三唑基化合物，比如三唑和3，4，5-三苯基-1，2，4-三唑；噁唑基化合物；蒽酮基化合物，比如蒽酮；芴酮基化合物，比如芴酮和1，3，8-三硝基-芴酮(TNF)；二苯酚合苯醌基化合物，比如二苯酚基合苯醌和MBDQ；均二苯代乙烯苯醌基化合物，比如均二苯代乙烯苯醌和MBSQ；蒽醌二甲烷基化合物；噻喃二氧化物基化合物；亚芴基甲烷基化合物；二苯基二氰基乙烯-基化合物；芴基(florene)化合物，比如芴；金属或非金属酞菁基化合物，比如酞菁、铜酞菁和铁酞菁；以及各种金属配合物，比如8-羟基喹啉铝(Alq3)以及含有作为配位体的苯并噁唑或苯并噻唑的配合物。这些化合物可以单独使用或将其中两种以上组合使用。
如果空穴传输层41和电子传输层43都是使用本发明的导电材料作为主要材料形成的，则空穴传输层41的组分材料和电子传输层43的组分材料都是考虑它们的空穴传输能力和电子传输能力进行选择的。
具体地，选择这些组分材料要使得，空穴传输层41的空穴传输能力变成比电子传输层43的空穴传输能力相对高些，以及空穴传输层41的电子传输能力变成比电子传输层43的电子传输能力相对低些。换言之，选择这些组分材料要使得，电子传输层43的电子传输能力变成比空穴传输层41的电子传输能力相对高些以及电子传输层43的空穴传输能力变成比空穴传输层41的空穴传输能力相对低些。
例如，如果使用由通式(1)所示并且其中基团Y具有化学式(D18)或(D20)所示化学结构的化合物形成的聚合物作为形成空穴传输层41的导电材料，则用于形成电子传输层43的导电材料优选由通式(1)所示并且其中基团Y具有化学式(D7)或(D19)所示化学结构的化合物形成的聚合物。在这种情况下，还可以采用由通式(1)所示并且其中基团Y具有化学式(D17)所示的化学结构的化合物形成的聚合物作为用于形成电子传输层43的导电材料。如果使用由通式(1)所示并且其中基团Y具有化学式(D7)、(D19)或(D17)所示化学结构的化合物形成的聚合物作为形成用于形成电子传输层43的导电材料，则用于形成空穴传输层41的导电材料还可以是由通式(1)所示并且其中基团Y具有化学式(D2)或(D16)所示化学结构的化合物形成的聚合物。
此外，空穴传输层41的体积电阻率优选为10Ω·cm以上，更优选102Ω·cm以上。这样使得，能够提供具有更高发光效率的有机EL器件1。
空穴传输层41的厚度并没有限制于任何具体值，但是优选在约10～150nm的范围内，更优选在约50～100nm的范围内。如果空穴传输层41的厚度太薄，则存在产生针孔的情况。另一方面，如果空穴传输层41的厚度太厚，则存在可能降低空穴传输层41的透射率以至改变有机EL器件1的发光色料的色度(色调)的情况。
电子传输层43的厚度并不限制于任何具体值，但是优选在约1～100nm的范围内，更优选在约20～50nm的范围内。如果电子传输层43的厚度太薄，则存在可能产生针孔的情况，因而导致短路。另一方面，如果电子传输层43太厚，则存在电阻值可能变高的情况。
此外，根据本发明的导电材料尤其有利于形成较薄的空穴传输层41或电子传输层43。
当电流在阳极3和阴极5之间流动(即，将电压施加在阳极3和阴极5之间)时，空穴在空穴传输层41内移动，而电子在电子传输层43内移动，然后空穴和电子在发光层42内复合。然后，在发光层42内，复合时释放的能量产生激子，并且当激子返回基态时释放出能量(以荧光或磷光形式)或发光。
任意材料都可以用作发光层42的组分材料(下文中，被称作“发光材料”)，只要其能够在电压施加过程中提供可以使空穴从阳极3注入并且可以使电子从阴极5注入的场以使所述空穴和电子重新结合即可。
这种发光材料包括各种低分子的发光材料和各种高分子的发光材料(这两种材料将在下面提及)。可以采用这些材料中的至少一种作为发光材料。
在这一点上，要注意的是，使用低分子发光材料能够得到密实的发光层42，因而改善发光层42的发光效率。此外，由于高分子发光材料相对容易地溶解于溶剂中，因此使用这样的高分子发光材料易于借助各种涂敷方法比如喷墨法等形成发光层42。此外，如果将低分子发光材料和高分子发光材料一起使用，则能够得到由低分子发光材料的作用和高分子发光材料的作用产生的协同效应。即，能够得到这样的效果易于通过各种涂敷方法比如喷墨法等形成具有优异发光效率的密实发光层42。
这样的低分子发光材料的实例包括苯基化合物，比如二苯乙烯基苯(DSB)和二氨基二苯乙烯基苯(DADSB)；萘基化合物，比如萘和Nile红；菲基化合物，比如菲；屈基化合物，比如屈和6-硝基屈；苝基化合物，比如苝和N，N’-二(2，5-二叔丁基苯基)-3，4，9，10-苝-二-羧基酰亚胺(BPPC)；蔻基化合物，比如蔻；蒽基化合物，比如蒽和二苯乙烯基蒽；芘基化合物，比如芘；吡喃基化合物，比如4-(二-氰基亚甲基)-2-甲基-6-(对-二甲氨基苯乙烯基)-4H-吡喃(DCM)；吖啶基化合物，比如吖啶；均二苯代乙烯基化合物，比如均二苯代乙烯；噻吩基化合物，比如2，5-二苯并噁唑噻吩；苯并噁唑基化合物，比如苯并噁唑；苯并咪唑基化合物，比如苯并咪唑；苯并噻唑基化合物，比如2，2’-(对-亚苯基二1，2-亚乙烯基)-二苯并噻唑；丁二烯基化合物，比如二苯乙烯基(1，4-二苯基-1，3-丁二烯)和四苯基丁二烯；萘酰亚胺基化合物，比如萘酰亚胺；香豆素-基化合物，比如香豆素；苝酮(perynone)基化合物，比如苝酮；噁二唑基化合物，比如噁二唑；醛连氮基化合物；环戊二烯基化合物，比如1，2，3，4，5-五苯基-1，3-环戊二烯(PPCP)；喹吖啶酮基化合物，比如喹吖啶酮和喹吖啶酮红；吡啶基化合物，比如吡咯并吡啶和噻二唑并吡啶；螺环化合物，比如2，2’，7，7’-四苯基-9，9’，-螺二芴；金属或非金属酞菁基化合物，比如酞菁(H2Pc)和铜酞菁；芴基化合物，比如芴；以及各种金属配合物，比如8-羟基喹啉铝(Alq3)、三(4-甲基-8-喹啉酸)铝(III)(Almq3)、(8-羟基喹啉)锌(Znq2)、(1，10-菲咯啉)-三-(4，4，4-三氟-1-(2-噻吩基)-丁烷-1，3-二酮酸)铕(III)(Eu(TTA)3(phen))、fac-三(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)3)以及(2，3，7，8，12，13，17，18-八乙基-21H，23H-卟吩)铂(II)。
高分子发光材料的实例包括聚乙炔基化合物，比如反式聚乙炔、顺式聚乙炔、聚(二-苯基乙炔)(PDPA)和聚(烷基，苯基乙炔)(PAPA)；聚对亚苯基1，2-亚乙烯基-基化合物，比如聚(对-亚苯基1，2-亚乙烯基)(PPV)、聚(2，5-二烷氧基-对-亚苯基1，2-亚乙烯基)(RO-PPV)、氰基-取代的-聚(对-亚苯基1，2-亚乙烯基)(CN-PPV)、聚(2-二甲基辛基甲硅烷基-对-亚苯基1，2-亚乙烯基)(DMOS-PPV)和聚(2-甲氧基-5-(2’-乙基己氧基)-对-亚苯基1，2-亚乙烯基)(MEH-PPV)；聚噻吩基化合物，比如聚(3-烷基噻吩)(PAT)和聚(氧丙烯)三醇(POPT)；聚芴-基化合物，比如聚(9，9-二烷基芴)(PDAF)、α，ω-二[N，N’-二(甲基苯基)氨基苯基]-聚[9，9-二(2-乙基己基)芴-2，7-二基](PF2/6am4)、聚(9，9-二辛基-2，7-二亚乙烯基芴基)-交替-共(蒽-9，10-二基)；聚对亚苯基化合物，比如聚(对-亚苯基)(PPP)和聚(1，5-二烷氧基-对-亚苯基)(RO-PPP)；聚咔唑基化合物，比如聚(N-乙烯基咔唑)(PVK)；以及聚硅烷基化合物，比如聚(甲基苯基硅烷)(PMPS)、聚(萘基苯基硅烷)(PNPS)和聚(联苯基苯基硅烷)(PBPS)。
此外，根据形成空穴传输层41和电子传输层43所用的组分材料的组合，还可以采用本发明的导电材料作为发光材料。
例如，如果采用聚(噻吩/苯乙烯磺酸)比如聚(3，4-亚乙基二氧噻吩/苯乙烯磺酸)或芳基胺化合物，比如N，N’-二(1-萘基)-N，N’-二苯基-对二氨基联苯(α-NPD)作为空穴传输层41的组分材料以及采用三唑基化合物比如3，4，5-三苯基-1，2，4-三唑或噁二唑化合物比如2-(4-叔丁基苯基)-5-(联苯-4-基)-1，3，5-噁二唑(PBD)作为电子传输层43的组分材料，则可以使用通式(1)所示并且其中基团Y具有化学式(D12)或(D14)所示化学结构的化合物形成的聚合物作为形成发光层42的导电材料。
发光层42的厚度并不限制于任何具体值，但是优选在约10～150nm的范围内，更优选在约50～100nm的范围内。通过将发光层的厚度设定为上述范围内的值，空穴和电子的复合可有效发生，因而能够进一步改善发光层42的发光效率。
此处要注意的是，有机EL器件1中的电子传输层41、发光层42和电子传输层43中的任一个都可以采用本发明的导电材料形成或者层41、42，和43这三者都可以采用本发明的导电材料形成。
在本实施方案中，尽管发光层42、空穴传输层41和电子传输层43中的每一个都可以分开提供，但是它们可以形成将空穴传输层41与发光层42结合在一起的可传输空穴的发光层或者将电子传输层43与发光层42结合在一起的可传输电子的发光层。在这种情况下，在可传输空穴的发光层与电子传输层43之间界面附近的区域或在可传输电子的发光层与空穴传输层41之间界面附近的区域起着发光层42的作用。
此外，在使用可传输空穴的发光层的情况下，则从阳极注入可传输空穴的发光层的空穴被捕获在电子传输层内，而在使用可传输电子的发光层的情况下，则从阴极注入可传输电子的发光层的电子被捕获在可传输电子的发光层内。在上述两种情况下，其优点在于可以改善空穴和电子的重组效率。
在这一点上，要注意的是，在层3、4和5内的相邻层之间可以根据其目的安置任意的其它层。例如，在空穴传输层41和阳极3之间，可以安置用于改善来自阳极3的空穴的注入效率的空穴注入层，或在电子传输层43和阴极5之间可以安置用于改善来自阴极5的电子注入效率的电子注入层。在有机EL器件1包括空穴注入层和/或电子注入层这样的情况下，可以采用本发明的导电材料作为空穴注入层和/或电子注入层的组分材料。
除本发明导电材料之外，例如，还可以使用铜酞菁、4，4’，4”-三(N，N-苯基-3-甲基苯基氨基)三苯基胺(M-MTDATA)等作为空穴注入层的组分材料。
如上所述，安置保护层6，以覆盖构成有机EL器件1的层3、4和5。这种保护层6具有气密密封构成有机EL器件1的层3、4和5以阻隔氧和潮气的功能。通过提供这样的保护层6，能够得到改善有机EL器件1的可靠性的作用以及防止有机EL器件1改变及退化的作用。
保护层6的组分材料的实例包括Al、Au、Cr、Nb、Ta和Ti、含这些金属的合金、氧化硅、各种树脂材料等。在这一点上，要注意的是，如果采用导电材料作为保护层6的组分材料，则必要时优选在保护层6与层3、4和5中的每一个层之间安置绝缘膜，以防止它们之间的短路。
例如，有机EL器件1可以用于显示，但是它还可以用于各种光学用途，比如光源等。
如果有机EL器件1被用于显示，则其驱动系统没有特殊限制，可以使用有源矩阵系统或无源矩阵系统。
例如，上述的有机EL器件1可以以如下方式制备。
形成阳极的步骤首先，制备基底2，然后，在基底2上形成阳极3。
阳极3可以通过如下方式形成例如化学气相沉积(CVD)，比如等离子体CVD、热CVD和激光CVD；真空沉积；溅射；干镀，比如离子电镀；湿镀，比如电镀；浸渍电镀和无电电镀；热喷镀；溶胶凝胶法、MOD法、金属箔的粘合等。
形成空穴传输层的步骤[A2-1]首先，将本发明的导电材料用组合物(下文中，也被称作“空穴传输材料”)涂敷或供给在阳极3上。
如果导电材料用组合物包含除通式(A1)所示化合物之外的丙烯酸交联剂，则在该导电材料用组合物中通式(A1)所示化合物和丙烯酸交联剂的混合比以摩尔比计优选为1∶9～9∶1，更优选1∶4～4∶1。通过将丙烯酸交联剂的混合比设定在上述范围内，在所得聚合物中，相邻主骨架能够以更合适的间隔存在。
在涂敷空穴传输材料时，可以使用各种涂敷方法，比如旋涂法、浇铸法、微照相凹板涂敷法、照相凹板涂敷法、棒涂法、辊涂敷、丝棒涂法、浸涂法、喷涂法、丝网印刷法、凸版印刷法、胶版印刷法、喷墨法等。根据这样的涂敷方法，能够相对容易地将空穴传输材料供给到阳极3上。
在采用溶剂或分散介质制备导电材料用组合物的情况下，这种溶剂或分散介质的实例包括无机溶剂，比如硝酸、硫酸、氨、过氧化氢、水、二硫化碳、四氯化碳和碳酸亚乙酯；以及各种有机溶剂，比如酮基溶剂，例如甲基乙基酮(MEK)、丙酮、二乙基酮、甲基异丁基酮(MIBK)、甲基异丙基酮(MIPK)和环己酮，醇基溶剂，例如甲醇、乙醇、异丙醇、乙二醇、二甘醇(DEG)和甘油，醚基溶剂，例如，二乙基醚、二异丙基醚、1，2-二甲氧基乙烷(DME)、1，4-二氧杂环己烷、四氢呋喃(THF)、四氢吡喃(THP)、茴香醚、二甘醇二甲基醚(二甘醇二甲醚)和二甘醇二乙基醚(卡必醇)；溶纤剂基溶剂，例如，甲基溶纤剂、乙基溶纤剂和苯基溶纤剂，脂肪族烃基溶剂，例如，己烷、戊烷、庚烷和环己烷，芳族烃基溶剂，例如，甲苯、二甲苯和苯，芳族杂环化合物基溶剂，例如，吡啶、吡嗪、呋喃、吡咯、噻吩和甲基吡咯烷酮、酰胺基溶剂，例如，N，N-二甲基甲酰胺(DMF)和N，N-二甲基乙酰胺(DMA)，卤素化合物基溶剂，例如，二氯甲烷、氯仿和1，2-二氯乙烷，酯基溶剂，例如，乙酸乙酯、乙酸甲酯和甲酸乙酯，硫化合物基溶剂，例如，二甲亚砜(DMSO)和环丁砜，腈基溶剂，例如，乙腈、丙腈和丙烯腈，有机酸基溶剂，例如，甲酸、乙酸、三氯乙酸和三氟乙酸以及含有这些溶剂的混合溶剂。
要注意的是，导电材料用组合物优选包含聚合引发剂。通过将聚合引发剂加入导电材料用组合物中，能够促进当在下一步骤[A2-2]中进行预定处理比如加热或光辐照时这些取代基X的直接聚合或取代基X通过丙烯酸交联剂进行聚合。
聚合引发剂的实例包括但不限制于光聚合引发剂，比如自由基光聚合引发剂和阳离子光聚合引发剂、热聚合引发剂和无氧聚合引发剂。其中，特别优选使用自由基光聚合引发剂。通过使用自由基光聚合引发剂，能够相对容易地促进在下一步骤[A2-2]中这些取代基X的直接聚合或取代基X通过丙烯酸交联剂的聚合。
可以使用各种自由基光聚合引发剂作为这样的自由基光聚合引发剂。这样的自由基光聚合引发剂的实例包括二苯甲酮-基自由基光聚合引发剂、苯偶姻基自由基光聚合引发剂、苯乙酮基自由基光聚合引发剂、苄基缩酮基自由基光聚合引发剂、Michler’s酮基自由基光聚合引发剂、酰基膦氧化物-基自由基光聚合引发剂、酮香豆素-基自由基光聚合引发剂、氧杂蒽基自由基光聚合引发剂和噻吨酮基自由基光聚合引发剂。
此外，在使用光聚合引发剂作为聚合引发剂的情况下，可以将适用于光聚合引发剂的光敏剂加入到导电材料用组合物中。
接着，用光辐照供给到阳极3上的空穴传输材料。
通过这种光辐照，通式(A1)所示并且包含在空穴传输材料中的每一种化合物的这些取代基X都进行直接聚合或通过丙烯酸交联剂进行聚合，以得到聚合物(即，根据本发明的导电材料)。因此，在阳极3上形成主要由本发明导电材料构成的空穴传输层41。
通过使用本发明的导电材料作为其主要材料形成空穴传输层41，能够在下一步骤[A3]中防止空穴传输层41因包含在供给空穴传输层41的发光层材料内的溶剂或分散介质所致的溶胀及溶解。因此，空穴传输层41和发光层42之间的相互溶解得到可靠地防止。
此外，通过使用本发明的导电材料(即，聚合物)作为其主要材料形成空穴传输层41，还能够可靠地防止空穴传输层41和发光层42的组分材料在所得有机EL器件1的层41和42之间的界面附近随时间流逝而产生混合。
所述聚合物的重均分子量没有特殊限制，但是优选在约1,000～1,000,000的范围内，更优选在约10,000～300,000的范围内。通过将聚合物的重均分子量设定为在上述范围内的值，能够更可靠地抑制或防止聚合物的溶胀及溶解。
要注意的是，空穴传输层41可以包含通式(A1)所示化合物的单体或低聚物和/或丙烯酸交联剂的单体或低聚物，其包含的程度是空穴传输层41与发光层42之间的相互溶解可以得到防止。
作为用于辐照空穴传输材料的光，例如，可以使用红外线、可见光、紫外线或X-射线。这些类型的光可以单独使用或将其中的两种组合使用。其中，特别优选使用紫外线。使用紫外线，能够易于且可靠地使这些取代基X直接聚合或通过丙烯酸交联剂进行聚合。
用于光辐照的紫外线的波长优选在约100～420nm的范围内，更优选在约150～400nm的范围内。
紫外线的辐照强度优选在约1～600mW/cm2的范围内，更优选在约1～300mW/cm2的范围内。
此外，紫外线的辐照时间优选在约60～600秒的范围内，更优选在约90～500秒的范围内。
通过将紫外线的波长、辐照强度和辐照时间中的每一个都设定为上述范围内的值，能够相对容易地控制被供给在阳极3上的空穴传输材料的聚合反应进展。
要注意的是，必要时，所得空穴传输层41可以在大气或惰性气氛中或在减压下(或在真空下)进行热处理。通过这样处理，能够使空穴传输层41干燥(即，能够除去溶剂或分散介质)或固化。空穴传输层41可以通过热处理之外的其它方式进行干燥。
此外，除光辐照之外，用于使这些取代基X直接聚合或通过丙烯酸交联剂聚合的预定处理的实例还包括加热及无氧处理。在这些处理方法中，优选使用如上所述的光辐照。使用光辐照，能够相对容易地选择进行光聚合反应的区域及聚合度。
形成发光层的步骤接着，在空穴传输层41上形成发光层42。
例如，通过将上述的发光材料溶解在溶剂或将发光材料分散在分散介质中得到的发光层材料(即，用于形成发光层的材料)涂敷在空穴传输层41上，可以形成发光层42。
作为将发光材料溶解或分散其中的溶剂或分散介质，可以使用在形成空穴传输层的步骤[A2]中所提及的相同的溶剂或分散介质。
此外，作为将发光层材料涂敷在空穴传输层41上的方法，可以使用在形成空穴传输层的步骤[2A]中所提及的相同的涂敷方法。
形成电子传输层的步骤接着，在发光层42上形成电子传输层43。
如果使用本发明的导电材料形成电子传输层43的组分材料，则电子传输层43可以采用本发明的导电材料用组合物以在形成空穴传输层的步骤[A2]中描述的相同方式进行形成。
另一方面，如果电子传输层43的组分材料不是由本发明的导电材料形成的，则电子传输层43可以使用上述已知的电子传输材料以在形成发光层的步骤[A3]中描述的相同方式形成。
要注意的是，如果发光层42不是使用比如本发明的导电材料的聚合物形成的，则将用于形成电子传输层43的导电材料用组合物溶解或分散在其中的溶剂或分散介质是从不会导致发光层42溶胀及溶解的溶剂或分散介质中选择的。使用这样的溶剂或分散介质，能够可靠地防止发光层42与电子传输层43之间的相互溶解。
形成阴极的步骤接着，在电子传输层43上形成阴极5。
阴极5可以通过例如真空沉积、溅射、金属箔的粘合等进行形成。
形成保护层的步骤接着，形成保护层6，以覆盖阳极3、有机EL层4和阴极5。
例如，通过使用各种可固化树脂(粘合剂)粘合由如上所述材料制备的盒式保护罩，可以形成或安置保护层6。
至于这样的可固化树脂，可以使用热固性树脂、可光固化树脂、可反应性固化树脂以及可无氧固化树脂这几种。
通过如上所述的这些步骤，制备得到有机EL器件1。
(有机薄膜晶体管)接着，描述本发明电子器件的另一个实施方案。在本实施方案中，本发明的电子器件是以属于开关元件的有机薄膜晶体管(下文中，简称作“有机TFT”)进行具体描述的。
图2(a)所示为有机TFT 10的横截面图，而图2(b)所示为有机TFT 10的平面图。要注意的是，在下面的描述中，图2(a)中的上侧和下侧被分别称作“上侧”和“下侧”。
在基底20上安置图2所示的有机TFT 10。从基底20这一侧起，顺序将源极30、漏极40、有机半导体层(即，根据本发明的导电层)50、门绝缘层60和门极70层压在基底20上。
具体地，在有机TFT 10中，分别在基底20上安置源极30和漏极40，并且安置有机半导体层50，以覆盖这些电极30和40。在有机半导体层50上，安置门绝缘层60。在门绝缘层60上，安置门极70，并使其与源极30和漏极40之间的至少一个区域重叠。
在有机TFT 10中，存在于源极30和漏极40之间的有机半导体层50内的区域起着载流子在其内移动的沟道区510的作用。下文中，沟道区510在载流子移动方向的长度，即，源极30和漏极40之间的距离被称作“沟道长度L”，而沟道区510在与沟道长度L的方向正交的方向上的长度被称作“沟道宽度W”。
有机TFT 10是其结构为安置有源极30和漏极40并使它们比穿过门绝缘层60安置的门极70更靠近基底20的有机TFT。即，有机TFT 10是具有顶部门结构的有机TFT。
下面，逐一描述有机TFT 10的元件。
基底20支撑构成有机TFT 10的层(或元件)。作为这种基底20，例如，可以使用参照在有机EL器件1的基底2被描述的相同基底。备选地，可以使用硅基底或砷化镓基底作为基底20。
在基底20上，可以将源极30和漏极40以在沟道长度L的方向上的预定距离并肩式布置。
源极30和漏极40的组分材料没有特别限制，只要它具有电导率即可。这种组分材料的实例包括金属材料，比如，Pd、Pt、Au、W、Ta、Mo、Al、Cr、Ti、Cu以及含有两种以上这些金属的合金；导电氧化物材料，比如ITO、FTO、ATO和SnO2；碳材料，比如炭黑、碳纳米管和富勒烯；以及导电聚合物材料，比如聚乙炔、聚吡咯、聚噻吩，例如，PEDOT(聚亚乙基二氧噻吩)、聚苯胺、聚(对苯撑)、聚(对-亚苯基1，2-亚乙烯基)、聚芴、聚咔唑、聚硅烷以及它们的衍生物。其中，导电聚合物材料在使用时，通常用氯化铁、碘、强酸、有机酸或聚合物比如聚苯乙烯磺酸进行掺杂，以使它们具有电导率。这些导电材料可以单独使用或将其中两种以上组合使用。
源极30和漏极40各自的厚度都没有特殊限定，但是优选在约30～300nm的范围内，更优选在约50～200nm的范围内。
源极30和漏极40之间的距离，即沟道长度L优选在约2～30μm的范围内，更优选在约2～20μm的范围内。
沟道宽度W优选在约0.1～5mm的范围内，更优选在约0.3～3mm的范围内。
如上所述，将有机半导体层50安置在基底20上，以覆盖源极30和漏极40。作为有机半导体层50的组分材料，可以使用根据本发明的导电材料。
如上所述，通过适当地设定通式(1)所示化合物的基团Y的化学结构，能够使所得聚合物(即，根据本发明的导电材料)具有所需的载流子传输性质。
因此，根据本发明的导电材料有利于形成有机半导体层50，原因是通过适当地设定基团Y的化学结构，能够使聚合物具有良好的半导电性。
作为构成这种有机半导体层50的导电材料，例如，优选选择通式(A1)所示并且其中基团Y具有化学式(D2)、(D3)、(D16)、(D17)或(D20)所示化学结构的化合物形成的聚合物。
有机半导体层50的厚度优选在约0.1～1,000nm的范围内，更优选在约1～500nm的范围内，还更优选在约10～100nm的范围内。通过将有机半导体层50的厚度调控为在上述范围内的值，能够防止有机TFT 10的尺寸的增加(尤其是，有机TFT 10的厚度增加)，同时使有机TFT 10保持高的载流子传输能力。
通过使用将聚合物如本发明导电材料作为其主要材料得到的有机半导体层50，能够获得大小及重量都得以减小的有机TFT 10。此外，还能够使有机TFT 10具有优异的弹性。这种有机TFT 10适用于配置有上述有机EL器件的柔性显示器(flexible display)的开关元件。
有机半导体层50并不限制于所提供的覆盖源极30和漏极40的这一种。至少在源极30和漏极40之间的区域(即，至少在沟道区510)内应当安置有机半导体层50。
如上所述，将门绝缘层60安置在有机半导体层50上。
安置门绝缘层60，以使门极70与源极30和漏极40绝缘。
门绝缘层60优选使用有机材料(尤其是，有机聚合物材料)作为其主要材料形成。采用有机聚合物材料作为门绝缘层60的主要材料，能够易于形成门绝缘层60以及使门绝缘层60与有机半导体层50接触更紧密。
这种有机聚合物材料的实例包括聚苯乙烯、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚乙烯基苯撑、聚碳酸酯(PC)、丙烯酸树脂，比如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、氟化树脂，比如聚四氟乙烯(PTFE)、酚醛树脂，比如聚乙烯苯酚和酚醛清漆树脂以及烯烃基树脂，比如，聚乙烯、聚丙烯、聚异丁烯和聚丁烯。这些有机聚合物材料可以单独使用或将其中两种以上组合使用。
门绝缘层60的厚度没有特别的限制，但是优选在约10～5,000nm的范围内，更优选在约100～1,000nm的范围内。通过将门绝缘层60的厚度设定为在上述范围内的值，能够防止有机TFT 10的尺寸增加(尤其是，有机TFT10在厚度上的增加)，同时使门极70与源极3和漏极40之间可靠地绝缘。
要注意的是，门绝缘层60并不是限制于由单层构成的这一种，它可以具有两层以上。
如上所述，在门绝缘层60上安置门极70。
作为门极70的组分材料，可以使用在源极30和漏极40中提及的相同组分材料。
门极70的厚度没有特殊限制，但是优选在约0.1～5,000nm的范围内，更优选在约1～5,000nm的范围内，还更优选在约10～5,000nm的范围内。
在如上所述的有机TFT 10中，在源极30和漏极40之间流动的电流量是通过改变施加给门极70的电压进行控制的。
即，在没有给门极70施加电压的关闭状态下，即使横跨源极30和漏极40施加电压，也只有少量的电流流动，原因是在有机半导体层50中几乎不存在载流子。另一方面，在向门极70施加电压的开启状态下，电荷在与门绝缘层60接触的有机半导体层50的表面上得到诱导，因而在沟道区510内形成载流子用的通道。在这样的状态下，横跨源极30和漏极40施加电压，能够使载流子(空穴或电子)通过沟道区510。
例如，上述的这种有机TFT 10可以以下列方式制备。
图3和4是用于解释图2所示有机TFT 10的制备方法的图(横截面图)。注意，在下列描述中，在图3和图4中的上侧及下侧分别被称作“上侧”及“下侧”。
形成源极和漏极的步骤[B1-1]首先，制备图3(a)所示的基底20。基底20用例如水(例如，纯水)和/或有机溶剂进行洗涤。水和有机溶剂可以单独使用或将其中两种以上组合使用。
接着，将光刻胶涂敷在基底20上，形成膜80’(参见图3(b))。
作为被供给基底20上的光刻胶，可以使用负性类光刻胶或正性类光刻胶。当使用负性类光刻胶时，用光辐照的区域(即，曝光区域)被固化，然后曝光区域之外的其它区域因显影溶解而被除去。当使用正性类光刻胶时，曝光区域被显影溶解而除去。
这种负性类光刻胶的实例包括水溶性光刻胶，比如松香-重铬酸盐、聚乙烯醇(PVA)-重铬酸盐、虫胶-重铬酸盐、酪蛋白-重铬酸盐、PVA-重氮和丙烯酸光刻胶以及油溶性光刻胶，比如聚肉桂酸乙烯酯、环化橡胶-叠氮化物、聚乙酸乙烯基亚肉桂基酯和聚肉桂酸β-乙烯基氧乙基酯。
正性类光刻胶的实例包括油溶性光刻胶，比如邻-萘醌二叠氮基(diazide)。
可以使用任意的方法将光刻胶供应在基底20上，但是优选使用各种涂敷方法。
作为这样的涂敷方法，可以使用在有机EL器件1的制备方法中形成空穴传输层[A2]的步骤中提及的相同方法。
接着，膜80’被穿过光掩模的光曝光，然后显影，以形成带有其中要形成源极30及漏极40的开口820的抗蚀剂层80(参见图3(C))。
接着，如图3(d)所示，将预定量的液体材料90供应给安置在基底20上的开口820，其中所述液体材料90含有要形成的源极30和漏极40的组分材料或其前体。
作为为制备液体材料90而用于溶解或分散源极30和漏极40的组分材料或其前体的溶剂或分散介质，可以使用在形成空穴传输层的步骤[A2]中提及的同样的溶剂或分散介质。
作为将液体材料90供应给开口820的方法，同样可以使用上述提及的涂敷方法。在这些涂敷方法中，优选使用喷墨法(即，喷射液体法)。使用喷墨法，能够使液体材料90从液滴喷射头的喷嘴处以液滴形式喷出，因而能够将液体材料90可靠地供应给开口820。因此，可靠地防止了液体材料90对抗蚀剂层80的粘合。
接着，将包含在供应给开口820的液体材料90内的溶剂或分散介质除去，以形成源极30和漏极40。
除去溶剂或分散介质时的温度没有特别的限制，并且根据所使用溶剂或分散介质的种类而稍有变化。然而，除去溶剂或分散介质时的温度优选在约20～200℃的范围内，更优选在约50～100℃的范围内。通过在上述范围内的温度下将溶剂或分散介质除去，能够可靠地将液体材料90中的溶剂或分散介质除去。
关于这一点，要注意的是，包含在液体材料90内的溶剂或分散介质可以通过在减压下的加热除去。这样做，能够更可靠地除去液体材料90中的溶剂或分散介质。
接着，将安置在基底20上的抗蚀剂层80除去，以得到其上形成有源极30和漏极40的基底20(参见图4(a))。
除去抗蚀剂层80的方法可根据抗蚀剂层80的种类而适当选择。例如，可以进行灰化，比如等离子体处理或臭氧处理；紫外线辐照或激光辐照比如Ne-He激光、Ar激光、CO2激光、红宝石激光、半导体激光、YAG激光、玻璃激光、YVO4激光或受激准分子激光辐照。备选地，通过例如将抗蚀剂层80浸渍在能够溶解或分解抗蚀剂层80的溶剂中以使抗蚀剂层80与该溶剂进行接触，可以除去抗蚀剂层80。
形成有机半导体层的步骤接着，如图4(b)所示，在基底20上形成有机半导体层50，以使有机半导体层50覆盖安置在基底20上的源极30和漏极40。
此时，在源极30和漏极40之间形成沟道区510(即，相应于门极70形成区域的区域)。
采用本发明的导电材料用组合物以及与在有机EL器件1的制备方法中的形成空穴传输层的步骤[A2]中描述相同的方法，可以形成有机半导体层50。
有机半导体层50是使用本发明的导电材料(即，聚合物)作为其主要材料形成的。因此，当在下一步骤[B3]中将门绝缘层材料供应到有机半导体层50上时，可适当地抑制或防止聚合物因包含在门绝缘层材料内的溶剂或分散介质所致的溶胀及溶解。结果，可以可靠地防止有机半导体层50和门绝缘层60之间的相互溶解。
使用聚合物比如本发明的导电材料作为其主要材料形成有机半导体层50，能够可靠地防止有机半导体层50和门绝缘层60的组分材料在层50和60之间的界面附近随时间流逝而发生混合。
形成门绝缘层的步骤接着，如图4(c)所示，通过涂敷方法，在有机半导体层50上形成门绝缘层60。
具体地，通过上述的涂敷方法，将含绝缘材料或其前体的溶液涂敷或供应到有机半导体层50上，可以形成门绝缘层60。必要时，这样得到的层可进行后处理，比如加热、红外线辐照或超声照射(exposure)。
形成门极的步骤接着，如图4(d)所示，通过涂敷方法，在门绝缘层60上形成门极70。
具体地，通过上述的涂敷方法，将含电极材料或其前体的溶液涂敷或供应到门绝缘层60上，可以形成门极70。必要时，这样得到的层可进行后处理，比如加热、红外线辐照或超声照射。
作为所使用的涂敷方法，同样可以使用上述提及的方法。尤其是，优选使用喷墨法。使用喷墨法，能够以液滴形式从液滴喷射头的喷嘴喷射出含有电极材料或其前体的溶液，以形成图案。因此，易于并且可靠地在门绝缘层60上形成具有预定形状的门极70。
通过如上所述的步骤，可制备出有机TFT 10。
(电子装置)根据本发明的电子器件比如上述的有机EL器件(其是发光器件)1和有机TFT(其是开关元件)10可以用于各种电子装置。
图5是透视图，其示出应用了本发明电子装置的个人移动计算机(或个人笔记本计算机)的结构。
在图5中，个人计算机1100是由安置有键盘1102的机身1104和安置有显示器的显示元件1106构成的。显示元件1106通过铰链结构被机身1104旋转支撑。
在个人计算机1100中，例如，显示元件1106包括上述的有机EL器件(其是发光器件)1和有机TFT(其是开关元件)10。
图6是透视图，其显示应用了本发明电子装置的移动电话(包含个人手提电话系统(PHS))的结构。
图6所示的移动电话1200包括多个操作按钮1202、听筒1204、话筒1206和显示器。
在这种移动电话1200中，例如，显示器包含上述的有机EL器件(发光器件)1和有机TFT(开关元件)10。
图7所示为应用了本发明电子装置的数字照相机的结构的透视图。在该图中，简单地示出了外部器件的界面连接。
在传统的照相机中，银盐膜曝光成物体的光学图像。另一方面，在数字照相机1300中，摄像器比如CCD(电荷耦合器)通过光电转换物体的光学图像，产生图像拾波信号(或图像信号)。
在数字照相机1300的壳(或躯体)1302的背面，安置有基于CCD所产生的图像拾波信号而提供图像的显示器。即，该显示器起着以电子图像显示物体的取景器的作用。
在这种数字照相机1300中，例如，显示器包括上述的有机EL器件(发光器件)1和有机TFT(开关元件)10。
在壳里面，安置有电路板1308。电路板1308具有能够储存图像拾波信号的存储器。
在壳1302的前表面(在图7中，壳1302的前表面是在背面侧)，安置有含光学透镜(图像拾波光学系统)和CCD的光接收元件1304。
当照相人员在显示器上看到物体图像之后按下快门按钮1306时，CCD在此时产生的图像拾波信号被传递给在电路板1308内的储存器，然后被储存其中。
此外，在数字照相机1300的壳1302的侧表面上，提供有视频信号输出端1312以及用于数据交换的输入-输出端1314。如图7所示，需要时，将电视监控器1430和个人计算机1440分别与视频信号输出端1312和用于数据交换的输入-输出端1314连接。在这种情况下，进行预定的操作，可以将被储存在电路板1308的存储器内的图像拾波信号输出给电视监控器1430和个人计算机1440。
本发明的电子装置不仅可以应用于图5所示的个人计算机(个人移动计算机)、图6所示的移动电话以及图7所示的数字照相机，而且可应用于电视机、摄像机、取景器或监控器式的磁带录像机、便携式个人电脑、汽车导航仪、寻呼机、电子笔记本(可以具有通讯设备)、电子词典、电子计算器、计算机化的游戏机、字处理器、工作站、电视电话、证卷电视监控器、电子双目镜、POS终端、安装有触摸面板的装置(例如，放置在金融机构的自动取款机、自动售票机)、医疗设备(例如，电子温度计、血压计、血糖计、心电图监视器、超声诊断装置、内窥镜)、鱼群探测仪、各种测量仪器、压力计(例如，用于车辆、飞行器以及艇和轮船的压力计)、飞行模拟器、各种监控器和投影显示器比如投影仪。
根据本发明的导电材料用组合物、导电材料、导电层、电子器件和电子装置都已经基于附图所示的实施方案进行了描述，但是本发明并不是限制于这些实施方案。
例如，在根据本发明的电子器件具有作为导电层的空穴传输层的情况下，这样的电子器件可以用于例如作为光接收器件实例的太阳能电池(或光电换能器)以及作为显示器件实例的上述有机EL器件(或发光器件)。
此外，在根据本发明的电子器件具有作为导电层的有机半导体层的情况下，这样的电子器件可以用于例如半导体器件以及作为开关元件实例的上述有机TFT。
此外，根据本发明的导电层可以用作例如布线或电极以及上述的空穴传输层。在这种情况下，根据本发明的所得电子器件可以用于线路板等。
实施例接着，本发明将对实施例进行描述。
1.化合物的合成首先，制备下面描述的化合物(AI)～(SII)。
<化合物(AI)>
6-(对-氨基苯基)己醇用在无水二甲基甲酰胺中的苄基溴和氢氧化钠处理，以使羟基转变成二苄醚基团，从而使羟基得以保护。
然后，将1mol这样得到的化合物溶解在150mL的乙酸中，室温下，向其中滴加乙酸酐，然后进行搅拌。反应完毕后，沉淀出的固体进行过滤，再用水洗涤后进行干燥，以得到干物质(苄醚衍生物)。
接着，将6-(对-溴苯基)己醇如6-(对-氨基苯基)己醇那样进行相同的处理，以使羟基转变成苄醚基团之后，得以保护，从而得到干物质(苄醚衍生物)。
接着，将0.37mol的由6-(对-氨基苯基)己醇得到的苄醚衍生物、0.66mol的由6-(对-溴苯基)己醇得到的苄醚衍生物、1.1mol的碳酸钾、铜粉和碘进行混合，并在200℃下加热。将混合物冷却之后，向其中加入130mL的异戊醇、50mL的纯水以及0.73mol的氢氧化钾，然后搅拌并干燥。
此外，将130mmol所得的化合物、62mmol的4，4’-二碘联苯、1.3mmol的乙酸钯、5.2mmol的叔丁基膦、260mmol的叔丁醇钠和700mL的二甲苯进行混合，然后在120℃下搅拌。之后，混合物进行冷却结晶。
将这样得到的化合物在Pd-C催化剂下用氢气还原，以使苄醚基团转变成羟基，以脱保护。
接着，将100mmol的该化合物和400mmol的丙烯酰氯加入二甲苯溶液中，然后在加热下搅拌。之后，该混合物进行冷却结晶，以得到化合物。
然后，借助下面的方法，所得化合物被确定为下面的化合物(AI)质谱(MS)法、1H-核磁共振(1H-NMR)光谱法、13C-核磁共振(13C-NMR)光谱法、傅立叶转换红外吸收(FT-IR)光谱法。
<化合物(BI)>
除了将4，4′-二碘联苯改变为4，4′-二碘-2，2′-二甲基联苯之外，以与化合物(AI)相同的方式得到化合物(BI)。

<化合物(CI)>
除了分别将6-(对-氨基苯基)己醇改变为2-(对-氨基苯基)乙醇以及6-(对-溴苯基)己醇改变为2-(对-溴苯基)乙醇之外，以与化合物(AI)相同的方式得到化合物(CI)。
<化合物(DI)>
除了将2-(对-氨基苯基)乙醇改变为2-(2′，6′-二甲基-4″-氨基苯基)乙醇之外，同化合物(CI)那样得到化合物(DI)。

<化合物(EI)>
除了分别将6-(对-氨基苯基)己醇改变为8-(对-氨基苯基)辛醇以及6-(对-溴苯基)己醇改变为8-(对-溴苯基)辛醇之外，以与化合物(AI)相同的方式得到化合物(EI)。
<化合物(FI)>
除了将6-(对-氨基苯基)己醇改变为8-(对-氨基苯基)辛醇之外，以与化合物(AI)相同的方式得到化合物(FI)。

<化合物(GI)>
除了分别将6-(对-氨基苯基)己醇改变为(对-氨基苯基)甲醇以及6-(对-溴苯基)己醇改变为(对-溴苯基)甲醇之外，以与化合物(AI)相同的方式得到化合物(GI)。
<化合物(HI).
至于下列化合物(HI)，制备N，N，N’，N’-四(4-甲基苯基)-联苯胺(TOSCO CO.，LTD.提供的“OSA 6140”)。

<化合物(AII)>
除了将4，4’-二碘联苯改变为2，5-二(4-碘苯基)-噻吩之外，以与化合物(AI)相同的方式得到化合物(AII)。
<化合物(BII)>
除了将2，5-二(4-碘苯基)-噻吩改变为2，5-二(2-甲基-4-碘苯基)-噻吩之外，以与化合物(AII)相同的方式得到化合物(BII)。

<化合物(CII)>
除了分别将6-(对-氨基苯基)己醇改变为2-(对-氨基苯基)乙醇以及将6-(对-溴苯基)己醇改变为2-(对-溴苯基)乙醇之外，以与化合物(AII)相同的方式得到化合物(CII)。
<化合物(DII)>
除了将2-(对-氨基苯基)乙醇改变为2-(2′，6′-二甲基-4′-氨基苯基)乙醇以外，以与化合物(CII)相同的方式得到化合物(DII)。

<化合物(EII)>
除了分别将6-(对-氨基苯基)己醇改变为8-(对-氨基苯基)辛醇以及将6-(对-溴苯基)己醇改变为8-(对-溴苯基)辛醇以外，以与化合物(AII)相同的方式得到化合物(EII)。
<化合物(FII)>
除了将6-(对-氨基苯基)己醇改变为8-(对-氨基苯基)辛醇之外，以与化合物(AII)相同的方式得到化合物(FII)。

<化合物(GII)>
除了分别将6-(对-氨基苯基)己醇改变为1-(对-氨基苯基)甲醇以及将6-(对-溴苯基)己醇改变为1-(对-溴苯基)甲醇之外，以与化合物(AII)相同的方式得到化合物(GII)。
<化合物(HII)>
除了将2，5-二(4-碘苯基)-噻吩改变为5，5″-二(4-碘苯基)-2，2′5′，2″-叔-噻吩之外，以与化合物(AII)相同的方式得到化合物(HII)。

<化合物(III)>
除了将2，5-二(4-碘苯基)-噻吩改变为3，5-二碘-1，2，4-三唑之外，以与化合物(AII)相同的方式得到化合物(III)。
<化合物(JII)>
除了将2，5-二(4-碘苯基)-噻吩改变为2，5-二(4-碘苯基)-1，3，4-噁二唑之外，以与化合物(AII)相同的方式得到化合物(JII)。

<化合物(KII)>
除了将2，5-二(4-碘苯基)-噻吩改变为3，3’-二碘-1，1’-二异苯并噻吩之外，以与化合物(AII)相同的方式得到化合物(KII)。
<化合物(LII)>
除了分别将6-(对-氨基苯基)己醇改变为2-(对-氨基苯基)乙醇以及将6-(对-溴苯基)己醇改变为2-(对-溴苯基)乙醇之外，以与化合物(KII)相同的方式得到化合物(LII)。

<化合物(MII)>
除了分别将6-(对-氨基苯基)己醇改变为8-(对-氨基苯基)辛醇以及将6-(对-溴苯基)己醇改变为8-(对-溴苯基)辛醇之外，以与化合物(KII)相同的方式得到化合物(MII)。
<化合物(NII)>
除了将6-(对-氨基苯基)己醇改变为8-(对-氨基苯基)辛醇之外，以与化合物(KII)相同的方式得到化合物(NII)。

<化合物(OII)>
除了分别将6-(对-氨基苯基)己醇改变为1-(对-氨基苯基)甲醇以及将6-(对-溴苯基)己醇改变为1-(对-溴苯基)甲醇之外，以与化合物(KII)相同的方式得到化合物(OII)。
<化合物(PII)>
除了将2，5-二(4-碘苯基)-噻吩改变为5，5′-二碘-2，2′-二(3，4-二氧亚乙基硒吩)之外，以与化合物(AII)相同的方式得到化合物(PII)。

<化合物(QII)>
除了将2，5-二(4-碘苯基)-噻吩改变为5，5″-二碘-2，2′5′，2″-叔-硒吩之外，以与化合物(AII)相同的方式得到化合物(QII)。
<化合物(RII)>
除了将2，5-二(4-碘苯基)-噻吩改变为5，5″-二碘-3，3′5′，3″-叔-(4-苯基-1，2，4-三唑)之外，以与化合物(AII)相同的方式得到化合物(RII)。

<化合物(SII)>
将1mol的1-氨基-4-甲基苯溶解在150mL的乙酸中，室温下，向其中滴加乙酸酐，然后进行搅拌。反应完毕后，沉淀出的固体进行过滤，再用水洗涤后进行干燥。
接着，将0.37mol所得的物质、0.66mol 1-溴-4-甲基苯、1.1mol的碳酸钾、铜粉末和碘进行混合，并在200℃下加热。混合物进行冷却之后，向其中加入130mL的异戊醇、50mL的纯水以及0.73mol的氢氧化钾，然后搅拌并干燥。
此外，将130mmol所得的化合物、62mmol的2，5-二(4-碘苯基)-噻吩、1.3mmol的乙酸钯、5.2mmol的叔丁基膦、260mmol的叔丁醇钠和700mL的二甲苯进行混合，然后在120℃下搅拌。
之后，混合物进行冷却结晶，以得到化合物。
然后，借助下面的方法，发现所得化合物为下面的化合物(SII)质谱(MS)法、1H-核磁共振(1H-NMR)光谱法、13C-核磁共振(13C-NMR)光谱法以及傅立叶转换红外吸收(FT-IR)光谱法。

<化合物(TII)>
制备聚(3，4-亚乙基二氧噻吩/苯乙烯磺酸)(“BAYTRON P CH800”，Bayer)，以作为下列化合物(TII)。
<化合物(UII)>
除了将2，5-二(4-碘苯基)-噻吩改变为3，5-二碘-1，2，4-三唑以外，以与化合物(SII)相同的方式得到化合物(UII)。
(UII)
2.有机EL器件的制备在下列每一个实施例和比较例中都制备5个有机EL器件。
(实施例1A)<空穴传输材料的制备>
使用化合物(AI)作为芳基胺衍生物，重量比为95∶5的化合物(AI)和自由基聚合引发剂(Nagase & Co.，Ltd.生产的“Irgacure 651”)与二氯乙烷(dicloethane)混合，得到空穴传输材料(即，导电材料用组合物)。
<有机EL器件的制备>
1A首先，在平均厚度为0.5mm的透明玻璃基底上，通过真空蒸发形成平均厚度为100nm的ITO电极(即，阳极)。
2A接着，通过旋涂法，将空穴传输材料涂敷在ITO电极上，然后干燥。
然后，在大气压下，用汞灯(“UM-452”，USHIO Inc.)发出且经过滤光器的紫外线辐照空穴传输材料400秒，使化合物(AI)聚合，形成平均厚度为50nm的空穴传输层，其中所述紫外线的波长为185nm，其辐照强度为3mW/cm2。
3A接着，通过旋涂法，将1.7wt％的聚(9，9-二辛基-2，7-二亚乙烯基芴基-交替-共(蒽-9，10-二基)(重均分子量200,000)的二甲苯溶液涂敷到空穴传输层上，然后干燥，以形成平均厚度为50nm的发光层。
4A接着，通过3，4，5-三苯基-1，2，4-三唑的真空蒸发，在发光层上形成平均厚度为20nm的电子传输层。
5A接着，通过真空蒸发，在电子传输层上形成平均厚度为300nm的AlLi电极(即，阴极)。
6A接着，安置由聚碳酸酯制备的保护罩，以覆盖上述的这些层，然后用可紫外线固化树脂固定并密封，以得到有机EL器件。
(实施例2A～6A)在实施例2A～6A的每一个实施例中，除了将制备空穴传输材料用的芳基胺衍生物改变为表1所示的化合物之外，以与实施例1A相同的方式制备空穴传输材料之后，再制备有机EL器件。
(比较例1A)<空穴传输材料的制备>
将化合物(H1)溶解，得到空穴传输材料。
<有机EL器件的制备>
除了使用在步骤2A中制备的空穴传输材料并且不使用来自汞灯的紫外线辐照之外，以与实施例1A相同的方式制备有机EL器件。
(比较例2A)<空穴传输材料的制备>
将化合物(TII)分散在水中，制备出化合物(TII)的2.0wt％水分散体，以作为空穴传输材料。
在这一点上，要注意的是，在化合物(TII)中3，4-亚乙基二氧噻吩与苯乙烯磺酸的重量比为1∶20。
<有机EL器件的制备>
除了将空穴传输材料改变为在本比较例2A中所制备的空穴传输材料之外，以与比较例1A相同的方式制备有机EL器件。
(比较例3A)<空穴传输材料的制备>
采用化合物(HI)作为芳基胺衍生物，采用聚酯丙烯酸酯-基交联剂(TOAGOSEI CO.，LTD.生产的“ARONIX M-8030”)作为光交联剂，并且将30∶65∶5的重量比的化合物(HI)、聚酯丙烯酸酯-基交联剂和自由基聚合引发剂(Nagase & Co.，Ltd.生产的“Irgacure 651”)与二氯乙烷混合，得到空穴传输材料。
<有机EL器件的制备>
除了将空穴传输材料改变为在本比较例3A中所制备的空穴传输材料之外，以与比较例1A相同的方式制备有机EL器件。
(比较例4A)
除了采用化合物(GI)作为芳基胺衍生物之外，以与实施例1A相同的方式制备空穴传输材料后，再制备有机EL器件。
(实施例1B)<空穴传输材料的制备>
采用化合物(AI)作为芳基胺衍生物，采用上述通式(B1)(其中，n3为10～15，而两个A1为氢原子)所示的聚酯丙烯酸酯-基交联剂(下文中，这种交联剂将被称作“交联剂A1”)作为聚酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂，采用自由基聚合引发剂(Nagase & Co.，Ltd.生产的“Irgacure 651”)作为光聚合引发剂，然后，将它们溶解在二氯乙烷中，以得到空穴传输材料(即，导电材料用组合物)。
在这一点上，要注意的是，化合物(AI)和交联剂A1的混合比以摩尔比计为17∶2，而化合物(AI)和交联剂A1的总重量与自由基聚合引发剂的重量比为19∶1。
<有机EL器件的制备>
1B首先，以与上述步骤1A中相同的方式，在透明玻璃基底上形成平均厚度为100nm的ITO电极(即，阳极)。
2B接着，通过旋涂法将所制备的空穴传输材料涂敷到ITO电极上，然后干燥。
然后，在大气氛下，用汞灯(“UM-452”，USHIO Inc.)发出且经过滤光器的紫外线辐照空穴传输材料300秒，使化合物(AI)和交联剂A1聚合，形成平均厚度为50nm的空穴传输层，其中所述紫外线的波长为185nm，其辐照强度为2mW/cm2。
3B接着，以与上述步骤3A中相同的方式，在空穴传输层上形成平均厚度为50nm的发光层。
4B接着，以与上述步骤4A中相同的方式，在发光层上形成平均厚度为20nm的电子传输层。
5B接着，以与上述步骤5A中相同的方式，在电子传输层上形成平均厚度为300nm的AlLi电极(即，阴极)。
6B接着，以与上述步骤6A中相同的方式，安置由聚碳酸酯制备的保护罩，以覆盖上述那些层，然后固定并密封，以得到有机EL器件。
(实施例2B～18B)在实施例2B～18B中的每一个实施例中，除了将用于空穴传输材料的芳基胺衍生物以及芳基胺衍生物与交联剂的混合比(摩尔比)改变成表2所示之外，以与实施例1B相同的方式制备空穴传输材料之后，再制备有机EL器件。
(实施例1B’～6B’)除了省去向空穴传输材料中加入交联剂A1以及将用于空穴传输材料的芳基胺衍生物改变成表2所示化合物之外，以与实施例1B相同的方式制备空穴传输材料之后，再制备有机EL器件。
(比较例1B)以与比较例1A相同的方式，制备有机EL器件。
(比较例2B)以与比较例2A相同的方式，制备有机EL器件。
(比较例3B)<空穴传输材料的制备>
将重量比为3∶7的化合物(AI)和聚碳酸酯树脂(TEIJIN CHEMICALSLTD.生产的“PANLITE-1250”)与二氯乙烷混合，得到空穴传输材料。
<有机EL器件的制备>
除了将空穴传输材料改变为比较例3B中所制备的空穴传输材料之外，以与比较例1A相同的方式制备有机EL器件。
(比较例4B)除了将化合物(HI)用作芳基胺衍生物之外，以与实施例1B相同的方式制备空穴传输材料之后，再制备有机EL器件。
(比较例5B)除了省去向空穴传输材料中加入交联剂A1以及将化合物(GI)用作芳基胺衍生物之外，以与实施例1B相同的方式制备空穴传输材料之后，再制备有机EL器件。
(比较例6B～8B)在比较例6B～8B中的每一个实施例中，除了将化合物(GI)用作用于空穴传输材料的芳基胺衍生物以及将化合物(GI)与交联剂A1的混合比(摩尔比)改变成表2所示之外，以与实施例1B相同的方式制备空穴传输材料之后，再制备有机EL器件。
(实施例1C)除了使用上述通式(B4)(其中，n6为1，并且两个A1为氢原子)所示的环氧丙烯酸酯-基交联剂(下文中，这种交联剂将被称作“交联剂A2”)代替交联剂A1之外，以与实施例1B相同的方式制备空穴传输材料之后，再制备有机EL器件。
(实施例2C和3C)在实施例2C和3C中的每一个实施例中，除了分别将芳基胺衍生物与交联剂A2的混合比(摩尔比)改变成表3所示的混合比之外，以与实施例1C相同的方式制备空穴传输材料之后，再制备有机EL器件。
(实施例4C)除了对于被加入空穴传输材料中并且由通式(B4)所示的环氧丙烯酸酯-基交联剂而言，是使用交联剂B2(其中，n6为5，并且两个A1都是氢原子)代替交联剂A2之外，以与实施例1C相同的方式制备空穴传输材料之后，再制备有机EL器件。
(实施例5C)
除了对于被加入空穴传输材料中并且由通式(B4)所示的环氧丙烯酸酯-基交联剂而言，是使用交联剂C2(其中，n6为12，并且两个A1都是氢原子)代替交联剂A2之外，以与实施例1C相同的方式制备空穴传输材料之后，再制备有机EL器件。
(实施例6C～20C)在实施例6C～20C中的每一个实施例中，除了分别将用于空穴传输材料的芳基胺衍生物以及该芳基胺衍生物与交联剂A2的混合比(摩尔比)改变成表3所示之外，以与实施例1C相同的方式制备空穴传输材料之后，再制备有机EL器件。
(比较例1C)以与比较例1A相同的方式制备有机EL器件。
(比较例2C)以与比较例2A相同的方式制备有机EL器件。
(比较例3C)以与比较例3B相同的方式制备有机EL器件。
(比较例4C～7C)在比较例4C～7C中的每一个比较例中，除了分别将用于空穴传输材料的芳基胺衍生物以及芳基胺衍生物与交联剂A2的混合比(摩尔比)改变成表3所示之外，以与实施例1C相同的方式制备空穴传输材料之后，再制备有机EL器件。
(实施例1D)除了采用上述通式(B10)(其中，n10为20～30，并且两个A1都为氢原子)所示的氨基甲酸酯丙烯酸酯-基交联剂(下文中，这种交联剂将被称作“交联剂A3)代替交联剂A1之外，以与实施例1B相同的方式制备空穴传输材料之后，再制备有机EL器件。
(实施例2D和3D)在实施例2D和3D中的每一个实施例中，除了将芳基胺衍生物与交联剂的混合比(摩尔比)分别改变成表4所示的混合比之外，以与实施例1D相同的方式制备空穴传输材料之后，再制备有机EL器件。
(实施例4D)除了对于被加入空穴传输材料中并且由通式(B10)所示的氨基甲酸酯丙烯酸酯-基交联剂而言，是使用交联剂B3(其中，n10为60～70，并且两个A1都是氢原子)代替交联剂A3之外，以与实施例1D相同的方式制备空穴传输材料之后，再制备有机EL器件。
(实施例5D)除了对于被加入空穴传输材料中并且由通式(B10)所示的环氧丙烯酸酯-基交联剂而言，是使用交联剂C3(其中，n10为120～140，并且两个A1都是氢原子)代替交联剂A3之外，以与实施例1D相同的方式制备空穴传输材料之后，再制备有机EL器件。
(实施例6D～20D)在实施例6D～20D的每一个实施例中，除了将用于空穴传输材料的芳基胺衍生物以及该芳基胺衍生物与交联剂A3的混合比(摩尔比)分别改变成表4所示那样之外，都以与实施例1D相同的方式制备空穴传输材料之后，再制备有机EL器件。
(比较例1D)以与比较例1A相同的方式制备有机EL器件。
(比较例2D)以与比较例2A相同的方式制备有机EL器件。
(比较例3D)以与比较例3B相同的方式制备有机EL器件。
(比较例4D～7D)在比较例4D～7D的每一个比较例中，除了将用于空穴传输材料的芳基胺衍生物以及芳基胺衍生物与交联剂A3的混合比(摩尔比)分别改变成表4所示那样之外，都以与实施例1D相同的方式制备空穴传输材料之后，再制备有机EL器件。
(实施例1E)<空穴传输材料的制备>
采用化合物(AII)作为芳基胺衍生物，并且将重量比为95∶5的化合物(AII)和自由基聚合引发剂(Nagase & Co.，Ltd.生产的“Irgacure 651”)与二氯乙烷混合，得到空穴传输材料(即，导电材料用组合物)。
<电子传输材料的制备>
除了将化合物(III)用作芳基胺衍生物之外，以与本实施例中制备空穴传输材料相同的方式，获得电子传输材料(即，导电材料用组合物)。
<有机EL器件的制备>
1C首先，以与上述步骤1A相同的方式，在平均厚度为100nm的透明玻璃基底上形成ITO电极(即，阳极)。
2C接着，通过旋涂法，将所制备的空穴传输材料涂敷在ITO电极上，然后进行干燥。
然后，在大气氛下，用汞灯(“UM-452”，USHIO Inc.)发出且经过滤光器的紫外线辐照空穴传输材料400秒，使化合物(AII)聚合，形成平均厚度为50nm的空穴传输层，其中所述紫外线的波长为185nm，并且其辐照强度为3mW/cm2。
3C接着，以与上述步骤3A中相同的方式，在空穴传输层上形成平均厚度为50nm的发光层。
4C接着，除了采用所制备的电子传输材料代替空穴传输材料之外，以与上述步骤2C中相同的方式，通过使化合物(III)聚合而在发光层上形成平均厚度为20nm的电子传输层。
5C接着，以与上述步骤5A中相同的方式，在电子传输层上形成平均厚度为300nm的AlLi电极(即，阴极)。
6C接着，以与上述步骤6A中相同的方式，安置由聚碳酸酯制备的保护罩，以覆盖上述那些层，然后固定并密封，以得到有机EL器件。
(实施例2E～14E)在实施例2E～14E的每一个实施例中，除了对于用于空穴传输材料和电子传输材料的芳基胺衍生物而言，是分别使用表1所示那些之外，以与实施例1E相同的方式制备空穴传输材料之后，制备有机EL器件。
(比较例1E)<空穴传输材料的制备>
将化合物(SII)溶解，得到空穴传输材料。
<有机EL器件的制备>
除了使用所制备的空穴传输材料但在步骤2C中不使用紫外线辐照而形成空穴传输层，以及使用化合物(UII)并且通过在步骤4C的真空蒸发形成电子传输层之外，以与实施例1E相同的方式，制备有机EL器件。
(比较例2E)<空穴传输材料的制备>
将化合物(TII)分散在水中，制备出化合物(TII)的2.0wt％水分散体，以作为空穴传输材料。
在这一点上，要注意的是，在化合物(TII)中，3，4-亚乙基二氧噻吩与苯乙烯磺酸的重量比为1∶20。
<有机EL器件的制备>
除了将空穴传输材料改变为在本比较例中制备的空穴传输材料之外，以与比较例1E相同的方式制备有机EL器件。
(比较例3E)<空穴传输材料的制备>
使用化合物(SII)作为芳基胺衍生物，使用聚酯丙烯酸酯-基交联剂(由TOAGOSEI CO.，LTD.生产的“ARONIX M-8030”)作为光交联剂，并且将重量比为30∶65∶5的化合物(SII)、聚酯丙烯酸酯-基交联剂和自由基聚合引发剂(Nagase & Co.，Ltd.生产的“Irgacure 651”)与二氯乙烷混合，得到空穴传输材料。
<有机EL器件的制备>
除了将空穴传输材料改变为在上述步骤2C中制备的空穴传输材料以及使用化合物(UII)并且通过步骤4C中的真空蒸发形成电子传输层之外，以与比较例1E相同的方式制备有机EL器件。
(比较例4E)除了将化合物(GII)用作用于空穴传输材料的芳基胺衍生物之外，以与实施例3E相同的方式制备空穴传输材料之后，再制备有机EL器件。
(实施例1F)<空穴传输材料的制备>
分别采用化合物(AII)作为芳基胺衍生物，化合物(AI)作为丙烯酸基交联剂，自由基聚合引发剂(Nagase & Co.，Ltd.生产的“Irgacure 651”)作为光聚合引发剂，然后将它们与二氯乙烷混合，得到空穴传输材料(即，导电材料用组合物)。
在这一点上，要注意的是，化合物(AII)与交联剂A1的混合比以摩尔比计为17∶2，并且化合物(AII)与交联剂A1的总重量相对于自由基聚合引发剂的重量比为19∶1。
<电子传输材料的制备>
除了将化合物(III)用作芳基胺衍生物之外，以与在本实施例中制备空穴传输材料相同的方式，获得电子传输材料(即，导电材料用组合物)。
<有机EL器件的制备>
1D首先，以与上述步骤1A中相同的方式，在透明玻璃基底上形成平均厚度为100nm的ITO电极(即，阳极)。
2D接着，通过旋涂法将空穴传输材料涂敷到ITO电极上，然后干燥。
然后，在大气氛下，用汞灯(“UM-452”，USHIO Inc.)发出且经过滤光器的紫外线辐照空穴传输材料300秒，使化合物(AII)和交联剂A1聚合，形成平均厚度为50nm的空穴传输层，其中所述紫外线的波长为185nm，其辐照强度为2mW/cm2。
3D接着，以与上述步骤3A中相同的方式，在空穴传输层上形成平均厚度为50nm的发光层。
4D接着，除了采用所制备的电子传输材料代替空穴传输材料之外，以与上述步骤2D中相同的方式，在发光层上通过使化合物(III)和交联剂A1聚合，而形成平均厚度为20nm的电子传输层。
5D接着，以与上述步骤5A中相同的方式，在电子传输层上形成平均厚度为300nm的AlLi电极(即，阴极)。
6D接着，安置由聚碳酸酯制备的保护罩，以覆盖上述那些层，然后用可紫外线固化树脂固定并密封，以得到有机EL器件。
(实施例2F～18F)在实施例2F～18F中的每一个实施例中，除了将用于空穴传输材料的芳基胺衍生物以及芳基胺衍生物与交联剂A1的摩尔比改变成表6(表A)所示那样之外，以与实施例1F相同的方式制备空穴传输材料之后，再制备有机EL器件。
(实施例1F’～14F’)在实施例1F’～14F’中的每一个实施例中，除了省去向空穴传输材料中加入交联剂A1以及将用于空穴传输材料的芳基胺衍生物改变成表6(表B)所述那样之外，以与实施例1F相同的方式制备空穴传输材料之后，再制备有机EL器件。
(比较例1F)以与实施例1E相同的方式制备有机EL器件。
(比较例2F)以与实施例2E相同的方式制备有机EL器件。
(比较例3F和4F)在比较例3F和4F的每一个实施例中，除了将用于空穴传输材料以及电子传输材料的芳基胺衍生物改变成表6(B)所示那样之外，以与实施例2F相同的方式制备空穴传输材料和电子传输材料之后，再制备有机EL器件。
(实施例1G)除了使用交联剂A2作为代替交联剂A1的丙烯酸交联剂之外，以与实施例1F相同的方式制备空穴传输材料和电子传输材料之后，再制备有机EL器件。
(实施例2G和3G)在实施例2G和3G中的每一个实施例中，除了将用于空穴传输材料和电子传输材料的芳基胺衍生物与交联剂A2的混合比(摩尔比)分别改变成表7(A)所示那样之外，以与实施例1G相同的方式制备空穴传输材料和电子传输材料之后，再制备有机EL器件。
(实施例4G)除了对于被加入空穴传输材料和电子传输材料中并且由上述通式(B4)所示的环氧丙烯酸酯-基交联剂而言，是采用交联剂B2(其中，n6为5，并且两个A1都是氢原子)代替交联剂A2之外，以与实施例1G相同的方式制备空穴传输材料和电子传输材料之后，再制备有机EL器件。
(实施例5G)除了对于被加入空穴传输材料和电子传输材料中并且由上述通式(B4)所示的环氧丙烯酸酯-基交联剂而言，是采用交联剂C2(其中，n6为12，并且两个A1都是氢原子)代替交联剂A2之外，以与实施例1G相同的方式制备空穴传输材料和电子传输材料之后，再制备有机EL器件。
(实施例6G～20G)在实施例6G～20G中的每一个实施例中，除了将用于空穴传输材料和电子传输材料的芳基胺衍生物以及芳基胺衍生物与交联剂A2的混合比(摩尔比)分别改变成表7(A)和表7(B)所示那样之外，都以与实施例1G相同的方式制备空穴传输材料和电子传输材料之后，再制备有机EL器件。
(比较例1G)以与比较例1E相同的方式制备有机EL器件。
(比较例2G)以与比较例2E相同的方式制备有机EL器件。
(比较例3G和4G)在每一个比较例中，除了将用于空穴传输材料和电子传输材料的芳基胺衍生物分别改变成图7(B)所示那样之外，都以与比较例2G相同的方式制备空穴传输材料和电子传输材料之后，再制备有机EL器件。
(实施例1H)除了将交联剂A3用作代替交联剂A1的丙烯酸交联剂之外，以与实施例1F相同的方式制备空穴传输材料和电子传输材料之后，再制备有机EL器件。
(实施例2H和3H)在实施例2H和3H中的每一个实施例中，除了将用于空穴传输材料和电子传输材料的芳基胺衍生物和交联剂A3的混合比(摩尔比)分别改变为表8(A)所示那样之外，都以与实施例1H相同的方式制备空穴传输材料和电子传输材料之后，再制备有机EL器件。
(实施例4H)除了对于被加入空穴传输材料和电子传输材料中并且由上述通式(B10)所示的氨基甲酸酯丙烯酸酯-基交联剂，是采用交联剂B3(其中，n10为60～70，并且两个A1都是氢原子)代替交联剂A3之外，以与实施例1H相同的方式制备空穴传输材料和电子传输材料之后，再制备有机EL器件。
(实施例5H)除了对于被加入空穴传输材料和电子传输材料中并且由上述通式(B10)所示的氨基甲酸酯丙烯酸酯-基交联剂，是采用交联剂C3(其中，n10为120～140，并且两个A1都是氢原子)代替交联剂A3之外，以与实施例1H相同的方式制备空穴传输材料和电子传输材料之后，再制备有机EL器件。
(实施例6H～20H)在实施例6H～20H的每一个实施例中，除了将用于空穴传输材料和电子传输材料的芳基胺衍生物以及芳基胺衍生物与交联剂A3的混合比(摩尔比)分别改变为表8(A)和表8(B)所示那样之外，都以与实施例1H相同的方式制备空穴传输材料和电子传输材料之后，再制备有机EL器件。
(比较例1H)以与比较例1E相同的方式制备有机EL器件。
(比较例2H)以与比较例2E相同的方式制备有机EL器件。
(比较例3H和4H)在每一个比较例中，除了将用于空穴传输材料和电子传输材料的芳基胺衍生物分别改变成图8(B)所示那样之外，都以与比较例2H相同的方式制备空穴传输材料和电子传输材料之后，再制备有机EL器件。
3.有机EL器件的评价测量在上述实施例和比较例中得到的每一个有机EL器件的光亮度(cd/m2)、最大发光效率(lm/W)以及光亮度变成初始值一半之前逝去的时间(即，半衰期)。计算5个有机EL器件的测量值的平均值。
在这一点上，要注意的是，光亮度是通过横跨ITO电极与AlLi电极施加6V电压进行测量的。
实施例1A～6A和比较例2A～4A中的每一个的测量值(即，光亮度、最大发光效率和半衰期)都是以比较例1A的测量值为基础，分别根据下列四个标准进行评价的。
A测量值为比较例1A的测量值的1.5倍以上。
B测量值为比较例1A的测量值的1.25倍以上，但小于1.5倍。
C测量值为比较例1A的测量值的1.00倍以上，但小于1.25倍。
D测量值为比较例1A的测量值的0.75倍以上，但小于1.00倍。
评价结果在所附的表1中示出。
如表1所示，实施例的所有有机EL器件(即，包含使用本发明导电材料作为主要材料形成的空穴传输层的有机EL器件)都在他们的光亮度、最大发光效率和半衰期上优于比较例的有机EL器件。
从结果可以发现，本发明有机EL器件的相邻主骨架之间的相互作用得到了适当的降低。此外，还发现在本发明的有机EL器件中，空穴传输层与发光层之间的相互溶解也得到了适当的防止。
此外，还发现，在相邻主骨架以合适间隔存在的实施例的有机EL器件中，光亮度和最大发光效率得到了更大的改善，而半衰期得到更大的延长。
此外，除了使用取代基X的官能团为(甲基)丙烯酰基的化合物之外，以与实施例1A～6A相同的方式制备空穴传输材料，并且通过制备该空穴传输材料来制备有机EL器件。这些有机EL器件也以与上述相同的方式进行评价，因而，基本上可以得到相同的结果。
实施例1B～18B、实施例1B’～6B’以及比较例2B～8B中的每一个的测量值(即，光亮度、最大发光效率和半衰期)都是以比较例1B的测量值为基础，分别根据下列四个标准进行评价的。
A测量值为比较例1B的测量值的1.5倍以上。
B测量值为比较例1B的测量值的1.25倍以上，但小于1.5倍。
C测量值为比较例1B的测量值的1.00倍以上，但小于1.25倍。
D测量值为比较例1B的测量值的0.75倍以上，但小于1.00倍。
评价结果在所附的表2中示出。
如表2所示，实施例的所有有机EL器件(即，包含使用本发明导电材料作为主要材料形成的空穴传输层的有机EL器件)都在他们的光亮度、最大发光效率和半衰期上优于比较例的有机EL器件。
从结果可以发现，本发明有机EL器件的相邻主骨架之间的相互作用都得到了适当的降低。此外，还发现在本发明的有机EL器件中，空穴传输层与发光层之间的相互溶解也得到了适当的防止。
此外，实施例1B～18B中的每一个有机EL器件都显示出这样的一种趋势即相比于实施例1B’～6B’的有机EL器件，其最大发光效率都得到改善。这样的结果表明，在实施例1B-18B的有机EL器件中，由于添加了聚酯丙烯酸酯-基交联剂，因此相邻主骨架之间的间隔能够保持为更合适的间隔。
此外，实施例2B、5B、8B、11B、14B和17B的有机EL器件都显示出光亮度和最大发光效率得到进一步改善以及半衰期得到进一步延长的趋势，而所述这些有机EL器件都是由其中将上述通式(A1)所示化合物与聚酯丙烯酸酯-基交联剂以尤其优选的混合比进行混合的空穴传输材料形成的。
而且，如果评价结果是从取代基X这一观点进行评论，则存在的趋势是，其含有的这些取代基X在通式(A2)中每一个都具有合适n1值的实施例组合物，即，含有使相邻主骨架以合适间隔存在的这些取代基X的组合物，相比于不含这种取代基X的组合物，能够具有更优异的光亮度、最大发光效率和半衰期。
此外，除了使用取代基X的官能团为(甲基)丙烯酰基的化合物作为上述通式(A1)所示化合物以及使用聚酯甲基丙烯酸酯化合物作为聚酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂之外，以与实施例1B～18B相同的方式制备空穴传输材料，并且通过制备该空穴传输材料来制备有机EL器件。这些有机EL器件也以上述相同方式进行评价，因而，能够基本上得到相同的结果。
实施例1C～20C和比较例2C～7C中的每一个的测量值(即，光亮度、最大发光效率和半衰期)都是以比较例1C的测量值为基础，并且分别根据下列四个标准进行评价的。
A测量值为比较例1C的测量值的1.5倍以上。
B测量值为比较例1C的测量值的1.25倍以上，但小于1.5倍。
C测量值为比较例1C的测量值的1.00倍以上，但小于1.25倍。
D测量值为比较例1C的测量值的0.75倍以上，但小于1.00倍。
评价结果在所附的表3中示出。
如表3所示，实施例的所有有机EL器件(即，包含使用本发明导电材料作为主要材料形成的空穴传输层的有机EL器件)都在他们的光亮度、最大发光效率和半衰期上优于比较例的有机EL器件。
从结果可以发现，本发明有机EL器件的相邻主骨架之间的相互作用都得到了适当的降低。此外，还发现在本发明的有机EL器件中，空穴传输层与发光层之间的相互溶解也得到了适当的防止。
此外，实施例1C～20C中的每一个实施例的有机EL器件都显示出这样的一种趋势即相比于实施例1B’～6B’的有机EL器件，其最大发光效率都得到改善。这样的结果表明，由于添加了环氧(甲基)丙烯酸酯-基交联剂，因此相邻主骨架之间的间隔能够保持为更合适的间隔。
在这一点上，要注意的是，在环氧(甲基)丙烯酸酯-基交联剂的长度(即，这些取代基X之间的间隔)更合适的情况下，则存在最大发光效率得到更显著改善的趋势。
此外，实施例2C、7C、10C、13C、16C和19C的有机EL器件表现出光亮度和最大发光效率得到进一步改善并且半衰期得到进一步延长的趋势，所述的这些有机EL器件都是由其中将上述通式(A1)所示化合物与环氧丙烯酸酯-基交联剂以尤其优选混合比混合的空穴传输材料形成的。
而且，如果评价结果是从取代基X这一观点进行评论，则存在的趋势是，其含有的这些取代基X在通式(A2)中每一个都具有合适n1值的实施例组合物，即，含有使相邻主骨架以合适间隔存在的这些取代基X的组合物，相比于不含这种取代基X的组合物，能够具有更优异的光亮度、最大发光效率和半衰期。
此外，除了使用取代基X的官能团为(甲基)丙烯酰基的化合物作为上述通式(A1)所示化合物以及使用环氧甲基丙烯酸酯化合物作为环氧(甲基)丙烯酸酯-基交联剂之外，以与实施例1C～20C相同的方式制备空穴传输材料，并且通过制备该空穴传输材料来制备有机EL器件。这些有机EL器件也以上述相同方式进行评价，因而，能够基本上得到相同的结果。
实施例1D～20D和比较例2D～7D的每一个实施例和比较例的测量值(即，光亮度、最大发光效率和半衰期)都是以比较例1D的测量值为基础，并且分别根据下列四个标准进行评价的。
A测量值为比较例1D的测量值的1.5倍以上。
B测量值为比较例1D的测量值的1.25倍以上，但小于1.5倍。
C测量值为比较例1D的测量值的1.00倍以上，但小于1.25倍。
D测量值为比较例1D的测量值的0.75倍以上，但小于1.00倍。
评价结果在所附的表4中示出。
如表4所示，实施例的所有有机EL器件(即，包含使用本发明导电材料作为主要材料形成的空穴传输层的有机EL器件)都在他们的光亮度、最大发光效率和半衰期上优于比较例的有机EL器件。
从结果可以发现，本发明有机EL器件的相邻主骨架之间的相互作用都得到了适当的降低。此外，还发现在本发明的有机EL器件中，空穴传输层与发光层之间的相互溶解也得到了适当的防止。
此外，实施例1D～20D中的每一个有机EL器件都显示出这样的一种趋势即相比于实施例1B’～6B’的有机EL器件，其最大发光效率都得到改善。这样的结果表明，由于添加了氨基甲酸酯丙烯酸酯-基交联剂，因此相邻主骨架之间的间隔能够保持为更合适的间隔。
在这一点上，要注意的是，在氨基甲酸酯丙烯酸酯-基交联剂的长度(即，这些取代基X之间的间隔)更合适的情况下，则存在最大发光效率得到更显著改善的趋势。
此外，实施例2D、7D、10D、13D、16D和19D的有机EL器件表现出光亮度和最大发光效率得到进一步改善并且半衰期得到进一步延长的趋势，所述的这些有机EL器件都是由其中以尤其优选混合比混合有上述通式(A1)所示化合物与环氧(甲基)丙烯酸酯-基交联剂的空穴传输材料形成的。
而且，如果评价结果是从取代基X这一观点进行评论，则存在的趋势是，其含有的这些取代基X在通式(A2)中每一个都具有合适n1值的实施例组合物，即，含有使相邻主骨架以合适间隔存在的这些取代基X的组合物，相比于不含这种取代基X的组合物，能够具有更优异的光亮度、最大发光效率和半衰期。
此外，除了使用取代基X的官能团为(甲基)丙烯酰基的化合物作为上述通式(1A)所示化合物以及使用氨基甲酸酯甲基丙烯酸酯化合物作为氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂之外，以与实施例1D～20D相同的方式制备空穴传输材料，并且通过制备该空穴传输材料来制备有机EL器件。这些有机EL器件也以上述相同方式进行评价，因而，能够基本上得到相同的结果。
实施例1E～14E和比较例2E～4E的每一个实施例和比较例的测量值(即，光亮度、最大发光效率和半衰期)都是以比较例1E的测量值为基础，并且分别根据下列四个标准进行评价的。
A测量值为比较例1E的测量值的1.5倍以上。
B测量值为比较例1E的测量值的1.25倍以上，但小于1.5倍。
C测量值为比较例1E的测量值的1.00倍以上，但小于1.25倍。
D测量值为比较例1E的测量值的0.75倍以上，但小于1.00倍。
评价结果在所附的表5中示出。
如表5所示，实施例的所有有机EL器件(即，包含使用本发明导电材料作为主要材料形成的空穴传输层的有机EL器件)都在他们的光亮度、最大发光效率和半衰期上优于比较例的有机EL器件。
从结果可以发现，本发明有机EL器件的相邻主骨架之间的相互作用都得到了适当的降低。此外，还发现在本发明的有机EL器件中，空穴传输层与发光层之间的相互溶解也得到了适当的防止。
此外，如果评价结果是从取代基X这一观点进行评论，则存在的趋势是，其含有的这些取代基X在通式(A2)中每一个都具有合适n1值的实施例组合物，即，含有使相邻主骨架以合适间隔存在的这些取代基X的组合物，相比于不含这种取代基X的组合物，能够具有更优异的光亮度、最大发光效率和半衰期。
而且，通过适当选择用于分别构成空穴传输材料和电子传输材料的导电材料，即，通过适当选择上述通式(A1)所示化合物的基团Y，则在空穴传输层与电子传输层进行优选组合的实施例中的有机EL器件能够具有更优异的光亮度、最大发光效率和半衰期。
此外，除了使用取代基X的官能团为(甲基)丙烯酰基的化合物作为上述通式(A1)所示化合物之外，以与实施例1E～14E相同的方式制备空穴传输材料，并且通过制备该空穴传输材料来制备有机EL器件。这些有机EL器件也以上述相同方式进行评价，因而，能够基本上得到相同的结果。
实施例1F～18F、实施例1F’～14F’和比较例2F～4F的每一个实施例和比较例的测量值(即，光亮度、最大发光效率和半衰期)都是以比较例1F的测量值为基础，并且分别根据下列四个标准进行评价的。
A测量值为比较例1F的测量值的1.5倍以上。
B测量值为比较例1F的测量值的1.25倍以上，但小于1.5倍。
C测量值为比较例1F的测量值的1.00倍以上，但小于1.25倍。
D测量值为比较例1F的测量值的0.75倍以上，但小于1.00倍。
评价结果在所附的表6(A)和表6(B)中示出。
如表6(A)和表6(B)所示，实施例的所有有机EL器件(即，包含使用本发明导电材料作为主要材料形成的空穴传输层的有机EL器件)都在他们的光亮度、最大发光效率和半衰期上优于比较例的有机EL器件。
从结果可以发现，本发明有机EL器件的相邻主骨架之间的相互作用都得到了适当的降低。此外，还发现在本发明的有机EL器件中，空穴传输层与发光层之间的相互溶解也得到了适当的防止。
此外，实施例1F～18F的有机EL器件的每一个相比于实施例1F’～14F’的有机EL器件表现出其最大发光效率得到改善的趋势。在这一点上，要注意的是，这种趋势在由其中上述通式(A1)所示化合物与聚酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂以1∶1混合比混合的空穴传输材料形成的有机EL器件中得到了明显证实。这种结果表明，由于添加了聚酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂，因此相邻主骨架之间的间隔能够保持更合适的间隔。
此外，如果评价结果是从取代基X这一观点进行评论，则存在的趋势是，其含有的这些取代基X每一个在通式(A2)中都具有合适n1值的实施例组合物，即，含有使相邻主骨架以合适间隔存在的取代基X的组合物，相比于不含这种取代基X的组合物，能够具有更优异的光亮度、最大发光效率和半衰期。
而且，通过适当选择用于分别构成空穴传输材料和电子传输材料的导电材料，即，通过适当选择上述通式(A1)所示化合物的基团Y，则在空穴传输层与电子传输层进行优选组合的实施例中的有机EL器件能够具有更优异的光亮度、最大发光效率和半衰期。
此外，除了使用取代基X的官能团为(甲基)丙烯酰基的化合物作为上述通式(A1)所示化合物以及使用聚酯甲基丙烯酸酯化合物作为聚酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂之外，以与实施例1F～18F和实施例1F’～14F’相同的方式制备空穴传输材料，并且通过制备该空穴传输材料来制备有机EL器件。这些有机EL器件也以上述相同方式进行评价，因而，能够基本上得到相同的结果。
实施例1G～20G和比较例2G～4G的每一个实施例和比较例的测量值(即，光亮度、最大发光效率和半衰期)都是以比较例1G的测量值为基础，并且分别根据下列四个标准进行评价的。
A测量值为比较例1G的测量值的1.5倍以上。
B测量值为比较例1G的测量值的1.25倍以上，但小于1.5倍。
C测量值为比较例1G的测量值的1.00倍以上，但小于1.25倍。
D测量值为比较例1G的测量值的0.75倍以上，但小于1.00倍。
评价结果在所附的表7(A)和表7(B)中示出。
如表7(A)和表7(B)所示，实施例的所有有机EL器件(即，包含使用本发明导电材料作为主要材料形成的空穴传输层的有机EL器件)都在他们的光亮度、最大发光效率和半衰期上优于比较例的有机EL器件。
从结果可以发现，本发明有机EL器件的相邻主骨架之间的相互作用都得到了适当的降低。此外，还发现在本发明的有机EL器件中，空穴传输层与发光层之间的相互溶解也得到了适当的防止。
此外，实施例1G～20G的有机EL器件每一个都相比于实施例1F’～14F’的有机EL器件表现出其最大发光效率得到改善的趋势。在这一点上，要注意的是，这种趋势在由其中上述通式(A1)所示化合物与环氧(甲基)丙烯酸酯-基交联剂以1∶1混合比混合的空穴传输材料形成的有机EL器件中得到了明显证实。这种结果表明，由于添加了环氧(甲基)丙烯酸酯-基交联剂，因此相邻主骨架之间的间隔能够保持更合适的间隔。
在这一点上，要注意的是，如果环氧丙烯酸酯-基交联剂的长度(即，这些取代基X之间的间隔)更合适，则存在最大发光效率得到更显著改善的趋势。
此外，如果评价结果是从取代基X这一观点进行评论，则存在的趋势是，其含有的这些取代基X各自在通式(A2)中都具有合适n1值的实施例组合物，即，含有使相邻主骨架以合适间隔存在的这些取代基X的组合物，相比于不含这种取代基X的组合物，能够具有更优异的光亮度、最大发光效率和半衰期。
而且，通过适当选择用于分别构成空穴传输材料和电子传输材料的导电材料，即，通过适当选择上述通式(A1)所示化合物的基团Y，则在空穴传输层与电子传输层进行优选组合的实施例中的有机EL器件能够具有更优异的光亮度、最大发光效率和半衰期。
此外，除了使用取代基X的官能团为(甲基)丙烯酰基的化合物作为上述通式(A1)所示化合物以及使用环氧甲基丙烯酸酯化合物作为环氧(甲基)丙烯酸酯-基交联剂之外，以与实施例1G～20G相同的方式制备空穴传输材料，并且通过制备该空穴传输材料来制备有机EL器件。这些有机EL器件也以上述相同方式进行评价，因而，能够基本上得到相同的结果。
实施例1H～20H和比较例2H～4H的每一个实施例和比较例的测量值(即，光亮度、最大发光效率和半衰期)都是以比较例1H的测量值为基础，并且分别根据下列四个标准进行评价的。
A测量值为比较例1H的测量值的1.5倍以上。
B测量值为比较例1H的测量值的1.25倍以上，但小于1.5倍。
C测量值为比较例1H的测量值的1.00倍以上，但小于1.25倍。
D测量值为比较例1H的测量值的0.75倍以上，但小于1.00倍。
评价结果在所附的表8(A)和表8(B)中示出。
如表8(A)和表8(B)所示，实施例的所有有机EL器件(即，包含使用本发明导电材料作为主要材料形成的空穴传输层的有机EL器件)都在他们的光亮度、最大发光效率和半衰期上优于比较例的有机EL器件。
从结果可以发现，本发明有机EL器件的相邻主骨架之间的相互作用都得到了适当的降低。此外，还发现在本发明的有机EL器件中，空穴传输层与发光层之间的相互溶解也得到了适当的防止。
此外，实施例1H～20H的有机EL器件相比于实施例1F’～14F’的有机EL器件表现出其最大发光效率得到改善的趋势。在这一点上，要注意的是，这种趋势在由其中上述通式(A1)所示化合物与氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂以1∶1混合比混合的空穴传输材料形成的有机EL器件中得到了明显证实。这种结果表明，由于添加了氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂，因此相邻主骨架之间的间隔能够保持更合适的间隔。
在这一点上，要注意的是，如果氨基甲酸酯丙烯酸酯-基交联剂的长度(即，这些取代基X之间的间隔)更合适，则存在最大发光效率得到更显著改善的趋势。
此外，如果评价结果是从取代基X这一观点进行评论，则存在的趋势是，其含有的这些取代基X在通式(A2)中各自都具有合适n1值的实施例组合物，即，含有使相邻主骨架以合适间隔存在的这些取代基X的组合物，相比于不含这种取代基X的组合物，能够具有更优异的光亮度、最大发光效率和半衰期。
而且，通过适当选择用于分别构成空穴传输材料和电子传输材料的导电材料，即，通过适当选择上述通式(A1)所示化合物的基团Y，则在空穴传输层与电子传输层进行优选组合的实施例中的有机EL器件能够具有更优异的光亮度、最大发光效率和半衰期。
此外，除了使用取代基X的官能团为(甲基)丙烯酰基的化合物作为上述通式(A1)所示化合物以及使用氨基甲酸酯甲基丙烯酸酯化合物作为氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂之外，以与实施例1H～20H相同的方式制备空穴传输材料，并且通过制备该空穴传输材料来制备有机EL器件。这些有机EL器件也以上述相同方式进行评价，因而，能够基本上得到相同的结果。
4.有机TFT的制备在下列每一个实施例和比较例中，都制备5个有机TFT。
(实施例1I)<有机半导体材料的制备>
采用化合物(KII)作为芳基胺衍生物，并且将重量比为95∶5的化合物(KII)和自由基聚合引发剂(Nagase & Go.，Ltd.生产的“Irgacure 651”)与二氯乙烷混合，以得到有机半导体材料(即，导电材料用组合物)。
<有机TFT的制备>
1E首先，制备平均厚度为1mm的玻璃基底，然后用水(即，用清洁流体)洗涤。
接着，通过旋涂法，将光刻胶涂敷在玻璃基底上，然后，光刻胶预烘焙，以形成膜。
接着，膜用穿过光掩模的紫外线照射(或曝光)，再进行显影。以这样的方式，形成具有将源极和漏极安置于其中的开口的抗蚀剂层。
2E接着，通过喷墨法，将水性金胶体溶液供应给开口。然后，加热，将已供应有水性金胶体溶液的玻璃基底进行干燥，以得到源极和漏极。
3E接着，抗蚀剂层用氧等离子体处理除去。然后，其上已形成有源极和漏极的玻璃基底用水洗涤，再用甲醇洗涤。
4E接着，通过旋涂法，将所制备的有机半导体材料涂敷到基底上，再进行干燥。
然后，在大气氛下，用汞灯(“UM-452”，USHIO Inc.)发出且经过滤光器的紫外线辐照有机半导体材料400秒，使化合物(KII)聚合，以在玻璃基底上形成平均厚度为50nm的有机半导体层，其中所述紫外线的波长为185nm，其辐照强度为3mW/cm2。
5E接着，通过旋涂法，将聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的乙酸丁酯溶液涂敷到有机半导体层上，干燥，形成平均厚度为500nm的门绝缘层。
6E接着，通过喷墨法，将聚亚乙基二氧噻吩的水分散体涂敷到门绝缘层的区域上，该区域相应于源极与漏极之间区域，然后干燥，形成平均厚度为100nm的门极。
这样，就制备出了有机TFT。
(实施例2I～8I)在实施例2I～8I的每一个实施例中，除了采用表9所示的那些作为用于制备有机半导体材料的芳基胺衍生物之外，以与实施例1I相同的方式制备有机半导体材料之后，再制备有机TFT。
(比较例1I)<有机半导体材料的制备>
将化合物(SII)溶解于二氯乙烷中，以制备有机半导体材料。
<有机TFT的制备>
除了将有机半导体材料改变成在步骤4E中制备的有机半导体材料以及在步骤4E中不使用来自汞灯的紫外线辐照有机半导体材料之外，以与实施例1I相同的方式制备有机TFT。
(比较例2I)<有机半导体材料的制备>
采用化合物(SII)作为芳基胺衍生物、聚酯丙烯酸酯-基交联剂(TOAGOSEI CO.，LTD.生产的“ARONIX M-8030”)作为光交联剂，并且将重量比为30∶65∶5的化合物(SII)、聚酯丙烯酸酯-基交联剂和自由基聚合引发剂(Nagase & Co.，Ltd.生产的“Irgacure 651”)与二氯乙烷混合，以得到有机半导体材料。
<有机TFT的制备>
除了采用在本比较例中制备的有机半导体材料用作有机半导体材料之外，以与实施例1I相同的方式制备有机TFT。
(比较例3I)除了使用化合物(OII)作为用于制备有机半导体材料的芳基胺衍生物以及使用表2所示化合物之外，以与实施例1I相同的方式制备有机半导体材料后，再制备有机TFT。
(实施例1J)<有机半导体材料的制备>
采用化合物(KII)作为芳基胺衍生物、交联剂A1作为丙烯酸酯-基交联剂以及自由基聚合引发剂(Nagase & Co.，Ltd.生产的“Irgacure 651”)作为光聚合引发剂，然后将它们溶解于二氯乙烷中，以得到有机半导体材料(即，导电材料用组合物)。
在这一点上，要注意的是，化合物(KII)与交联剂A1的混合比以摩尔比计为17∶2，自由基聚合引发剂与化合物(KII)和交联剂A1重量之和的重量比为19∶1。
<有机TFT的制备>
1F首先，以与上述步骤1E相同的方式，在玻璃基底上形成具有其中用于安置源极和漏极的开口的抗蚀剂层。
2F接着，以与上述步骤2E相同的方式，在基底上形成源极和漏极。
3F接着，以与上述步骤3E相同的方式，除去抗蚀剂层，然后用水洗涤已经在其上形成源极和漏极的玻璃基底。
4F接着，以与上述步骤4E相同的方式，通过旋涂法将所制备的有机半导体材料涂敷在基底上，然后进行干燥。
然后，在大气压下，用汞灯(“UM-452”，USHIO Inc.)发出且经过滤光器的紫外线辐照有机半导体材料300秒，使化合物(KII)和交联剂A1聚合，以在玻璃基底上形成平均厚度为50nm的有机半导体层，其中所述紫外线的波长为185nm，其辐照强度为2mW/cm2。
5F接着，以与上述步骤5E相同的方式，在有机半导体层上形成平均厚度为500nm的门绝缘层。
6F接着，以与上述步骤5F相同的方式，在门绝缘层的区域上形成平均厚度为100nm的门极，该区域相应于源极与漏极之间的区域。
(实施例2J～10J)
在实施例2J～10J的每一个实施例中，除了将用于制备有机半导体材料的芳基胺衍生物以及芳基胺衍生物与交联剂A1的混合比(摩尔比)改变成表10所示那样之外，以与实施例1J相同的方式制备有机半导体材料之后，再制备有机TFT。
(实施例1J’～8J’)在实施例1J’～8J’的每一个实施例中，除了省去将交联剂A1加入有机半导体材料以及将用于制备有机半导体材料的芳基胺衍生物改变成表10所示那样之外，以与实施例1J相同的方式制备有机半导体材料之后，再制备有机TFT。
(比较例1J)以与比较例1I相同的方式制备有机TFT。
(比较例2J和3J)在实施例2J和3J的每一个中，除了将用于制备有机半导体材料的芳基胺衍生物改变成表10所示的化合物之外，以与实施例2J相同的方式制备有机半导体材料之后，再制备有机TFT。
(实施例1K)除了采用交联剂A2用作代替交联剂A1的丙烯酸交联剂之外，以与实施例1J相同的方式制备有机半导体材料，之后制备有机TFT。
(实施例2K和3K)在实施例2K和3K的每一个中，除了将用于制备有机半导体材料的芳基胺衍生物与交联剂A2的混合比(摩尔比)改变成表11所示之外，以与实施例1I相同的方式制备有机半导体材料之后，再制备有机TFT。
(实施例4K)除了采用将其中n6为5且两个A1都为氢原子的交联剂B2作为由上述通式(B4)所示并且被加入有机半导体材料中以代替交联剂A2的环氧丙烯酸酯-基交联剂之外，以与实施例1K相同的方式制备有机半导体材料之后，再制备有机TFT。
(实施例5K)除了采用将其中n6为12且两个A1都为氢原子的交联剂C2作为由上述通式(B4)所示并且被加入有机半导体材料中以代替交联剂A2的环氧丙烯酸酯-基交联剂之外，以与实施例1K相同的方式制备有机半导体材料之后，再制备有机TFT。
(实施例6K～12K)在实施例6K～12K的每一个中，除了将用于制备有机半导体材料的芳基胺衍生物以及芳基胺衍生物与交联剂A2的混合比(摩尔比)改变成表11所示那样之外，以与实施例1K相同的方式制备有机半导体材料之后，再制备有机TFT。
(比较例1K)以与比较例1I相同的方式制备有机TFT。
(比较例2K和3K)在比较例2K和3K的每一个中，除了将采用表11所示那些作为用于制备有机半导体材料的芳基胺衍生物之外，以与实施例2K相同的方式制备有机半导体材料之后，再制备有机TFT。
(实施例1L)除了将交联剂A3用作用于代替交联剂A1的丙烯酸交联剂之外，以与实施例1J相同的方式制备有机半导体材料之后，再制备有机TFT。
(实施例2L和3L)在实施例2L和3L的每一个中，除了将用于制备有机半导体材料的芳基胺衍生物与交联剂A3的混合比(摩尔比)改变成表12所示那样之外，以与实施例1L相同的方式制备有机半导体材料之后，再制备有机TFT。
(实施例4L)除了采用将其中n10为60～70且两个A1都为氢原子的交联剂B3作为由上述通式(B10)所示并且被加入有机半导体材料中以代替交联剂A3的氨基甲酸酯丙烯酸酯-基交联剂之外，以与实施例1L相同的方式制备有机半导体材料之后，再制备有机TFT。
(实施例5L)除了采用将其中n10为120～140且两个A1都为氢原子的交联剂C3作为由上述通式(B10)所示并且被加入有机半导体材料中以代替交联剂A3的氨基甲酸酯丙烯酸酯-基交联剂之外，以与实施例1L相同的方式制备有机半导体材料之后，再制备有机TFT。
(实施例6L～12L)在实施例6L～12L的每一个中，除了将用于制备有机半导体材料的芳基胺衍生物以及芳基胺衍生物与交联剂A3的混合比(摩尔比)改变成表12所示那样，以与实施例1L相同的方式制备有机半导体材料之后，再制备有机TFT。
(比较例1L)以与比较例1I相同的方式制备有机TFT。
(比较例2L和3L)在比较例2L和3L的每一个中，除了将表12所示化合物用作用于制备有机半导体材料的芳基胺衍生物之外，以与实施例2L相同的方式制备有机半导体材料之后，再制备有机TFT。
5.有机TFT的评价测量在实施例和比较例中制备的每一个有机TFT的关状态电流以及开状态电流。
此处，术语“关状态电流”表示没有施加门电压时在源极与漏极之间流动的电流值，而术语“开状态电流”表示施加门电压时在源极与漏极之间流动的电流值。
因此，开状态电流的绝对值与关状态电流的绝对值之比(下文中，简称作“开/关比值”)越大，表示有机TFT具有越好的特性。
关状态电流是在源极与漏极之间的电势差为30V时测量的，而开状态电流是在源极与漏极之间的电势差为30V并且门电压的绝对值为40V时测量的。
每一个实施例和比较例的开/关比值都是根据下列四个标准进行评价的。
A开/关比值为104以上。
B开/关比值为103以上，但小于104。
C开/关比值为102以上，但小于103。
D开/关比值为小于102。
评价结果在表9～表12中示出。
如表9所示，在实施例中得到的所有有机TFT的开/关比值都比在比较例中得到的有机TFT的开/关比值大。这意味着实施例的所有有机TFT都具有更好的特性。
从结果可发现，相邻主骨架之间的相互作用得到了适当的降低。此外，也很明显，在本发明的有机EL器件中，有机半导体层和门绝缘层的相互溶解也得到了适当的防止。
此外，如果评价结果是从取代基X这一观点进行评论，则存在的趋势是，其含有的这些取代基X各自在通式(A2)中都具有合适n1值的实施例组合物，即，含有使相邻主骨架以合适间隔存在的这些取代基X的组合物，开/关比值得到更大的提高，即，有机TFT的特性得到进一步的改善。
此外，除了将其中取代基X具有作为功能基的甲基丙烯酰基的化合物用作上述通式(A1)所示化合物之外，以与实施例1I～8I的相同方式制备有机半导体材料之后，再制备有机TFT。然后，这些有机TFT都以上述相同方式进行评价，因而，得到表11所示的相同结果。
此外，如表10所示，在实施例中得到的所有有机TFT的开/关比值都比在比较例中得到的有机TFT的开/关比值大。这意味着实施例的所有有机TFT都具有更好的特性。
从结果可发现，相邻主骨架之间的相互作用得到了适当的降低。此外，也很明显，在本发明的有机TFT中，有机半导体层和门绝缘层之间的相互溶解也得到了适当的防止。
此外，存在的趋势是，实施例1J～10J的有机TFT在开/关比值上相比于实施例1J’～8J’的有机TFT都得到了改善。这种情况表明，聚酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂的加入使相邻主骨架以更合适的间隔存在。
此外，如果评价结果是从取代基X这一观点进行评论，则存在的趋势是，其含有的这些取代基X各自在通式(A2)中都具有合适n1值的实施例组合物，即，含有使相邻主骨架以合适间隔存在的取代基X的组合物，其开/关比值得到更大的提高，即，有机TFT的特性得到进一步的改善。
此外，除了将取代基X具有作为官能团的甲基丙烯酰基的化合物用作上述通式(A1)所示的化合物以及将聚酯甲基丙烯酸酯化合物用作聚酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂之外，以与实施例1J～10J和实施例1J’～8J’相同的方式制备有机半导体材料之后，再制备有机TFT。然后，以上述相同方式评价这些有机TFT，因而，得到表12所示的相同结果。
此外，如表11所示，在实施例中得到的所有有机TFT的开/关比值都比在比较例中得到的有机TFT的开/关比值大。这意味着实施例的所有有机TFT都具有更好的特性。
从结果可发现，相邻主骨架之间的相互作用得到了适当的降低。此外，也很明显，在本发明的有机TFT中，有机半导体层和门绝缘层的相互溶解也得到了适当的防止。
此外，存在的趋势是，实施例1K～12K的有机TFT在开/关比值上相比于参考实施例1J’～8J’的有机TFT都得到了改善。这种情况表明，环氧(甲基)丙烯酸酯-基交联剂的加入使相邻主骨架以更合适的间隔存在。
在这一点上，要注意的是，如果环氧丙烯酸酯-基交联剂的长度(即，这些取代基X之间的间隔)更恰当，则存在开/关比值得到更显著改善的趋势。
此外，如果评价结果是从取代基X这一观点进行评论，则存在的趋势是，其含有的这些取代基X各自在通式(A2)中都具有合适n1值的实施例组合物，即，含有使相邻主骨架以合适间隔存在的取代基X的组合物，能够更大地提高开/关比值，即，有机TFT的特性得到进一步的改善。
此外，除了将取代基X具有作为官能团的甲基丙烯酰基的化合物用作上述通式(A1)所示的化合物以及将环氧甲基丙烯酸酯化合物用作环氧(甲基)丙烯酸酯-基交联剂之外，以与实施例1K～12K相同的方式制备有机半导体材料之后，再制备有机TFT。然后，以上述相同方式评价这些有机TFT，因而，得到表10所示的相同结果。
而且，如表12所示，在实施例中得到的所有有机TFT的开/关比值都比在比较例中得到的有机TFT的开/关比值大。这意味着实施例的所有有机TFT都具有更好的特性。
从结果可发现，相邻主骨架之间的相互作用得到了适当的降低。此外，也很明显，在本发明的有机EL器件中，有机半导体层和门绝缘层之间的相互溶解也得到了适当的防止。
此外，存在的趋势是，实施例1L～12L的有机TFT在开/关比值上相比于参考实施例1J’～8J’的有机TFT都得到了改善。这种情况表明，氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂的加入使相邻主骨架以更合适的间隔存在。
在这一点上，要注意的是，如果氨基甲酸酯丙烯酸酯-基交联剂的长度(即，这些取代基X之间的间隔)更恰当，则存在开/关比值得到更显著改善的趋势。
此外，如果评价结果是从取代基X这一观点进行评论，则存在的趋势是，其含有的这些取代基X各自在通式(A2)中都具有合适n1值的实施例组合物，即，含有使相邻主骨架以合适间隔存在的取代基X的组合物，能够更大地提高开/关比值，即，有机TFT的特性得到进一步的改善。
此外，除了将取代基X具有作为官能团的甲基丙烯酰基的化合物用作上述通式(A1)所示的化合物以及将氨基甲酸酯甲基丙烯酸酯化合物用作氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂之外，以与实施例1L～12L相同的方式制备有机半导体材料之后，再制备有机TFT。然后，以上述相同方式评价这些有机TFT，因而，得到表10所示的相同结果。
工业可适用性根据本发明，含有所述导电材料的聚合物具有这样的一种结构化合物的相邻主骨架是通过由该化合物的相应取代基X1、取代基X2、取代基X3和取代基X4中的任意一个以上之间的直接聚合反应产生的化学结构或由化合物的这些相应取代基X之间通过丙烯酸交联剂的聚合反应产生的化学结构重复连接而成的，即，其中相邻主骨架以合适间隔重复存在的一种结构。因此，能够降低该聚合物的相邻主骨架之间的相互作用。此外，通过由这样的聚合物形成导电层的组分材料，当使用液体材料在导电层上形成上层时，能够适当地抑制或防止该聚合物被包含在该液体材料中的溶剂或分散介质溶胀或溶解。因而，能够防止导电层和被形成的上层之间发生相互溶解。由于这些原因，聚合物能够表现出高的载流子传输能力，因而由该聚合物作为其主要材料构成的导电材料也能够具有高的载流子传输能力。因而，安置有这种导电层的电子器件和安置有这种电子器件的电子装置都能够具有高的可靠性。因此，本发明具有PCT所需要的工业可适用性。
表1

表2

-没有加入交联剂A1。
*1对于丙烯酸交联剂，采用通式(B1)(其中n3为10～15，并且两个A1都是氢原子)所示的聚酯丙烯酸酯-基交联剂。下文中，这种交联剂被称作“交联剂A1”。
表3

-没有加入交联剂A2。
*2对于丙烯酸交联剂，是采用通式(B4)(其中，n6为1，并且两个A1都为氢原子)所示的环氧丙烯酸酯-基交联剂，下文中，这种交联剂将被称作“交联剂A2”。
*3采用交联剂B2(n6为5)代替交联剂A2(n6为1)。
*4采用交联剂C2(n6为12)代替交联剂A2(n6为1)。
表4

-没有加入交联剂A3。
*5对于丙烯酸交联剂，是使用通式(B10)(其中，n10为20～30，并且两个A1都是氢原子)所示的氨基甲酸酯丙烯酸酯-基交联剂。下文中，这种交联剂将被称作“交联剂A3”。
*6使用交联剂B3(n10为60～70)代替交联剂A3(n10为20～30)。
*7使用交联剂C3(n10为120～140)代替交联剂A3(n10为20～30)。
表5

表8(B)

-没有加入交联剂A2。
*5对于丙烯酸交联剂，是使用通式(B10)(其中，n10为20～30，并且两个A1都是氢原子)所示的氨基甲酸酯丙烯酸酯-基交联剂，即使用交联剂A3。
表6(B)

-没有加入交联剂A1。
*1对于丙烯酸交联剂，是使用通式(B1)(其中，n3为10～15，并且两个A1都是氢原子)所示的聚酯丙烯酸酯-基交联剂，即使用交联剂A1。
表7(A)

*2对于丙烯酸交联剂，是使用通式(B4)(其中，n6为1，并且两个A1都是氢原子)所示的环氧丙烯酸酯-基交联剂，即使用交联剂A2。
*3采用交联剂B2(n6为5)代替交联剂A2(n6为1)。
*4采用交联剂C2(n6为12)代替交联剂A2(n6为1)。
表7(B)

-没有加入交联剂A2。
*2对于丙烯酸交联剂，是使用通式(B4)(其中，n6为1，并且两个A1都是氢原子)所示的环氧丙烯酸酯-基交联剂，即使用交联剂A2。
表8(A)

*5对于丙烯酸交联剂，是使用通式(B10)(其中，n10为20～30，并且两个A1都是氢原子)所示的氨基甲酸酯丙烯酸酯-基交联剂，即使用交联剂A3。
*6采用交联剂B3(n10为60～70)代替交联剂A3(n10为20～30)。
*7采用交联剂C3(n10为120～140)代替交联剂A3(n10为20～30)。
表8(B)

-没有加入交联剂A2。
*5对于丙烯酸交联剂，是使用通式(B10)(其中，n10为20～30，并且两个A1都是氢原子)所示的氨基甲酸酯丙烯酸酯-基交联剂，即使用交联剂A3。
表9

表10

-没有加入交联剂A1。
*1对于丙烯酸交联剂，是使用通式(B1)(其中，n3为10～15，并且两个A1都是氢原子)所示的聚酯丙烯酸酯-基交联剂，即使用交联剂A1。
表11

-没有加入交联剂A2。
*2对于丙烯酸交联剂，是使用通式(B4)(其中，n6为1，并且两个A1都是氢原子)所示的环氧丙烯酸酯-基交联剂，即使用交联剂A2。
*3使用交联剂B2(n6为5)代替交联剂A2(n6为1)。
*4使用交联剂C2(n6为12)代替交联剂A2(n6为1)。
表12

-没有加入交联剂A3。
*5对于丙烯酸交联剂，是使用通式(B10)(其中，n10为20～30，并且两个A1都是氢原子)所示的氨基甲酸酯丙烯酸酯-基交联剂，即使用交联剂A3。
*6使用交联剂B3(n10为60～70)代替交联剂A3(n10为20～30)。
*7使用交联剂C3(n10为120～140)代替交联剂A3(n10为20～30)。
权利要求
1.一种导电材料用组合物，其包括下列通式(A1)所示的化合物 其中，8个R可以相同或不同，并且各自独立地表示氢原子、甲基或乙基，Y表示含有至少一个取代或未取代的芳烃环或者取代或未取代杂环的基团，而X1、X2、X3和X4可以相同或不同，并且各自独立地表示由下列通式(A2)所示的取代基 其中，n1为2～8的整数，而Z1表示氢原子或甲基。
2.如权利要求1所要求的导电材料用组合物，其中所述基团Y包含至少一个取代或未取代的芳烃环。
3.如权利要求2所要求的导电材料用组合物，其中所述取代基X1和取代基X3是彼此相同的。
4.如权利要求2所要求的导电材料用组合物，其中所述取代基X2和取代基X4是彼此相同的。
5.如权利要求2所要求的导电材料用组合物，其中所述取代基X1、取代基X2、取代基X3和取代基X4是彼此相同的。
6.如权利要求2所要求的导电材料用组合物，其中所述取代基X1、取代基X2、取代基X3和取代基X4中的每一个都被连接到苯环的3-、4-或5-位上。
7.如权利要求2所要求的导电材料用组合物，其中所述基团Y由碳原子和氢原子构成。
8.如权利要求2所要求的导电材料用组合物，其中所述基团Y总共包含6～30个碳原子。
9.如权利要求2所要求的导电材料用组合物，其中所述基团Y包含1～5个芳烃环。
10.如权利要求2所要求的导电材料用组合物，其中所述基团Y是亚联苯基或其衍生物。
11.如权利要求2所要求的导电材料用组合物，进一步包含丙烯酸交联剂。
12.如权利要求11所要求的导电材料用组合物，其中所述丙烯酸交联剂主要包含聚酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂。
13.如权利要求12所要求的导电材料用组合物，其中所述聚酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂包含至少两个(甲基)丙烯酰基。
14.如权利要求12所要求的导电材料用组合物，其中所述聚酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂包含作为其主要组分并且由下列通式(B1)所示的化合物 其中，n3为4,500以下的整数，而两个A1可以相同或不同，并且各自独立地表示氢原子或甲基。
15.如权利要求12所要求的导电材料用组合物，其中所述取代基X1和取代基X3是彼此相同的。
16.如权利要求12所要求的导电材料用组合物，其中所述取代基X2和取代基X4是彼此相同的。
17.如权利要求12所要求的导电材料用组合物，其中所述取代基X1、取代基X2、取代基X3和取代基X4是彼此相同的。
18.如权利要求12所要求的导电材料用组合物，其中所述取代基X1、取代基X2、取代基X3和取代基X4中的每一个都被连接到苯环的3-、4-或5-位上。
19.如权利要求12所要求的导电材料用组合物，其中所述基团Y由碳原子和氢原子构成。
20.如权利要求12所要求的导电材料用组合物，其中所述基团Y总共包含6～30个碳原子。
21.如权利要求12所要求的导电材料用组合物，其中所述基团Y包含1～5个芳烃环。
22.如权利要求12所要求的导电材料用组合物，其中所述基团Y为亚联苯基或其衍生物。
23.如权利要求11所要求的导电材料用组合物，其中所述丙烯酸交联剂主要包含环氧(甲基)丙烯酸酯-基交联剂。
24.如权利要求23所要求的导电材料用组合物，其中所述环氧(甲基)丙烯酸酯-基交联剂包含至少两个(甲基)丙烯酰基。
25.如权利要求23所要求的导电材料用组合物，其中所述环氧(甲基)丙烯酸酯-基交联剂包含作为其主要组分并且由下列通式(B4)所示的化合物 其中，n6为1～10的整数，两个A1可以相同或不同，并且各自独立地表示氢原子或甲基。
26.如权利要求23所要求的导电材料用组合物，其中所述取代基X1和取代基X3是彼此相同的。
27.如权利要求23所要求的导电材料用组合物，其中所述取代基X2和取代基X4是彼此相同的。
28.如权利要求23所要求的导电材料用组合物，其中所述取代基X1、取代基X2、取代基X3和取代基X4是彼此相同的。
29.如权利要求23所要求的导电材料用组合物，其中所述取代基X1、取代基X2、取代基X3和取代基X4中的每一个都被连接到苯环的3-、4-或5-位上。
30.如权利要求23所要求的导电材料用组合物，其中所述基团Y由碳原子和氢原子构成。
31.如权利要求23所要求的导电材料用组合物，其中所述基团Y总共包含6～30个碳原子。
32.如权利要求23所要求的导电材料用组合物，其中所述基团Y包含1～5个芳烃环。
33.如权利要求23所要求的导电材料用组合物，其中所述基团Y为亚联苯基或其衍生物。
34.如权利要求11所要求的导电材料用组合物，其中所述丙烯酸交联剂主要包含氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂。
35.如权利要求34所要求的导电材料用组合物，其中所述氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂主要包含芳族氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂、脂环族氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂和脂肪族氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂中的至少一种。
36.如权利要求34所要求的导电材料用组合物，其中所述氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂包含至少两个(甲基)丙烯酰基。
37.如权利要求34所要求的导电材料用组合物，其中所述氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂包含作为其主要组分并且由下列通式(B9)所示的化合物 其中，n8为1～100的整数，而两个A1可以相同或不同，并且各自独立地表示氢原子或甲基，而两个A2可以相同或不同，并且各自独立地表示通过将二异氰酸酯化合物的两个异氰酸酯基除去得到的基团。
38.如权利要求37所要求的导电材料用组合物，其中所述氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂包含作为其主要组分并且由下列通式(B10)所示的化合物 其中，n10为1～90的整数，而两个A1可以相同或不同，并且各自独立地表示氢原子或甲基。
39.如权利要求34所要求的导电材料用组合物，其中所述取代基X1和取代基X3是彼此相同的。
40.如权利要求34所要求的导电材料用组合物，其中所述取代基X2和取代基X4是彼此相同的。
41.如权利要求34所要求的导电材料用组合物，其中所述取代基X1、取代基X2、取代基X3和取代基X4是彼此相同的。
42.如权利要求34所要求的导电材料用组合物，其中所述取代基X1、取代基X2、取代基X3和取代基X4中的每一个都被连接到苯环的3-、4-或5-位上。
43.如权利要求34所要求的导电材料用组合物，其中所述基团Y由碳原子和氢原子构成。
44.如权利要求34所要求的导电材料用组合物，其中所述基团Y总共包含6～30个碳原子。
45.如权利要求34所要求的导电材料用组合物，其中所述基团Y包含1～5个芳烃环。
46.如权利要求34所要求的导电材料用组合物，其中所述基团Y为亚联苯基或其衍生物。
47.如权利要求1所要求的导电材料用组合物，其中所述基团Y包含至少一个取代或未取代的杂环。
48.如权利要求47所要求的导电材料用组合物，其中所述取代基X1和取代基X3是彼此相同的。
49.如权利要求47所要求的导电材料用组合物，其中所述取代基X2和取代基X4是彼此相同的。
50.如权利要求47所要求的导电材料用组合物，其中所述取代基X1、取代基X2、取代基X3和取代基X4是彼此相同的。
51.如权利要求47所要求的导电材料用组合物，其中所述取代基X1、取代基X2、取代基X3和取代基X4中的每一个都被连接到苯环的3-、4-或5-位上。
52.如权利要求47所要求的导电材料用组合物，其中所述杂环包含选自由氮、氧、硫、硒和碲组成的组中的至少一个杂原子。
53.如权利要求47所要求的导电材料用组合物，其中所述杂环为芳杂环。
54.如权利要求47所要求的导电材料用组合物，其中所述基团Y包含1～5个杂环。
55.如权利要求47所要求的导电材料用组合物，其中所述基团Y除杂环之外还包含至少一个取代或未取代芳烃环。
56.如权利要求55所要求的导电材料用组合物，其中所述基团Y包含两个被分别直接连接到通式(A1)的各个N上的芳烃环以及至少一个存在于这些芳烃环之间的杂环。
57.如权利要求47所要求的导电材料用组合物，其中所述基团Y总共包含2～75个碳原子。
58.如权利要求47所要求的导电材料用组合物，进一步包含丙烯酸交联剂。
59.如权利要求58所要求的导电材料用组合物，其中所述丙烯酸交联剂主要包含聚酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂。
60.如权利要求59所要求的导电材料用组合物，其中所述聚酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂包含至少两个(甲基)丙烯酰基。
61.如权利要求59所要求的导电材料用组合物，其中所述聚酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂包含作为其主要组分并且由下列通式(B1)所示的化合物 其中，n3为4,500以下的整数，而且两个A1可以相同或不同，并各自独立地表示氢原子或甲基。
62.如权利要求59所要求的导电材料用组合物，其中所述取代基X1和取代基X3是彼此相同的。
63.如权利要求59所要求的导电材料用组合物，其中所述取代基X2和取代基X4是彼此相同的。
64.如权利要求59所要求的导电材料用组合物，其中所述取代基X1、取代基X2、取代基X3和取代基X4是彼此相同的。
65.如权利要求59所要求的导电材料用组合物，其中所述取代基X1、取代基X2、取代基X3和取代基X4中的每一个都被连接到苯环的3-、4-或5-位上。
66.如权利要求59所要求的导电材料用组合物，其中所述杂环包含选自含氮、氧、硫、硒和碲的组中的至少一种杂原子。
67.如权利要求59所要求的导电材料用组合物，其中所述杂环是芳杂环。
68.如权利要求59所要求的导电材料用组合物，其中所述基团Y包含1～5个杂环。
69.如权利要求59所要求的导电材料用组合物，其中所述基团Y除杂环之外还包含至少一个取代或未取代芳烃环。
70.如权利要求69所要求的导电材料用组合物，其中所述基团Y包含两个被分别直接连接到通式(A1)中的各个N上的芳烃环以及至少一个存在于这些芳烃环之间的杂环。
71.如权利要求59所要求的导电材料用组合物，其中所述基团Y总共包含2～75个碳原子。
72.如权利要求58所要求的导电材料用组合物，其中所述丙烯酸交联剂主要包含环氧(甲基)丙烯酸酯-基交联剂。
73.如权利要求72所要求的导电材料用组合物，其中所述环氧(甲基)丙烯酸酯-基交联剂包含至少两个(甲基)丙烯酰基。
74.如权利要求72所要求的导电材料用组合物，其中所述环氧(甲基)丙烯酸酯-基交联剂包含作为其主要组分并且由下列通式(B4)所示的化合物 其中，n6是1～10的整数，而两个A1可以相同或不同，并且各自独立地表示氢原子或甲基。
75.如权利要求72所要求的导电材料用组合物，其中所述取代基X1和取代基X3是彼此相同的。
76.如权利要求72所要求的导电材料用组合物，其中所述取代基X2和取代基X4是彼此相同的。
77.如权利要求72所要求的导电材料用组合物，其中所述取代基X1、取代基X2、取代基X3和取代基X4是彼此相同的。
78.如权利要求72所要求的导电材料用组合物，其中所述取代基X1、取代基X2、取代基X3和取代基X4中的每一个都被连接到苯环的3-、4-或5-位上。
79.如权利要求72所要求的导电材料用组合物，其中所述杂环包含选自含氮、氧、硫、硒和碲的组中的至少一种杂原子。
80.如权利要求72所要求的导电材料用组合物，其中所述杂环是芳杂环。
81.如权利要求72所要求的导电材料用组合物，其中所述基团Y包含1～5个杂环。
82.如权利要求72所要求的导电材料用组合物，其中所述基团Y除杂环之外还包含至少一个取代或未取代芳烃环。
83.如权利要求82所要求的导电材料用组合物，其中所述基团Y包含两个分别直接连接到通式(A1)的各个N上的芳烃环以及至少一个存在于这些芳烃环之间的杂环。
84.如权利要求72所要求的导电材料用组合物，其中所述基团Y总共包含2～75个碳原子。
85.如权利要求58所要求的导电材料用组合物，其中所述丙烯酸交联剂主要包含氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂。
86.如权利要求85所要求的导电材料用组合物，其中所述氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂主要包含芳族氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂、脂环族氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂和脂肪族氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂中的至少一种。
87.如权利要求85所要求的导电材料用组合物，其中所述氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂包含至少两个(甲基)丙烯酰基。
88.如权利要求85所要求的导电材料用组合物，其中所述氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂包含作为其主要组分并且由下列通式(B9)所示的化合物 其中，n8为1～100的整数，而两个A1可以相同或不同，并且各自独立地表示氢原子或甲基，两个A2可以相同或不同，并且各自独立地表示通过将二异氰酸酯化合物的两个异氰酸酯基除去得到的基团。
89.如权利要求88所要求的导电材料用组合物，其中所述氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-基交联剂包含作为主要组分并且由下列通式(B10)所示的化合物 其中，n10表示1～90的整数，而两个A1可以相同或不同，并且各自独立地表示氢原子或甲基。
90.如权利要求85所要求的导电材料用组合物，其中所述取代基X1和取代基X3是彼此相同的。
91.如权利要求85所要求的导电材料用组合物，其中所述取代基X2和取代基X4是彼此相同的。
92.如权利要求85所要求的导电材料用组合物，其中所述取代基X1、取代基X2、取代基X3和取代基X4是彼此相同的。
93.如权利要求72所要求的导电材料用组合物，其中所述取代基X1、取代基X2、取代基X3和取代基X4中的每一个都被连接到苯环的3-、4-或5-位上。
94.如权利要求85所要求的导电材料用组合物，其中所述杂环包含选自含氮、氧、硫、硒和碲的组中的至少一种杂原子。
95.如权利要求85所要求的导电材料用组合物，其中所述杂环是芳杂环。
96.如权利要求85所要求的导电材料用组合物，其中所述基团Y包含1～5个杂环。
97.如权利要求85所要求的导电材料用组合物，其中所述基团Y除所述杂环之外还包含至少一个取代或未取代芳烃环。
98.如权利要求97所要求的导电材料用组合物，其中所述基团Y包含各自直接连接到通式(A1)的各个N上的芳烃环以及至少一个存在于这些芳烃环之间的杂环。
99.如权利要求85所要求的导电材料用组合物，其中所述基团Y总共包含2～75个碳原子。
100.一种导电材料，其是由下列通式(A1)所示的各种化合物的取代基X1、取代基X2、取代基X3和取代基X4直接进行聚合或通过丙烯酸交联剂进行聚合得到的，每一种所述化合物都被包含在权利要求1所限定的导电材料用组合物中 其中，8个R可以相同或不同，并且各自独立地表示氢原子、甲基或乙基，Y表示含有至少一个取代或未取代的芳烃环或者取代或未取代杂环的基团，而X1、X2、X3和X4可以相同或不同，并且各自独立地表示由下列通式(A2)所示的取代基 其中，n1为2～8的整数，而Z1表示氢原子或甲基。
101.如权利要求100所要求的导电材料，其中所述化合物通过光辐照进行聚合。
102.如权利要求100所要求的导电材料，其中所述化合物和所述丙烯酸交联剂通过光辐照进行聚合。
103.一种导电层，其主要包含权利要求100中限定的导电材料。
104.如权利要求103所限定的导电层，其中所述导电层为空穴传输层。
105.如权利要求104所限定的导电层，其中所述空穴传输层的平均厚度在10～150nm范围内。
106.如权利要求103所限定的导电层，其中所述导电层是电子传输层。
107.如权利要求106所限定的导电层，其中所述电子传输层的平均厚度在1～100nm的范围内。
108.如权利要求103所限定的导电层，其中所述导电层是有机半导体层。
109.如权利要求108所限定的导电层，其中所述有机半导体层的平均厚度在0.1～1,000nm的范围内。
110.一种电子器件，其包括含有权利要求103中限定的导电层的层压体。
111.如权利要求110所限定的电子器件，其是发光器件或光电换能器。
112.如权利要求111所限定的电子器件，其中所述发光器件是有机电致发光器件。
113.如权利要求110所限定的电子器件，其中所述电子器件是开关元件。
114.如权利要求113所限定的电子器件，其中所述开关元件是有机薄膜晶体管。
115.电子装置，其包括权利要求110中所要求的电子器件。
全文摘要
本发明的目的是提供一种能够用于制备具有高载流子传输能力的导电层的导电材料用组合物、由该组合物形成并且具有高载流子传输能力的导电材料、使用该导电材料作为主要材料形成的导电层、安置有该导电层并且具有高可靠性的电子器件以及安置有该电子器件的电子装置。本发明的导电材料用组合物包括下列通式(A1)所示的化合物，其中，8个R可以相同或不同，并且各自独立地表示氢原子、甲基或乙基，Y表示含有至少一个取代或未取代的芳烃环或者取代或未取代杂环的基团，而X
文档编号H01L51/30GK101048827SQ200580036319
公开日2007年10月3日 申请日期2005年8月25日 优先权日2004年8月26日
发明者筱原祐治, 寺尾幸一, 筱原誉 申请人:精工爱普生株式会社