专利名称：具有选择性气体供应的选择性外延制程的制作方法
技术领域：
本发明的实施例大体来说是有关于电子生产制程和元件的领域，更明确地说，是有关于在形成电子元件时沉积含硅薄膜的方法。
背景技术：
在生产较小的晶体管时，制造超浅源极/漏极接面已变得日益困难。一般来说，次100纳米CMOS(互补式金属氧化物半导体)元件需要深度低于30纳米的接面。选择性外延沉积通常用来在所述接面中形成含硅材料(例如硅、锗化硅和碳化硅)的外延层。选择性外延沉积使外延层可以在硅沟渠(silicon moats)上而不在介电区域上成长。选择性外延可用在半导体元件中，例如升高的源极/漏极、源极/漏极延伸、接触插塞(contact plugs)或双极元件的基底层沉积。
一般来说，选择性外延制程包含一沉积反应和一蚀刻反应。沉积及蚀刻反应以相当不同的反应速率在一外延层和一多晶层上同时发生。在沉积制程期间，外延层在一单晶表面上形成，同时一多晶层沉积在至少一第二层上，例如既存的多晶层或非晶层。但是，所沉积的多晶层通常以比该外延层快的速率蚀刻。因此，通过改变蚀刻气体浓度，净选择制程会造成外延材料的沉积以及，若有的话，有限沉积多晶材料。例如，选择性外延制程可造成含硅材料的外延层形成在单晶硅表面上，而没有沉积遗留在间隙壁上。
含硅材料的选择性外延沉积在升高的源极/漏极和源极/漏极延伸特征形成期间是一种有用技术，例如，在含硅MOSFET(金属氧化物半导体场效晶体管)元件形成期间。源极/漏极延伸特征是通过蚀刻硅表面来制造，以制出凹陷的源极/漏极特征并且随后以选择性成长的外延层填充蚀刻表面，例如锗化硅(SiGe)材料。选择性外延使原位掺杂能够几乎完全活化掺质，因此可省略后退火(post annealing)制程。所以，可利用硅蚀刻和选择性外延精确地界定接面深度。另一方面，超浅源极/漏极接面会不可避免地造成串联电阻的增加。此外，硅化物形成期间的接面消耗(junctionconsumption)更进一步地增加串联电阻。为了补偿接面消耗，将升高的源极/漏极外延地且选择性地成长在该接面上。通常，该升高的源极/漏极是未掺杂的硅。
但是，目前的选择性外延制程有一些缺点。为了在现今外延制程期间保持选择性，必须在整个沉积制程期间控制并调整前驱物化学浓度以及反应温度。如果没有提供足够的硅前趋物，则蚀刻反应可能会主导而使整个制程速度减缓。此外，可能会发生有害的基板特征过蚀刻。如果没有提供足够的蚀刻剂前趋物，则沉积反应可能会主导而降低在基板表面上形成单晶和多晶材料的选择性。另外，目前的选择性外延制程通常需要高反应温度，例如约800℃、1000℃或更高。在生产制程期间并不偏好使用此高温，因为热预算考虑及可能发生的无法控制的基板表面的氮化反应。
因此，需要有一种能够以可选择的掺质选择性且外延地沉积硅和含硅化合物的制程。此外，该制程应该是多方适用的，以形成具有不同元素浓度的含硅化合物，同时具有快速的沉积速率并保持制程温度，例如约800℃或更低。
发明内容
在一实施例中，描述一种在基板表面上外延形成含硅材料的方法，其包含将具有一单晶表面和至少一第二表面，例如非晶表面或多晶表面，基板安置于一制程反应室内。使该基板暴露在一沉积气体下，以在该单晶表面上形成一外延层并在该第二表面上形成一多晶层。该沉积气体较佳地含有一硅来源和至少一第二元素来源，例如锗来源、碳来源或其组合物。之后，该方法进一步提供将该基板暴露在一蚀刻剂气体下，以使该多晶层的蚀刻速率比该外延层快的方式蚀刻该多晶层和该外延层。该方法进一步包含一沉积周期，其在形成具有预定厚度的含硅材料时连续重复该基板在沉积和蚀刻剂气体中的暴露。在本实施例的一实例中，该方法进一步提供将基板暴露在含有氯气的蚀刻剂气体下。
在本实施例的一实例中，该方法提供将具有一单晶表面和一第二表面的基板安置于一制程反应室内。该制程反应室是经加热至范围从约500℃至约750℃内的温度。在该单晶表面上沉积一外延层和在该第二表面上沉积该多晶层时，该基板是经暴露在一沉积气体中。该沉积气体含有一硅来源和一惰性载气，以在该单晶表面上沉积一外延层并在该第二表面上沉积一多晶层。之后，本方法进一步提供将该基板暴露在含有一蚀刻剂和该惰性载气的蚀刻剂气体中，并以比蚀刻该外延层快的速率蚀刻该多晶层。在其他实例中，该沉积气体可包含硅来源及第二化合物来源或掺质化合物，其可包含硼、砷、磷、铝、镓、锗、碳或其组合物。
在另一实施例中，描述一种在基板表面上外延形成含硅材料的方法，其包含将具有一单晶表面和至少一第二表面，例如非晶表面或多晶表面，基板安置于一制程反应室内。使该基板暴露在一沉积气体下，以在该单晶表面上形成一外延层并在该第二表面上形成一多晶层。该方法进一步包含使该基板暴露在一第二沉积气体下，以在该第一外延层上沉积一第二外延层并在该第一多晶层上沉积一第二多晶层。该第二沉积气体可包含硼、砷、磷、铝、镓、锗、碳或其组合物。之后，该方法进一步提供将该基板暴露在一蚀刻剂气体下，以使该第一和第二多晶层的蚀刻速率比该第一和第二外延层快的方式蚀刻。该方法进一步提供一沉积周期，其包含在形成具有预定厚度的含硅材料时重复该基板在沉积和蚀刻剂气体中的暴露。
在另一实施例中，提供一种在基板表面上外延形成含硅材料的方法，其包含将具有一单晶表面和至少一第二表面的基板安置于一制程反应室内，并使该基板暴露在一沉积气体下，以在该单晶表面上形成一外延层并在该第二表面上形成一多晶层。接着将该基板暴露在含有氯的蚀刻剂气体中，以比蚀刻该外延层快的速率蚀刻该多晶层。在一实施例中，一沉积周期包含将该基板依序暴露在该沉积气体和该蚀刻气体中，并且执行多个周期以在该基板上形成含硅材料。该第二表面可包含非晶表面、多晶表面或其组合物，而该沉积气体包含硅来源及至少一种第二元素来源，其包含锗来源、碳来源或其组合物。在一实例中，该沉积气体包含硅来源和锗来源。在另一实例中，该沉积气体包含硅来源和碳来源。在另一实例中，该沉积气体包含硅来源、锗来源及碳来源。
因此可以详细了解上述本发明的特征的方式，即对本发明更明确的描述简短地在前面概述过，可以通过参考实施例来得到，其中某些在所附图示中示出。但是需要注意的是，所附图示只示出本发明的一般实施例，因此不应被认为是对其范围的限制，因为本发明应涵盖其他等效实施例。
图1是一流程图，描述利用在此所述的一实施例选择地且外延地沉积含硅材料的制程；图2A-2E示出在MOSFET内制造源极/漏极延伸元件期间，一基板在不同阶段时的简要示图，如在此的一实施例中所描述般；图3A-C示出若干元件，其含有可利用在此的一实施例中所述的制程形成的选择地及外延地沉积的含硅层；以及图4是一流程图，描述利用在此所述的另一实施例选择地且外延地沉积含硅材料的制程。
主要元件符号说明100、400 外延制程110、120、130、140、150、160、170、410、420、430、440、450、460、470、480、490 步骤230、310、330 基板 232 源极/漏极区域234、244、316 间隙壁 235、318 栅极氧化层236、322 栅极 238 凹陷240、313、314、334 外延层242 多晶层 248 升高层312 源极/漏极区 319 保护层320 偏移层 332 集极层333、340 绝缘层 336 接触层338 偏移层
具体实施例方式
本发明的实施例大致为电子元件制造期间于基板的单晶表面上选择地且外延地沉积含硅材料的制程。将含有单晶表面(例如硅或锗化硅)及至少一第二表面(例如非晶表面及/或多晶表面(例如氧化物或氮化物))图案化的基板暴露在一外延制程下，以在所述第二表面上形成有限或没有多晶层的同时，在该单晶表面上形成一外延层。该外延制程，也称为交替气体供应(AGS)制程，包含重复一沉积制程和一蚀刻制程所组成的周期直到长成预期的外延层厚度为止。
该沉积制程包含将该基板表面暴露在含有至少一硅来源和一载气的沉积气体中。该沉积气体也可包含锗来源或碳来源，以及掺质来源。在沉积制程期间，一外延层是经形成在该基板的单晶表面上，而一多晶层则形成在第二表面上，例如非晶表面、多晶表面或其组合物。接着，将该基板暴露在一蚀刻气体中。该蚀刻气体包含一载气和一蚀刻剂，例如氯气或氢气。该蚀刻气体除去沉积制程期间沉积的含硅材料。在蚀刻制程期间，该多晶层以比该外延层快的速率移除。因此，该沉积和蚀刻制程的净效果形成在单晶表面上外延成长的含硅材料，同时最小化多晶含硅材料在所述第二表面上的成长，若有的话。可依需要重复该沉积和蚀刻制程周期，以得到预期厚度的含硅材料。可利用本发明的实施例沉积的含硅材料包含硅、锗化硅、碳化硅、碳化硅锗或其掺质变体。
在该AGS制程的一实例中，制程期间温度低于约800℃时可用氯气做为蚀刻剂。一般来说，沉积制程可在比蚀刻反应低的温度下执行，因为蚀刻剂通常需要高温来活化。例如，硅烷可以在约500℃或更低的温度下热分解而沉积硅，而氯化氢需要约700℃或更高的活化温度方可发挥有效蚀刻剂的作用。因此，若在一AGS制程期间使用氯化氢，则整个制程温度会被需要用来活化该蚀刻剂的较高温度支配。氯气通过降低所需的整体制程温度来辅助整个AGS制程。氯气可在低至约500℃的温度下活化。因此，通过将氯气并入该AGS制程中做为蚀刻剂，整个AGS制程温度可比使用氯化氢做为蚀刻剂的制程显著降低，例如降低200℃至300℃。此外，氯气蚀刻含硅材料比氯化氢快速。因此，氯蚀刻剂会增加该AGS制程的整体速率。
在该AGS制程的另一实例中，于该沉积及蚀刻制程期间使用一惰性气体，例如氮气，做为载气，取代习知载气，例如氢气。在AGS制程期间使用惰性载气有若干好处。其一是，惰性载气可增加含硅材料的沉积速率。虽然在沉积制程期间可用氢气来作为载气，但是氢气具有吸附该基板或与其反应而形成氢终结端面(hydrogen-terminated surfaces)的倾向。氢终结端面对外延成长的反应比裸硅表面慢很多。因此，惰性载气的使用会通过不会不利地影响沉积反应而增加沉积速率。
虽然可用钝气，例如氩气或氦气，来做为惰性载气，但是氮气是以经济效益而言较佳的惰性载气。氮气通常比氢气、氩气或氦气便宜很多。使用氮气做为载气可能发生的一缺点是在沉积制程期间基板上材料的氮化。但是会需要高温，例如超过800℃，来如此地活化氮气。因此，在低于氮气活化门限的温度下执行的AGS制程中有利地使用氮气来做为惰性载气。使用氯气做为蚀刻剂并且使用氮气作为载气的合并效应大幅度增加整体AGS制程的速率。
在整个应用中，「含硅」材料、化合物、薄膜或层等词应被视为包含一种成分，其至少含有硅并且可含有锗、碳、硼、砷、镓化磷及/或铝。其它元素，例如金属、卤素或或氢可并入含硅材料、化合物、薄膜或层内，通常是以ppm等级的浓度。含硅材料的化合物或合金可以缩写表示，例如用Si表示硅、用SiGe表示锗化硅、用SiC表示碳化硅和用SiGeC表示碳化硅锗。缩写并不以计量关系表示出化学式，也不表示出含硅材料的任何特定还原/氧化状态。
图1示出用来沉积含硅层的外延制程100的一实例。制程100包含用来将图案化的基板载入制程反应室并将制程反应室的状态调整至预期温度和压力的步骤110。步骤120提供一沉积制程，以在该基板的单晶表面上形成一外延层，同时在该基板的非晶表面或多晶表面上形成一多晶层。在步骤130期间，该沉积制程终止。步骤140提供一蚀刻制程，以蚀刻该基板表面。较佳地，该多晶层以比该外延层快的速率蚀刻。该蚀刻步骤若非最小化即完全移除该多晶层，同时只移除该外延层的最低限度部分。在步骤150期间，该蚀刻制程终止。该外延层及该多晶层，若存在的话，厚度在步骤160期间决定。若达到预定的外延层或多晶层厚度，则外延制程100在步骤170终止。但是，若没有达到预定厚度，则重复步骤120-160做为一周期直到达到外延层或多晶层的预定厚度为止。
在步骤110期间将一图案化的基板载入一制程反应室中。图案化的基板是含有形成在该基板表面内或在其上的电子特征的基板。该图案化基板通常含有单晶表面和至少一非单晶的第二表面，例如多晶或非晶表面。单晶表面包含裸晶基板或通常由例如硅、锗化硅或碳化硅的材料组成的沉积的单晶层。多晶或非晶表面可包含介电材料，例如氧化物或氮化物，明确地说是氧化硅或氮化硅，以及非晶硅表面。
外延制程100由在步骤110期间将含有该图案化基板的制程反应室调整至预定温度和压力开始。温度是适合特定的执行制程。一般来说，在外延制程100期间制程反应室是保持在一固定温度下。但是，某些步骤可在不同温度下执行。制程反应室是保持在范围从约250℃至约1,000℃内的温度下，较佳地，从约500℃至约800℃，并且更佳地，从约550℃至约750℃。执行外延制程100的适当温度可取决于在步骤120和140期间用来沉积及/或蚀刻该含硅材料的特定前驱物。在一实例中，已发现氯气(Cl2)在比使用较常见蚀刻剂的制程为低的温度下对含硅材料发挥绝佳的蚀刻剂效果。因此，在一实例中，可将制程反应室预热至约750℃或更低的温度，较佳地，约650℃或更低，并且更佳地，约550℃或更低。通常将该制程反应室加压至范围从约0.1托耳至约200托耳内的压力下，较佳地，从约1托耳至约50托耳。在制程步骤110-160期间和之间，压力可以变动，但是通常会保持固定。
沉积制程在步骤120期间执行。图案化基板是经暴露在沉积气体中以在该单晶表面上形成一外延层，同时在该第二表面上形成一多晶层。该基板是经暴露在该沉积气体中一段范围从约0.5秒至约30秒内的时间，较佳地，从约1秒至约20秒，并且更佳地，从约5秒至约10秒。该沉积制程的具体暴露时间是关于在步骤140中蚀刻制程期间的暴露时间，以及在制程中所使用的特定前驱物和温度来决定。一般来说，该基板是经暴露在沉积气体中足够长的时间以形成最厚的外延层厚度，同时形成最薄的多晶层厚度，其可在随后的步骤140期间轻易蚀除。
该沉积气体至少包含一硅来源和一载气，并且可包含至少一种第二元素来源，例如锗来源及/或碳来源。此外，该沉积气体可进一步包含一掺质化合物以提供掺质来源，例如硼、砷、磷、镓及/或铝。在另一实施例中，该沉积气体可包含至少一种蚀刻剂，例如氯化氢或氯气。
硅来源通常以范围从每分钟约5标准立方公分(sccm)至约500sccm内的速率供给至该制程反应室中，较佳地，从约10sccm至约300sccm，并且更佳地，从约50sccm至约200sccm，例如，约100sccm。可用于沉积气体中以沉积含硅化合物的硅来源包含硅烷、卤化硅烷和有机硅烷。硅烷包含硅烷(SiH4)及实验式为SixH(2X+2)的较长链硅烷，例如二硅烷(Si2H6)、三硅烷(Si3H8)、以及四硅烷(Si4H10)，及其他。卤化硅烷包含实验式为X’ySixH(2X+2-y)的化合物，其中X’＝氟、氯、溴或碘，例如六氯二硅烷(Si2Cl6)、四氯硅烷(SiCl4)、二氯硅烷(Cl2SiH2)及三氯硅烷(Cl3SiH)。有机硅烷包含实验式为RySixH(2X+2-y)的化合物，其中R＝甲基、乙基、丙基或丁基，例如甲基硅烷((CH3)SiH3)、二甲基硅烷((CH3)2SiH2)、乙基硅烷((CH3CH2)SiH3)、甲基二硅烷((CH3)Si2H5)、二甲基二硅烷((CH3)2Si2H4)及六甲基二硅烷((CH3)6Si2)。已发现有机硅烷化合物在将碳并入沉积的含硅化合物内的实施例中是有利的硅来源和碳来源。较佳的硅来源包含硅烷、二氯硅烷和二硅烷。
硅来源通常连同载气一起供给至该制程反应室内。载气流速从每分钟约1标准升(slm)至约100slm，较佳地，从约5slm至约75slm，并且更佳地，从约10slm至约50slm，例如，约25slm。载气可包含氮气(N2)、氢气(H2)、氩气、氦气或其组合物。较倾向使用惰性载气，并且包含氮气、氩气、氦气或其组合物。可基于外延制程100期间使用的化学前驱物或制程温度来选择载气。通常载气在每一个步骤110-150期间是相同的。但是，某些实施例可在特定步骤中使用不同载气。例如，氮气可在步骤120中与硅来源一起使用做为载气，并且在步骤140中与蚀刻剂一起使用。
较佳地，在特征为低温(例如＜800℃)的实施例中使用氮气做为载气。可使用低温制程的一部份原因是在进一步于步骤140中讨论的蚀刻制程中使用氯气。氮气在低温沉积制程期间保持惰性。因此，氮气不会在低温制程期间并入所沉积的含硅材料中。此外，氮载气不会像氢载气一样形成氢终结端面。由氢载气吸附在基板表面上所形成的氢终结端面会抑制含硅层的成长速率。最后，该低温制程可获得使用氮气做为载气的经济优势，因为氮气远比氢气、氩气或氦气便宜。
在步骤120期间使用的沉积气体也可包含至少一种第二元素来源，例如锗来源及/或碳来源。锗来源可连同硅来源和载气一起加入该制程反应室中以形成含硅化合物，例如锗化硅材料。通常以范围从约0.1sccm至约20sccm内的速率供给锗来源至该制程反应室中，较佳地，从约0.5sccm至约10sccm，并且更佳地，从约1sccm至约5sccm，例如，约2sccm。可用来沉积含硅化合物的锗来源包含锗烷(GeH4)、较长链的锗烷及有机锗烷。较长链的锗烷包含实验式为GexH(2X+2)的化合物，例如二锗烷(Ge2H6)、三锗烷(Ge3H8)、以及四锗烷(Si4H10)，及其他。有机锗烷包含例如甲基锗烷((CH3)GeH3)、二甲基锗烷((CH3)2GeH2)、乙基锗烷((CH3CH2)GeH3)、甲基二锗烷((CH3)Ge2H5)、二甲基二锗烷((CH3)2Ge2H4)及六甲基二锗烷((CH3)6Ge2)的化合物。已发现锗烷和有机锗烷化合物在将锗和碳并入沉积的含硅化合物内的实施例中，也就是锗化硅和碳化硅锗化合物，是有利的锗来源和碳来源。外延层的锗浓度范围从约1原子百分比(at％)至约30at％内，例如，约20at％。锗浓度可在外延层中逐渐变化，较佳地变化是在该外延层下半部具有比该外延层上半部高的浓度。
或者，可在步骤120期间连同硅来源和载气一起添加碳来源至该制程反应室中以形成含硅化合物，例如硅碳材料。通常以范围从约0.1sccm至约20sccm内的速率供给碳来源至该制程反应室中，较佳地，从约0.5sccm至约10sccm，并且更佳地，从约1sccm至约5sccm，例如，约2sccm。可用来沉积含硅化合物的碳来源包含有机硅烷、烷类、乙基、丙基和丁基的烯类及炔类。此种碳来源包含甲基硅烷((CH3)SiH3)、二甲基硅烷((CH3)2SiH2)、乙基硅烷((CH3CH2)SiH3)、甲烷(CH4)、乙烯(C2H4)、乙炔(C2H2)、丙烷(C3H8)、丙烯(C3H6)、丁炔(C4H6)，及其他。外延层的碳浓度范围从约200ppm至约5at％内，较佳地，从约1at％至约3at％，例如1.5at％。在一实施例中，碳浓度可在外延层中逐渐变化，较佳地变化是在该外延层下半部具有比该外延层上半部高的浓度。或者，可在步骤120期间连同硅来源和载气一起添加锗来源及碳来源两者进入该制程反应室中以形成含硅化合物，例如硅锗碳材料。
在步骤120期间所用的沉积气体可进一步包含至少一种掺质化合物以提供元素掺质来源，例如硼、砷、磷、镓或铝。掺质提供沉积的含硅化合物若干导电特性，例如电子元件所需的在受控制及预期路径中的具方向性的电子流。以特定掺质掺杂含硅化合物薄膜以达到预期导电特性。在一实例中，该含硅化合物是经掺杂为p型，例如通过使用二硼烷以添加浓度范围从约1015原子/立方公分至约1021原子/立方公分内的硼。在一实例中，该p型掺质的浓度至少是5×1019原子/立方公分。在另一实例中，该p型掺质是在从约1×1020原子/立方公分至约2.5×1021原子/立方公分范围内。在另一实例中，该含硅化合物是经掺杂为n型，例如利用磷及/或砷掺杂至从约1015原子/立方公分至约1021原子/立方公分的浓度范围内。
通常以范围从约0.1sccm至约20sccm内的速率供给掺质来源至该制程反应室中，较佳地，从约0.5sccm至约10sccm，并且更佳地，从约1sccm至约5sccm，例如，约2sccm。可用来做为掺质来源的含硼掺质包含硼烷和有机硼烷。硼烷包含硼烷、二硼烷(B2H6)、三硼烷、四硼烷和五硼烷，而烷基硼烷(alkylboranes)包含实验式为RxBH(3-x)的化合物，其中R＝甲基、乙基、丙基或丁基，而x＝1、2或3。烷基硼烷包含三甲基硼烷((CH3)3B)、二甲基硼烷((CH3)2BH)、三乙基硼烷((CH3CH2)3B)及二乙基硼烷((CH3CH2)2BH)。掺质也可包含砷化氢(AsH3)、磷化氢(PH3)和烷基磷化氢，例如实验式为RxPH(3-x)者，其中R＝甲基、乙基、丙基或丁基，而x＝1、2或3。烷基磷化氢包含三甲基磷化氢((CH3)3P)、二甲基磷化氢((CH3)2PH)、三乙基磷化氢((CH3CH2)3P)及二乙基磷化氢((CH3CH2)2PH)。铝和镓掺质来源可包含烷化(alkylated)及/或卤化的衍生物，例如以实验式RxMX(3-x)描述者，其中M＝铝或镓，R＝甲基、乙基、丙基或丁基，X＝氯或氟，而x＝1、2或3。铝和镓掺质来源的实例包含三甲基铝(Me3Al)、三乙基铝(Et3Al)、二甲基氯化铝(Me2AlCl)、氯化铝(AlCl3)、三甲基镓(Me3Ga)三乙基镓(Et3Ga)、二甲基氯化镓(Me2GaCl)、氯化镓(GaCl3)或其衍生物。
在步骤130期间，沉积制程终止。在一实例中，可将制程反应室注满清洁气体或载气及/或可利用真空帮浦将该制程反应室排空。该清洁及/或排空制程除去过量的沉积气体、反应副产物和其他污染物。在另一实例中，一旦沉积制程终止，步骤140的蚀刻制程立即开始，而不需要清洁及/或排空该制程反应室。
步骤140的蚀刻制程从该基板表面除去在步骤120期间沉积的含硅材料。该蚀刻制程除去外延或单晶材料和非晶或多晶材料两者。沉积在基板表面上的多晶层，若有的话，是以比外延层快的速率移除。蚀刻制程的持续时间是与沉积制程的持续时间平衡以造成选择性形成在该基板预期区域上的外延层净沉积。因此，步骤120的沉积制程和步骤140的蚀刻制程的净效果是在于形成选择且外延成长的含硅材料，同时最小化，若有的话，多晶含硅材料的成长。
在步骤140期间，将该基板暴露在蚀刻气体中一段范围从约10秒至约90秒内的时间，较佳地，从约20秒至约60秒，并且更佳地，从约30秒至约45秒。该蚀刻气体至少包含一蚀刻剂和一载气。蚀刻剂通常以范围从约10sccm至约700sccm内的速率提供至该制程反应室中，较佳地，从约50sccm至约500sccm，并且更佳地，从约100sccm至约400sccm，例如，约200sccm。用于蚀刻气体中的蚀刻剂可包含氯气(Cl2)、氯化氢(HCl)、三氯化硼(BCl3)、四氯化碳(CCl4)、三氟化氯(ClF3)或其组合物。较佳地，使用氯气或氯化氢来做为蚀刻剂。
蚀刻剂通常连同载气一起供给至该制程反应室内。该载气的流速范围从约1slm至约100slm内，较佳地，从约5slm至约75slm，并且更佳地，从约10slm至约50slm，例如，约25slm。载气可包含氮气、氢气、氩气、氦气或其组合物。在某些实施例中，惰性载气是较佳地，并且包含氮气、氩气、氦气或其组合物。可基于外延制程100期间使用的化学前驱物或制程温度来选择载气。通常在每一个步骤110-150期间使用相同载气。但是，某些实施例可在蚀刻制程期间使用与沉积制程所用者不同的载气。在一实施例中，较佳的蚀刻剂是氯气，特别是当该AGS制程在低温下执行时(例如＜800℃)。例如，一蚀刻气体包含氯气做为蚀刻剂以及氮气做为载气，并且以范围从约500℃至约750℃内的温度接触该基板表面。在另一实例中，含有氯气和氮气的蚀刻气体以范围从约250℃至约500℃内的温度接触该基板表面。
该蚀刻制程在步骤150期间终止。在一实例中，可将制程反应室注满清洁气体或载气及/或可利用真空帮浦将该制程反应室排空。该清洁及/或排空制程除去过量的蚀刻气体、反应副产物和其他污染物。在另一实例中，一旦蚀刻制程终止，步骤160立即开始，而不需要清洁及/或排空该制程反应室。
外延层和多晶层的厚度可在步骤160期间决定。若已达到预定厚度，则外延制程100在步骤170终止。但是，若未达到预定厚度，则重复步骤120-160做为一周期直到达到预定厚度为止。通常将外延层成长至从约10埃至约2,000埃的厚度范围内，较佳地，从约100埃至约1,500埃，并且更佳地，从约400埃至约1,200埃，例如，约800埃。通常将多晶层沉积至，若有的话，从一个原子层至约500埃的厚度范围内。该外延含硅层或该多晶含硅层的预期或预定厚度对于特定生产制程来说是独有的。在一实例中，该外延层可达到该预定厚度，但该多晶层却过厚。过量的多晶层可在略过步骤120和130的同时通过重复步骤140-160进一步蚀刻。
在一实例中，如图2A-2E所描绘般，将源极/漏极延伸形成在MOSFET元件中，其中该含硅层是外延地且选择性地沉积在该基板表面上。图2A描绘通过将离子植入基板230表面而形成的源极/漏极区域232。源极/漏极区域232的区段是由形成在栅极氧化层235和间隙壁234上的栅极236桥接。为了形成源极/漏极延伸，蚀刻并湿式清洁(wet-clean)一部分的源极/漏极区域232以产生一凹陷238，如图2B所示者。可通过蚀刻源极/漏极区域232的该部分前先行沉积硬光罩来避免栅极236的蚀刻。
图2C示出在此描述的外延制程的一实施例，其中一含硅外延层240和任意多晶层242同时且选择性地沉积，但没有沉积在该间隙壁234上。多晶层242是通过调整外延制程100的步骤120和140中的沉积和蚀刻制程选择性地形成在栅极236上。或者，多晶层242在含硅外延层240沉积在该源极/漏极区域232上时持续从栅极236上蚀除。
在另一实例中，含硅外延层240和多晶层242是含锗化硅层，其锗浓度范围从约1at％至约50at％内，较佳地约24at％或更低。含有不同量的硅和锗的多个含锗化硅层可经堆叠而形成元素浓度逐渐变化的含硅外延层240。例如，第一锗化硅层可经沉积为具有范围从约15at％至约25at％内的锗浓度，而第二锗化硅层可经沉积为具有范围从约25at％至约35at％内的锗浓度。
在另一实例中，含硅外延层240和多晶层242是含碳化硅层，其碳浓度范围从约200ppm至约5at％内，较佳地约3at％或更低，较佳地，从约1at％至约2at％，例如，约1.5at％。在另一实施例中，含硅外延层240和多晶层242是含碳化硅锗层，其锗浓度范围从约1at％至约50at％内，较佳地约24at％或更低，而碳浓度约在200ppm至约5at％，较佳地约3at％或更低，更佳地从约1at％至约2at％，例如，约1.5at％。
可以不同顺序沉积含硅、锗化硅、碳化硅或碳化硅锗的多个层，以在该含硅外延层240内形成逐渐变化的元素浓度。该含硅层一般是以掺质掺杂(例如硼、砷、磷、镓或铝)，其浓度范围从约1×1019原子/立方公分至约2.5×1021原子/立方公分内，较佳地，从约5×1019原子/立方公分至约2×1020原子/立方公分。添加至含硅材料的个别层内的掺质形成逐渐变化的掺质。例如，含硅外延层240是通过沉积掺质浓度(例如硼)在从约5×1019原子/立方公分至约1×1020原子/立方公分范围内的第一含锗化硅层以及沉积掺质浓度(例如硼)在从约1×1020原子/立方公分至约2×1020原子/立方公分范围内的第二含锗化硅层来形成。
并入含碳化硅层及含碳化硅锗层内的碳通常直接随着该含硅层的沉积坐落在晶格空隙位置中。该空隙碳含量约在10at％或更少，较佳地低于约5at％并且更佳地从约1at％至约3at％，例如，约2at％。该含硅外延层240可经退火以将至少一部分，若非全部的空隙碳并入晶格的取代位置中。该退火制程可包含峰值退火(spike anneal)，例如快速热退火(RTP)、雷射退火或利用气体环境的热退火，例如氧气、氮气、氢气、氩气、氦气或其组合物。退火制程是在范围从约800℃至约1,200℃内的温度下执行，较佳地，从约1,050℃至约1,100℃。退火制程可紧接在含硅层沉积后或在基板会承受的各种其他制程步骤后发生。
在下一个步骤期间，图2D示出一间隙壁244，一般是沉积在间隙壁234上的氮化物间隙壁(例如四氮化三硅)。间隙壁244通常在不同反应室中利用CVD或ALD技术沉积。因此，将该基板从用来沉积含硅外延层240的制程反应室移出。在两个反应室间的传送期间，该基板可能会暴露在周围环境下，例如温度、压力或含有水和氧的大气。在沉积该间隙壁244后，或执行其他半导体制程后(例如退火、沉积或植入)，可在沉积升高层248前先将基板暴露在周围环境下第二次。在一实施例中，没有或具有极微量锗(例如低于约5at％)的外延层(未示出)在将该基板暴露在周围环境前先被沉积在含硅外延层240上，因为与从以大于约5at％的锗浓度形成的外延层上除去相较，原氧化物可以较轻易地从含有极微量锗浓度的外延层上除去。
图2E描绘出另一实例，其中含有含硅材料的升高层248选择性地且外延地沉积在外延层240(例如掺杂的锗化硅)上。在沉积制程期间，多晶层242是进一步在栅极236上成长、沉积或蚀除。
在一较佳实施例中，升高层248是含有少量或没有锗或碳的外延沉积的硅。但是，在另一实施例中，升高层248确实含有锗及/或碳。例如，升高层248可具有约5at％或更少的锗。在另一实例中，升高层248可具有约2at％或更少的碳。也可以一掺质来掺杂该升高层248，例如硼、砷、磷、铝或镓。
在本制程的实施例内使用含硅化合物以沉积双极元件制造(例如基极、射极、集极、射极接触)、双CMOS元件制造(例如基极、射极、集极、射极接触)和CMOS元件制造(例如通道、源极/漏极、源极/漏极延伸、升高的源极/漏极、基板、应变硅(strained silicon)、绝缘层上硅及接触插捎)用的含硅层。制程的其他实施例教示含硅层的成长，其可用来做为栅极、基极接触、集极接触、射极接触、升高的源极/漏极及其他用途。
本制程在MOSFET和双极晶体管中沉积选择的、外延的含硅层上是特别有用的，如图3A-3C所描绘般。图3A-3B示出一MOSFET元件上的外延成长的含硅化合物。该含硅化合物是沉积在该元件的源极/漏极特征上。该含硅化合物紧黏下方层的晶格并从其成长出，并且在含硅化合物成长至预期厚度时保持此配置。图3A示出沉积为凹陷的源极/漏极层的含硅化合物，而图3B示出沉积为凹陷的源极/漏极层以及升高的源极/漏极层的含硅化合物。
该源极/漏极区312是由离子植入形成。一般来说，该基板310是掺杂为n型，而该源极/漏极区312是掺杂为p型。含硅外延层313是选择性地成长在该源极/漏极区312上及/或直接在基板310上。含硅外延层314是根据此间态样选择性地成长在该含硅外延层313上。一栅极氧化层318桥接该含硅外延层313的区段。一般来说，栅极氧化层318是由二氧化硅、氮氧化硅或氧化铪组成。部份围绕该栅极氧化层318的是间隙壁316，其通常是一绝缘材料，例如氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、金属氮化物、金属氧化物、金属氮氧化物或其组合物。在一实例中，间隙壁316可以是氮化物/氧化物堆叠，含有一氮化硅层、一氧化硅层及另一个氮化硅层(例如四氮化三硅/二氧化硅/四氮化三硅)。栅极层322(例如多晶硅)可沿着垂直侧具有一保护层319，例如二氧化硅，如图3A所示。或者，栅极层322可具有间隙壁316和沉积在两侧上的偏移层320(例如四氮化三硅)。
在另一实例中，图3C描绘沉积为一双极晶体管的基极层的含硅外延层334。含硅外延层334是利用本发明的各实施例选择性地成长。含硅外延层334是沉积在先前沉积于基板330上的n型集极层332上。该晶体管进一步包含绝缘层333(例如二氧化硅或四氮化三硅)、接触层336(例如重掺杂的多晶硅)、偏移层338(例如四氮化三硅)、以及第二绝缘层340(例如二氧化硅或四氮化三硅)。
在另一实施例中，图4示出一外延制程400，其可用来选择性沉积含硅材料/层。外延制程400包含至少两个沉积制程，接着是一蚀刻制程。该第一沉积制程包含一沉积气体，其含有一硅来源，而该第二沉积制程包含一沉积气体，其含有一第二元素来源，例如锗、碳或一掺质(例如硼、砷、磷、镓或铝)。在外延制程400中使用于外延制程100中使用的相似制程参数，例如温度、压力、流速、载气和前驱物。
外延制程400包含用来将图案化的基板载入制程反应室并将制程反应室的状态调整至预期温度的步骤410。步骤420提供一第一沉积制程，以在一单晶表面上形成一外延层，同时在第二表面上形成一多晶层，例如非晶及/或多晶表面。该外延层和该多晶层是由含有一硅来源的沉积气体形成。在步骤430期间，该第一沉积制程终止。步骤440提供一第二沉积制程，以继续在一单晶表面上成长该外延层，并且继续在该第二表面上形成该多晶层。该外延层和该多晶层是通过将该基板表面暴露在含有一第二元素来源的沉积气体中进一步成长。在步骤450期间，该第二沉积制程终止。步骤460提供一蚀刻制程，以蚀刻暴露出的含硅层。该蚀刻制程若非最小化即完全移除该多晶层，同时因为每一种材料的移除速率而只移除该外延层的最低限度部分。在步骤470期间，该蚀刻制程终止。该外延层及该多晶层，若存在的话，厚度在步骤480期间决定。若达到预定厚度，则外延制程400在步骤490终止。但是，若任一个层没有达到预定厚度，则重复步骤420-480做为一周期直到达到预定厚度为止。
外延制程400由在步骤110处将含有该图案化基板的制程反应室调整至预定温度开始。温度和压力是适合特定的执行制程。一般来说，在外延制程400期间制程反应室是保持在一固定温度下。但是，某些步骤可在不同温度下执行。制程反应室是保持在范围从约250℃至约1,000℃内的温度下，较佳地，从约500℃至约800℃，并且更佳地，从约550℃至约750℃。执行外延制程400的适当温度可取决于在步骤420～480期间用来沉积及/或蚀刻该含硅材料的特定前驱物。在一实施例中，已发现氯气(Cl2)在比使用其他较常见蚀刻剂的制程低的温度下对含硅材料发挥绝佳的蚀刻剂效果。因此，在一实施例中，预热该制程反应室的较佳温度是约750℃或更低，较佳地，约650℃或更低，并且更佳地，约550℃或更低。通常将该制程反应室保持在从约0.1托耳至约200托耳内的压力下，较佳地，从约1托耳至约50托耳。在制程步骤410-480期间和之间，压力可以变动，但是通常会保持固定。
该第一沉积制程在步骤420期间执行。图案化基板是经暴露在第一沉积气体中以在该单晶表面上形成一外延层，同时在所述第二表面上形成一多晶层。该基板是经暴露在该第一沉积气体中一段约0.5秒至约30秒的时间，较佳地，从约1秒至约20秒，并且更佳地，从约5秒至约10秒。该沉积制程的具体暴露时间是关于在步骤460中蚀刻制程期间的暴露时间，以及在制程中所使用的特定前驱物和温度来决定。一般来说，该基板是经暴露在该第一沉积气体中足够长的时间以形成最厚的外延层厚度，同时形成最薄的多晶层厚度，其可在随后的步骤460期间轻易蚀除。
该第一沉积气体至少包含一硅来源和一载气。该第一沉积气体也可包含第二元素来源及/或掺质化合物，但较佳地，该第二元素来源及该掺质化合物是在该第二沉积气体中。因此，在一态样中，该第一沉积气体可包含一硅来源、一第二元素来源和一掺质来源。在另一态样中，该第一沉积气体可包含一硅来源和一第二元素来源。在又另一态样中，该第一沉积气体可包含一硅来源和一掺质来源。在另一实施例中，该第一沉积气体也可包含至少一种蚀刻剂，例如氯化氢或氯气。
硅来源通常以范围从约5sccm至约500sccm内的速率供给至该制程反应室中，较佳地，从约10sccm至约300sccm，并且更佳地，从约50sccm至约200sccm，例如，约100sccm。较佳的硅来源包含硅烷、二氯硅烷和二硅烷。
硅来源通常是在一载气中供给至该制程反应室内。载气流速从约1slm至约100slm，较佳地，从约5slm至约75slm，并且更佳地，从约10slm至约50slm，例如，约25slm。载气可包含氮气、氢气、氩气、氦气或其组合物。在某些实施例中，较倾向使用惰性载气，并且包含氮气、氩气、氦气或其组合物。较佳地，外延制程400期间使用的载气是氮气，因为上面所讨论的原因。
在步骤430期间，该第一沉积制程终止。在一实例中，可将制程反应室注满清洁气体或载气及/或可利用真空帮浦将该制程反应室排空。该清洁及/或排空制程除去过量的沉积气体、反应副产物和其他污染物。在另一实例中，一旦第一沉积制程终止，步骤440的第二沉积制程立即开始，而不需要清洁及/或排空该制程反应室。
在步骤440期间使用的沉积气体含有载气和至少一种第二元素来源，例如锗来源、碳来源及/或掺质化合物。或者，硅来源可包含在该第二沉积气体中。该第二元素来源是连同该载气一起添加至该制程反应室中，以继续步骤240期间沉积的含硅化合物的成长。所述含硅化合物可具有由该特定第二元素来源和该第二元素来源的浓度控制的不同成分。第二元素来源通常以范围从约0.1sccm至约20sccm内的速率供给至该制程反应室中，较佳地，从约0.5sccm至约10sccm，并且更佳地，从约1sccm至约5sccm，例如，约2sccm。锗来源、碳来源和掺质化合物是从上面讨论的前驱物选出。
在步骤450期间，该第二沉积制程终止。在一实例中，可将制程反应室注满清洁气体或载气及/或可利用真空帮浦将该制程反应室排空。该清洁及/或排空制程除去过量的沉积气体、反应副产物和其他污染物。在另一实例中，一旦第二沉积制程终止，步骤460的蚀刻制程立即开始，而不需要清洁及/或排空该制程反应室。
步骤460的蚀刻制程从该基板表面除去在步骤420和440期间沉积的材料。该蚀刻制程除去外延或单晶材料和非晶及/或多晶材料两者。沉积在基板表面上的多晶层，若有的话，是以比外延层快的速率移除。蚀刻制程的持续时间是与两个沉积制程的持续时间平衡。因此，步骤420和440的沉积制程和步骤460的蚀刻制程的净效果是在于形成选择且外延成长的含硅材料，同时最小化，若有的话，多晶含硅材料的成长。
在步骤460期间，将该基板暴露在蚀刻气体中一段范围从约10秒至约90秒内的时间，较佳地，从约20秒至约60秒，并且更佳地，从约30秒至约45秒。该蚀刻气体至少包含一蚀刻剂和一载气。蚀刻剂通常以范围从约10sccm至约700sccm内的速率提供至该制程反应室中，较佳地，从约50sccm至约500sccm，并且更佳地，从约100sccm至约400sccm，例如，约200sccm。用于蚀刻气体中的蚀刻剂可包含氯气(Cl2)、氯化氢(HCl)、三氯化硼(BCl3)、四氯化碳(CCl4)、三氟化氯(ClF3)或其组合物。较佳地，使用氯气或氯化氢来做为蚀刻剂。
蚀刻剂通常连同载气一起供给至该制程反应室内。该载气的流速范围从约1slm至约100slm内，较佳地，从约5slm至约75slm，并且更佳地，从约10slm至约50slm，例如，约25slm。载气可包含氮气、氢气、氩气、氦气或其组合物。在某些实施例中，惰性载气是较佳地，并且包含氮气、氩气、氦气或其组合物。可基于外延制程400期间使用的化学前驱物或制程温度来选择载气。通常在每一个步骤420-480期间使用相同载气。但是，某些实施例可在蚀刻制程期间使用与沉积制程所用者不同的载气。在一实施例中，较佳的蚀刻剂是氯气，特别是当该AGS制程在低温下执行时(例如＜800℃)。例如，一蚀刻气体包含氯气做为蚀刻剂以及氮气做为载气，并且以范围从约500℃至约750℃内的温度接触该基板表面。
该蚀刻制程在步骤470期间终止。在一实例中，可将制程反应室注满清洁气体或载气及/或可利用真空帮浦将该制程反应室排空。该清洁及/或排空制程除去过量的蚀刻气体、反应副产物和其他污染物。在另一实例中，一旦蚀刻制程终止，步骤480立即开始，而不需要清洁及/或排空该制程反应室。
外延层和多晶层的厚度可在步骤480期间决定。若已达到预定厚度，则外延制程400在步骤490终止。但是，若未达到预定厚度，则重复步骤420-480做为一周期直到达到预定厚度为止。通常将外延层成长至从约10埃至约2,000埃的厚度范围，较佳地，从约100埃至约1,500埃，并且更佳地，从约400埃至约1,200埃，例如，约800埃。通常将多晶层沉积至，若有的话，从一个原子层至约500埃的厚度范围内。该外延含硅层或该多晶含硅层的预期或预定厚度对于特定生产制程来说是独有的。在一实例中，该外延层可达到该预定厚度，但该多晶层却过厚。过量的多晶层可在略过步骤420和440的同时通过重复步骤460-480进一步蚀刻。同样地，在其他实例中，可在进行外延制程400时个别略过步骤420、440和460。通过略过步骤420、440和460，元素浓度和所沉积的含硅材料厚度可受到控制。
本发明的实施例教示在各种基板上沉积含硅化合物的制程。可在其上使用本发明实施例的基板包含，但不限于，半导体晶圆，例如结晶硅(例如Si<100>和Si<111>)、氧化硅、锗化硅、掺杂或未掺杂的晶圆及图案化或非图案化的晶圆。基板具有各种构形(例如圆形、方形和矩形)及尺寸(例如外径200毫米、外径300毫米)。
在一实施例中，含硅化合物，如在此所述制程所沉积者，可包含浓度范围从约0at％至约95at％内的锗。在另一实施例中，含硅化合物的锗浓度是在从约1at％至约30at％范围内，较佳地，从约15at％至约30at％，例如，约20at％。含硅化合物也可包含浓度范围从约0at％至约5at％内的碳。在其他态样中，碳浓度可在从约200ppm至约3at％范围内，较佳地约1.5at％。
锗及/或碳的含硅化合物薄膜是由本发明的各种制程生产，并且可具有不变的、分散的或逐渐变化的元素浓度。逐渐变化的锗化硅薄膜在共同让渡予本案受让人的美国专利第6,770,134和6,905,542号中揭示，其在此通过引用其全文的方式并入本文中，以描述沉积逐渐变化的含硅化合物薄膜的方法。在一实例中，一硅来源(例如SiH4)及一锗来源(例如GeH4)是用来选择性地且外延地沉积含锗化硅薄膜。在此实例中，硅来源和锗来源的比例可在成长逐渐变化的薄膜时改变，以提供对元素浓度的控制，例如硅和锗。在另一实例中，一硅来源及一碳来源(例如CH3SiH3)是用来选择性地且外延地沉积含碳化硅薄膜。硅来源和碳来源的比例可在成长同质或逐渐变化的薄膜时改变，以提供对元素浓度的控制。在另一实例中，一硅来源、一锗来源和一碳来源是用来选择性地且外延地沉积含碳化硅锗薄膜。硅、锗和碳来源的比例在成长同质或逐渐变化的薄膜时独立变化，以提供对元素浓度的控制。
由在此所述制程所形成的MOSFET元件可包含PMOS构件或NMOS构件。该PMOS构件，具有一p型通道，具有负责通道传导(channelconduction)的电洞，而该NMOS构件，具有一n型通道，具有负责通道传导的电子。因此，例如，例如锗化硅的含硅材料可沉积在一凹陷区域中以形成一PMOS构件。在另一实例中，例如碳化硅的含硅薄膜可沉积在一凹陷区域中以形成一NMOS构件。在PMOS应用中使用锗化硅有几个原因。锗化硅材料会比单独的硅并入更多硼，因此可降低接面电阻。此外，基板表面处的锗化硅/硅化物层介面具有比硅/硅化物介面低的萧特基障壁。
此外，外延成长在硅上方的锗化硅具有位于薄膜内部的压应力，因为锗化硅的晶格常数比硅大。该压应力在横向尺寸上转移以在PMOS通道中产生压应变并且增加电洞的迁移率。对NMOS应用而言，碳化硅可用于所述凹陷区域中以在该通道中产生张应力，因为碳化硅的晶格常数与硅类似。该张应力转移至该通道内并且增加电子迁移率。因此，在一实施例中，第一含硅层是经形成有第一晶格应变值，而第二含硅层则经形成有第二晶格应变值。例如，在基板表面上沉积厚度从约50埃至约200埃的碳化硅层，接着在该碳化硅层上沉积厚度从约150埃至约1,000埃的锗化硅层。该碳化硅层可以外延成长，且具有比外延成长在该碳化硅层上的锗化硅层低的应变。
在此间所述实施例中，含硅化合物薄膜是通过化学气相沉积(CVD)制程选择性地且外延地沉积。化学气相沉积制程包含原子层沉积(ALD)制程及/或原子层外延(ALE)制程。化学气相沉积包含许多技术的使用，例如电浆辅助CVD(PA-CVD)、原子层CVD(ALCVD)、有机金属或金属有机CVD(OMCVD或MOCVD)、雷射辅助CVD(LA-CVD)、紫外光CVD(UV-CVD)、热钨丝CVD(HWCVD)、减压CVD(RP-CVD)、超高真空CVD(UHV-CVD)及其他。在一实施例中，较佳制程是使用热CVD来外延成长或沉积该含硅化合物，而该含硅化合物包含硅、锗化硅、碳化硅、碳化硅锗、其掺杂的变体或其组合物。
本发明的制程可在ALE、CVD和ALD习知技术中已知的设备内执行。该设备可含有多个气体线以使沉积气体和蚀刻气体在进入该制程反应室前维持分离。之后，使所述气体与加热的其上成长有含硅化合物薄膜的基板接触。可用来沉积含硅薄膜的硬体包含可从加州圣塔克拉拉的应用材料公司取得的Epi Centura系统和Poly Gen系统。一种ALD设备在共同让渡予本申请受让人的美国专利第6,916,398号揭示，其在此通过引用其全文的方式并入本文中，以描述该设备。其它设备包含批次式(batch)、高温炉管，如习知技术中已知者。
实例执行下述假设的实例以在一基板表面上形成升高的源极漏极(ESD)结构。该图案化基板含有单晶表面，其具有形成在该基板表面内的源极/漏极特征和形成在其间的栅极和间隙壁。
实例1利用氯气蚀刻剂的硅的选择性外延-将基板置入加热且维持在550℃下的制程反应室内。使该制程反应室维持在约15托耳的压力下。该基板表面是经暴露在含有流速为100sccm的硅烷及流速为25slm的氮气的沉积气体流中7秒。之后将基板暴露在含有流速为20sccm的氯气及流速为25slm的氮气的蚀刻气体中10秒。沉积气体暴露及蚀刻气体暴露的周期是经重复50次以在该基板暴露出的单晶部份上形成外延成长的硅层。该硅外延层厚度约为1,000埃。
实例2利用氯气蚀刻剂的锗化硅的选择性外延-将基板置入加热且维持在550℃下的制程反应室内。使该制程反应室维持在约15托耳的压力下。该基板表面是经暴露在含有流速为100sccm的硅烷、流速为3sccm的锗及流速为25slm的氮气的沉积气体流中8秒。之后将基板暴露在含有流速为20sccm的氯气及流速为25slm的氮气的蚀刻气体中10秒。沉积气体暴露及蚀刻气体暴露的周期是经重复50次以在该基板暴露出的单晶部份上形成外延成长的含硅层。该含硅外延层厚度约为1,700埃。
实例3利用氯气蚀刻剂的锗化硅的选择性外延-将基板置入加热且维持在550℃下的制程反应室内。使该制程反应室维持在约15托耳的压力下。该基板表面是经暴露在含有流速为100sccm的硅烷及流速为25slm的氮气的沉积气体流中7秒。之后将该基板表面暴露在含有流速为5sccm的锗及流速为25slm的氮气的第二沉积气体流中7秒。将基板暴露在含有流速为20sccm的氯气及流速为25slm的氮气的蚀刻气体中10秒。沉积气体暴露及蚀刻气体暴露的周期是经重复50次以在该基板暴露出的单晶部份上形成外延成长的含硅层。该含硅外延层厚度约为1,800埃。
实例4利用氯气蚀刻剂的碳化硅的选择性外延-将基板置入加热且维持在550℃下的制程反应室内。使该制程反应室维持在约15托耳的压力下。之后将该基板表面暴露在含有流速为100sccm的硅烷、流速为1sccm的甲基硅烷及流速为25slm的氮气的沉积气体流中8秒。将基板暴露在含有流速为20sccm的氯气及流速为25slm的氮气的蚀刻气体中10秒。沉积气体暴露及蚀刻气体暴露的周期是经重复50次以在该基板暴露出的单晶部份上形成外延成长的含硅层。该含硅外延层厚度约为1,600埃。
实例5利用氯气蚀刻剂的碳化硅的选择性外延-将基板置入加热且维持在550℃下的制程反应室内。使该制程反应室维持在约15托耳的压力下。之后将该基板表面暴露在含有流速为100sccm的硅烷及流速为25slm的氮气的沉积气体流中7秒。之后将该基板表面暴露在含有流速为5sccm的甲基硅烷及流速为25slm的氮气的第二沉积气体流中7秒。将基板暴露在含有流速为20sccm的氯气及流速为25slm的氮气的蚀刻气体中10秒。沉积气体暴露及蚀刻气体暴露的周期是经重复50次以在该基板暴露出的单晶部份上形成外延成长的含硅层。该含硅外延层厚度约为1,800埃。
实例6利用氯化氢蚀刻剂的硅的选择性外延-将基板置入加热且维持在700℃下的制程反应室内。使该制程反应室维持在约15托耳的压力下。之后将该基板表面暴露在含有流速为100sccm的硅烷及流速为25slm的氢气的沉积气体流中7秒。将基板暴露在含有流速为200sccm的氯化氢及流速为25slm的氢气的蚀刻气体中40秒。沉积气体暴露及蚀刻气体暴露的周期是经重复10次以在该基板暴露出的单晶部份上形成外延成长的硅层。该硅外延层厚度约为800埃。
实例7利用氯化氢蚀刻剂的锗化硅的选择性外延-将基板置入加热且维持在700℃下的制程反应室内。使该制程反应室维持在约15托耳的压力下。之后将该基板表面暴露在含有流速为100sccm的硅烷、流速为3sccm的锗及流速为25slm的氢气的沉积气体流中8秒。将基板暴露在含有流速为200sccm的氯化氢及流速为25slm的氢气的蚀刻气体中40秒。沉积气体暴露及蚀刻气体暴露的周期是经重复20次以在该基板暴露出的单晶部份上形成外延成长的含硅层。该含硅外延层厚度约为1,500埃。
实例8利用氯化氢蚀刻剂的锗化硅的选择性外延-将基板置入加热且维持在700℃下的制程反应室内。使该制程反应室维持在约15托耳的压力下。之后将该基板表面暴露在含有流速为100sccm的硅烷及流速为25slm的氢气的沉积气体流中7秒。将该基板表面暴露在含有流速为5sccm的锗及流速为25slm的氢气的第二沉积气体流中7秒。将基板暴露在含有流速为200sccm的氯化氢及流速为25slm的氢气的蚀刻气体中40秒。沉积气体暴露及蚀刻气体暴露的周期是经重复20次以在该基板暴露出的单晶部份上形成外延成长的含硅层。该含硅外延层厚度约为1,600埃。
实例9利用氯化氢蚀刻剂的碳化硅的选择性外延-将基板置入加热且维持在700℃下的制程反应室内。使该制程反应室维持在约15托耳的压力下。之后将该基板表面暴露在含有流速为100sccm的硅烷、流速为1sccm的甲基硅烷及流速为25slm的氢气的沉积气体流中8秒。将基板暴露在含有流速为200sccm的氯化氢及流速为25slm的氢气的蚀刻气体中40秒。沉积气体暴露及蚀刻气体暴露的周期是经重复20次以在该基板暴露出的单晶部份上形成外延成长的含硅层。该含硅外延层厚度约为1,500埃。
实例10利用氯化氢蚀刻剂的碳化硅的选择性外延-将基板置入加热且维持在700℃下的制程反应室内。使该制程反应室维持在约15托耳的压力下。之后将该基板表面暴露在含有流速为100sccm的硅烷及流速为25slm的氢气的沉积气体流中7秒。将该基板表面暴露在含有流速为1sccm的甲基硅烷及流速为25slm的氢气的第二沉积气体流中7秒。将基板暴露在含有流速为200sccm的氯化氢及流速为25slm的氢气的蚀刻气体中40秒。沉积气体暴露及蚀刻气体暴露的周期是经重复20次以在该基板暴露出的单晶部份上形成外延成长的含硅层。该含硅外延层厚度约为1,600埃。该基板表面暴露出的介电部分，例如栅极，从该沉积气体形成有限的或不形成多晶硅。
实例11以氯气蚀刻并且以硼掺杂的硅的选择性外延-将基板置入加热且维持在550℃下的制程反应室内。使该制程反应室维持在约15托耳的压力下。该基板表面是经暴露在含有流速为100sccm的硅烷、流速为3sccm的二硼烷及流速为25slm的氮气的沉积气体流中7秒。之后将基板暴露在含有流速为20sccm的氯气及流速为25slm的氮气的蚀刻气体中10秒。沉积气体暴露及蚀刻气体暴露的周期是经重复50次以在该基板暴露出的单晶部份上形成外延成长的硅层。该硅外延层厚度约为1,000埃。
实例12以氯气蚀刻并且以硼掺杂的锗化硅的选择性外延-将基板置入加热且维持在550℃下的制程反应室内。使该制程反应室维持在约15托耳的压力下。该基板表面是经暴露在含有流速为100sccm的硅烷、流速为3sccm的锗、流速为3sccm的二硼烷及流速为25slm的氮气的沉积气体流中8秒。之后将基板暴露在含有流速为20sccm的氯气及流速为25slm的氮气的蚀刻气体中10秒。沉积气体暴露及蚀刻气体暴露的周期是经重复50次以在该基板暴露出的单晶部份上形成外延成长的含硅层。该含硅外延层厚度约为1,700埃。
实例13以氯气蚀刻并且以硼掺杂的锗化硅的选择性外延-将基板置入加热且维持在550℃下的制程反应室内。使该制程反应室维持在约15托耳的压力下。该基板表面是经暴露在含有流速为100sccm的硅烷、流速为3sccm的二硼烷及流速为25slm的氮气的沉积气体流中7秒。之后将该基板表面暴露在含有流速为5sccm的锗及流速为25slm的氮气的第二沉积气体流中7秒。之后将基板暴露在含有流速为20sccm的氯气及流速为25slm的氮气的蚀刻气体中10秒。沉积气体暴露及蚀刻气体暴露的周期是经重复50次以在该基板暴露出的单晶部份上形成外延成长的含硅层。该含硅外延层厚度约为1,800埃。
实例14以氯气蚀刻并且以磷掺杂的碳化硅的选择性外延-将基板置入加热且维持在550℃下的制程反应室内。使该制程反应室维持在约15托耳的压力下。该基板表面是经暴露在含有流速为100sccm的硅烷、流速为1sccm的甲基硅烷、流速为3sccm的磷化氢及流速为25slm的氮气的沉积气体流中8秒。之后将基板暴露在含有流速为20sccm的氯气及流速为25slm的氮气的蚀刻气体中10秒。沉积气体暴露及蚀刻气体暴露的周期是经重复80次以在该基板暴露出的单晶部份上形成外延成长的含硅层。该含硅外延层厚度约为1,600埃。
实例15以氯气蚀刻并且以磷掺杂的碳化硅的选择性外延-将基板置入加热且维持在550℃下的制程反应室内。使该制程反应室维持在约15托耳的压力下。该基板表面是经暴露在含有流速为100sccm的硅烷、流速为3sccm的磷化氢及流速为25slm的氮气的沉积气体流中7秒。之后将该基板表面暴露在含有流速为5sccm的甲基硅烷及流速为25slm的氮气的沉积气体流中7秒。之后将基板暴露在含有流速为20sccm的氯气及流速为25slm的氮气的蚀刻气体中10秒。沉积气体暴露及蚀刻气体暴露的周期是经重复80次以在该基板暴露出的单晶部份上形成外延成长的含硅层。该含硅外延层厚度约为1,800埃。
虽然前述是针对本发明的实施例，但本发明的其他及进一步的实施例可在不背离其基本范围下设计出，并且其范围是由权利要求决定。
权利要求
1.一种在一基板表面上外延形成一含硅材料的方法，其至少包含将具有一单晶表面和至少一第二表面的基板安置于一制程反应室内，该第二表面选自非晶表面、多晶表面及其组合物；使该基板暴露在一沉积气体中，以在该单晶表面上形成一外延层并在该第二表面上形成一多晶层，其中该沉积气体含有一硅来源和至少一第二元素来源，其选自锗来源、碳来源或其组合物；其后将该基板暴露在一蚀刻气体中，以蚀刻该多晶层和该外延层，其中该多晶层是以比该外延层快的速率蚀刻；以及形成一沉积周期，其包含将该基板连续暴露在该沉积气体和该蚀刻剂气体中，以在其上形成一含硅材料。
2.如权利要求1所述的方法，其中上述的沉积周期重复至少两次。
3.如权利要求2所述的方法，其中上述的沉积周期是经重复以形成范围从约400埃至约1,200埃的预定厚度的含硅材料。
4.如权利要求1所述的方法，其中上述的蚀刻气体含有氯气和氮气。
5.如权利要求4所述的方法，其中上述的沉积周期是在范围从约500℃至约750℃内的温度下执行。
6.如权利要求1所述的方法，其中上述的蚀刻气体包含一种选自氯化氢、氯气及其组合物的化合物。
7.如权利要求6所述的方法，其中上述的蚀刻气体进一步包含一种选自氮气、氩气、氦气及其组合物的惰性气体。
8.如权利要求7所述的方法，其中上述的外延层包含一种选自硅-锗、硅-碳、硅-锗-碳及其组合物的材料。
9.如权利要求8所述的方法，其中上述的沉积气体进一步包含一种掺质化合物。
10.如权利要求9所述的方法，其中上述的掺质化合物包含一种选自硼、砷、磷、铝、镓、锗、碳及其组合物的元素来源。
11.如权利要求10所述的方法，其中上述的沉积周期在温度约750℃或更低的制程反应室中发生。
12.如权利要求2所述的方法，其中上述的沉积气体及蚀刻气体是由不同气体线独立传送至该制程反应室内。
13.如权利要求12所述的方法，其中上述的沉积反应室是一热化学气相沉积反应室。
14.一种在一基板表面上外延形成一含硅材料的方法，其至少包含将具有一单晶表面和至少一第二表面的基板安置于一制程反应室内，该第二表面选自非晶表面、多晶表面及其组合物；使该基板暴露在一沉积气体中，以在该单晶表面上形成一外延层并在该第二表面上形成一多晶层，其中该沉积气体含有一硅来源和至少一第二元素来源，其选自锗来源、碳来源或其组合物；其后将该基板暴露在一含有氯气的蚀刻气体中，以比蚀刻该外延层快的速率蚀刻该多晶层；以及形成一沉积周期，其包含将该基板连续暴露在该沉积气体和该蚀刻剂气体中，以在其上形成一含硅材料。
15.如权利要求14所述的方法，其中上述的沉积周期重复至少两次。
16.如权利要求15所述的方法，其中上述的沉积周期是经重复以形成范围从约400埃至约1,200埃的预定厚度的含硅材料。
17.如权利要求14所述的方法，其中上述的蚀刻气体进一步含有氮气。
18.如权利要求17所述的方法，其中上述的沉积周期是在范围从约500℃至约750℃内的温度下执行。
19.如权利要求14所述的方法，其中上述的蚀刻气体进一步包含一种选自氮气、氩气、氦气及其组合物的惰性气体。
20.如权利要求19所述的方法，其中上述的沉积气体进一步包含一种掺质化合物。
21.如权利要求20所述的方法，其中上述的掺质化合物包含一种选自硼、砷、磷、铝、镓、锗、碳及其组合物的元素来源。
22.如权利要求15所述的方法，其中上述的制程反应室在该沉积周期期间是处于约750℃或更低的温度下。
23.如权利要求22所述的方法，其中上述的沉积气体及蚀刻气体是由不同气体线独立传送至该制程反应室内。
24.如权利要求23所述的方法，其中上述的沉积反应室是一热化学气相沉积反应室。
25.一种在一基板表面上外延形成一含硅材料的方法，其至少包含将具有一单晶表面和至少一第二表面的基板安置于一制程反应室内，该第二表面选自非晶表面、多晶表面及其组合物；使该基板暴露在一沉积气体中，以在该单晶表面上形成一外延层并在该第二表面上形成一多晶层，其中该沉积气体含有一硅来源和一锗来源；其后将该基板暴露在一含有氯气的蚀刻气体中，以比蚀刻该外延层快的速率蚀刻该多晶层；以及形成一沉积周期，其包含将该基板连续暴露在该沉积气体和该蚀刻剂气体中，以在其上形成一含硅材料。
26.如权利要求25所述的方法，其中上述的沉积周期是经重复以形成范围从约400埃至约1,200埃的预定厚度的含硅材料。
27.如权利要求26所述的方法，其中上述的蚀刻气体含有氯气和氮气。
28.如权利要求25所述的方法，其中上述的制程反应室在该沉积周期期间是处于约750℃或更低的温度下。
29.如权利要求28所述的方法，其中上述的沉积气体及蚀刻气体是由不同气体线独立传送至该制程反应室内。
30.如权利要求29所述的方法，其中上述的沉积反应室是一热化学气相沉积反应室。
31.一种在一基板表面上外延形成一含硅材料的方法，其至少包含将具有一单晶表面和至少一第二表面的基板安置于一制程反应室内，该第二表面选自非晶表面、多晶表面及其组合物；使该基板暴露在一沉积气体中，以在该单晶表面上形成一外延层并在该第二表面上形成一多晶层，其中该沉积气体含有一硅来源和一碳来源；其后将该基板暴露在一含有氯气的蚀刻气体中，以比蚀刻该外延层快的速率蚀刻该多晶层；以及形成一沉积周期，其包含将该基板连续暴露在该沉积气体和该蚀刻剂气体中，以在其上形成一含硅材料。
32.如权利要求31所述的方法，其中上述的沉积周期是经重复以形成范围从约400埃至约1,200埃的预定厚度的含硅材料。
33.如权利要求32所述的方法，其中上述的蚀刻气体含有氯气和氮气。
34.如权利要求31所述的方法，其中上述的制程反应室在该沉积周期期间是处于约750℃或更低的温度下。
35.如权利要求34所述的方法，其中上述的沉积气体及蚀刻气体是由不同气体线独立传送至该制程反应室内。
36.如权利要求35所述的方法，其中上述的沉积反应室是一热化学气相沉积反应室。
全文摘要
在一实施例中，提供一种在基板表面上外延形成含硅材料的方法，其包含将具有一单晶表面和一第二表面(非晶或多晶)的基板安置于一制程反应室内，并且将该基板暴露在一沉积气体下以在该单晶表面上形成一外延层并在该第二表面上形成一多晶层。该沉积气体较佳地含有一硅来源和至少一第二元素来源，例如锗来源、碳来源或两者。之后，该方法更提供将该基板暴露在一蚀刻剂气体下，而使该多晶层以比该外延层快的速率蚀刻。该基板可连续并重复地暴露在该沉积和蚀刻气体下，以形成该含硅材料。在一实施例中，该沉积气体包含硅烷，而该蚀刻气体包含氯气和氮气。
文档编号H01L21/8238GK101069264SQ200580041187
公开日2007年11月7日 申请日期2005年11月28日 优先权日2004年12月1日
发明者金亿涣, 阿卡迪·V·萨蒙罗弗 申请人:应用材料股份有限公司