专利名称：发光二极管封装、发光二极管阵列与改善色差的方法
技术领域：
本发明涉及一种改善色差(chromatic aberration)的方法，且特别涉及一种发光二极管阵列之色差改善方法。
背景技术：
由于发光二极管具有寿命长、体积小、高耐震性、发热度小以及耗电量低等优点，发光二极管已被广泛地应用于家电产品以及各式仪器之指示灯或光源。近年来，还由于发光二极管朝向多色彩以及高亮度化发展，发光二极管的应用范围已拓展至大型户外显示广告牌及交通信号灯等，未来甚至可以取代钨丝灯和水银灯以成为兼具省电和环保功能的照明灯源。
请参照图1A，其为一种公知发光二极管封装的侧视剖面示意图。公知之发光二极管封装100包括承载器(carrier)110、发光二极管芯片(LEDchip)120、芯片接合层(chip bonding layer)130与多条焊线(bonding wire)140。承载器110为电路板(circuit board)，发光二极管芯片120通过芯片接合层130而设置于承载器110的凹穴(cavity)112内。此外，发光二极管芯片120的多个焊盘(bonding pad)122(通常只有两个焊盘)通过这些焊线140分别与承载器110的多个接脚(1ead)114电连接。
公知之发光二极管封装100的发光二极管芯片120可为红光发光二极管芯片，绿光发光二极管芯片或蓝光发光二极管芯片。然而，上述三种可见光之发光二极管芯片120的发光强度的会因为温度改变、驱动电流的不同而产生变化，甚至因发光二极管芯片120本身的长期使用而衰减。此外，在上述各个变因(即温度、驱动电流与使用时间)皆为相同的情况下，上述三种可见光之发光二极管芯片120的发光强度的衰减速率有所不同，其衰减速率如图1B所示。因此，若某一光源是以分别具有红光发光二极管芯片，绿光发光二极管芯片与蓝光发光二极管芯片的多个发光二极管封装100所排列组成，则此光源在通过长期使用后将会产生色差问题。
请参照图2，其为一种公知发光系统的侧视剖面示意图，为了解决上述色差问题，公知发光系统10被提出。公知发光系统10(可为红光发光系统、绿光发光系统或蓝光发光系统)包括发光二极管封装100、集光器C与光强度检测器D。当发光二极管封装100处于使用状态时，发光二极管封装100所发出的部分光线L经过集光器C而到达光强度检测器D，而光强度检测器D随时检测光线L的发光强度并通过驱动电路(图中未表示)加以调整。因此，若某一光源是以分别为红光发光系统、绿光发光系统与蓝光发光系统等多个发光系统10所排列组成，则这些发光系统10可通过各自的光强度检测器D来检测并通过驱动电路调整其发光强度，以使得这些发光系统10的发光强度达到一致。
然而，公知发光系统10所需元件数目过多且制造不易，因此公知发光系统10的产品合格率低且制造成本高。
发明内容
本发明之目的是提供一种发光二极管封装，其芯片接合层具有多个孔洞，以调变发光二极管芯片与芯片接合层之接合面积。
本发明之另一目的是提供一种发光二极管阵列，以使得不同发光二极管封装之发光强度的衰减速率之差异缩小。
本发明的又一目的是提供一种改善色差的方法，以使得不同发光二极管封装之发光强度的衰减速率之差异缩小，进而改善发光二极管阵列的混合色光的色差现象。
为达上述或是其它目的，本发明提出一种发光二极管封装，其包括承载器、发光二极管芯片、芯片接合层以及焊线。发光二极管芯片设置于承载器上，芯片接合层设置于发光二极管芯片与承载器之间，其中芯片接合层具有多个孔洞，用以调变(modulate)发光二极管芯片与芯片接合层之接合面积。此外，发光二极管芯片通过焊线与承载器电连接。
在本发明之一实施例中，上述之承载器例如为电路板。
在本发明之一实施例中，上述之承载器例如为电路板，其可具有凹穴以及多个接脚，且凹穴暴露出这些接脚的部分区域。
在本发明之一实施例中，上述之承载器例如为电路板，其可具有凹穴以及多个接脚，且凹穴暴露出这些接脚的部分区域。此外，发光二极管芯片可具有多个焊盘，且这些焊盘之一通过焊线与这些接脚之一电连接。
在本发明之一实施例中，上述之发光二极管芯片包括红光发光二极管芯片、橘光发光二极管芯片、黄光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片或蓝光发光二极管芯片。
在本发明之一实施例中，上述之芯片接合层之材质包括纯金属。
在本发明之一实施例中，上述之芯片接合层之材质包括金属合金。
在本发明之一实施例中，上述之芯片接合层中之这些孔洞所占的面积比率例如介于2％～30％。
在本发明之一实施例中，上述之芯片接合层之这些孔洞的形状包括圆形、椭圆形或多边形。
在本发明之一实施例中，上述之芯片接合层之这些孔洞的形状可为不规律的形状。
为达上述或是其它目的，本发明提出一种发光二极管阵列，其包括多个发光二极管封装与阵列承载器。每一发光二极管封装包括承载器、发光二极管芯片、芯片接合层与焊线。发光二极管芯片设置于承载器上，芯片接合层设置于发光二极管芯片与承载器之间，且发光二极管芯片通过焊线与承载器电连接。此外，阵列承载器承载这些发光二极管封装，并与这些发光二极管封装电连接，其中至少部分的芯片接合层具有多个孔洞，用以调变这些发光二极管芯片与这些芯片接合层之接合面积。
在本发明之一实施例中，上述之承载器例如为电路板。
在本发明之一实施例中，上述之承载器例如为电路板，其可具有凹穴以及多个接脚，且凹穴暴露出这些接脚的部分区域。
在本发明之一实施例中，上述之承载器例如为电路板，其可具有凹穴以及多个接脚，且凹穴暴露出这些接脚的部分区域。此外，发光二极管芯片可具有多个焊盘，且这些焊盘之一通过焊线与这些接脚之一电连接。
在本发明之一实施例中，上述这些发光二极管芯片包括蓝光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片以及红光发光二极管芯片，其中蓝光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片以及红光发光二极管芯片与芯片接合层的接合面积分别为X、a1X、a2X，且1＞a1＞a2。
在本发明之一实施例中，上述这些发光二极管芯片包括蓝光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片以及红光发光二极管芯片，其中蓝光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片以及红光发光二极管芯片与芯片接合层的接合面积分别为X、a1X、a2X，且1＞a1＞a2。此外，a1可介于0.90至0.99之间，而a2可介于0.70至0.89之间。
在本发明之一实施例中，上述这些发光二极管芯片包括蓝光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片以及红光发光二极管芯片，其中蓝光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片以及红光发光二极管芯片与芯片接合层的接合面积分别为X、a1X、a2X，且1＞a1＞a2。此外，与蓝光发光二极管芯片接合之芯片接合层可不具有孔洞，而与绿光发光二极管芯片以及红光发光二极管芯片接合之芯片接合层可具有孔洞。
在本发明之一实施例中，上述这些发光二极管芯片包括蓝光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片以及红光发光二极管芯片，其中蓝光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片以及红光发光二极管芯片与芯片接合层的接合面积分别为X、a1X、a2X，且1＞a1＞a2。此外，与蓝光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片以及红光发光二极管芯片接合之芯片接合层皆可具有孔洞。
在本发明之一实施例中，上述这些发光二极管芯片包括蓝光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片以及红光发光二极管芯片，其中蓝光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片以及红光发光二极管芯片与芯片接合层的接合面积分别为X、a1X、a2X，且1＞a1＞a2。此外，这些发光二极管芯片还包括黄光发光二极管芯片以及橘光发光二极管芯片，其中黄光发光二极管芯片以及橘光发光二极管芯片与芯片接合层的接合面积分别为a3X、a4X，且1＞a1＞a3＞a4＞a2。
在本发明之一实施例中，上述这些发光二极管芯片包括蓝光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片以及红光发光二极管芯片，其中蓝光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片以及红光发光二极管芯片与芯片接合层的接合面积分别为X、a1X、a2X，且1＞a1＞a2，a1可介于0.90至0.99之间，而a2可介于0.70至0.89之间，此外，这些发光二极管芯片还包括黄光发光二极管芯片以及橘光发光二极管芯片，其中黄光发光二极管芯片以及橘光发光二极管芯片与芯片接合层的接合面积分别为a3X、a4X，且1＞a1＞a3＞a4＞a2。另外，a3可介于0.85至0.89之间，而a4可介于0.79至0.84之间。
在本发明之一实施例中，上述之芯片接合层之材质包括纯金属。
在本发明之一实施例中，上述之芯片接合层之材质包括金属合金。
在本发明之一实施例中，上述之芯片接合层之这些孔洞的形状包括圆形、椭圆形或多边形。
在本发明之一实施例中，上述之芯片接合层之这些孔洞的形状可为不规律的形状。
在本发明之一实施例中，上述这些发光二极管封装的发光二极管芯片包括至少两种发出不同颜色可见光的发光二极管芯片。
为达上述或是其它目的，本发明提出一种改善色差的方法，其适用于发光二极管阵列，其中发光二极管阵列具有多个发光二极管封装，而改善色差的方法包括下列步骤。首先，测量不同发光二极管封装之发光强度的衰减速率。接着，通过调整发光二极管封装的散热能力，以使得不同发光二极管封装之发光强度的衰减速率之差异缩小。
在本发明之一实施例中，上述每一发光二极管封装包括承载器、设置于承载器上之发光二极管芯片以及设置于发光二极管芯片与承载器之间的芯片接合层，而调整每一发光二极管封装之散热能力的方法包括调变发光二极管芯片与芯片接合层之接合面积。
在本发明之一实施例中，上述每一发光二极管封装包括承载器、设置于承载器上之发光二极管芯片以及设置于发光二极管芯片与承载器之间的芯片接合层，而调整每一发光二极管封装之散热能力的方法包括调变发光二极管芯片与芯片接合层之接合面积。此外，调变发光二极管芯片与芯片接合层之接合面积的方法包括在芯片接合层中形成多个孔洞。
在本发明之一实施例中，上述每一发光二极管封装包括承载器、设置于承载器上之发光二极管芯片以及设置于发光二极管芯片与承载器之间的芯片接合层，而调整每一发光二极管封装之散热能力的方法包括调变发光二极管芯片与芯片接合层之接合面积。此外，调变发光二极管芯片与芯片接合层之接合面积的方法包括在芯片接合层中形成多个孔洞。另外，这些孔洞所占的面积比率可介于2％～30％。
在本发明之一实施例中，上述每一发光二极管封装包括承载器、设置于承载器上之发光二极管芯片以及设置于发光二极管芯片与承载器之间的芯片接合层，而调整每一发光二极管封装之散热能力的方法包括调变发光二极管芯片与芯片接合层之接合面积。此外，调变发光二极管芯片与芯片接合层之接合面积的方法包括在芯片接合层中形成多个孔洞。另外，芯片接合层之这些孔洞的形状包括圆形、椭圆形或多边形。
在本发明之一实施例中，上述每一发光二极管封装包括承载器、设置于承载器上之发光二极管芯片以及设置于发光二极管芯片与承载器之间的芯片接合层，而调整每一发光二极管封装之散热能力的方法包括调变发光二极管芯片与芯片接合层之接合面积。此外，调变发光二极管芯片与芯片接合层之接合面积的方法包括在芯片接合层中形成多个孔洞。另外，芯片接合层之这些孔洞的形状可为不规律的形状。
基于上述，由于本发明之发光二极管封装、发光二极管阵列与改善色差的方法可通过调整发光二极管封装的散热能力而使得不同发光二极管封装之发光强度的衰减速率之差异缩小。据此，具有不同发光二极管封装之发光二极管阵列的混合色光较不会产生色差现象。
为让本发明之上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下。
图1A为一种公知发光二极管封装的侧视剖面示意图。
图1B为图1A之发光二极管封装之发光二极管芯片的发光强度随时间衰减的变化图。
图2为一种公知发光系统的侧视剖面示意图。
图3为本发明第一实施例之一种发光二极管封装的侧视剖面示意图。
图4为本发明第一实施例之另一种发光二极管封装的侧视剖面示意图。
图5A为本发明第二实施例之一种发光二极管阵列的侧视剖面示意图。
图5B为图5A之发光二极管阵列之发光二极管芯片的发光强度随时间衰减的变化图。
图6为本发明第三实施例之一种发光二极管阵列的侧视剖面示意图。主要元件标记说明10发光系统30、40发光二极管阵列100、200、200’、300(b)、300(g)、300(r)、400(y)、400(o)发光二极管封装110、210承载器112、212凹穴114、214接脚120、220、220’、320(b)、320(g)、320(r)、420(b)、420(g)、420(r)、420(y)、420(o)发光二极管芯片
122、222、222’焊盘130、230、330(b)、330(g)、330(r)、430(b)、430(g)、430(r)、430(y)、430(o)芯片接合层140、240焊线232、332(b)、332(g)、332(r)孔洞250胶体C集光器D光强度检测器L光线M阵列承载器具体实施方式
第一实施例请参照图3，其为本发明第一实施例之一种发光二极管封装的侧视剖面示意图。发光二极管封装200包括承载器210、发光二极管芯片220、芯片接合层230以及多条焊线240。发光二极管芯片220设置于承载器210上，芯片接合层230设置于发光二极管芯片220与承载器210之间，其中芯片接合层230具有多个孔洞(hole)232，用以调变(modulate)发光二极管芯片220与芯片接合层230之接合面积。此外，发光二极管芯片220通过这些焊线240与承载器210电连接。
在第一实施例中，承载器210例如为电路板，其可具有凹穴212以及多个接脚214，且凹穴212暴露出这些接脚214的部分区域。发光二极管芯片220可具有多个焊盘222，且这些焊盘222通过这些焊线240分别与这些接脚214电连接。此外，发光二极管芯片220包括红光发光二极管芯片、橘光发光二极管芯片、黄光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片或蓝光发光二极管芯片；而芯片接合层230之材质包括纯金属或金属合金，其用以传导发光二极管芯片220在发光时所产生的热能于外界环境中。另外，发光二极管封装200还包括胶体(encapsulant)250，其至少包覆发光二极管芯片220、芯片接合层230与这些焊线240，胶体250的功能为保护这些焊线240以避免受到外界温度、湿气与噪声的影响。
在第一实施例中，芯片接合层230中之这些孔洞232所占的面积比率例如介于2％～30％，其计算方式为若芯片接合层230与发光二极管芯片220的接合面积为A1，这些孔洞232在芯片接合层230与发光二极管芯片220的接合面上所占的面积为A2，则这些孔洞232所占的面积比率为A2/(A1+A2)。就外型而言，芯片接合层230之这些孔洞232的形状包括圆形、椭圆形或多边形，甚至可为不规律的形状。
一般而言，多个发光二极管封装200会以面阵列的方式排列，且这些发光二极管封装200可包括多个发射出不同种类可见光的发光二极管封装200，用以达到混光的目的。就混光为白光而言，则通常需要两种或三种可见光的发光二极管封装200(例如为分别具有红光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片与蓝光发光二极管芯片的三种发光二极管封装200)以某种型式的面阵列排列而成，且这些不同种类的可见光的发光二极管封装200的发光二极管芯片220与芯片接合层230之接合面积会有所不同且具有某种比例关系，更进一步的说明请见第二实施例的内容。
最后，请参照图3与图4，其中图4为本发明第一实施例之另一种发光二极管封装的侧视剖面示意图。发光二极管封装200’与发光二极管封装200的不同之处在于，发光二极管芯片220’的焊盘222’的设置方式不同于发光二极管芯片220的焊盘222的设置方式。
第二实施例请参照图5A，其为本发明第二实施例之一种发光二极管阵列的侧视剖面示意图。第二实施例之发光二极管阵列30包括多个发光二极管封装300(b)、300(g)与300(r)(图3仅示意地各表示一个)与阵列承载器M。其中，每一发光二极管封装300(b)、300(g)与300(r)所包括的构件及其描述如同第一实施例所述，故于此不再赘述。此外，阵列承载器M承载这些发光二极管封装300(b)、300(g)与300(r)，并与这些发光二极管封装300(b)、300(g)与300(r)电连接，其中这些芯片接合层330(b)、330(g)与330(r)具有多个孔洞332(b)、332(g)与332(r)，用以调变这些发光二极管芯片320(b)、320(g)与320(r)与这些芯片接合层330(b)、330(g)与330(r)之接合面积。由上述可知，发光二极管阵列30包括多个第一实施例所述之发光二极管封装200或200’(见图3与图4，但是在第二实施例中仅以发光二极管封装200的外型样式作为图5A所示与以下说明的代表)。
详细而言，在第二实施例中，这些发光二极管封装300(b)、300(g)与300(r)所发射的可见光的种类不同，其分别包括蓝光发光二极管芯片320(b)、绿光发光二极管芯片320(g)以及红光发光二极管芯片320(r)，其中蓝光发光二极管芯片320(b)、绿光发光二极管芯片320(g)以及红光发光二极管芯片320(r)与芯片接合层330(b)、330(g)与330(r)的接合面积分别为X、a1X、a2X，且1＞a1＞a2。此外，a1可介于0.90至0.99之间，而a2可介于0.70至0.89之间。另外，再次强调的是，分别与蓝光发光二极管芯片320(b)、绿光发光二极管芯片320(g)以及红光发光二极管芯片320(r)接合之芯片接合层330(b)、330(g)与330(r)分别具有孔洞332(b)、332(g)与332(r)。
就这三种可见光的发光二极管芯片320(b)、320(g)与320(r)而言，由于红光发光二极管芯片320(r)的材料散热性最佳、绿光发光二极管芯片320(g)的材料散热性次之，而蓝光发光二极管芯片320(b)的材料散热性最差，且蓝光的光能量为最强、绿光光能量次之，而红光光能量最弱，所以蓝光发光二极管封装300(b)随时间的老化速度最快、绿光发光二极管封装300(g)的老化速度次之，而红光发光二极管封装300(r)的老化速度最慢。因此，蓝光发光二极管芯片320(b)的发光强度的衰减速率(亦即发光强度随着时间增加而衰减的变化率)最快，绿光发光二极管芯片320(g)的发光强度的衰减速率次之，而红光发光二极管芯片320(r)的发光强度的衰减速率最慢。
通过上述，若将各个不同种可见光的发光二极管封装300(b)、300(g)与300(r)的发光二极管芯片320(b)、320(g)与320(r)与芯片接合层330(b)、330(g)与330(r)的接和面积作如上所述的适当面积比率(即1、a1与a2)的调整(亦即调整芯片接合层330(b)、330(g)与330(r)对于发光二极管芯片320(b)、320(g)与320(r)的散热效率)，将可使得不同种可见光的发光二极管封装300(b)、300(g)与300(r)的发光二极管芯片320(b)、320(g)与320(r)的发光强度因温度、驱动电流与使用时间等因素而产生衰减的衰减速率尽量控制成一致，如图5B所示。因此，由这三种可见光的发光二极管封装300(b)、300(g)与300(r)所组成的发光二极管阵列30所产生的混和白光随着时间增加下不至于有严重的色差问题。
简言之，上述适用于发光二极管阵列30的改善色差的方法包括下列步骤。首先，测量不同发光二极管封装300(b)、300(g)与300(r)之发光强度的衰减速率。接着，通过调整发光二极管封装300(b)、300(g)与300(r)的散热能力，以使得不同发光二极管封装300(b)、300(g)与300(r)之发光强度的衰减速率之差异缩小。
最后，必须说明的是，第二实施例之与蓝光发光二极管芯片320(b)接合之芯片接合层330(b)可不具有孔洞332(b)，因此只要发光二极管阵列30的这些发光二极管封装300(g)与300(r)的这些芯片接合层330(g)与330(r)具有多个孔洞332(g)与332(r)即可，但是并未以图面表示。
第三实施例请参照图6，其为本发明第三实施例之一种发光二极管阵列的侧视剖面示意图。第三实施例与第二实施例的主要不同之处在于，第三实施例的发光二极管阵列40还包括分别具有黄光发光二极管芯片420(y)以及橘光发光二极管芯片420(o)的发光二极管封装400(y)与400(o)。
其中，蓝光发光二极管芯片420(b)、绿光发光二极管芯片420(g)、红光发光二极管芯片420(r)、黄光发光二极管芯片420(y)以及橘光发光二极管芯片420(o)与芯片接合层430(b)、430(g)、430(r)、430(y)与430(o)的接合面积分别为X、a1X、a2X、a3X与a4X，且1＞a1＞a3＞a4＞a2。此外，a1可介于0.90至0.99之间，a2可介于0.70至0.89之间，a3可介于0.85至0.89之间，而a4可介于0.79至0.84之间。
综上所述，由于本发明之发光二极管封装、发光二极管阵列与改善色差的方法可通过发光二极管芯片与芯片接合层之接合面积的不同而使得芯片接合层对于发光二极管芯片的散热效率产生差异，进而导致不同发光二极管封装之发光强度的衰减速率之差异缩小。据此，具有不同发光二极管封装之发光二极管阵列的混合色光不会产生色差现象。
虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域的技术人员，在不脱离本发明之精神和范围内，当可作些许之更动与改进，因此本发明之保护范围当视权利要求所界定者为准。
权利要求
1.一种发光二极管封装，其特征是包括承载器；发光二极管芯片，设置于该承载器上；芯片接合层，设置于该发光二极管芯片与该承载器之间，其中该芯片接合层具有多个孔洞，用以调变该发光二极管芯片与该芯片接合层之接合面积；以及焊线，其中该发光二极管芯片通过该焊线与该承载器电连接。
2.根据权利要求1所述之发光二极管封装，其特征是该承载器为电路板。
3.根据权利要求2所述之发光二极管封装，其特征是该电路板具有凹穴以及多个接脚，且该凹穴暴露出上述这些接脚的部分区域。
4.根据权利要求3所述之发光二极管封装，其特征是该发光二极管芯片具有多个焊盘，且上述这些焊盘之一通过该焊线与上述这些接脚之一电连接。
5.根据权利要求1所述之发光二极管封装，其特征是该发光二极管芯片包括红光发光二极管芯片、橘光发光二极管芯片、黄光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片或蓝光发光二极管芯片。
6.根据权利要求1所述之发光二极管封装，其特征是该芯片接合层之材质包括纯金属。
7.根据权利要求1所述之发光二极管封装，其特征是该芯片接合层之材质包括金属合金。
8.根据权利要求1所述之发光二极管封装，其特征是该芯片接合层中之上述这些孔洞所占的面积比率介于2％～30％。
9.根据权利要求1所述之发光二极管封装，其特征是该芯片接合层之上述这些孔洞的形状包括圆形、椭圆形或多边形。
10.根据权利要求1所述之发光二极管封装，其特征是该芯片接合层之上述这些孔洞的形状为不规律的形状。
11.一种发光二极管阵列，其特征是包括多个发光二极管封装，且每一发光二极管封装包括承载器；发光二极管芯片，设置于该承载器上；芯片接合层，设置于该发光二极管芯片与该承载器之间；焊线，其中该发光二极管芯片通过该焊线与该承载器电连接；以及阵列承载器，承载上述这些发光二极管封装，并与上述这些发光二极管封装电连接，其中至少部分的芯片接合层具有多个孔洞，用以调变上述这些发光二极管芯片与上述这些芯片接合层之接合面积。
12.根据权利要求11所述之发光二极管阵列，其特征是该承载器为电路板。
13.根据权利要求12所述之发光二极管阵列，其特征是该电路板具有凹穴以及多个接脚，且该凹穴暴露出上述这些接脚的部分区域。
14.根据权利要求13所述之发光二极管阵列，其特征是该发光二极管芯片具有多个焊盘，且上述这些焊盘之一通过该焊线与上述这些接脚之一电连接。
15.根据权利要求11所述之发光二极管阵列，其特征是上述这些发光二极管芯片包括蓝光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片以及红光发光二极管芯片，其中该蓝光发光二极管芯片、该绿光发光二极管芯片以及该红光发光二极管芯片与该芯片接合层的接合面积分别为X、a1X、a2X，且1＞a1＞a2。
16.根据权利要求15所述之发光二极管阵列，其特征是a1介于0.90至0.99之间，而a2介于0.70至0.89之间。
17.根据权利要求15所述之发光二极管阵列，其特征是与该蓝光发光二极管芯片接合之芯片接合层不具有孔洞，而与该绿光发光二极管芯片以及该红光发光二极管芯片接合之芯片接合层具有孔洞。
18.根据权利要求15所述之发光二极管阵列，其特征是与该蓝光发光二极管芯片、该绿光发光二极管芯片以及该红光发光二极管芯片接合之芯片接合层皆具有孔洞。
19.根据权利要求15所述之发光二极管阵列，其特征是上述这些发光二极管芯片还包括黄光发光二极管芯片以及橘光发光二极管芯片，其中该黄光发光二极管芯片以及该橘光发光二极管芯片与该芯片接合层的接合面积分别为a3X、a4X，且1＞a1＞a3＞a4＞a2。
20.根据权利要求19所述之发光二极管阵列，其特征是a3介于0.85至0.89之间，而a4介于0.79至0.84之间。
21.根据权利要求11所述之发光二极管阵列，其特征是该芯片接合层之材质包括纯金属。
22.根据权利要求11所述之发光二极管阵列，其特征是该芯片接合层之材质包括金属合金。
23.根据权利要求11所述之发光二极管阵列，其特征是该芯片接合层之上述这些孔洞的形状包括圆形、椭圆形或多边形。
24.根据权利要求11所述之发光二极管阵列，其特征是该芯片接合层之上述这些孔洞的形状为不规律的形状。
25.根据权利要求11所述之发光二极管阵列，其特征是上述这些发光二极管封装的发光二极管芯片包括至少两种发出不同颜色可见光的发光二极管芯片。
26.一种改善色差的方法，适用于发光二极管阵列，其特征是该发光二极管阵列具有多个发光二极管封装，而该改善色差的方法包括下列步骤测量不同发光二极管封装之发光强度的衰减速率；以及通过调整发光二极管封装的散热能力，以使得不同发光二极管封装之发光强度的衰减速率之差异缩小。
27.根据权利要求26所述之改善色差的方法，其特征是每一发光二极管封装包括承载器、设置于该承载器上之发光二极管芯片以及设置于该发光二极管芯片与该承载器之间的芯片接合层，而调整每一发光二极管封装之散热能力的方法包括调变该发光二极管芯片与该芯片接合层之接合面积。
28.根据权利要求27所述之改善色差的方法，其特征是调变该发光二极管芯片与该芯片接合层之接合面积的方法包括在芯片接合层中形成多个孔洞。
29.根据权利要求28所述之改善色差的方法，其特征是上述这些孔洞所占的面积比率介于2％～30％。
30.根据权利要求28所述之改善色差的方法，其特征是该芯片接合层之上述这些孔洞的形状包括圆形、椭圆形或多边形。
31.根据权利要求28所述之改善色差的方法，其特征是该芯片接合层之上述这些孔洞的形状为不规律的形状。
全文摘要
一种发光二极管封装，其包括承载器、发光二极管芯片、芯片接合层以及焊线。发光二极管芯片设置于承载器上，芯片接合层设置于发光二极管芯片与承载器之间，其中芯片接合层具有多个孔洞，用以调变发光二极管芯片与芯片接合层之接合面积，以解决不同发光二极管封装互相搭配所产生的色差问题。此外，发光二极管芯片通过焊线与承载器电连接。
文档编号H01L33/00GK101022104SQ200610003150
公开日2007年8月22日 申请日期2006年2月16日 优先权日2006年2月16日
发明者赖国瑞, 王文娟 申请人:瑞莹光电股份有限公司