专利名称：晶片电阻的制造方法
技术领域：
本发明涉及一种晶片电阻的制造方法，特别是涉及一种规格为长度0.60mm、宽度0.30mm与厚度0.23mm以下晶片电阻的制造方法。
背景技术：
由于电子产品的制作有日渐微小化的趋势，故所有主、被动元件亦均必须随着电路板尺寸的缩小而缩小体积，以因应电子产品微小化的潮流。
以被动元件的晶片电阻而言，随着电路板尺寸的缩小，目前规格为长度0.60mm、宽度0.30mm、厚度0.23mm的晶片电阻已大量被使用，因晶片电阻其体积小，所以能够容许的尺寸误差极为严格，一般均在0.03mm以内；若以另一种规格为长度0.40mm、宽度0.20mm、厚度0.23mm的晶片电阻而言，其所能容许的尺寸误差将更为严格；故对于如此小尺寸且单价又低的被动元件而言，产品的良率及生产效率往往即是生产厂商生存竞争的法宝。
目前一般厂商晶片电阻器的制作流程，请参阅图3A～图3K所示，其包括下列步骤在一空白陶瓷基板30的顶面与底面预先以刀具设有数条相互交错的横向折断线31与纵向折断线32，该横向折断线31与纵向折断线32均切割入基板30有一定深度，一般上下相对应的横向折断线31或纵向折断线32深度以不超过基板30厚度的一半为佳，而在相邻的横向折断线31与纵向折断线32之间定义出复数个元件区33(如图3A所示)；在该些元件区33的顶面及底面分别印刷有两个相对应的主电极34，该主电极34分别印刷在各元件区33的两相对纵向折断线32的边缘上，以长度0.60mm、宽度0.30mm、厚度0.23mm规格的晶片电阻为例，主电极34的宽度为0.15mm，待主电极34干燥后烧结以固定在元件区33(如图3B所示)；在元件区33顶面的两主电极34之间印刷有一电阻层35，待电阻层35干燥后烧结以固定在元件区33顶面(如图3C所示)；在前述电阻层35上印刷一玻璃护层36，待玻璃护层36干燥后烧结而固定在电阻层35上(如图3D所示)；用激光对电阻层35进行修整，以调整电阻值(如图3E所示)；在玻璃护层36上再涂上一外保护层37，待外保护层37干燥后烧结以固定之(如图3F所示)；
用治具依序沿各个纵向折断线32将基板30折断，形成数个条状基板30’，并将条状基板30’相互堆叠(如图3G所示)；以真空溅镀方式在元件区33顶面与底面的主电极34以及该些主电极34之间基板30’侧面溅镀上内层电极38(如图3H所示)，该内层电极38是用来连接元件区33顶面与底面的主电极34；将各条状基板30’沿横向折断线31折断，形成多个晶片电阻单元个体20(如图3I所示)；将该些晶片电阻单元个体20放入电镀槽(图中未示)的电镀筒21中并使电镀筒21转动，俾以滚镀方式进行电镀，使晶片电阻单元个体20与电镀筒21内的电极珠金属粒22不停碰撞接触，而将晶片电阻单元个体20的内层电极38上镀上外层电极39(如图3J所示)后，即形成一个个的晶片电阻(如图3K所示)。
然而此种晶片电阻制造方法具有如下缺点1.该横向折断线31与纵向折断线32均切割入基板30有一定深度，因此在基础制程上所必需花费的时间较多，且同时设有横向折断线31与纵向折断线32对基板30的强度容易造成破坏，致使在后续进行印刷主电极34、电阻层35程序时，易因必须以滚筒在基板30表面滚动印刷，造成基板30无法负荷滚筒滚动的压力因而碎裂，影响生产效率及产品良率。
2.由于陶瓷材质的基板30受其分子结晶的限制，故于将基板30折断成条状基板30’时，其断面必不易平整(如图4所示)，除会影响产品成形后长度的误差外，且进行真空溅镀时，将造成溅镀形成的内层电极38凹凸不平，更使得进行后续滚镀式电镀后被镀上的外层电极39厚度不易均匀，进而降低晶片电阻的生产良率。
因此，此种晶片电阻制程尚有待谋求改进的方法。
由此可见，上述现有的晶片电阻的制造方法在制造方法与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决晶片电阻的制造方法存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般制造方法又没有适切的制造方法能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新的晶片电阻的制造方法，便成了当前业界极需改进的目标。
有鉴于上述现有的晶片电阻的制造方法存在的缺陷，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新的晶片电阻的制造方法，能够改进一般现有的晶片电阻的制造方法，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经反复试作及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。
发明内容
本发明的主要目的在于，克服现有的晶片电阻的制造方法存在的缺陷，而提供一种新的晶片电阻的制造方法，所要解决的技术问题是使其提供一方法，其可有效提升晶片电阻的生产效率及产品良率，以提高制程的效率与产品的良率，从而更加适于实用。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种晶片电阻的制造方法，包括以下步骤在一基板的顶面形成有复数条相互平行的横向分离线；在基板上各两相邻分离线之间形成有复数个具有一定间距且同时与分离线交叉的平整穿槽，并定义基板上各两相对穿槽及两分离线之间是一元件区；在基板的顶面及底面分别印刷有数个相对应的主电极，该些主电极分别印刷在元件区两侧的穿槽边缘；在每一元件区顶面的两主电极之间印刷有一与主电极构成电接触的电阻层；在各元件区的顶面印刷一第一保护层以覆盖电阻层；依序纵向延着穿槽将基板分离为数个电阻单元排，并将电阻单元排相互堆叠；在元件区顶面与底面的主电极以及穿槽的内侧壁镀上内层电极；将电阻单元排沿分离线分离形成多个晶片电阻单元个体；在晶片电阻单元个体的内层电极上镀上外层电极。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的晶片电阻的制造方法，其中所述的分离线切割入基板的深度不超过基板厚度的一半。
前述的晶片电阻的制造方法，其中在印刷第一保护层后，进一步以激光修整电阻层，以调整电阻值；再印刷一第二保护层覆盖因前述修整而外露的电阻层。
前述的晶片电阻的制造方法，其中所述的第二保护层在印刷后先待其干燥再烧结固定。
前述的晶片电阻的制造方法，其中所述的内层电极是以真空溅镀所镀上。
前述的晶片电阻的制造方法，其中所述的内层电极是以蒸气沉积所镀上。
前述的晶片电阻的制造方法，其中所述的外层电极的形成，是将晶片电阻单元个体放入电镀槽的电镀筒中，以滚镀方式而电镀在内层电极上。
前述的晶片电阻的制造方法，其中所述的主电极对、电阻层与第一保护层在印刷后均先待其干燥再烧结固定。
经由上述可知，本发明是一种晶片电阻的制造方法，主要是在基板上形成有复数横向的分离线及复数穿槽，并定义各两相对穿槽及两分离线之间是一元件区，各元件区内分别印刷有主电极及电阻层，再依序纵向延着穿槽将基板分离为数个电阻单元排，将电阻单元排相互堆叠，在元件区顶面与底面的主电极以及穿槽的内侧壁镀上内层电极后，将电阻单元排沿分离线分离形成多个晶片电阻单元个体，在晶片电阻单元个体的内层电极上镀上外层电极，即形成一粒粒的晶片电阻，如此一来，晶片电阻的整个生产过程将具有更高的良率以及更佳的效率。
借由上述技术方案，本发明晶片电阻的制造方法至少具有下列优点1.因基板仅在顶面设有分离线，且穿槽间具有一定间距，因此不致对基板的强度造成破坏，故于进行主电极以及电阻层印刷时，基板可具有较大强度负荷滚筒滚动的压力。
2.因穿槽的侧壁平整，故内层电极可平整地被镀在穿槽的侧壁上，使电镀在内层电极上的外层电极厚度均匀。
3.因该穿槽的设置，使元件区的尺寸因此而固定，不致于分离基板为一粒粒的晶片电阻过程时造成晶片电阻尺寸误差超出容许误差范围。
前述分离线切割入基板的深度以不超过基板厚度的一半为佳。
前述内层电极是以真空溅镀或蒸气沉积方式电镀而成。
前述外层电极的形成，是将晶片电阻单元个体放入电镀槽的电镀筒中，以滚镀方式而电镀在内层电极上。
前述方法在印刷第一保护层后，进一步以激光修整电阻层以调整电阻值，再印刷一第二保护层覆盖因前述修整而外露的电阻层。
综上所述，本发明具有上述诸多优点及实用价值，其不论在制造方法上或功能上皆有较大改进，在技术上有较大进步，并产生了好用及实用的效果，且较现有的晶片电阻的制造方法具有增进的多项功效，从而更加适于实用，并具有产业的广泛利用价值，诚为一新颖、进步、实用的新设计。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
图1是本发明的流程图。
图2是以本发明制造出的晶片电阻的剖面图。
图3是习用制造晶片电阻方法的流程图。
图4是习用制造晶片电阻方法过程中将基板折断所形成条状基板的断面示意图。
10基板 10’电阻单元排
11分离线 12穿槽120元件区 121内侧壁13主电极 14电阻层15第一保护层 151修整槽16第二保护层 17内层电极18外层电极20晶片电阻单元个体21电镀筒 22电极珠金属粒30基板30’条状基板31横向折断线 32纵向折断线33元件区 34主电极35电阻层 36玻璃护层37外保护层38内层电极39外层电极具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的晶片电阻的制造方法其具体实施方式
、制造方法、步骤、特征及其功效，详细说明如后。
关于本发明的一较佳实施例，请参阅图1A～图1J所示，其包括下列步骤在一基板10顶面的预定范围内预先以刀具形成有数条相互平行的横向分离线11，再于基板10上各两相邻分离线11之间形成有复数个具有一定间距且同时与两分离线11交叉的穿槽12，其中该分离线11被切割入基板10有一定深度，以不超过基板10深度的一半为限，而该穿槽12的内侧壁121平整，并定义基板10上各两穿槽12及分离线11之间形成一元件区120(如图1A所示)；在基板10的顶面与底面分别印刷有相对应的主电极13，该些主电极13分别印刷在元件区120两侧的穿槽12边缘(如图1B所示)；在每一元件区120顶面的两主电极13之间印刷有一与主电极13构成电接触的电阻层14(如图1C所示)；在各元件区120的顶面印刷一第一保护层15以覆盖电阻层14；以激光在第一保护层15切割出一修整槽151，以修整电阻层14而调整其电阻值(如图1E所示)；印刷一第二保护层16覆盖因前述修整而外露的电阻层14(如图1F所示)；将整片基板10依序纵向延着穿槽12进行切割，形成数个电阻单元排10’，并将电阻单元排10’相互堆叠(如图1G所示)，由于沿着穿槽12切割基板10，故不致切割到元件区120相邻穿槽12的内侧壁121，故该内侧壁121可维持平整；以真空溅镀或蒸气沉积方式在元件区120顶面与底面的主电极13以及穿槽12的内侧壁121镀上内层电极17(如图1H所示)，用以连接元件区120顶面与底面的主电极13，由于该穿槽12的内侧壁121是一平整面，故内层电极17可均匀地被镀上；将各电阻单元排10’沿分离线11折断，形成一个个的晶片电阻单元个体20(如图1I所示)；将该些晶片电阻单元个体20置入电镀槽(图中未示)的电镀筒21中并使其转动，以滚镀方式进行电镀，使晶片电阻单元个体20与电镀筒21内的电极珠金属粒22不停碰撞接触(如图1J所示)，而在晶片电阻单元个体20的内层电极17上镀上外层电极18(如图2所示)后，即形成一个个的晶片电阻，由于内层电极17的表面极为均匀平整，故覆盖在该内层电极上的外层电极18亦可均匀平整地被镀上。
由于本方法是先在基板10上设有穿槽12后，再将主电极13印刷在元件区120两侧的穿槽12边缘，故本发明制造方法有如下的优点1.该基板10仅在顶面设有分离线11，且穿槽12间具有一定间距，因此不致对基板11的强度造成破坏，故于后续印刷主电极13、电阻层14时，不致因基板10无法负荷滚筒滚动的压力而造成基板10碎裂，可提高生产效率及产品良率。
2.由于穿槽12的内侧壁121平整，故内层电极17可平整地被镀在穿槽12的内侧壁121上，使后续电镀的外层电极18厚度均匀，且因该穿槽12的设置使元件区120的尺寸固定，不致因将基板10分离为一粒粒的晶片电阻时，造成晶片电阻尺寸误差超出容许误差范围。
由上述可知，本发明不但提高晶片电阻的生产良率，且可有效简化制程。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
权利要求
1.一种晶片电阻的制造方法，其特征在于其包括以下步骤在一基板的顶面形成有复数条相互平行的横向分离线；在基板上各两相邻分离线之间形成有复数个具有一定间距且同时与分离线交叉的平整穿槽，并定义基板上各两相对穿槽及两分离线之间是一元件区；在基板的顶面及底面分别印刷有数个相对应的主电极，该些主电极分别印刷在元件区两侧的穿槽边缘；在每一元件区顶面的两主电极之间印刷有一与主电极构成电接触的电阻层；在各元件区的顶面印刷一第一保护层以覆盖电阻层；依序纵向延着穿槽将基板分离为数个电阻单元排，并将电阻单元排相互堆叠；在元件区顶面与底面的主电极以及穿槽的内侧壁镀上内层电极；将电阻单元排沿分离线分离形成多个晶片电阻单元个体；在晶片电阻单元个体的内层电极上镀上外层电极。
2.根据权利要求1所述晶片电阻的制造方法，其特征在于其中所述的分离线切割入基板的深度不超过基板厚度的一半。
3.根据权利要求1所述晶片电阻的制造方法，其特征在于其中在印刷第一保护层后，进一步以激光修整电阻层，以调整电阻值；再印刷一第二保护层覆盖因前述修整而外露的电阻层。
4.根据权利要求3所述晶片电阻的制造方法，其特征在于其中所述的第二保护层在印刷后先待其干燥再烧结固定。
5.根据权利要求1所述晶片电阻的制造方法，其特征在于其中所述的内层电极是以真空溅镀所镀上。
6.根据权利要求1所述晶片电阻的制造方法，其特征在于其中所述的内层电极是以蒸气沉积所镀上。
7.根据权利要求1所述晶片电阻的制造方法，其特征在于其中所述的外层电极的形成，是将晶片电阻单元个体放入电镀槽的电镀筒中，以滚镀方式而电镀在内层电极上。
8.根据权利要求1至7中任一项所述晶片电阻的制造方法，其特征在于其中所述的主电极对、电阻层与第一保护层在印刷后均先待其干燥再烧结固定。
全文摘要
本发明是有关于一种晶片电阻的制造方法，主要是在基板上形成有复数横向的分离线及复数穿槽，并定义各两相对穿槽及两分离线之间是一元件区，各元件区内分别印刷有主电极及电阻层，再依序纵向延着穿槽将基板分离为数个电阻单元排，将电阻单元排相互堆叠，在元件区顶面与底面的主电极以及穿槽的内侧壁镀上内层电极后，将电阻单元排沿分离线分离形成多个晶片电阻单元个体，在晶片电阻单元个体的内层电极上镀上外层电极，即形成一粒粒的晶片电阻，如此一来，晶片电阻的整个生产过程将具有更高的良率以及更佳的效率。
文档编号H01C17/06GK1822250SQ20061005814
公开日2006年8月23日 申请日期2006年3月6日 优先权日2006年3月6日
发明者陆秀强, 郭俊雄 申请人:华新科技股份有限公司