专利名称：一种微片式激光器的制作方法
技术领域：
本发明涉及激光领域，尤其涉及一种含有KTP非线性晶体的微片式激光器。
技术背景在激光器领域，KTP作为一种优质非线性晶体广泛应用各种倍频、和频或差频领域，不 过KTP非线性晶体在长时间受到二次谐波和基波两种光的累积照射后，将产生缓慢的光化学 退化——即产生所谓的"灰迹"(gray trace),导致KTP非线性晶体增加吸收，最终引起KTP 非线性晶体转化效应失效。如果KTP非线性晶体在温度升髙的条件下工作就可以使光化效应 逆转。有资料表明KTP非线性晶体在65r或者更低的温度时，将由于光化学退化造成损伤 而失效在脉冲工作时为150MW/cW的磁通量和温度为80"C的时，超过200万次脉冲的寿命， 其转化效率仍然大于60%,连续腔内KTP非线性晶体灰迹效应亦可大缓解。在普通激光器中， 一般均采用单独控制KTP非线性晶体温度，而KTP和其他光学元件粘 结成一体，这类微片激光器使用在室温条件下工作，因此，目前含有KTP非线性晶体的微片 激光器寿命在较高输出功率下不长，或较少应用于较高输出功率。 发明内容本发明目的是提供一种微片激光器中的其他光学元件正常工作，同时控制KTP非线性晶 体温度，减少灰迹效应，延长KTP非线性晶体寿命，从而延长微片激光器寿命的微片式激光 器。本发明的目的可通过下述的技术方案来实现微片式激光器包括泵浦源的半导体激光器、 光学耦合系统和微片激光器，微片激光器包括激光增益介质、其它光学元件、KTP非线性晶 体和激光腔膜，微片激光器设置在致冷片或加热器上，致冷片或加热器设置在热沉上，其中 致冷片或加热器和热沉保持微片激光器的温度在65X:以上。本发明采用以上结构，微片激光器设置在致冷片或加热器上，致冷片或加热器设置在热 沉上，使KTP非线性晶体保持65"C以上温度，缓解或消除其在腔内倍频、差频或和频过程中 产生灰迹，从而延长含KTP非线性晶体在腔内倍频、差频或和频的微片式激光器的寿命，同 时微片激光器中的其它光学元件在65C以上时正常工作。
现结合附图对本发明做进一步阐述图1是本发明实施方式的结构示意图。
具体实施例方式
如图l所示，本发明包括泵浦源的半导体激光器l、光学耦合系统2和微片瀲光器3，微 片激光器3包括激光增益介质31 、其它光学元件32、 KTP非线性晶体33和瀲光腔膜34、 35, 各光学零件之间采用光胶粘结，其中微片激光器3设置在致冷片或加热器4上，致冷片或加 热器4设置在热沉5上，致冷片或加热器4和热沉5保持微片激光器的温度在65C以上，使 KTP非线性晶体保持65r以上，缓解或消除灰迹效应，制在成腔内倍频、和频或差频的微片 式激光器均可应用,致冷片或加热器4和热沉5保持微片激光器的温度在65C—85C之间时, 微片激光器中的其它光学元件工作比较正常。
权利要求
1、 一种微片式激光器，包括泵浦源的半导体激光器、光学耦合系统和微片激光器，微片 激光器包括激光增益介质、其它光学元件、KTP非线性晶体和激光腔膜，微片激光器设置在 致冷片或加热器上，致冷片或加热器设置在热沉上，其特征在于致冷片或加热器和热沉保 持含KTP晶体微片激光器的温度在65C以上。
2、 根据权力要求利1所述的一种微片式激光器，其特征在于致冷片或加热器4和热沉 5保持微片激光器的温度在651C—85"C之间。
3、 根据权力要求利1或2所述的一种微片式激光器，其特征在于微片式激光器是腔内 倍频，和频或差频的微片式激光器。
4、 根据权力要求利1或2所述的一种微片式激光器，其特征在于激光增益介质、其它 光学元件、KTP非线性晶体和激光腔膜之间采用光胶粘结。
全文摘要
本发明涉及一种微片式激光器，其包括泵浦源的半导体激光器、光学耦合系统和微片激光器，微片激光器包括激光增益介质、其它光学元件、KTP非线性晶体和激光腔膜，其中微片激光器设置在致冷片或加热器上，致冷片或加热器设置在热沉上，致冷片或加热器和热沉保持微片激光器的温度在65℃以上，采用以上结构，使KTP非线性晶体保持65℃以上，缓解或消除其在腔内倍频、差频或和频过程中产生灰迹，从而延长含KTP非线性晶体在腔内倍频、差频或和频的微片式激光器的寿命。
文档编号H01S3/04GK101145668SQ20061009609
公开日2008年3月19日 申请日期2006年9月15日 优先权日2006年9月15日
发明者于云龙, 凌吉武, 砺 吴, 杨建阳, 陈卫民, 陈惠芳, 陈昭炫 申请人:福州高意通讯有限公司