专利名称：电子基板与其制法、电光学装置的制法及电子设备的制法的制作方法
技术领域：
本发明涉及电子基板与其制造方法、电光学装置的制造方法、及电子设备的制造方法。
背景技术：
近年来，半导体装置，随着电子设备的小型化及高功能化，追求组件自身的小型化或高密度化。作为一例，已知有在半导体元件上采用多晶硅(polysilicon)内置电阻的技术。例如特开昭58-7848号公报中，公开有使用在多晶硅中掺杂了杂质的多结晶晶界形成电阻的技术。另外，在特开2003-46026号公报中，公开有在半导体元件上的再配置布线部，通过厚膜形成法涂布·固化电阻膏(impedance paste)，形成电阻部的技术。
采用设在基板上的电阻等无源元件进行阻抗控制等时，需要高精度地管理电阻值，但在上述的技术中难以确保所要求的精度，不能获得高度可靠性的电阻部。
另外，在上述的技术中，需要用于形成电阻部的独立的工序，从而产生生产性降低的问题。
因此，考虑采用再配置布线等设在基板上的布线图案的一部分形成电阻元件的方法。该情况下，将采用掩模加工布线，但若相对于基板的掩模的对位精度低，则产生掩模的开口部与布线图案的位置偏差增大，不能在规定面积获得对应于开口部形成的电阻元件的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供可形成高精度的电阻部的电子基板与其制造方法、电光学装置的制造方法、及电子设备的制造方法。
本发明的电子基板的制造方法具有具备在基板上形成布线图案的工序；在形成有所述布线图案的所述基板，设置具有开口部的掩模的工序；和经由所述掩模的所述开口部，对所述布线图案的部分区域实施规定处理的工序，所述开口部具有基于所述基板与所述掩模的对位的精度的大小。优选所述开口部的大小大于等于将所述部分区域的大小与所述对位的容许误差加起来的大小。
根据该方法，即使基板与掩模的对位时产生了误差的情况，由于掩模的开口部以包含基于对位精度的位置偏差的大小形成，所以可容易地防止布线图案形成为小于规定的大小。
优选实施所述规定处理的工序具有除去所述布线图案的一部分，以形成电阻元件的工序。由于该电阻元件通过加工布线图案而形成，所以不需要另外的用于形成电阻元件的独立的处理，从而，可回避生产性的降低。
优选所述布线图案的形成工序具有在所述基板上形成第一布线图案的工序；在所述第一布线图案上形成由与所述第一布线图案不相同的材料构成的第二布线图案的工序。根据该方法，例如通过开口部进行加工来除去第二布线图案，可形成局部地由第一布线图案构成布线图案的一部分的电阻元件。另外，由蚀刻处理等除去第二布线图案时，通过选择对应于第二布线图案的蚀刻材，可容易地只除去第二布线图案。
优选所述第一布线图案的材料的电阻值大于所述第二布线图案的材料。根据该方法，可容易地形成电阻值大的电阻元件。
优选该方法还具有由保护膜覆盖实施了所述规定处理的所述布线图案的工序。根据该方法，可保护电阻元件，防止腐蚀或短路。
优选所述掩模由涂布在所述基板上的树脂材构成。根据该方法，通过旋涂、液滴吐出方式、印刷法等，可容易地形成掩模。
优选所述掩模由贴附在所述基板上的薄膜材构成。根据该方法，通过采用预先形成有开口部的薄膜材，可容易地形成掩模。
所述基板也可具有半导体元件。根据该方法，作为半导体元件可形成如下结构通过形成在有源区域的布线图案形成晶体管等开关元件的结构；或将内置半导体元件的半导体芯片安装在有源区域的结构。
另外，还可适用于如下状态基板上没有搭载半导体元件的非搭载状态，换而言之未设置半导体元件，例如硅基板状态。
另外，也可适用于，作为所述布线图案形成在形成于基板上的绝缘膜上的结构。
本发明的电光学装置的制造方法是在该电光学装置上安装电子基板的电光学装置的制造方法，其中，由上述的制造方法制造所述电子基板。本发明的电子设备的制造方法是装备有电光学装置的电子设备的制造方法，其中，由上述的制造方法制造所述所述电光学装置。根据这些方法，可获得高精度地形成有电阻元件的高质量的电光学装置及电子设备，并且，可实现避免降低生产性的有效的电光学装置制造及电子设备制造。
本发明的电子基板具有基板；布线图案，其形成在所述基板上，具有被实施了规定处理的部分区域；掩模，其具有对应于所述部分区域的开口部，所述开口部具有基于所述基板与所述掩模的对位的精度的大小。
根据该电子基板，即使基板与掩模对位时产生了误差的情况，由于掩模的开口部以包含基于对位精度的位置偏差的大小形成，所以可容易地防止布线图案形成为小于规定的大小，导致不能以规定面积进行加工的情况。
优选所述布线图案具有形成在所述部分区域附近的电阻元件。由于该电阻元件通过加工布线图案而形成，所以不需要另外的用于形成电阻元件的独立的处理，且可回避生产性的降低。
可适宜地采用所述基板具有半导体元件的结构。该情况下，作为半导体元件可形成如下结构通过形成在有源区域的布线图案形成晶体管等开关元件的结构；或将内置半导体元件的半导体芯片安装在有源区域的结构。
可适用于所述布线图案形成在形成于基板上的绝缘膜上的结构。
图1是表示作为电光学装置的一实施方式的液晶显示装置的示意图。
图2是液晶显示装置中的半导体装置的安装构造的说明图。
图3是半导体装置的立体图。
图4A及4B是放大表示半导体装置的端子部分的图。
图5A、5B、5C、5D、5E、5F、及5G是用于说明半导体装置的制造方法的工序图。
图6是用于说明掩模的开口部的大小的图。
图7是表示电子设备的一例的立体图。
图8A及8B是表示电阻元件的变形例的俯视图。
具体实施例方式
以下，参照图1～图8，对本发明的电子基板与其制造方法及电子设备的制造方法的实施方式进行说明。
图1是表示作为本发明的电光学装置的一实施方式的液晶显示装置的示意图。
图示的液晶显示装置100，具有液晶面板110、和半导体装置121。另外，根据需要，适宜地设置未图示的偏振片、反射板、背光灯等附带构件。
液晶面板110具备由玻璃或塑料等构成的基板111及112。基板111与基板112对向配置，通过未图示的密封材等相互贴合。在基板111与基板112之间封入有作为电光学物质的液晶(未图示)。在基板111的内面上形成有由ITO(Indium Tin Oxide铟锡氧化物)等透明导电体构成的电极111a，在基板112的内面上形成有与上述电极111a对向配置的电极112a。电极111a及电极112a垂直地配置。电极111a及电极112a引出到外伸部111T，在其端部分别形成有电极端子111bx及电极端子111cx。在外伸部111T的端缘附近形成有输入布线111d，在其内端部还形成有端子111dx。
在外伸部111T上，通过密封树脂122安装有半导体装置121。半导体装置121例如是驱动液晶面板110的液晶驱动用IC芯片。在半导体装置121的下面形成有未图示的多个凸起(bump)电极，这些凸起分别连接在外伸部111T上的端子111bx、111cx、111dx上导电。
在形成于输入布线111d的外端部的输入端子111dy上，通过各向异性导电膜124安装有挠性(flexible)布线基板123。输入端子111dy分别连接在设于挠性布线基板123上的未图示的布线上导电。从外部通过挠性布线基板123向输入端子111dy供给控制信号、图像信号、电源电位等，在半导体装置121中生成液晶驱动用的驱动信号后，供给给液晶面板110。
根据如以上构成的本实施方式的液晶显示装置100，通过半导体装置121在电极111a与电极112a之间施加适宜的电压，由此，可使两电极111a、112a对向配置的象素部分的液晶再定向并调制光，由此可在液晶面板110内的排列有象素的显示区域形成期望的图像。
图2是图1的H-H线的侧视剖面图，是上述液晶显示装置100中的半导体装置121的安装构造的说明图。如图2所示，在半导体装置121的有源面(图示下表面)上，作为IC侧端子设有多个凸起电极10，其前端与上述基板111的端子111bx、111dx直接接触导电。在凸起电极10与端子111bx、111dx之间的导电接触部分的周围，填充有由热固化性树脂等构成的被固化的密封树脂122。
下面，对半导体装置121的端子构造进行说明。图3是表示形成端子的半导体装置121的有源面侧的构造的局部立体图。
半导体装置121例如是驱动液晶显示装置的象素的IC芯片，在其有源面侧形成有薄膜晶体管等多个电子元件或连接各电子元件间的布线等电子电路(集成电路)(均未图示)。
在图3所示的半导体装置121中，沿基板P的有源面121a的长边定位配置有多个电极垫(pad)24。该电极垫24，从上述的电子元件等引出，起到电子电路的外部电极的作用。另外，在有源面121a上的电极垫列24a的内侧，形成有沿该电极垫列24a直线状连续的树脂突起12。此外，从各电极垫24的表面到树脂突起12的表面，形成有作为连结各电极垫24与树脂突起12的顶部的布线图案(金属布线)的多个导电膜20。包含作为中心的树脂突起12、和配设在树脂突起12的表面的各导电膜20构成了凸起电极10。再有，在图3的例中，在电极垫列24a的内侧配置有树脂突起12，但也可在电极垫列24a的外侧配置树脂突起12。
图4A及4B是表示凸起电极10的关键部位结构的图，图4A是凸起电极的周边的俯视放大图，图4B是图4A的A-A线的侧视剖面图。
如图4A及4B所示，在半导体装置121的有源面121a的周边部，排列形成有由Al等导电性材料构成的多个电极垫24。在半导体装置121的有源面整体上，形成有作为由SiN等电绝缘性材料构成的保护膜的钝化膜26。在上述的各电极垫24的表面，形成有钝化膜26的开口部26a。也可在钝化膜26上的开口部以外的全部表面或一部分上，进而形成应力缓冲性高的聚酰亚胺等有机树脂膜。
在该钝化膜26的表面，即电极垫列24a的内侧，形成有树脂突起12。树脂突起12从半导体装置121的有源面121a突出而形成，以大致同一高度直线状地延伸，且与电极垫列24a平行地配设。该树脂突起12，由聚酰亚胺树脂或丙烯酸树脂、酚醛树脂、环氧树脂、硅树脂、变性聚酰亚胺树脂等具有弹性的树脂材料构成，例如采用喷墨(ink jet)法形成。树脂突起12的截面形状，希望设为如图4B所示的半圆状或梯形状等弹性变形容易的形状。于是，与对侧基板接触时，可容易地使凸起电极10弹性变形，且可提高与对侧基板导电连接的可靠性。
另外，从各电极垫24的表面跨过树脂突起12的表面，形成有连结各电极垫24与树脂突起12的顶部的导电膜20。该导电膜20，在与电极垫24相反侧的端部，通过在与导电膜20垂直的方向上延伸的导电膜(布线图案)21，形成为与相邻的导电膜20连接的近似U字状。导电膜20、21具有两层布线构造，其由配置于下层的导电膜(第一布线图案)20a、21a、和叠层在导电膜20a、21a上的导电膜(第二布线图案)20b、21b构成。
在本实施方式中，任一个均通过溅射(spattering)形成，导电膜20a、21a由TiW形成为3000～7000(在这里为3000)的厚度，导电膜20b、21b由比导电膜20a、21a电阻值大的Au形成为1000～5000(在这里为1000)的厚度。在导电膜21上，设有除去导电膜21b的一部分露出导电膜21a而形成的电阻元件R。
所使用的各个导电膜的材质·膜组成及电阻部的面积，可根据想要获得的电阻值适当变更。在以下的本实施方式中，对两层的导电膜结构进行说明，但详情后述，不过，根据想要获得的电阻值或温度特性，也可组合大于等于三层的导电膜。另外，导电膜的形成除了溅射以外，还可采用蒸镀、镀敷等公知的方法。
如先前的图1所示，上述的凸起电极10，通过密封树脂122热压接在基板111上的端子111bx上。密封树脂122是热固化性树脂，安装前为未固化状态或半固化状态。若密封树脂122是未固化状态，则安装前在半导体装置121的有源面(图示为下表面)或基板111的表面涂布密封树脂122即可。若密封树脂122是半固化状态，则设为薄膜状或薄片状，在半导体装置121与基板111之间配置密封树脂122即可。作为密封树脂122一般采用环氧树脂，但其他树脂若能够达到相同目的也可。
半导体装置121的安装，采用未图示的加热加压磁头(head)等，一边进行加热加压，一边将半导体装置121配置在基板111上。此时，密封树脂122初期因加热而软化，凸起电极10的顶部挤开该软化的树脂与端子111bx接触导电。由于上述的加压，作为内部树脂的树脂突起12被按压，向接触方向(图示的上下方向)弹性变形。在该状态下若进一步加热，则由于密封树脂122交联并热固化，所以即使解除加压力，通过密封树脂122，也可保持凸起电极10与端子111bx导电接触且弹性变形的状态。
下面，对半导体装置的制造方法，尤其对形成上述凸起电极10的工序进行说明。
图5A～5G是表示半导体装置121的制造方法的一例的图。该制造工序，具有形成钝化膜26的工序、形成树脂突起12的工序、形成导电膜20、21的工序。在本实施方式中，采用喷墨法形成树脂突起12。
首先，如图5A所示，在形成有未图示的半导体元件的基板P的有源面121a上形成钝化膜26。即，通过成膜法在基板P上形成SiO2或SiN等钝化膜26后，通过采用了光蚀刻法(photolithography)形成图案，形成电极垫24露出的开口部26a。对于开口部26a的形成，在钝化膜26上通过旋涂(spin coat)法、浸渍法、喷涂法等形成抗蚀层，进而采用形成有规定的图案的掩模对抗蚀层实施曝光处理及显影处理，形成规定形状的抗蚀图案(未图示)。之后，将该抗蚀图案作为掩模进行所述膜的蚀刻，形成使电极垫24露出的开口部26a，采用剥离液等除去抗蚀图案。对于蚀刻优选采用干式蚀刻，作为干法蚀刻适宜地采用反应性离子蚀刻(RIEReactive Ion Etching)。作为蚀刻也可采用湿式蚀刻。
在钝化膜26上，进而也可采用光蚀刻法等在开口部以外的全部表面或一部分上形成应力缓冲性高的聚酰亚胺等有机树脂膜。即，由以下方法形成的电阻元件R，也可形成在有机树脂膜(绝缘膜)上。
然后，如图5B所示，在形成有电极垫24及钝化膜26的基板P的有源面121a上，采用喷墨法(液滴吐出方式)形成树脂突起12。该喷墨法，从设在液滴吐出头的喷嘴吐出(滴落)控制在相当于1滴的液量的液滴状的树脂材(液体材料)，并且，使喷嘴与基板P对向，进而通过使喷嘴与基板P相对移动，在基板P上形成树脂材的期望形状的膜图案。通过对该膜图案进行热处理获得树脂突起12。
在此，通过从液滴吐出磁头滴下多个液滴并进行树脂材的配置，可任意地设定由树脂材构成的膜的形状，并且，可通过树脂材的叠层，实现树脂突起12的厚膜化。例如，通过反复将树脂材配置在基板P上的工序、和干燥树脂材的工序，树脂材的干燥膜被叠层，从而，树脂突起12被切实地厚膜化。另外，通过从设在液滴吐出头的多个喷嘴滴落含有树脂材的液滴，可按部分来控制树脂材的配置量或配置的时序。另外，通过光蚀刻法等形成树脂突起12，固化时使突起周边垂下，由此可获得期望的树脂突起12的形状。
然后，如图5C所示，从电极垫24的表面到树脂突起12的表面，形成作为覆盖电极垫24与树脂突起12的顶部的金属布线的导电膜20a、21a。该导电膜20a、21a，在此并非图案形成的结构，而是在整个面上制成膜。
继而，如图5D所示，通过溅射在导电膜20a、21a上形成导电膜20b、21b。该导电膜20b、21b也不是图案形成的结构，而是在整个面上制成膜。之后，与钝化膜26相同，通过采用了光蚀刻法的图案形成，形成图3、图4A及图4B所示的形状的导电膜20b、21b。
具体而言，在导电膜20b、21b上，通过旋涂法、浸渍法、喷涂法等形成抗蚀层。进而采用形成有规定的图案的掩模对抗蚀层实施曝光处理及显影处理，形成规定形状的抗蚀图案(规定的布线图案以外的区域开口的图案)。之后，将该抗蚀图案作为掩模进行所述膜的蚀刻，采用剥离液等除去抗蚀图案，由此获得规定形状的导电膜20b、21b。
然后，将图案形成的导电膜20b、21b作为掩模，进行蚀刻处理，由此，如图5E所示，导电膜20a、21a被形成为与导电膜20b、21b相同形状的图案。其结果，形成叠层两层的导电膜20、21。
继而，为了形成电阻元件R，如图5F所示，在导电膜20、21(在未形成导电膜20、21的区域为钝化膜26)上，通过与上述相同的方法形成抗蚀层(树脂材)22。
接着，采用具有对应于电阻元件R的形状的开口的掩模对抗蚀层实施曝光处理及显影处理，如图5G所示，在抗蚀层22上形成开口部22a。将该抗蚀层22作为掩模仅选择性地蚀刻并除去导电膜21b，使导电膜21a露出。作为此时的蚀刻液，例如采用氯化铁或过硫酸铵等。
通过采用剥离液等除去抗蚀层22，如图4A及4B所示，在导电膜21中，形成电阻值高的电阻元件R。
在此，电阻元件R的材质或膜厚、面积，根据所要求的电阻值设定。
构成导电膜20a、21a的TiW，厚度为1000时，为7×10-2Ω/μm2左右，构成导电膜20b、21b的Au，厚度为3000时，为2×10-4Ω/μm2左右。电阻元件R要求具有70Ω的电阻值时，例如以宽度10μm、长度100μm的大小除去导电膜20b、21b形成电阻元件R即可。此时，位于下层的导电膜20a、21a的电阻大于位于上层的导电膜20b、21b的结构，对获得更大的电阻值有利。
通过变更上述的导电膜的厚度、或电阻元件R的面积，可容易地形成例如作为终端电阻值一般采用的50Ω的电阻元件R。
另外，形成上述的抗蚀层22时，由于产生抗蚀层22(更加详细为开口部22a)与基板P(更加详细为布线后的导电膜21)的对位误差，所以存在不能形成具有规定的电阻值的电阻元件R的可能性。例如，根据形成抗蚀层22时产生的位置偏差，抗蚀剂覆盖电阻元件形成区域时，在电阻元件形成区域残留导电膜21b，因此形成的电阻元件R的电阻值产生变动。
因此，在本实施方式中，以基于作为掩模的抗蚀层22与基板P的对位误差的大小形成开口部22a。
具体而言，若将设想的最大位置偏差设为ΔE，则如图6所示，开口部22a的大小(长度LX、LY)，由下式设定由两条点划线表示的在设计上应形成的开口部22a的大小(长度LDX、LDY)。
LX＝LDX+2×ΔE…(1)LY＝LDY+2×ΔE…(2)
由这样设定的开口部22a形成电阻元件R，由此可获得规定的电阻值。
之后，如图4B中二条点划线所示，由焊料抗蚀剂等树脂材覆盖电阻元件R，由此形成保护膜23。由此，提高电阻元件R的耐湿性等。该保护膜23优选形成为至少覆盖电阻元件R，例如可通过采用光蚀刻法或液滴吐出方式、印刷法、分配(dispense)法等形成。
如以上所说明，在本实施的方式中，由于以基于作为掩模的抗蚀层22与基板P的对位误差的大小形成了开口部22a，所以即使将相对于基板P对齐位置的精度低的抗蚀层22使用作掩模时，也可容易地形成规定面积的电阻元件R，且高精度地获得期望的电阻值。
另外，在本实施方式中，通过除去两层构造的导电膜21中的导电膜21b，可容易地形成电阻元件R，尤其由于位于下层的导电膜21a具有大于上层的导电膜21b的电阻，所以可容易地获得更大的电阻值。再有，大于等于三层的构造也一样。
下面，对装备有上述的电光学装置或半导体装置的电子设备进行说明。
图7是表示本发明的电子设备的一例的立体图。该图所示的移动电话1300，装备上述的电光学装置作为小尺寸的显示部1301，还具有多个操作按钮1302、受话口1303、及送话口1304。
上述的电光学装置，并不限定于上述移动电话，可适宜地使用作电子书、个人电脑、数字静态相机(digital still camera)、液晶电视、取景器(viewfinder)型或监视器直观型录像机、车辆导航装置、寻呼机、电子数据手册、台式电子计算机、文字处理机、工作站、可视电话、POS终端、具有触摸面板的设备等等的图像显示机构，无论何种情况，均可提供高精度地确保电阻值且品质优越的电子设备。
以上，参照附图对本发明的适宜的实施方式进行了说明，但本发明并不限定于所述例子。上述的例子中所示的各结构构件的各形状或组合等只是一例，在不脱离本发明的宗旨的范围内，可基于设计要求等进行各种变更。
例如，在上述实施方式中，采用了在电极膜21上形成电阻元件R的结构，但并不限定于此，也可为在电极膜20上形成电阻元件的结构。另外，在上述实施方式中，构成了相邻的导电膜20由导电膜21连接的结构，但并不限定于此，也可采用在作为外部连接端子的再配置布线的一部分上设置电阻元件的结构。
另外，在上述实施方式中，通过除去两层构造的电极膜21中的一层，构成了形成电阻元件R的结构，但并不限定于此，也可适用一层构造的电极膜或大于等于三层的电极膜。例如，若为一层构造的电极膜，则例如通过调整蚀刻时间，调整厚度获得期望的电阻值即可。另外，作为三层构造的电极膜可构成为，例如通过溅射形成TiW-Cu后，通过镀敷叠层了Cu的结构。可除去镀Cu的电极膜后由溅射的TiW-Cu形成电阻元件，也可除去Cu(溅射)-Cu(镀敷)的电极膜，只由TiW的电极膜形成电阻元件。
此外，即使两层构造的电极膜，使上层的导电膜21b在宽度方向上一部分残留，通过残留的导电膜21b及下层的导电膜21a也可形成电阻元件。此外还可构成为，除去导电膜21b后，对导电膜21a也实施蚀刻处理，通过更薄的导电膜21a，形成具有更大的电阻值的电阻元件的结构。无论何种情况，根据期望的电阻值部分地除去导电膜，由此可容易地形成具有该电阻值的电阻元件。
此外，作为形成电阻元件的方法，并不限定于除去厚度方向的情况。如图8A所示，通过具有弯曲的形状的电极膜，可形成长度长且电阻大的电阻元件，如图8B所示，还可形成具有电阻大的缩径部的电阻元件。
另外，上述实施方式中所示的导电膜(电阻元件)的材料只是一例，除此之外，例如可采用Ag、Ni、Pd、Al、Cr、Ti、W、NiV等、或无铅焊料等导电性材料等。该情况下，采用多个材料形成叠层构造的导电膜时，也可优选选择材料，使位于下层的导电膜的电阻值大于位于上层的导电膜。
通过材料的选择与组合，不仅仅可获得想要获得的电阻值，例如，着眼于各材料具有的电阻-温度特性，通过适当组合这些，还可获得想要获得的电阻-温度特性。
另外，上述的电极膜20、21在本实施方式中，也采用溅射或镀敷法形成，但也可采用喷墨法。
此外，在上述实施方式中，构成了将抗蚀层22使用作掩模的结构，但并不限定于此，例如也可将干薄膜等薄膜材使用作掩模。
该情况下，预先在薄膜材上形成对应于电阻元件的大小的开口部，将该薄膜材贴附在形成有导电膜20、21的基板P上即可。此时的开口部的大小，设为上述的式(1)、(2)中设定的LX、LY即可。
另外，在上述实施方式中，电子基板采用了具有半导体元件而形成的半导体装置的例子，但作为本发明的电子基板，不需要必须设有半导体元件，还包括例如，在半导体芯片等外部器件的搭载区域(有源区域)未搭载有外部器件的非搭载状态下的硅基板。该情况下也可构成为，本发明的电子基板通过凸起电极10连接在例如具有半导体元件的电路基板等上的结构。
权利要求
1.一种电子基板的制造方法，其中，具备在基板上形成布线图案的工序；在形成有所述布线图案的所述基板，设置具有开口部的掩模的工序；和经由所述掩模的所述开口部，对所述布线图案的部分区域实施规定处理的工序，所述开口部具有基于所述基板与所述掩模的对位的精度的大小。
2.根据权利要求1所述的电子基板的制造方法，其中，所述开口部的大小大于等于将所述部分区域的大小与所述对位的容许误差加起来的大小。
3.根据权利要求1或2所述的电子基板的制造方法，其中，实施所述规定处理的工序具有除去所述布线图案的一部分，以形成电阻元件的工序。
4.根据权利要求3所述的电子基板的制造方法，其中，所述布线图案的形成工序具有在所述基板上形成第一布线图案的工序；在所述第一布线图案上形成由与所述第一布线图案不相同的材料构成的第二布线图案的工序。
5.根据权利要求4所述的电子基板的制造方法，其中，所述第一布线图案的材料的电阻值大于所述第二布线图案的材料。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的电子基板的制造方法，其中，还具有由保护膜覆盖实施了所述规定处理的所述布线图案的工序。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的电子基板的制造方法，其中，所述掩模由涂布在所述基板上的树脂材构成。
8.根据权利要求1～6中任一项所述的电子基板的制造方法，其中，所述掩模由贴附在所述基板上的薄膜材构成。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的电子基板的制造方法，其中，在所述基板上搭载有半导体元件。
10.根据权利要求1～8中任一项所述的电子基板的制造方法，其中，在所述基板上没有搭载半导体元件。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的电子基板的制造方法，其中，还具有形成配置在所述基板与所述布线图案之间的绝缘膜的工序。
12.一种电光学装置的制造方法，在该电光学装置上安装电子基板，其中，由权利要求1～11中任一项所述的制造方法制造所述电子基板。
13.一种电子设备的制造方法，该电子设备装备有电光学装置，其中，由权利要求12所述的制造方法制造所述电光学装置。
14.一种电子基板，其中，具有基板；布线图案，其形成在所述基板上，具有被实施了规定处理的部分区域；掩模，其具有对应于所述部分区域的开口部，所述开口部具有基于所述基板与所述掩模的对位的精度的大小。
15.根据权利要求14所述的电子基板，其中，所述布线图案具有形成在所述部分区域附近的电阻元件。
16.根据权利要求14或15所述的电子基板，其中，所述基板具有半导体元件。
17.根据权利要求14～16中任一项所述的电子基板，其中，还具备配置在所述基板与所述布线图案之间的绝缘膜。
全文摘要
一种电子基板的制造方法，具备在基板上形成布线图案的工序；在形成有所述布线图案的所述基板，设置具有开口部的掩模的工序；经由所述掩模的所述开口部，对所述布线图案的部分区域实施规定处理的工序。所述开口部具有基于所述基板与所述掩模的对位的精度的大小。
文档编号H01L21/48GK1893024SQ20061009999
公开日2007年1月10日 申请日期2006年7月4日 优先权日2005年7月7日
发明者桥元伸晃 申请人:精工爱普生株式会社