度量、光刻、加工装置、度量方法及器件制造方法

专利名称：度量、光刻、加工装置、度量方法及器件制造方法
技术领域：
本发明涉及一种度量装置，尤其是可以用于光刻装置、加工装置或者用作独立器件以及尤其是可以用作器件制造方法的一部分的度量方法的一种。
背景技术：
光刻装置是可在基片、通常是基片的目标部分上施加所需图案的机器。光刻装置例如可用于集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可采用图案形成装置来产生将形成于IC的单个层上的电路图案，该图案形成装置也称为掩模或分划板。该图案可被转移到基片(如硅晶片)上的目标部分(例如包括部分、一个或多个管芯)上。图案的转移通常借助于成像到设于基片上的一层辐射敏感材料(抗蚀剂)上来实现。通常来说，单个基片包含被连续地形成图案的相邻目标部分的网络。已知的光刻装置包括所谓的步进器，其中通过将整个图案一次性地曝光在目标部分上来照射各目标部分，还包括所谓的扫描器，其中通过沿给定方向(“扫描”方向)由辐射束来扫描图案并以平行于或反向平行于此方向的方向同步地扫描基片来照射各目标部分。还可以通过将图案压印在基片上来将图案从图案形成装置转移到基片上。
在使用光刻方法的器件制造的多个步骤期间及之后，必须对已经制造出的器件进行测量以评定制造流程是否已经正确地进行。这种测量统称为度量学。考虑到通过光刻制造的器件的等级，度量方法通常包括以测量光束照亮器件结构或试验结构并检测返回辐射。一种这样的方法是散射测量，尤其是被处于检查当中的结构所反射的辐射的光谱用在物镜的光瞳面的诸如CCD的传感器以不同角度进行测量的角分辨散射测量。
多数度量装置的操作灵敏度和速度受限于用于产生测量光束的辐射源。当前可用的辐射源包括具有优良的宽带宽但又具有较差亮度与较差空间相干性的氙灯，以及具有优良亮度与空间相干性但又不具有显著宽带宽且不能产生低于约400纳米波长的表面红外发光二极管(SLED)激光。

发明内容
因此，需要提供一种具有改进的操作灵敏度和/或速度的度量装置。
根据本发明的一方面，提供了一种用于测量基片上的显微结构的参数的度量装置，该装置包括设置成可产生测量光束的超连续光谱(supercontinuum)光源、设置成可将该测量光束导引到该基片上的光学系统以及用于探测被该结构反射和/或衍射的辐射的传感器。
根据本发明的一方面，提供了一种用于测量形成在基片上的显微结构的参数的度量方法，该方法包括以来自超连续光谱光源的辐射照亮该结构；和用传感器探测自该结构返回的辐射。
根据本发明的一方面，提供了一种设置成可将图案转移到基片上且包括用于测量该基片上的显微结构的参数的度量装置的光刻装置，该光刻装置包括设置成可产生测量光束的超连续光谱光源、设置成可将该测量光束导引到该基片上的光学系统以及用于探测被该结构反射和/或衍射的辐射的传感器。
根据本发明的一方面，提供了一种设置成可实现对基片的加工且包括用于测量该基片上的显微结构的参数的度量装置的加工装置，该加工装置包括设置成可产生测量光束的超连续光谱光源、设置成可将该测量光束导引到该基片上的光学系统以及用于探测被该结构反射和/或衍射的辐射的传感器。
根据本发明的一方面，提供了一种器件制造方法，包括通过以来自超连续光谱光源的辐射照亮形成在第一基片上的显微结构和用传感器探测自该结构返回的辐射来测量该结构的参数；用光刻流程、基于所测得的该结构的参数所测得的该光刻流程的参数将图案转移到第二基片上。


下面将仅通过示例的方式并参考示意性附图来介绍本发明的实施例，在附图中对应的标号表示对应的部分，其中图1显示了根据本发明的一个实施例的光刻装置；图2显示了根据本发明的一个实施例的散射仪；图3显示了根据本发明的一个实施例的可用于散射仪的光源；图4显示了根据本发明的一个实施例的在散射仪的光瞳面的干涉区；图5显示了根据本发明的另一个实施例的散射仪；图6显示了根据本发明的又一个实施例的散射仪；图7显示了根据本发明的再一个实施例的散射仪。
具体实施例方式
图1示意性地显示了用于本发明的一个实施例的光刻装置。该装置包括-构造成可调节辐射光束B(例如UV辐射或DUV辐射)的照明系统(照明器)IL；-构造成可支撑图案形成装置(例如掩模)MA的支撑结构(例如掩模台)MT，其与构造成可按照一定参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；-构造成可固定基片(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W的基片台(例如晶片台)WT，其与构造成可按照一定参数精确地定位基片的第二定位装置PW相连；和-构造成可将由图案形成装置MA施加给辐射光束B的图案投射在基片W的目标部分C(例如包括一个或多个管芯)上的投影系统(例如折射型投影透镜系统)PS。
照明系统可包括用于对辐射进行引导、成形或控制的多种类型的光学部件，例如折射式、反射式、磁式、电磁式、静电式或其它类型的光学部件或其任意组合。
支撑结构支撑即支承了图案形成装置的重量。它以一定的方式固定住图案形成装置，这种方式取决于图案形成装置的定向、光刻装置的设计以及其它条件，例如图案形成装置是否固定在真空环境下。支撑结构可使用机械、真空、静电或其它夹紧技术来固定住图案形成装置。支撑结构例如可为框架或台，其可根据要求为固定的或可动的。支撑结构可保证图案形成装置可例如相对于投影系统处于所需的位置。用语“分划板”或“掩模”在本文中的任何使用可被视为与更通用的用语“图案形成装置”具有相同的含义。
这里所用的用语“图案形成装置”应被广义地解释为可用于为辐射光束的横截面施加一定图案以便在基片的目标部分中形成图案的任何装置。应当注意的是，例如如果图案包括相移特征或所谓的辅助特征，那么施加于辐射光束中的图案可以不精确地对应于基片目标部分中的所需图案。一般来说，施加于辐射光束中的图案将对应于待形成在目标部分内的器件如集成电路中的特定功能层。
图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的例子包括掩模、可编程的镜阵列和可编程的LCD面板。掩模在光刻领域中是众所周知的，其包括例如二元型、交变相移型和衰减相移型等掩模类型，还包括各种混合式掩模类型。可编程镜阵列的一个例子采用微型镜的矩阵设置，各镜子可单独地倾斜以沿不同方向反射所入射的辐射光束。倾斜镜在被镜矩阵所反射的辐射光束中施加了图案。
这里所用的用语“投影系统”应被广义地理解为包括各种类型的投影系统，包括折射式、反射式、反射折射式、磁式、电磁式和静电式光学系统或其任意组合，这例如应根据所用的曝光辐射或其它因素如使用浸液或使用真空的情况来适当地确定。用语“投影透镜”在本文中的任何使用均应被视为与更通用的用语“投影系统”具有相同的含义。
如这里所述，此装置为透射型(例如采用了透射掩模)。或者，此装置也可以是反射型(例如采用了上述可编程镜阵列，或采用了反射掩模)。
光刻装置可以是具有两个(双级)或多个基片台(和/或两个或多个掩模台)的那种类型。在这种“多级”式机器中，附加的台可以并联地使用，或者可在一个或多个台上进行预备步骤而将一个或多个其它的台用于曝光。
光刻装置也可以是这样的类型，其中至少一部分基片被具有较高折射率的液体如水覆盖，从而填充了投影系统和基片之间的空间。浸液也可施加到光刻装置的其它空间内，例如掩模和投影系统之间。浸没技术在本领域中是众所周知的，其用于增大投影系统的数值孔径。在本文中使用的用语“浸没”并不指例如基片的结构必须完全浸入在液体中，而是仅指在曝光期间液体处于投影系统与基片之间。
参见图1，照明器IL接收来自辐射源SO的辐射光束。辐射源和光刻装置可以是单独的实体，例如在辐射源为准分子激光器时。在这种情况下，辐射源不应被视为形成了光刻装置的一部分，辐射光束借助于光束传送系统BD从源SO传递到照明器IL中，光束传送系统BD例如包括适当的引导镜和/或光束扩展器。在其它情况下，该源可以是光刻装置的一个整体部分，例如在该源为水银灯时。源SO和照明器IL及光束传送系统BD(如果有的话)一起可称为辐射系统。
照明器IL可包括调节装置AD，其用于调节辐射光束的角强度分布。通常来说，至少可以调节照明器的光瞳面内的强度分布的外部和/或内部径向范围(通常分别称为σ-外部和σ-内部)。另外，照明器IL可包括各种其它的器件，例如积分器IN和聚光器CO。照明器可用来调节辐射光束，以使其在其横截面上具有所需的均匀性和强度分布。
辐射光束B入射在固定于支撑结构(例如掩模台MT)上的图案形成装置(例如掩模MA)上，并通过该图案形成装置而图案化。在穿过掩模MA后，辐射光束B通过投影系统PS，其将光束聚焦在基片W的目标部分C上。借助于第二定位装置PW和位置传感器IF(例如干涉仪、线性编码器或电容传感器)，基片台WT可精确地移动，以便例如将不同的目标部分C定位在辐射光束B的路径中。类似地，可用第一定位装置PM和另一位置传感器(在图1中未清楚地示出)来相对于辐射光束B的路径对掩模MA进行精确的定位，例如在将掩模从掩模库中机械式地重新取出之后或者在扫描过程中。通常来说，借助于形成为第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗略定位)和短行程模块(精确定位)，可实现掩模台MT的运动。类似的，采用形成为第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块，可实现基片台WT的运动。在采用分档器(与扫描器相反)的情况下，掩模台MT可只与短行程促动器相连，或被固定住。掩模MA和基片W可采用掩模对准标记M1，M2和基片对准标记P1，P2来对准。虽然基片对准标记显示为占据了专用目标部分，然而它们可位于目标部分之间的空间内(它们称为划线路线对准标记)。类似的，在掩模MA上设置了超过一个管芯的情况下，掩模对准标记可位于管芯之间。
所述装置可用于至少一种下述模式中1.在步进模式中，掩模台MT和基片台WT基本上保持静止，而施加到投影光束上的整个图案被一次性投影到目标部分C上(即单次静态曝光)。然后沿X和/或Y方向移动基片台WT，使得不同的目标部分C被曝光。在步进模式中，曝光区域的最大尺寸限制了在单次静态曝光中所成像的目标部分C的大小。
2.在扫描模式中，掩模台MT和基片台WT被同步地扫描，同时施加到投影光束上的图案被投影到目标部分C上(即单次动态曝光)。基片台WT相对于掩模台MT的速度和方向由投影系统PS的放大(缩小)和图像倒转特性来确定。在扫描模式中，曝光区域的最大尺寸限制了单次动态曝光中的目标部分的宽度(非扫描方向上)，而扫描运动的长度决定了目标部分的高度(扫描方向上)。
3.在另一模式中，掩模台MT基本上固定地夹持了可编程的图案形成装置，而基片台WT在施加到投影光束上的图案被投影到目标部分C上时产生运动或扫描。在这种模式中通常采用了脉冲辐射源，可编程的图案形成装置根据需要在基片台WT的各次运动之后或在扫描期间的连续辐射脉冲之间进行更新。这种操作模式可容易地应用于采用了可编程的图案形成装置、例如上述类型的可编程镜阵列的无掩模式光刻技术。
还可以采用上述使用模式的组合和/或变型，或者采用完全不同的使用模式。
图2显示了本发明的一个实施例的散射仪。除了在下面进一步说明的光源之外，散射仪与2004年8月16日申请的美国专利申请10/918,742所说明的相同，此文件通过引用结合于本文中。光源2用透镜系统L2通过干涉滤光器30进行聚焦并由显微镜物镜L1聚焦在基片6上。辐射然后由部分反射面34反射到后投影光瞳面40内的CCD探测器内，以具有所探测的散射光谱。光瞳面40位于透镜系统L1的焦距处。探测器和高孔径透镜设置在光瞳面。由于高-NA透镜的光瞳面通常位于透镜内，光瞳面可用辅助光学重新成像。
反射光的光瞳面例如以40毫秒每帧的积分时间成像于CCD探测器上。这样，基片目标的二维角度散射光谱成像于探测器上。探测器可以是例如CCD探测器阵列或CMOS探测器阵列。光谱的处理给出对称的探测配置因此传感器可以成为回转对称的。这允许紧凑基片台的使用，因为基片上的目标能够以相对于传感器的任意转动定向进行测量。基片上的全部目标可以通过基片的平移和旋转的组合进行测量。
一套干涉滤光器30可用于选择比方说在405-790纳米或诸如200-300纳米的更低的范围的相关波长。许多较长的波长例如约1.5微米。干涉滤光器可以是可调的，而不是包括一套不同滤光器的。光栅可以代替干涉滤光器使用。
基片6可以在其上具有光栅。光栅可以是印刷的以便在显影之后该栅(bar)由固体抗蚀剂线形成。栅或者可以蚀刻在基片中。图案对光刻投影装置尤其是投影系统PL慧形像差敏感，且照亮对称和这种像差的存在将证明它们自己在印刷光栅中的变化。因此，印刷光栅的散射仪数据用于修整光栅。光栅的诸如线宽与形状的参数可以因印刷步骤和/或其它散射仪流程的认知而输入到修整流程中。
在本发明的一个实施例中，光源2包括所谓的“超连续光谱”光源，它的一个例子显示于图3中。如图所示，光源2包括源激光21，源激光21的输出进入非线性光纤22，非线性光纤22将源激光21输出的光以非线性的方式混合以将相对窄的输入带宽转换为较宽的输出带宽。非线性光纤输出的宽带的准确宽度可以通过对源激光输入类型、非线性光纤性能的变化以及所用光纤的长度的选择进行选择。至少约20纳米或至少约200纳米并具有少于约400纳米的最小波长的输出带宽适用于本发明。
非线性光纤22可以是几厘米到几千米长的锥形光纤或光子能带隙光纤。它可便利地用于耦合测量光束到想要的位置并可以设置成以接近纯粹的使光束聚焦在基片上的非常小的点的TFEM00模式发射。多模光纤也可以使用。硅波导和块材也可以代替非线性光纤使用。
适用的源激光包括连续光束激光和脉冲光束激光，具有大于1毫微秒小于15飞秒的脉冲宽度和小于10赫兹大于1千赫兹的重复频率。适用的源激光的例子是掺铒光纤激光、Q-开关激光(例如钇铝石榴石激光)、锁模激光和拉曼(Raman)光纤激光。
用超连续光谱光源获得的照明光束的增加的强度增加了信噪比并允许测量速度和/或测量精度的实质增加。它也对未显影的抗蚀剂的隐蔽纹印造成了可行的测量。这便利了即时度量，也就是度量传感器整合到光刻装置内，潜在地允许先于显影重工和/或在单一批次中修正。换句话说，度量结果也可以用于调整对同一基片(有或没有重工)或不同基片的随后曝光参数。
在本发明的一个特别实施例中，由超连续光谱光源产生的光束的空间相干性用于产生可以显著增加灵敏度的干涉条纹。这显示于图4中。物镜L1以小散焦设置并设置成以便由试验结构生成的零和至少一个第一(均在显示的配置中)衍射级部分地与光瞳面40重叠。在重叠区内形成了以阴影显示的干涉条纹。此配置中的条纹的发生在Adam Hilger 1985(ISBN 0-85274-785-3)中由G.Bouwhuis等人发表的“principles of Optical Disc System”中有进一步的说明。为探测的目的，干涉图案具有几个优点。
第一，在小信号防护范围内，也就是当试验结构的相深较小且第一级光束强度低时，条纹图案的差异线性依赖于相深并且因此高于其它具有二次关系式的相深的探测器。
第二，条纹的位置依赖于试验结构的横向偏移以便可以用扫描级实现标记位置的探测，而在不同层的两个标记然后可以用于探测覆盖层(overlay)。
第三，条纹频率依赖于对于试验结构的目标通道的传感器的散焦。器件因此可以用于获得深度信息。
第四，通过使用复合覆盖层标记(在两个不同层中上下或互相接近地定位的两个光栅)，在光瞳面40中的两个重叠区域的不对称可以用于覆盖层探测。
本发明的实施例的度量装置可以并入光刻装置，例如在测量位置的双级装置，或者诸如PVD装置的加工装置。
在本发明的另一个图5所示的特别实施例中，散射仪的测量速度通过超连续光谱光源输出脉冲与支撑基片的台的移动的同步可以充分增加。
散射仪101由超连续光谱光源102供给脉冲测量光束并对固定于基片台WT上的基片W上的标志进行测量。基片台WT由连接于控制器103的定位装置PW在散射仪101下进行扫描。控制器103可以控制定位装置PW对基片台定位或者可以接收来自定位测量系统(图未示)的定位信息，同时定位装置由单独的控制器控制。总之，控制器也连接于光源102并控制光源102在基片W在一个位置时发射脉冲以便标志在散射仪下。这样，动态的(on-the-fly)测量可以较现有技术的布置更快地进行，该布置需要标志定位在散射仪下而的基片仍然足够长时间地固定以待测量。
本发明的又一个特别实施例包括如图6所示分光镜反射计型的散射仪200。在此装置中，超连续光谱光源2提供被导引到分束器201的高能、宽带、高准直的光束，该分束器201将光束朝着待测量的基片W反射。显微镜物镜202将光束聚焦在基片上并会聚反射光，通过分束器201将光导引到将光反射至光栅204的反射镜203。光栅204将光分散到探测器205上，例如冷却CCD阵列。CCD阵列的输出是发射光的光谱，也就是作为波长函数的强度的测量，其可以用于推论基片W上的结构的参数，例如光栅的线宽，以已知的方式，例如通过与众多测量比较形成试验结构或者通过模拟计算出来的光谱。
散射仪200除了使用超连续光谱光源外类似于已知的散射仪；这种类型的已知散射仪已使用卤素灯或氘灯，或该二者。超连续光谱光源的使用增加了入射光束与因此的反射光的强度，允许测量更快地进行。散射仪200还可以用于图5的系统。
本发明的再一个特别实施例是图7所示的分光镜椭率计型的散射仪300。在此装置中，超连续光谱光源2的输出穿过偏光器301以便线性偏振光束，或者如果已经部分偏振时清除其偏振。如果超连续光谱光源2的输出已经充分偏振，偏光器301可以省去。偏振光束然后穿过回旋补偿器302以能够调整偏振方向，并聚焦在待由透镜303检查的基片W上。会聚透镜304会聚反射光并将其导引到偏振分析器305，之后光纤将光耦合到分光镜307和探测器阵列308，例如冷却CCD阵列。
基片W和其上的薄膜或结构的性能不同地影响不同波长的反射光的强度和偏振态-线性偏振光被椭圆偏振。通过转动分析器，散射仪可以提供强度和作为波长函数的椭圆率的测量，提供信息以能够重建基片上的结构或以已知技术推论它的参数。
此外，散射仪300除了使用超连续光谱光源外类似于已知的散射仪；这种类型的已知散射仪已使用氙弧光灯或氘灯，或该二者。超连续光谱光源的使用增加了入射光束与因此的反射光的强度，允许测量更快地进行。散射仪300还可以用于图5的系统。
虽然在本文中具体地参考了IC制造中的光刻装置的使用，然而应当理解，这里所介绍的光刻装置还可具有其它应用，例如集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等的制造。本领域的技术人员可以理解，在这种替代性应用的上下文中，用语“晶片”或“管芯”在这里的任何使用分别被视为与更通用的用语“基片”或“目标区域”具有相同的含义。这里所指的基片可在曝光前或曝光后例如在轨道(一种通常在基片上施加抗蚀层并对暴露出来的抗蚀层进行显影的工具)或度量和/或检查工具中进行加工。在适当之处，本公开可应用于这些和其它基片加工工具中。另外，基片可被不止一次地加工，例如以形成多层IC，因此这里所用的用语“基片”也可指已经包含有多层已加工的层的基片。
尽管在上文中已具体引用了本发明的实施例在光刻法范围中的应用，然而可以理解，本发明可用于其它应用中，例如压印光刻法，其中该范围并不限于光刻法。在压印光刻法中，图案形成装置中的外形限定了基片上所形成的图案。图案形成装置的外形可压在提供至基片的一层光刻胶上，通过施加电磁辐射、热量、压力或它们的组合来受光刻胶固化。在光刻胶固化之后，将图案形成装置从光刻胶上移开，从而在光刻胶中形成图案。
这里所用的用语“辐射”和“光束”旨在包括所有类型的电磁辐射，包括紫外线(UV)辐射(例如波长为大约365，355，248，193，157或126纳米)和远紫外线(EUV)辐射(例如波长为5-20纳米)，以及粒子束如离子束或电子束。
用语“透镜”在允许之处可指多种光学部件中的任意一种或其组合，包括折射式、反射式、磁式、电磁式和静电式光学部件。
虽然在上文中已经描述了本发明的特定实施例，然而可以理解，本发明可通过不同于上述的方式来实施。例如在适当之处，本发明可采用含有一个或多个描述了上述方法的机器可读指令序列的计算机程序的形式，或者存储有这种计算机程序的数据存储介质(如半导体存储器、磁盘或光盘)的形式。
这些描述是示例性而非限制性的。因此，对本领域的技术人员来说很明显，在不脱离所附权利要求的范围的前提下，可以对本发明进行修改。
权利要求
1.一种用于测量基片上的显微结构的参数的度量装置，所述装置包括设置成可产生测量光束的超连续光谱光源、设置成可将所述测量光束导引到所述基片上的光学系统以及用于探测被所述结构反射和/或衍射的辐射的传感器。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述超连续光谱光源包括设置成可产生第一光束的源激光和设置成可接收所述第一光束并产生第二光束的非线性媒介，所述第二光束具有大于第一光束的带宽。
3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述源激光包括连续光束激光。
4.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述源激光包括脉冲激光。
5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述装置还包括设置成可相对于所述传感器移动所述基片的定位装置和设置成可在所述基片处于预定位置时使所述光源同步发射脉冲的控制器。
6.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述非线性媒介选自包括掺杂光纤、锥形光纤、光子能带隙光纤和硅基波导的群组。
7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述光学系统包括物镜，而所述传感器包括设置成可探测由在所述物镜的光瞳面中的所述结构返回的辐射的强度的空间变化的二维传感器。
8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述装置还包括设置成可将所述物镜的光瞳面重新成像在所述二维传感器上的第二光学系统。
9.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述物镜的设置可使得所述结构的像在所述传感器的焦距外。
10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述物镜的设置可使得自所述试验结构返回的衍射辐射的第零和至少一个第一级与光瞳面重叠。
11.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括设置成可会聚由所述结构反射和/或衍射的辐射的会聚光学系统和设置成可根据波长对由所述会聚光学系统会聚的辐射进行色散的波长色散装置，其中所述传感器设置成可检测作为波长函数的色散辐射的强度。
12.根据权利要求11所述的装置，其特征在于，所述超连续光谱光源设置成可产生偏振测量光束，且所述装置还包括设置成可转动所述测量光束的偏振方向的回旋补偿器和设置成可分析由所述结构反射和/或衍射的辐射的偏振态的分析器。
13.一种用于测量形成在基片上的显微结构的参数的度量方法，所述方法包括以来自超连续光谱光源的辐射照亮所述结构；和用传感器探测自所述结构返回的辐射。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述传感器是角分辨散射仪。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述散射仪包括具有光瞳面的物镜，所述物镜设置在散焦位置以便第零和至少一个第一级与所述光瞳面至少部分重叠。
16.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述结构是用光刻流程形成在基片上的结构。
17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述结构选自包括对准标记、CD均质性目标、覆盖层目标、衍射光栅和器件结构的群组。
18.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述结构是在抗蚀剂层中的潜影。
19.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述参数包括在至少一维的基片上的结构的位置。
20.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述参数包括覆盖层。
21.一种设置成可将图案转移到基片上且包括用于测量所述基片上的显微结构的参数的度量装置的光刻装置，所述装置包括设置成可产生测量光束的超连续光谱光源、设置成可将所述测量光束导引到所述基片上的光学系统以及用于探测被所述结构反射和/或衍射的辐射的传感器。
22.一种设置成可实现对基片的加工且包括用于测量所述基片上的显微结构的参数的度量装置的加工装置，所述装置包括设置成可产生测量光束的超连续光谱光源、设置成可将所述测量光束导引到所述基片上的光学系统以及用于探测被所述结构反射和/或衍射的辐射的传感器。
23.一种器件制造方法，包括通过以来自超连续光谱光源的辐射照亮形成在第一基片上的显微结构和用传感器探测自所述结构返回的辐射来测量所述结构的参数；用光刻流程、基于所测得的所述结构的参数所确定的所述光刻流程的参数将图案转移到第二基片上。
24.根据权利要求23所述的方法，其特征在于，所述第一基片是所述第二基片。
25.根据权利要求23所述的方法，其特征在于，所述第一基片不是所述第二基片。
全文摘要
一种用于测量基片上的显微结构的参数的度量装置，该装置包括设置成可产生测量光束的超连续光谱光源、设置成可将该测量光束导引到该基片上的光学系统以及用于探测被该结构反射和/或衍射的辐射的传感器。
文档编号H01L21/00GK1892439SQ20061010013
公开日2007年1月10日 申请日期2006年6月29日 优先权日2005年6月30日
发明者H·P·M·佩勒曼斯, A·J·登博夫, W·M·科尔贝杰, H·范德兰 申请人:Asml荷兰有限公司