专利名称：激光诱发热成像设备及激光诱发热成像方法
技术领域：
本发明涉及一种激光诱发热成像(LITI)设备以及一种激光诱发热成像方法。更具体地说，本发明涉及一种利用包括电磁体的附着框架(adhesiveframe)及具有电磁体的基底台将供体膜(donor film)紧紧附着(adhering)于基底上并执行激光诱发热成像工序的激光诱发热成像设备及激光诱发热成像方法。
本申请要求享有于2005年8月30日向韩国知识产权局提交的申请号为No.10-2005-0080338的韩国专利申请的优先权，该申请所公开的全部内容作为参考文件结合于本申请中。
背景技术：
通常，在有机光发射二极管中，作为下部电极的阳极电极形成于绝缘基底上，而在阳电极上形成有机薄膜层，作为上部电极的阴极电极形成于有机薄膜层上。有机薄膜层包括空穴注入层、空穴传输层、发射层、空穴抑制层、电子传输层或电子注入层中的至少一层。
形成有机薄膜层的方法包括沉积法和平版印刷法。沉积法是利用障板(shadow mask)真空沉积有机发光材料从而形成有机光发射层的方法，此种方法存在的问题是很难形成微型图形，而且由于障板的变形，难以应用于大尺寸显示装置。平版印刷法是通过沉积有机发光材料从而形成有机光发射层，再利用光阻材料对它们进行构图的方法，平版印刷法可以形成具有细微节距的图形，但其存在的问题是由于用于形成有机发光材料的光阻图形或腐蚀液的显影液引起有机光发射层的性能恶化。
为了解决上述问题，有人提出了一种可直接对有机光发射层进行构图的方法。通过溶解或分散发光材料并从喷墨打印机的打印头分配所得到的配制液(resultant dispensing solution)，利用喷墨方法形成有机光发射层。这种喷墨方法就工序而言比较简单，但是存在的问题是，它的输出量很少，层的厚度不均匀，且难以应用于大尺寸的显示装置。
发明内容
本发明的目的是提供一种激光诱发热成像设备。
根据本发明一示例性实施方式，所提供的激光诱发热成像设备包括腔室、基底台、附着框架以及激光振荡器。腔室具有供体膜及基底，该腔室用于在基底上实施层叠供体膜的工序。基底台具有第一电磁体，该基底台被设置于腔室内，用来支撑基底。附着框架具有第二电磁体，该框架被设置于基底台上方。供体膜及基底被设置在腔室内的基底台和附着框架之间。激光振荡器用来向供体膜提供激光输出。
本发明的另一目的是提供一种激光诱发热成像方法。
根据本发明另一示例性实施方式，所提供的激光诱发热成像方法包括层叠置于基底台和附着框架之间的供体膜及基底；向基底台和附着框架上供给电流，以便由于所述电流而在基底台和附着框架中产生磁力；利用磁力使供体膜附着于基底上。
通过下面结合附图对本发明的一些示例性实施方式进行描述，本发明的这些和/或其它方面及其特点将更加清楚且更容易理解。附图中图1的分解透视图示出了本发明一示例性实施方式的激光诱发热成像设备的实例；图2A至2E的截面图示出了本发明一示例性实施方式的激光诱发热成像方法。
具体实施例方式
在下文中，将参考附图对本发明的某些具体实施方式
进行描述。
图1为本发明一示例性实施方式的激光诱发热成像设备实例的分解透视图。
参考图1，本发明一示例性实施方式的激光诱发热成像设备包括腔室100、基底台200、附着框架300、激光振荡器400以及升降单元500a、500b。
在腔室100中，对作为沉积源的供体膜350进行层叠处理，以将预定的有机材料转移到基底250上。因此，作为用于对基底250和供体膜350实施层叠处理的设备，腔室100内至少要包括基底台200和附着框架300。在层叠处理的过程中，腔室100处于真空状态。
基底台200包括第一配置槽(或者凹陷区)202a和第二配置槽202b，用来分别放置基底250以及供体膜350。通常，因为供体膜350的面积大于基底250的面积，所以第二配置槽202b根据供体膜350的形状围绕第一配置槽202a的周边形成。第一配置槽202a以及第二配置槽202b被形成为具有预定的台阶差，第二配置槽202b高于第一配置槽202a一预定高度。此外，基底台200包括至少一个第一电磁体210。可将第一电磁体210放置在单一的平面上，当然也可将多个第一电磁体210形成为同心圆，或排列成多个水平列和垂直列。
附着框架300具有第二电磁体310，该框架位于基底台200的上方。供体膜350和基底250被放置在腔室100内的基底台200和附着框架300之间。另外，在附着框架300中形成至少一个图形与被转移(transferred)的供体膜350的一部分相对应的开口311。也就是说，由于供体膜350是作为转移源用来将有机材料转移到基底250上，因此应被转移到基底250上的供体膜350的量和被转移的有机材料的量一样多。因此，在附着框架300中形成具有预定图形的开口311以便于将所希望的供体膜350的区域(area)转移到基底250上。另外，附着框架300本身可以形成为第二电磁体310，也可以通过将第二电磁体310附着在附着框架300的上部或下部而形成。附着框架300可通过附着框架盘301固定，以便被向上或向下驱动。
可将激光振荡器400定位于腔室100的外侧或内侧，可将其定位于附着框架300的上方，以便向附着框架300施加激光输出(且通过至少一个开口311施加到供体膜350上)。
升降单元500a、500b可以分为第一升降单元500a和第二升降单元500b。第一升降单元500a具有至少一个第一销钉550a用来升高和下降基底250，第二升降单元500b具有至少一个第二销钉550b，用来升高和下降供体膜350。作为一个实例，首先，第一升降单元500a向上移动，以便从移位设备处(未示出)接收基底250，然后该升降单元向下移动并将基底安置在第一配置槽202a中。接着，第二升降单元500b向上移动，以便从移位设备处(未示出)接收供体膜350，然后该升降单元向下移动并将供体膜安置在第二配置槽202b中。利用这种操作使基底250和供体膜350层叠。在此，供体膜350通过膜盘351进行固定以便于其可以向上移动。
根据本发明一示例性实施方式，前述激光诱发热成像设备还包括与附着框架300耦连的升降驱动单元320(如图2A-2E所示)，以便通过该升降驱动单元驱动附着框架300向上和向下移动。也就是说，由于附着框架300包括第二电磁体310，如果向附着框架300供给预定电流，该电磁体310就成为可以产生磁场的磁体。因此，升降驱动单元可以包括或耦连一电流源，用来向附着框架300提供电流，以便于根据电流的大小和方向来控制附着框架300的附着强度和动作。
图2A至2E的截面图示出了本发明一示例性实施方式的激光诱发热成像方法。
参照图2A至2E，在本发明一示例性实施方式的激光诱发热成像方法中，利用端部操纵装置700首先将基底250安放在腔室100内的基底台200上的第一配置槽202a上。为此，第一升降单元500a向上移动，并利用安装在第一升降单元500a内的第一销钉550a从端部操纵装置700处接收基底250并支撑基底250(图2A)。随后，将端部操纵装置700移出腔室100(图2B)。
在接下来的工序中，利用端部操纵装置700将供体膜350放置在基底台200的第二配置槽202b中。为此，第二升降单元500b向上移动，并利用安装在第二升降单元500b内的第二销钉550b从端部操纵装置700处接收供体膜350并支撑供体膜350(图2C)。随后，将供体膜350层叠到预先安放的基底250上。这里，供体膜350被放置在第二配置槽202b上，同时其由膜框架351固定(图2D)。
随后，借助于控制附着强度，使附着框架300紧紧地附着于供体膜350上，致使在基底250和供体膜350之间连细微的缝隙都不会形成，两者彼此紧密附着。然后，附着框架300向下移动，同时附着框架300由附着框架盘301固定。由于在基底台200的内侧安装有电磁体310，因此基底250与供体膜350之间的附着性能可以借助于控制附着框架300与基底支座200之间的附着强度而得到改善。随后，利用激光振荡器400在设置有预定图形的开口311的附着框架300上进行下一道激光转移工序。此时，由于供体膜350是将有机材料转移到基底250上的转移源(或沉积源)，因此其以预定的图形被转移到基底250上。据此，由于附着框架300具有预定图形的开口，所以通过在附着框架300上照射激光，具有预定图形的有机材料被转移到基底250上。也就是说，附着框架300具有掩模的功能，在该处激光只能通过其上的预定区域进行照射(图2E)。
根据前述的本发明一示例性实施方式的激光诱发热成像方法，可通过以下方式对前述的工序进行改进，在对基底250和供体膜350进行层叠的方法中，可以通过固定基底台200来支撑基底250，并使附着框架300下降，然后利用附着框架300使两者彼此紧密附着。当图2E所示的工序完成时，附着框架300再次向上移动，并利用升降驱动单元返回到初始位置。
本发明一示例性实施方式的激光诱发热成像设备和激光诱发热成像方法对于防止在供体膜和基底之间产生细微缝隙是很有效的。因此，本发明一示例性实施方式的激光诱发热成像设备和激光诱发热成像方法可以改善基底和供体膜之间的结合性能，进而可以提高设备的使用寿命，生产率以及可靠性。
尽管已示出了本发明一些示例性实施方式，并对它们进行了详细描述，但是本领域技术人员应该了解，这里所作的描述仅仅是为了解释而列举出实例，而不是对本发明的限制。还应理解的是，在不超出本发明的构思和范围的前提下，还可以作出其它一些等同变换和变型。
权利要求
1.一种激光诱发热成像设备，包括腔室，其用于实施将供体层叠于基底上的工序；具有第一电磁体的基底台，该基底台被设置于所述腔室内且用来支撑所述基底；具有第二电磁体的附着框架，其被设置于所述腔室内，所述附着框架和基底台被设置成接收所述基底台和附着框架之间的所述供体膜和所述基底；以及用于将激光输出提供给所述供体膜的激光振荡器。
2.如权利要求1所述的激光诱发热成像设备，其中，将所述附着框架形成为第二电磁体。
3.如权利要求1所述的激光诱发热成像设备，其中，所述第二电磁体被耦连于所述附着框架的上部或下部。
4.如权利要求1所述的激光诱发热成像设备，其中，在所述附着框架内形成图形与被转移的所述供体膜的一部分相对应的开口。
5.如权利要求1所述的激光诱发热成像设备，其中，还包括耦连到所述附着框架上的升降驱动单元，以便控制所述附着框架向上或向下移动。
6.如权利要求5所述的激光诱发热成像设备，其中，所述升降驱动单元包括用于向所述附着框架提供电流的电流源。
7.如权利要求5所述的激光诱发热成像设备，其中，所述升降驱动单元用于控制所述供体膜和基底之间的附着强度。
8.如权利要求1所述的激光诱发热成像设备，其中，所述第一电磁体被设置于所述基底台内侧。
9.如权利要求1所述的激光诱发热成像设备，其中，所述激光振荡器位于所述附着框架上方。
10.如权利要求1所述的激光诱发热成像设备，其中，所述激光振荡器被设置于所述腔室内侧。
11.如权利要求1所述的激光诱发热成像设备，其中，所述激光振荡器被设置于所述腔室外侧。
12.一种激光诱发热成像方法，包括层叠供体膜和基底，所述供体膜和基底被设置于基底台与附着框架之间；向所述基底台和附着框架供给电流，以便由于电流在所述基底台和附着框架中产生磁力；以及利用所述磁力使所述供体膜附着于所述基底上。
13.如权利要求12所述的激光诱发热成像方法，其中，所述供给电流步骤包括通过向下移动所述附着框架实现所述附着。
14.如权利要求12所述的激光诱发热成像方法，其中，所述方法还包括将所述供体膜附着于所述基底后借助于向上移动所述附着框架使所述附着框架返回到初始位置。
全文摘要
本发明公开了一种激光诱发热成像设备及激光诱发热成像方法。激光诱发热成像设备具有处于附着框架和基底台内的电磁体，以便使供体膜紧紧附着于基底上。该激光诱发热成像设备包括处理腔室，该腔室包括供体膜和基底并用来实施将供体膜沉积到基底上的工序；具有第一电磁体的基底台，该基底台位于工序腔室内用来支撑基底；具有第二电磁体的附着框架，该附着框架位于基底台上方，供体膜和基底被设置于处理腔室内的基底台和附着框架之间；以及用于将激光输出提供给供体膜的激光振荡器。
文档编号H01L51/50GK1944070SQ20061016393
公开日2007年4月11日 申请日期2006年8月30日 优先权日2005年8月30日
发明者鲁硕原, 姜泰旻, 金镇洙, 郭鲁敏, 李在濠 申请人:三星Sdi株式会社