专利名称：柔性非晶硅薄膜太阳电池的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及到 一 种采用透明可巻曲聚酰亚胺薄 膜作基体制成的非晶硅太阳电池。
背景技术：
目前尚没有一种可巻曲的太阳电池板，使其可安装于 任何曲面建筑物上。发明内容为解决前述问题，本实用新型提供 一 种柔性非晶硅薄 膜太阳电池，太阳电池的结构层依次是，聚酰亚胺薄膜作基体/ITO导电薄膜为正极/P型非晶硅/本征型非晶硅/n 型非晶硅/铝膜为负极/光聚树脂。聚酰亚胺薄膜的厚度小于O.lmm，其透光率要达93%。ITO导电薄膜层是用磁控溅射，在聚酰亚胺薄上在 真空室中沉积形成厚约0!8 u m层。 铝膜层是采用磁控溅射制成，其厚度约1 w m 。 光聚树脂是滚涂生长在铝膜表面上。本实用新型的优点是，这种特殊结构的非晶硅电池， 具有可巻曲的优点，其曲率半径可小于5mm，巻曲300 次以上不会影响其使用寿命；高效率由于采用特殊的 结构，其初始效率高于8% ( AM1.5，100mW/cm2，2 5。C ); 极高的重量比功率，可达1 500W/kg以上；极强的抗辐射 能力，如采用lMeV，通量达1015电子/ cm2电子辐照，
其抗辐照能力要比单晶硅太阳电池强1 00倍以上。
附图是本实用新型的结构图。
具体实施方式
请参阅附图所示，图中的1是 一 种透光率超过93%的 耐高温聚酰亚胺薄膜，其可耐300°C以上高温，表面不平 整度小于1 tt m，具有耐紫外，耐各种宇宙射线辐照的能 力，作为非晶硅太阳电池的基体；2是电池的正极，材料 是ITO薄膜，采用磁控溅射的办法在真空室中沉积，其 电阻率小于10Q-cm，透光率高于92%，厚度约0.8um; 3、 4、 5是非晶硅太阳电池，采用PECVD方法在真空反 应室内沉积，先制P型层，后制本征层，再制N型层；6 是电池的负极，材料是铝膜，采用磁控溅射的办法制成， 其厚度约lum; 7是一层光聚树脂，采用滚涂方法生长 在6表面上，再采用紫外线照射固化，其厚度约1 -5 u m ; 是 一 种耐腐蚀的树脂，对非晶太阳电池起保护作用，同 时可以与多种材料粘接。如附图所示，太阳光通过高透光率的1层和导电透 光的2层进入由pin三层半导体非晶硅薄膜制成的太阳电 池内，产生光生电流和约0.8-0.9伏的电压，其能量分别 通过2禾卩6引出，为外电路供电。
权利要求1、一种柔性非晶硅薄膜太阳电池，其特征在于该太阳电池的结构层依次是， 聚酰亚胺薄膜作基体/ITO导电薄膜为正极/P型非晶硅/本征型非晶硅/n型非晶硅/铝膜为负极/光聚树脂。
2 、 按权利要求1所述的柔性非晶硅薄膜太阳电池，其 特征在于聚酰亚胺薄膜的厚度小于O.lmm，其透光率 要达93%。
3 、 按权利要求1所述的柔性非晶硅薄膜太阳电池，其 特征在于ITO导电薄膜层厚度约0.8u m层。
4 、按权利要求1所述的柔性非晶硅薄膜太阳电池，其特 征在于铝膜层厚度约1 U m 。
5 、按权利要求1所述的柔性非晶硅薄膜太阳电池，其特 征在于光聚树脂是滚涂生长在铝膜表面上。
专利摘要本实用新型提供一种柔性非晶硅薄膜太阳电池，太阳电池的结构层依次是，聚酰亚胺薄膜作基体/ITO导电薄膜为正极/P型非晶硅/本征型非晶硅/n型非晶硅/铝膜为负极/光聚树脂。聚酰亚胺薄膜的厚度小于0.1mm，其透光率要达93％。ITO导电薄膜层是用磁控溅射，在聚酰亚胺薄上在真空室中沉积形成厚约0.8μm层。铝膜层是采用磁控溅射制成，其厚度约1μm。光聚树脂是滚涂生长在铝膜表面上。优点是，具有可卷曲的优点，其曲率半径可小于5mm，高效率其初始效率高于8％(AM1.5，100mW/cm2，25℃)；极高的重量比功率，可达1500W/kg以上。
文档编号H01L31/045GK201045738SQ200620039938
公开日2008年4月9日 申请日期2006年3月6日 优先权日2006年3月6日
发明者胡宏勋, 君 郑 申请人:胡宏勋;郑 君