专利名称：带有正面钝化n型扩散层的n型硅太阳能电池的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种太阳能电池，具体说是一种带有正面钝化N型扩散层的N型硅太阳能电池。
背景技术：
目前国际上通行的是在P型硅片上以丝网印刷方法制造的硅太阳能电池。这种电池得到认可的最高光电转换率在16％左右。在此基础上进一步提高性价比的空间非常有限。并且，近年来人们发现常规太阳能电池用的P型硅切克劳斯直拉单晶(CZ)材料的少数载流子寿命会在光照下衰退。因而尝试着寻找其他性能更好的材料，如超磁直拉单晶(MCZ)、掺镓直拉单晶等等，但这样会提高太阳能电池的成本。
目前现有的N型硅太阳能电池是美国SunPower公司生产的N型背面点接触太阳能电池。其结构是电极、接触金属全部在电池背面，为实现金属与背面10微米的细小扩散区点阵的互联，又要防止背面金属之间短路，因此要做多次光刻、氧化和扩散，结构相当复杂，制作难度大，成本高。
实用新型内容本实用新型的发明目的在于弥补现有技术存在的缺陷，提供一种提供一种结构合理，制作工艺简单，成本较低，光电转化率高的带有正面钝化N型扩散层的N型硅太阳能电池。
本实用新型带有正面钝化N型扩散层的N型硅太阳能电池，以N型直拉单晶硅片(CZ)为基体，其特征是N型直拉单晶硅片的正面带有正面钝化N型扩散层，扩散层上设有随机正金字塔绒面结构层，随机正金字塔绒面结构层上附设丝网印刷的金属电极；N型直拉单晶硅片的的背面设有硼扩散制备的P型发射结层，在P型发射结层上附设丝网印刷的金属电极。
本实用新型带有正面钝化N型扩散层的N型硅太阳能电池，结构合理，制作工艺简单。由于带有正面N型钝化扩散层，可以极小的附加成本达到更高的光电转化效率。
图1为本实用新型带有正面钝化N型扩散层的N型硅太阳能电池结构(放大)局部示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例，对本实用新型作进一步详细说明。
实施例如图1所示，本实用新型带有正面钝化N型扩散层的N型硅太阳能电池，以N型直拉单晶硅片(CZ)为基体1，N型直拉单晶硅片的正面带有正面钝化N型扩散层2，扩散层上设有随机正金字塔绒面结构层3，随机正金字塔绒面结构层上附设丝网印刷的金属电极4；N型直拉单晶硅片的的背面设有硼扩散制备的P型发射结层5，在P型发射结层上附设丝网印刷的金属电极4。
本实用新型带有正面钝化N型扩散层的N型硅太阳能电池是按下述方法制备的将N型硅片进行前道化学预处理，正面N型钝化扩散处理，腐蚀随机正金字塔绒面结构层；在N型硅片背面硼扩散制备背面的P型发射结，生长氧化层；N型硅片正面PECVD淀积氧化层，丝网印刷正面、背面金属电极；烧结金属即电极金属化。从而得到本实用新型带有正面钝化N型扩散层的N型硅太阳能电池。
权利要求1.一种有正面钝化N型扩散层的N型硅太阳能电池，以N型直拉单晶硅片(CZ)为基体(1)，其特征是N型直拉单晶硅片的正面带有正面钝化N型扩散层(2)，扩散层上设有随机正金字塔绒面结构层(3)，随机正金字塔绒面结构层上附设丝网印刷的金属电极(4)；N型直拉单晶硅片的的背面设有硼扩散制备的P型发射结层(5)，在P型发射结层上附设丝网印刷的金属电极(4)。
专利摘要本实用新型公开了一种带有正面钝化N型扩散层的N型硅太阳能电池，以N型直拉单晶硅片(CZ)为基体，其特征是N型直拉单晶硅片的正面带有正面钝化N型扩散层，扩散层上设有随机正金字塔绒面结构层，随机正金字塔绒面结构层上附设丝网印刷的金属电极；N型直拉单晶硅片的的背面设有硼扩散制备的P型发射结层，在P型发射结层上附设丝网印刷的金属电极。本实用新型太阳能电池，结构合理，制作工艺简单。由于带有正面N型钝化扩散层，可以极小的附加成本达到更高的光电转化效率。
文档编号H01L31/042GK2886809SQ200620068810
公开日2007年4月4日 申请日期2006年1月24日 优先权日2006年1月24日
发明者赵建华, 王爱华, 张凤鸣 申请人:中电电气(南京)光伏有限公司