专利名称：改进型大功率引线框架的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种半导体分立器件，特别是一种用于制作半导体元件的改进型大功率引线框架。
背景技术：
现有技术中TO-220-5L引线框架的结构如图4所示，引线框架的散热固定部、芯片部、中间管脚及4个侧管脚为一连续的整体结构，构成引线框架的各组成部分的形状简单、表面光滑。又因引线框架与塑封料所用材料特性的不同和热膨胀系数的差异，引线框架与芯片和塑封料间的结合力很差，使其密封强度大大降低，直接影响了半导体元件的性能、质量和使用寿命。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题是，提供一种改进型大功率引线框架，既可增强引线框架与塑封料、芯片间的结合力和密封强度，又可延长其的使用寿命。
本实用新型解决上述问题所采用的技术方案为改进型大功率引线框架由散热固定部、芯片部、中间管脚、侧管脚连接成一体构成，所述芯片部的两边缘阶梯面有缺口，芯片部上与芯片相对应位置上有由凹槽组成的边框，边框内又有由凹槽点经规则排列构成的凹点面。
与现有技术相比，本实用新型的优点在于，现有的引线框架形状简单、表面光滑、线条单一，因此和塑封料结合力很差、密封强度低，现在引线框架芯片部边缘上增加半圆形的缺口，芯片部内与芯片相对应位置增加由凹槽组成的边框，便于塑封料的填充和镶嵌，这样就增强了引线框架和塑封件的结合力和密封性。边框内又有截面为梯形的凹槽点横纵均布、规则排列构成的凹点面，增加了引线框架与芯片的结合强度，有效地防止分层现象的出现。本改进型大功率引线框架使整个半导体元件的抗机械冲击、耐热疲劳强度提高，从而延长了使用寿命。
图1、本实用新型的结构示意图。
图2、图1的A-A剖面放大图。
图2、图1的A-A剖面放大图。
图3、凹槽点正面放大视图。
图4、现有技术结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的实施例作进一步描述。
引线框架由散热固定部1、芯片部7和中间脚8连为一体的主体，在后续封装工艺中再与4个侧管脚9、10连为一体组成。
在芯片部7的两边缘阶梯面2上有两半圆形的缺口3，如图1所示。
在芯片部7装片面中间有由连续的V形凹槽11构成的方形边框4，边框4内有截面为梯形凹槽点5，如图3所示，凹槽点5均布、横纵向排列构成方形凹点面6，如图1、图2所示。
V形凹槽11的夹角θ在85～95度间，梯形凹槽5的深度h和底边宽度相等，深度h在0.10～0.14毫米间。
塑封料在此引线框架上封装芯片时，充满芯片部7的两边缘阶梯面缺口3内和边框4内，由于这些填充和镶嵌使得塑封料和引线框架的结合更加牢固、密封更为良好。芯片结合料填充进芯片部7上各梯形凹槽点5中，增强了引线框架与芯片之间的结合力。
权利要求1.一种改进型大功率引线框架，由散热固定部(1)、芯片部(7)、中间管脚(8)、侧管脚(9)、(10)连接成一体构成，其特征在于所述芯片部(7)的两边缘阶梯面(2)上有缺口(3)，芯片部(7)上与芯片相对应位置上有由凹槽(11)组成的边框(4)，边框(4)内又有由凹槽点(5)经规则排列构成的凹点面(6)。
2.根据权利要求1所述的改进型大功率引线框架，其特征在于芯片部(7)的两边缘阶梯面(2)上有两半圆形的缺口(3)。
3.根据权利要求1所述的改进型大功率引线框架，其特征在于芯片部(7)装片处中间有由连续的V形凹槽(11)构成的方形边框(4)，边框(4)内有截面为梯形的凹槽点(5)横纵向均布排列组成方形凹点面(6)。
4.根据权利要求1所述的改进型大功率引线框架，其特征在于V形凹槽(11)的夹角θ在85～95度间，梯形凹槽(5)的深度h和底边宽度相等，深度h在0.10～0.14毫米间。
专利摘要一种改进型大功率引线框架，由散热固定部、芯片部、中间管脚、侧管脚连接成一体构成，所述芯片部两边缘阶梯面上有缺口，芯片部上与芯片相对应位置上有由凹槽组成的边框，边框内又有截面为梯形的由凹槽点纵横向经规则排列构成的凹点面。这样便于塑封料的填充和镶嵌，增强了引线框架和塑封件的结合力和密封性。同时又增加了引线框架与芯片的结合强度，有效地防止分层现象的出现，使半导体元件的抗机械冲击、耐热疲劳强度提高，从而延长了使用寿命。
文档编号H01L23/495GK2893922SQ200620102839
公开日2007年4月25日 申请日期2006年4月19日 优先权日2006年4月19日
发明者曹光伟, 段华平, 曹前龙, 何宏伟 申请人:宁波康强电子股份有限公司